本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種降低lte(longtermevolution,長(zhǎng)期演進(jìn))終端芯片mimo(multiple-inputmultiple-output,多輸入多輸出)檢測(cè)器功耗的方法及裝置。
背景技術(shù):
高速無(wú)線數(shù)據(jù)接入業(yè)務(wù)與用戶數(shù)量的迅速增長(zhǎng),需要更高速率、更大容量的無(wú)線鏈路的支持,而決定無(wú)線鏈路傳輸效能的最根本因素在于信道容量。多天線空間復(fù)用mimo技術(shù)有效提高了信道容量,是lte系統(tǒng)的核心技術(shù)。
對(duì)于空間復(fù)用mimo系統(tǒng)的檢測(cè),現(xiàn)有的檢測(cè)算法主要包括線性檢測(cè)、序列干擾抵消(sic)檢測(cè)、最大似然檢測(cè)(ml)。
線性信號(hào)檢測(cè)算法是將自目標(biāo)發(fā)射天線的期望信息流當(dāng)作有用信息,同時(shí)把其他發(fā)射信號(hào)當(dāng)做干擾,最小化或消除來(lái)自其他發(fā)射天線的干擾信號(hào)。基本的線性檢測(cè)算法包括迫零方法和最小均方誤差方法。
sic算法是基于線性檢測(cè),采用了非線性的干擾抵消策略,將發(fā)射信號(hào)逐級(jí)解調(diào)。線性檢測(cè)直接將其他信號(hào)當(dāng)作噪聲濾除,沒(méi)有有效利用多天線的信道增益,sic將其他天線的信號(hào)逐級(jí)引入,一次將多天線之間的干擾消除直至最后一個(gè)天線的信號(hào)解調(diào)。sic利用逐次迭代的方法,相比線性檢測(cè)較大地提高了系統(tǒng)的分級(jí)增益。
線性檢測(cè)檢測(cè)算法和sic算法的硬件實(shí)現(xiàn)復(fù)雜度比較低,但是二者在衰落嚴(yán)重的無(wú)線信道下性能很差,與ml檢測(cè)算法的性能有較大的差距。
ml檢測(cè)方法計(jì)算接收信號(hào)和所有可能向量之間的歐幾里得距離,并找到一個(gè)最小的距離。當(dāng)所有的發(fā)射向量等可能時(shí),ml方法達(dá)到最大后驗(yàn)概率(map)檢測(cè)的最佳性能。
終端側(cè)天線數(shù)目的增多會(huì)提高mimo檢測(cè)算法的實(shí)現(xiàn)復(fù)雜度。尤其對(duì)性能較好的ml算法,它的計(jì)算復(fù)雜度隨調(diào)制階數(shù)和天線數(shù)量的增加而急劇上升。
隨著lte技術(shù)的不斷演進(jìn),終端側(cè)使用的電線數(shù)目越來(lái)越多,r10版本中終端已經(jīng)達(dá)到四根天線。在終端側(cè)基帶芯片的面積、功耗開(kāi)銷(xiāo)中,mimo檢測(cè)器占據(jù)了越來(lái)越高的比例。降低基帶芯片中mimo檢測(cè)器的功耗對(duì)于降低基帶芯片整體功耗意義重大。
對(duì)于移動(dòng)設(shè)備而言,性能很重要,但影響移動(dòng)設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)力的主要因素還是電池的壽命,尤其在lte終端市場(chǎng)更是如此。終端芯片的能耗開(kāi)銷(xiāo)決定了一臺(tái)終端的電池壽命。
具體到td-lte終端基帶芯片而言,操作模式可分為關(guān)機(jī)、待機(jī)、工作等幾個(gè)狀態(tài),其功耗可分為待機(jī)功耗和工作功耗。目前的基帶芯片設(shè)計(jì)方案中,終端在待機(jī)狀態(tài)下,基帶會(huì)關(guān)閉大部分功能模塊以節(jié)省功耗,延長(zhǎng)電池壽命。而在工作模式下,主要采用門(mén)控時(shí)鐘、高閾值晶體管來(lái)降低功耗開(kāi)銷(xiāo)。
現(xiàn)有降低功耗的方法在較早的半導(dǎo)體cmos工藝技術(shù)條件下是非常有效的。但在目前較先進(jìn)的半導(dǎo)體cmos工藝(如28nm,14nm工藝)中,用門(mén)控時(shí)鐘、高閾值晶體管等方法來(lái)降低工作模式下的功耗的方法會(huì)遇到新的問(wèn)題。
半導(dǎo)體cmos電路的功耗來(lái)源主要有三種:
