本實(shí)用新型涉及移動(dòng)終端的安全控制領(lǐng)域，尤其涉及一種專用智能移動(dòng)終端的內(nèi)置式安全管控模塊。

背景技術(shù)：

隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展以及智能終端設(shè)備的普及，用戶持有的終端種類越來(lái)越多，能夠同時(shí)持有多臺(tái)手機(jī)、平板、筆記本以及臺(tái)式機(jī)等終端。與此相伴的是，企業(yè)或者相關(guān)機(jī)構(gòu)的內(nèi)部員工以及訪問(wèn)者利用智能移動(dòng)終端泄漏商業(yè)秘密等泄密事件時(shí)有發(fā)生，特別是，由于現(xiàn)有的智能移動(dòng)終端可通過(guò)無(wú)線網(wǎng)絡(luò)訪問(wèn)互聯(lián)網(wǎng)與其他移動(dòng)終端設(shè)備進(jìn)行交互，并通過(guò)攝像等方式將敏感信息外泄，導(dǎo)致信息泄漏。各國(guó)家、企業(yè)包括個(gè)人，沒(méi)有人愿看到自己設(shè)備中的機(jī)密電子信息被偷取開啟破解，諸如此類的電子安全問(wèn)題，給國(guó)家、企業(yè)和個(gè)人都會(huì)帶來(lái)極大的損失，當(dāng)今社會(huì)對(duì)電子的數(shù)據(jù)保密防盜的需求越來(lái)越迫切。因此，如何保證智能移動(dòng)終端正常工作又能防止其正常使用所導(dǎo)致的泄密是當(dāng)前急需解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種專用智能移動(dòng)終端的內(nèi)置式安全管控模塊，對(duì)智能移動(dòng)終端的信息交互進(jìn)行實(shí)時(shí)管控，保證數(shù)據(jù)傳輸?shù)陌踩煽?，從而達(dá)到防止智能移動(dòng)終端成為泄密工具的效果。

基于上述目的，本實(shí)用新型提供一種專用智能移動(dòng)終端的內(nèi)置式安全管控模塊，其包括：信息管控部件；與所述信息管控部件連接，用于存儲(chǔ)安全管控信息的管控信息保存電路；與所述信息管控部件連接，存儲(chǔ)被控智能移動(dòng)終端的設(shè)備信息的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，

所述管控部件包括：

端口邏輯電路，與所述管控信息保存電路和所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元進(jìn)行信息交互；信息管控電路；解密電路；數(shù)據(jù)存取電路以及只讀存儲(chǔ)器，所述解密電路 分別連接所述信息管控電路、所述數(shù)據(jù)存取電路以及所述只讀存儲(chǔ)器；所述只讀存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)經(jīng)所述信息管控電路加密處理后的密文，所述只讀存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的密文由所述解密電路根據(jù)所述信息管控電路生成的秘鑰解密后，發(fā)送給所述數(shù)據(jù)存取電路使用。

優(yōu)選地，根據(jù)本實(shí)用新型的專用智能移動(dòng)終端的內(nèi)置式安全管控模塊，所述信息管控電路進(jìn)一步包括隨機(jī)數(shù)生成電路和多組開關(guān)管，其中所述隨機(jī)數(shù)生成電路產(chǎn)生二進(jìn)制數(shù)字序列形式的密鑰發(fā)送給解密電路；

每組開關(guān)管包括兩個(gè)PMOS管，即第一PMOS管和第二PMOS管，第一PMOS管的柵極和第二PMOS管的柵極均與隨機(jī)數(shù)生成電路的一個(gè)輸出端連接，第一PMOS管的源極和第二PMOS管的漏極連接，第一PMOS管的漏極與芯片電源VDD連接，第二PMOS管的源極接地。

進(jìn)一步地，根據(jù)本實(shí)用新型的專用智能移動(dòng)終端的內(nèi)置式安全管控模塊，所述隨機(jī)數(shù)生成電路包括：時(shí)鐘生成電路，用于生成具有預(yù)定頻率的時(shí)鐘；輸入值生成電路，用于基于在所述時(shí)鐘生成電路中生成的時(shí)鐘，生成用于預(yù)定加密算法的輸入值；秘鑰生成電路，通過(guò)基于在所述輸入值生成電路中生成的輸入值執(zhí)行所述加密算法來(lái)生成秘鑰；以及加密電路，基于所生成的秘鑰，對(duì)輸出到外部的數(shù)據(jù)執(zhí)行加密處理。

