技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種新型的超再生電路芯片，包括芯片本體，芯片本體內(nèi)刻蝕有多個(gè)電容值互不相同的電容。本發(fā)明還涉及一種新型超再生電路，包括芯片本體和電感線圈，芯片本體內(nèi)刻蝕有多個(gè)電容值互不相同的電容，電感線圈與芯片本體的輸入端連接，并且電感線圈的電感值為固定值，芯片本體能夠通過(guò)燒錄的方式將多個(gè)電容中的其中一個(gè)電容與電感線圈連接，以實(shí)現(xiàn)新型超再生電路的頻率匹配。本發(fā)明的新型超再生電路，利用芯片本體內(nèi)置的多種電容匹配，可以更好的調(diào)節(jié)頻率匹配，將可調(diào)電感換成普通貼片電感，可以減少元器件成本，可以直接機(jī)器工作，減少了加工成本，使產(chǎn)品更有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

技術(shù)研發(fā)人員：李鵬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無(wú)錫晶哲科技有限公司
文檔號(hào)碼：201610790005
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.31
技術(shù)公布日：2016.12.07