動(dòng)態(tài)功耗:晶體管在信號(hào)翻轉(zhuǎn)過(guò)程產(chǎn)生的功耗;
短路功耗:是指pmos管和nmos管同時(shí)導(dǎo)通產(chǎn)生的功耗;
靜態(tài)功耗:晶體管在沒(méi)有任何活動(dòng)時(shí),泄露電流所消耗的功耗。
在較早的半導(dǎo)體工藝技術(shù)條件下,晶體管漏電流是極其微小的,靜態(tài)功耗基本忽略不計(jì)。而在深亞微米的設(shè)計(jì)中,器件特征尺寸不斷減小,器件閾值電壓也不斷減小,按比例縮小理論導(dǎo)致的漏電功耗越來(lái)越大。cmos器件的漏電主要包括亞閾值漏電和柵極漏電。其中亞閾值漏電對(duì)溫度變化還十分敏感,溫度升高會(huì)帶來(lái)漏電功耗的大幅度增加。
目前的基帶芯片設(shè)計(jì)方案中,待機(jī)模式時(shí)關(guān)閉大部分功能模塊電源,相應(yīng)模塊不再消耗能量。而工作模式時(shí)主要采用門(mén)控時(shí)鐘減低動(dòng)態(tài)功耗、采用高閾值晶體管來(lái)降低靜態(tài)功耗。相對(duì)于低閾值晶體管,高閾值晶體管在一定程度上降低了靜態(tài)功耗,但其漏電功耗仍然占據(jù)晶體管功耗的較大比例。此外,高閾值晶體管的延遲較大,在高速電路設(shè)計(jì)中使用比例較低。因此,在深亞微米的設(shè)計(jì)中,傳統(tǒng)采用低閾值晶體管降低的靜態(tài)功耗的方法具有很大局限性。
在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明過(guò)程中,發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問(wèn)題:目前l(fā)te終端芯片都采用先進(jìn)的深亞微米工藝制造。門(mén)控時(shí)鐘的方法無(wú)法降低靜態(tài)功耗;而高閾值晶體管方法的局限性大。在工作狀態(tài)下,如何抑制mimo檢測(cè)器的靜態(tài)功耗快速增長(zhǎng)是一個(gè)挑戰(zhàn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的終端基帶芯片中mimo檢測(cè)器的功耗過(guò)大問(wèn)題,傳統(tǒng)方法無(wú)法有效抑制靜態(tài)功耗的快速增長(zhǎng)的問(wèn)題,本發(fā)明的實(shí)施例提出一種降低終端芯片mimo檢測(cè)器功耗的方法及裝置。
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種降低終端芯片mimo檢測(cè)器功耗的方法,所述方法包括:多天線數(shù)據(jù)先輸入到數(shù)據(jù)緩存器,再輸出到多輸入多輸出mimo檢測(cè)器;根據(jù)所述數(shù)據(jù)緩存器輸出的信號(hào),電源管理模塊執(zhí)行對(duì)所述mimo檢測(cè)器的上電操作流程;所述mimo檢測(cè)器完成預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度內(nèi)所有數(shù)據(jù)mimo檢測(cè)后,關(guān)斷mimo檢測(cè)器的電源。
可選地,所述根據(jù)所述數(shù)據(jù)緩存器輸出的信號(hào),電源管理模塊執(zhí)行對(duì)所述mimo檢測(cè)器的上電操作流程,包括:當(dāng)緩存數(shù)據(jù)超過(guò)預(yù)定數(shù)量的子幀時(shí)間長(zhǎng)度后,數(shù)據(jù)緩存器輸出第一信號(hào)至所述電源管理模塊,所述電源管理模塊根據(jù)所述第一信號(hào)開(kāi)啟所述mimo檢測(cè)器的電源;當(dāng)緩存數(shù)據(jù)達(dá)到預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度時(shí),數(shù)據(jù)緩存器輸出第二信號(hào)至所述電源管理模塊,所述電源管理模塊根據(jù)所述第二信號(hào)配置所述mimo檢測(cè)器的工作參數(shù),然后所述mimo檢測(cè)器進(jìn)行mimo數(shù)據(jù)檢測(cè),并輸出檢測(cè)數(shù)據(jù)。