優(yōu)選地，根據(jù)本實(shí)用新型的專用智能移動(dòng)終端的內(nèi)置式安全管控模塊，所述端口邏輯電路至少包括通訊端口、與該通訊端口連接的多個(gè)防護(hù)電路；以及與該多個(gè)防護(hù)電路連接的能量泄放電路，當(dāng)高電壓雷擊干擾和靜電高壓干擾進(jìn)入所述通訊端口時(shí)，所述多個(gè)防護(hù)電路對(duì)高壓進(jìn)行箝位，所述能量泄放電路對(duì)殘留電壓進(jìn)行釋放。

優(yōu)選地，根據(jù)本實(shí)用新型的專用智能移動(dòng)終端的內(nèi)置式安全管控模塊，所述管控信息保存電路包括：呈兩維陣列排列的多個(gè)存儲(chǔ)單元；連接至多個(gè)存儲(chǔ)單元的多條平行位線；連接至多條位線的多個(gè)讀出放大器；以及分別與多條位線相連接的多個(gè)開關(guān)管。

優(yōu)選地，根據(jù)本實(shí)用新型的專用智能移動(dòng)終端的內(nèi)置式安全管控模塊，所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元為Flash存儲(chǔ)單元。

從上文描述可知，現(xiàn)有的智能移動(dòng)終端內(nèi)置了本實(shí)用新型的安全管控模塊，能夠?qū)χ悄芤苿?dòng)終端的信息交互進(jìn)行實(shí)時(shí)管控，保證數(shù)據(jù)傳輸?shù)陌踩煽?，從而?shí)現(xiàn)了對(duì)智能移動(dòng)終端與外界進(jìn)行交互的實(shí)時(shí)安全管控，防止泄密發(fā)生。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的專用智能移動(dòng)終端的內(nèi)置式安全管控模塊的結(jié)構(gòu)框圖；

圖2為本實(shí)用新型的信息管控器件的電路結(jié)構(gòu)圖。

圖3為本實(shí)用新型的信息管控電路的電路圖。

圖4為本實(shí)用新型的隨機(jī)數(shù)生成電路的電路結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

本實(shí)用新型提供一種專用智能移動(dòng)終端的內(nèi)置式安全管控模塊，其包括：信息管控部件；與所述信息管控部件連接，用于存儲(chǔ)安全管控信息的管控信息保存電路；與所述信息管控部件連接，存儲(chǔ)被控智能移動(dòng)終端的設(shè)備信息的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，所述管控部件包括：端口邏輯電路，與所述管控信息保存電路和所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元進(jìn)行信息交互；信息管控電路；解密電路；數(shù)據(jù)存取電路以及只讀存儲(chǔ)器，所述解密電路分別連接所述信息管控電路、所述數(shù)據(jù)存取電路以及所述只讀存儲(chǔ)器；所述只讀存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)經(jīng)所述信息管控電路加密處理后的密文，所述只讀存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的密文由所述解密電路根據(jù)所述信息管控電路生成的秘鑰解密后，發(fā)送給所述數(shù)據(jù)存取電路使用。

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

如圖1所示，為本實(shí)用新型的專用智能移動(dòng)終端的內(nèi)置式安全管控模塊的結(jié)構(gòu)圖。本實(shí)用新型的安全管控模塊主要包括：信息管控部件100；與信息管控部件100連接，用于存儲(chǔ)安全管控信息的管控信息保存電路200；以及與信息管控部件100連接，用于存儲(chǔ)被控智能移動(dòng)終端的設(shè)備信息的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元300。

在一些實(shí)施例中，本實(shí)用新型的管控信息保存電路200包括：呈兩維陣列排列的多個(gè)存儲(chǔ)單元；連接至多個(gè)存儲(chǔ)單元的多條平行位線；連接至多條位線的多個(gè)讀出放大器；以及分別與多條位線相連接的多個(gè)開關(guān)管。

本實(shí)用新型中，該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元300優(yōu)選采用Flash存儲(chǔ)單元。