可選地,所述電源管理模塊根據(jù)所述第二信號(hào)配置所述mimo檢測(cè)器的工作參數(shù),包括:所述電源管理模塊根據(jù)所述第二信號(hào)復(fù)位所述mimo檢測(cè)器,然后所述mimo檢測(cè)器進(jìn)行初始化工作,用小于預(yù)定的時(shí)間數(shù)值的時(shí)間配置所述mimo檢測(cè)器的工作參數(shù)。
可選地,所述預(yù)定的時(shí)間數(shù)值為30~50納秒。
可選地,所述預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度為1幀。
可選地,所述mimo檢測(cè)器完成預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度內(nèi)所有數(shù)據(jù)mimo檢測(cè)后,關(guān)斷所述mimo檢測(cè)器的電源,包括:mimo檢測(cè)器完成所述預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度內(nèi)所有數(shù)據(jù)mimo檢測(cè)后,輸出第三信號(hào)至所述電源管理模塊;所述電源管理模塊根據(jù)所述第三信號(hào),關(guān)斷所述mimo檢測(cè)器的電源。
依據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面,還提供了一種降低終端芯片mimo檢測(cè)器功耗的裝置,所述裝置包括:數(shù)據(jù)緩存器、電源管理模塊和mimo檢測(cè)器,其中,數(shù)據(jù)緩存器接收多天線數(shù)據(jù),并緩存接收到所述多天線數(shù)據(jù);在完成預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度的數(shù)據(jù)緩存后,電源管理模塊開(kāi)啟所述mimo檢測(cè)器的電源,所述mimo檢測(cè)器進(jìn)行mimo數(shù)據(jù)檢測(cè),并輸出檢測(cè)數(shù)據(jù),在所述mimo檢測(cè)器完成所述預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度內(nèi)所有數(shù)據(jù)mimo檢測(cè)后,所述電源管理模塊關(guān)斷所述mimo檢測(cè)器的電源。
可選地,當(dāng)所述數(shù)據(jù)緩存器緩存數(shù)據(jù)超過(guò)預(yù)定數(shù)量的子幀時(shí)間長(zhǎng)度后,所述數(shù)據(jù)緩存器輸出第一信號(hào)至所述電源管理模塊,所述電源管理模塊根據(jù)所述第一信號(hào)開(kāi)啟所述mimo檢測(cè)器的電源;當(dāng)所述數(shù)據(jù)緩存器緩存數(shù)據(jù)達(dá)到預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度時(shí),所述數(shù)據(jù)緩存器輸出第二信號(hào)至所述電源管理模塊,所述電源管理模塊根據(jù)所述第二信號(hào)配置所述mimo檢測(cè)器的工作參數(shù),所述mimo檢測(cè)器進(jìn)行mimo數(shù)據(jù)檢測(cè),并輸出檢測(cè)數(shù)據(jù)。
可選地,所述mimo檢測(cè)器根據(jù)所述第二信號(hào)進(jìn)行復(fù)位,然后進(jìn)行初始化工作,用小于預(yù)定的時(shí)間數(shù)值的時(shí)間配置工作參數(shù)。
可選地,所述mimo檢測(cè)器完成所述預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度內(nèi)所有數(shù)據(jù)mimo檢測(cè)后,輸出第三信號(hào)至所述電源管理模塊;所述電源管理模塊根據(jù)所述第三信號(hào),關(guān)斷所述mimo檢測(cè)器的電源。
本發(fā)明的有益效果是:在本實(shí)施例中,多天線數(shù)據(jù)先輸入到數(shù)據(jù)緩存器,再輸出到mimo檢測(cè)器。根據(jù)數(shù)據(jù)緩存器輸出的信號(hào),mimo檢測(cè)器的電源管理模塊執(zhí)行上電操作流程。完成預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度內(nèi)所有數(shù)據(jù)mimo檢測(cè)后,立刻關(guān)斷mimo檢測(cè)器的電源,由于可以根據(jù)終端芯片的mimo檢測(cè)器的實(shí)際吞吐率,確定空閑時(shí)間。例如,在1幀中只開(kāi)關(guān)一次mimo檢測(cè)器的電源,對(duì)電源網(wǎng)絡(luò)影響很小,易于實(shí)現(xiàn)。根據(jù)硬件電路不同工作頻率不同,在檢測(cè)結(jié)束時(shí)關(guān)斷電源,不浪費(fèi)供電期間的功耗,充分降低了不必要的功耗。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明的第一實(shí)施例中降低終端芯片mimo檢測(cè)器功耗的方法的流程圖;
圖2為本發(fā)明的第二實(shí)施例中降低終端芯片mimo檢測(cè)器功耗的方法的流程圖;
圖3為本發(fā)明的第三實(shí)施例中降低終端芯片mimo檢測(cè)器功耗的方法的裝置結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
td-lte的幀結(jié)構(gòu)中,一幀是10ms,包含10個(gè)子幀,每個(gè)子幀1ms。按照系統(tǒng)通信需求,一幀內(nèi)不同子幀可配置為上行(u)、下行(d)、特殊(s)三種類型,具體如下表:
表1td-lte上下行配置
其中,上下行配置方式5有8個(gè)下行子幀可用于基站給終端傳送pdsch數(shù)據(jù);上下行配置方式0只有2個(gè)下行子幀可用于基站給終端傳送pdsch數(shù)據(jù)。在給定頻域資源的前提下,上下行配置方式5對(duì)應(yīng)最大下行吞吐率,而上下行配置方式0對(duì)應(yīng)最小吞吐率,且吞吐率相差4倍。
分析td-lte的幀結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)不同上下行配置方式下,下行子幀數(shù)目的種類有6種。最大為8個(gè)下行子幀,最小為2個(gè)下行子幀,有兩種都是6個(gè)下行子幀。對(duì)應(yīng)不同的mimo檢測(cè)器吞吐率。
對(duì)于td-lte終端芯片的mimo檢測(cè)器,硬件實(shí)現(xiàn)是基于基帶的最大吞吐率設(shè)計(jì),其占用芯片的面積較大,帶來(lái)的功耗開(kāi)銷(xiāo)也很大。在實(shí)際通信過(guò)程中,td-lte為每個(gè)終端用戶配置的時(shí)域(上下行配置方式)、頻域信道資源并不相同。每個(gè)終端基帶芯片中mimo檢測(cè)器的并不都是在最大吞吐率下工作。也就是說(shuō),mimo檢測(cè)器完成給定子幀的檢測(cè)任務(wù)后,會(huì)有一段時(shí)間處于空閑狀態(tài)。抑制空閑狀態(tài)下的功耗非常重要。
下面將參照附圖更詳細(xì)地描述本公開(kāi)的示例性實(shí)施例。雖然附圖中顯示了本公開(kāi)的示例性實(shí)施例,然而應(yīng)當(dāng)理解,可以以各種形式實(shí)現(xiàn)本公開(kāi)而不應(yīng)被這里闡述的實(shí)施例所限制。相反,提供這些實(shí)施例是為了能夠更透徹地理解本公開(kāi),并且能夠?qū)⒈竟_(kāi)的范圍完整的傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。
第一實(shí)施例
參見(jiàn)圖1,圖中示出了降低終端芯片mimo檢測(cè)器功耗的方法,具體步驟如下:
步驟s101、多天線數(shù)據(jù)先輸入到數(shù)據(jù)緩存器,再輸出到mimo檢測(cè)器;
可選地,在本實(shí)施例中該數(shù)據(jù)緩存器可以存儲(chǔ)1幀的多天線數(shù)據(jù)。當(dāng)然需要說(shuō)明的是,在本實(shí)施例中并不限定數(shù)據(jù)緩存器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的長(zhǎng)度。
步驟s103、根據(jù)數(shù)據(jù)緩存器輸出的信號(hào),電源管理模塊執(zhí)行對(duì)mimo檢測(cè)器的上電操作流程;
步驟s104、mimo檢測(cè)器完成預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度內(nèi)所有數(shù)據(jù)mimo檢測(cè)后,關(guān)斷mimo檢測(cè)器的電源。
可選地,上述預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度可以是1幀時(shí)間長(zhǎng)度。需要說(shuō)明的是,mimo檢測(cè)器中寄存器、存儲(chǔ)器中的檢測(cè)數(shù)據(jù)在子幀間并不需要保存。
在本實(shí)施例中,在待機(jī)狀態(tài)下,所有模塊(例如數(shù)據(jù)緩存器、電源管理模塊、mimo檢測(cè)器)都關(guān)閉電源,沒(méi)有能量消耗。在非待機(jī)狀態(tài)下,數(shù)據(jù)緩存器和電源管理模塊是一直帶電,mimo檢測(cè)器的供電由電源管理模塊控制。在非待機(jī)狀態(tài)下,電源管理模塊是一直帶電的,但其只執(zhí)行電源管理方案的簡(jiǎn)單控制與切換,以及每次上電后的參數(shù)配置,邏輯簡(jiǎn)單、自身硬件功耗很低。
如表2所示,不同td-lte上下行配置方式下,下行子幀數(shù)目不同,1幀中下行子幀的時(shí)間也不相同。如果考慮電源方案,常規(guī)方法是:在下行子幀時(shí)間為mimo檢測(cè)器供電,而在非下行子幀時(shí)間關(guān)斷mimo檢測(cè)器電源。此方法有兩個(gè)主要缺點(diǎn):(1)下行子幀在一幀內(nèi)的位置不是連續(xù)的,此方法會(huì)導(dǎo)致對(duì)mimo檢測(cè)器的供電頻繁關(guān)斷,帶來(lái)對(duì)電源網(wǎng)絡(luò)較大影響。(2)在供電時(shí)間內(nèi),硬件可能已經(jīng)完成檢測(cè)工作,但電源沒(méi)有及時(shí)關(guān)閉,功耗降低不明顯。
表2:td-lte的1幀中下行子幀的時(shí)間
而本發(fā)明的實(shí)施例較好的解決了上述問(wèn)題:(1)可以在一幀中只開(kāi)關(guān)一次mimo檢測(cè)器的電源,對(duì)電源網(wǎng)絡(luò)影響很小,易于實(shí)現(xiàn)。(2)根據(jù)硬件電路不同工作頻率不同,在檢測(cè)結(jié)束時(shí)關(guān)斷電源。不浪費(fèi)供電期間的功耗,充分降低了不必要的功耗。如果采用較高工作頻率時(shí),mimo檢測(cè)器的供電時(shí)間將會(huì)很短,有效降低了靜態(tài)功耗。此外,基于時(shí)域?qū)ьl序列進(jìn)行時(shí)域信道估計(jì)時(shí),大多數(shù)實(shí)現(xiàn)方案都需要一個(gè)信道估計(jì)數(shù)據(jù)緩存器,來(lái)暫存1幀的數(shù)據(jù)信號(hào)。因此,借用信道估計(jì)數(shù)據(jù)緩存器即可實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)1幀的數(shù)據(jù)信號(hào)的功能,并不額外增加硬件開(kāi)銷(xiāo)。
第二實(shí)施例
參見(jiàn)圖2,圖中示出了降低終端芯片mimo檢測(cè)器功耗的方法,具體步驟如下:
步驟s201、多天線數(shù)據(jù)先輸入到數(shù)據(jù)緩存器,再輸出到mimo檢測(cè)器;
步驟s203、當(dāng)緩存數(shù)據(jù)超過(guò)預(yù)定數(shù)量的子幀時(shí)間長(zhǎng)度后,輸出第一信號(hào)至電源管理模塊,并根據(jù)第一信號(hào)開(kāi)啟mimo檢測(cè)器的電源;當(dāng)緩存數(shù)據(jù)達(dá)到預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度時(shí),輸出第二信號(hào)至電源管理模塊,并根據(jù)第二信號(hào)配置mimo檢測(cè)器的工作參數(shù),mimo檢測(cè)器進(jìn)行mimo數(shù)據(jù)檢測(cè),并輸出檢測(cè)數(shù)據(jù);
可選地,在步驟s203中電源管理模塊根據(jù)第二信號(hào)復(fù)位mimo檢測(cè)器,然后mimo檢測(cè)器進(jìn)行初始化工作,用小于預(yù)定的時(shí)間數(shù)值的時(shí)間配置mimo檢測(cè)器的工作參數(shù)。其中,預(yù)定的時(shí)間數(shù)值可以是30~50ns(納秒),優(yōu)選40ns。
步驟s205、完成預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度內(nèi)所有數(shù)據(jù)mimo檢測(cè)后,輸出第三信號(hào)至電源管理模塊;電源管理模塊根據(jù)第三信號(hào),關(guān)斷mimo檢測(cè)器的電源。
例如,多天線數(shù)據(jù)先輸入到數(shù)據(jù)緩存器中,當(dāng)緩存數(shù)據(jù)超過(guò)9個(gè)子幀時(shí)間長(zhǎng)度后,發(fā)出“即將完成1幀緩存信號(hào)”;當(dāng)緩存數(shù)據(jù)達(dá)到1幀時(shí)間長(zhǎng)度時(shí),發(fā)出“完成1幀緩存信號(hào)”。電源管理模塊收到“即將完成1幀緩存信號(hào)”后,開(kāi)啟mimo檢測(cè)器的電源。電源管理模塊收到“完成1幀緩存信號(hào)”后,首先復(fù)位mimo檢測(cè)器。然后進(jìn)行初始化工作,用小于40ns的時(shí)間配置mimo檢測(cè)器的所有工作參數(shù)。完成初始化后,mimo檢測(cè)器檢測(cè)多天線數(shù)據(jù)并輸出檢測(cè)數(shù)據(jù)。在完成本幀內(nèi)所有數(shù)據(jù)mimo檢測(cè)后,發(fā)出“檢測(cè)完成信號(hào)”。電源管理模塊收到“檢測(cè)完成信號(hào)”后,關(guān)閉mimo檢測(cè)器的電源。
在本實(shí)施例中,在待機(jī)狀態(tài)下,所有模塊都關(guān)閉電源,沒(méi)有能量消耗。在非待機(jī)狀態(tài)下,數(shù)據(jù)緩存器和mimo檢測(cè)器的電源管理模塊是一直帶電。mimo檢測(cè)器的供電由電源管理模塊控制。在非待機(jī)狀態(tài)下,電源管理模塊是一直帶電的,但其只執(zhí)行電源管理方案的簡(jiǎn)單控制與切換,以及每次上電后的參數(shù)配置,邏輯簡(jiǎn)單、自身硬件功耗很低。
在本實(shí)施例中,多天線數(shù)據(jù)先輸入到數(shù)據(jù)緩存器,再輸出到mimo檢測(cè)器。根據(jù)數(shù)據(jù)緩存器輸出的信號(hào),mimo檢測(cè)器的電源管理模塊執(zhí)行上電操作流程。完成預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度內(nèi)所有數(shù)據(jù)mimo檢測(cè)后,立刻關(guān)斷mimo檢測(cè)器的電源,由于可以根據(jù)終端芯片的mimo檢測(cè)器的實(shí)際吞吐率,確定空閑時(shí)間。例如:在1幀中只開(kāi)關(guān)一次mimo檢測(cè)器的電源,對(duì)電源網(wǎng)絡(luò)影響很小,易于實(shí)現(xiàn)。根據(jù)硬件電路不同工作頻率不同,在檢測(cè)結(jié)束時(shí)關(guān)斷電源,不浪費(fèi)供電期間的功耗,充分降低了不必要的功耗。
第三實(shí)施例
參見(jiàn)圖3,圖中示出了降低終端芯片mimo檢測(cè)器功耗的裝置,裝置30包括:數(shù)據(jù)緩存器301、電源管理模塊303和mimo檢測(cè)器305,其中,數(shù)據(jù)緩存器301接收多天線數(shù)據(jù),并緩存接收到多天線數(shù)據(jù);在完成預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度的數(shù)據(jù)緩存后,電源管理模塊303開(kāi)啟mimo檢測(cè)器305的電源,mimo檢測(cè)器305進(jìn)行mimo數(shù)據(jù)檢測(cè),并輸出檢測(cè)數(shù)據(jù),在mimo檢測(cè)器305完成預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度內(nèi)所有數(shù)據(jù)mimo檢測(cè)后,電源管理模塊303關(guān)斷mimo檢測(cè)器305的電源。
可選地,在實(shí)施例中,當(dāng)緩存數(shù)據(jù)超過(guò)預(yù)定數(shù)量的子幀時(shí)間長(zhǎng)度后,數(shù)據(jù)緩存器301輸出第一信號(hào)至電源管理模塊303,電源管理模塊303根據(jù)第一信號(hào)開(kāi)啟mimo檢測(cè)器305的電源;當(dāng)緩存數(shù)據(jù)達(dá)到預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度時(shí),數(shù)據(jù)緩存器301輸出第二信號(hào)至電源管理模塊303,電源管理模塊303根據(jù)第二信號(hào)配置mimo檢測(cè)器305的工作參數(shù),然后mimo檢測(cè)器305進(jìn)行mimo數(shù)據(jù)檢測(cè),并輸出檢測(cè)數(shù)據(jù)。
可選地,在實(shí)施例中,mimo檢測(cè)器305根據(jù)第二信號(hào)進(jìn)行復(fù)位,然后進(jìn)行初始化工作,用小于預(yù)定的時(shí)間數(shù)值的時(shí)間配置工作參數(shù)。
可選地,在實(shí)施例中,mimo檢測(cè)器305完成預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度內(nèi)所有數(shù)據(jù)mimo檢測(cè)后,輸出第三信號(hào)至電源管理模塊303;電源管理模塊303根據(jù)第三信號(hào),關(guān)斷mimo檢測(cè)器305的電源。
例如,多天線數(shù)據(jù)先輸入到數(shù)據(jù)緩存器中,當(dāng)緩存數(shù)據(jù)超過(guò)9個(gè)子幀時(shí)間長(zhǎng)度后,發(fā)出“即將完成1幀緩存信號(hào)”;當(dāng)緩存數(shù)據(jù)達(dá)到1幀時(shí)間長(zhǎng)度時(shí),發(fā)出“完成1幀緩存信號(hào)”。電源管理模塊收到“即將完成1幀緩存信號(hào)”后,開(kāi)啟mimo檢測(cè)器的電源。電源管理模塊收到“完成1幀緩存信號(hào)”后,首先復(fù)位mimo檢測(cè)器。然后進(jìn)行初始化工作,用小于40ns的時(shí)間配置mimo檢測(cè)器的所有工作參數(shù)。完成初始化后,mimo檢測(cè)器檢測(cè)多天線數(shù)據(jù)并輸出檢測(cè)數(shù)據(jù)。在完成本幀內(nèi)所有數(shù)據(jù)mimo檢測(cè)后,發(fā)出“檢測(cè)完成信號(hào)”。電源管理模塊收到“檢測(cè)完成信號(hào)”后,關(guān)閉mimo檢測(cè)器的電源。
在本實(shí)施例中,在待機(jī)狀態(tài)下,所有模塊都關(guān)閉電源,沒(méi)有能量消耗。在非待機(jī)狀態(tài)下,數(shù)據(jù)緩存器和mimo檢測(cè)器的電源管理模塊是一直帶電。mimo檢測(cè)器的供電由電源管理模塊控制。在非待機(jī)狀態(tài)下,電源管理模塊是一直帶電的,但其只執(zhí)行電源管理方案的簡(jiǎn)單控制與切換,以及每次上電后的參數(shù)配置,邏輯簡(jiǎn)單、自身硬件功耗很低。
在本實(shí)施例中,多天線數(shù)據(jù)先輸入到數(shù)據(jù)緩存器,再輸出到mimo檢測(cè)器。根據(jù)數(shù)據(jù)緩存器輸出的信號(hào),mimo檢測(cè)器的電源管理模塊執(zhí)行上電操作流程。完成預(yù)定數(shù)量的幀時(shí)間長(zhǎng)度內(nèi)所有數(shù)據(jù)mimo檢測(cè)后,立刻關(guān)斷mimo檢測(cè)器的電源,由于可以根據(jù)終端芯片的mimo檢測(cè)器的實(shí)際吞吐率,確定空閑時(shí)間。在1幀中只開(kāi)關(guān)一次mimo檢測(cè)器的電源,對(duì)電源網(wǎng)絡(luò)影響很小,易于實(shí)現(xiàn)。根據(jù)硬件電路不同工作頻率不同,在檢測(cè)結(jié)束時(shí)關(guān)斷電源,不浪費(fèi)供電期間的功耗,充分降低了不必要的功耗。
應(yīng)理解,說(shuō)明書(shū)通篇中提到的“一個(gè)實(shí)施例”或“一實(shí)施例”意味著與實(shí)施例有關(guān)的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此,在整個(gè)說(shuō)明書(shū)各處出現(xiàn)的“在一個(gè)實(shí)施例中”或“在一實(shí)施例中”未必一定指相同的實(shí)施例。此外,這些特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以任意適合的方式結(jié)合在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中。
在本發(fā)明的各種實(shí)施例中,應(yīng)理解,上述各過(guò)程的序號(hào)的大小并不意味著執(zhí)行順序的先后,各過(guò)程的執(zhí)行順序應(yīng)以其功能和內(nèi)在邏輯確定,而不應(yīng)對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施過(guò)程構(gòu)成任何限定。
在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中,應(yīng)該理解到,所揭露方法和裝置,可以通過(guò)其它的方式實(shí)現(xiàn)。例如,以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的,例如,所述單元的劃分,僅僅為一種邏輯功能劃分,實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式,例如多個(gè)單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個(gè)系統(tǒng),或一些特征可以忽略,或不執(zhí)行。另一點(diǎn),所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過(guò)一些接口,裝置或單元的間接耦合或通信連接,可以是電性,機(jī)械或其它的形式。
另外,在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中,也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理包括,也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn),也可以采用硬件加軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。
上述以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)的集成的單元,可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。上述軟件功能單元存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中,包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī),服務(wù)器,或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例所述收發(fā)方法的部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括:u盤(pán)、移動(dòng)硬盤(pán)、只讀存儲(chǔ)器(read-onlymemory,簡(jiǎn)稱rom)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(randomaccessmemory,簡(jiǎn)稱ram)、磁碟或者光盤(pán)等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。
以上所述的是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通人員來(lái)說(shuō),在不脫離本發(fā)明所述的原理前提下還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾,這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。