如圖2所示，為本實(shí)用新型的信息管控器件的電路結(jié)構(gòu)框圖。本實(shí)用新型的信息管控部件100主要包括：端口邏輯電路101，與管控信息保存電路200 和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元300進(jìn)行信息交互；信息管控電路102，一端與端口邏輯電路101連接；解密電路103；數(shù)據(jù)存取電路104和只讀存儲(chǔ)器105；上述解密電路103分別連接信息管控電路102、數(shù)據(jù)存取電路104和只讀存儲(chǔ)器105；上述只讀存儲(chǔ)器105用于存儲(chǔ)經(jīng)信息管控電路102加密處理后的密文，只讀存儲(chǔ)器105中的密文由解密電路103根據(jù)上述信息管控電路102所產(chǎn)生的秘鑰解密后，發(fā)送給數(shù)據(jù)存取電路104使用。

如圖3所示，為本實(shí)用新型的信息管控電路的電路圖。上述信息管控電路102可包括隨機(jī)數(shù)生成電路1021和多組開關(guān)管1022、1023、1024……102m以及102(m+1)，其中m為大于1的正整數(shù))。隨機(jī)數(shù)生成電路102產(chǎn)生二進(jìn)制數(shù)字序列形式的密鑰發(fā)送給解密電路103；可選地，每組開關(guān)管可包括兩個(gè)PMOS管，即第一PMOS管和第二PMOS管，第一PMOS管的柵極和第二PMOS管的柵極均與隨機(jī)數(shù)生成電路的一個(gè)輸出端連接，第一PMOS管的源極和第二PMOS管的漏極連接，第一PMOS管的漏極與芯片電源VDD連接，第二PMOS管的源極接地。

優(yōu)選地，上述隨機(jī)數(shù)生成電路產(chǎn)生隨機(jī)數(shù)，即隨機(jī)的高低電平信號(hào)，其可以根據(jù)熱噪聲、壓控振蕩信號(hào)或其它模擬電路信號(hào)產(chǎn)生真隨機(jī)數(shù)，也可以用邏輯算法生成偽隨機(jī)數(shù)。

如圖4所示，為本實(shí)用新型的隨機(jī)數(shù)生成電路的電路結(jié)構(gòu)圖。優(yōu)選地，上述隨機(jī)數(shù)生成電路1021可以包含：時(shí)鐘生成電路10211，用于生成具有預(yù)定頻率的時(shí)鐘；輸入值生成電路10212，用于基于在所述時(shí)鐘生成電路中生成的時(shí)鐘，生成用于預(yù)定加密算法的輸入值；秘鑰生成電路10213，用于通過(guò)基于在所述輸入值生成電路中生成的輸入值執(zhí)行所述加密算法來(lái)生成秘鑰；以及加密電路10214，用于基于所生成的秘鑰，對(duì)輸出到外部的數(shù)據(jù)執(zhí)行加密處理。

進(jìn)一步地，在一些實(shí)施例中，本實(shí)用新型的上述端口邏輯電路101可以包括通訊端口、以及與該通訊端口連接的多個(gè)防護(hù)電路；以及與該多個(gè)防護(hù)電路連接的能量泄放電路，每個(gè)防護(hù)電路均包括依次連接的箝位單元、限流單元和濾波單元；當(dāng)高電壓雷擊干擾和靜電高壓干擾進(jìn)入通訊端口時(shí)，箝位單元會(huì)對(duì)高壓進(jìn)行箝位，能量泄放電路對(duì)殘留電壓進(jìn)行釋放，起到防靜電、防雷的效果，而高壓電容起到高壓隔離的作用，當(dāng)串口受到雷擊和靜電信號(hào)干擾后，隔離地上積累的電荷可以通過(guò)限流單元對(duì)電荷進(jìn)行泄放。由此，保證整個(gè)信息管控部件100的安全使用。

在一些實(shí)施例中，本實(shí)用新型的專用智能移動(dòng)終端的內(nèi)置式安全管控模塊可作為封裝芯片內(nèi)置于移動(dòng)終端內(nèi)。

進(jìn)一步地，本實(shí)用新型的專用智能移動(dòng)終端的內(nèi)置式安全管控模塊也可以作為TF卡而插入到移動(dòng)終端預(yù)設(shè)的卡槽內(nèi)。

在一些實(shí)施例中，本實(shí)用新型的專用智能移動(dòng)終端的內(nèi)置式安全管控模塊也可以作為SIM卡而插入到例如手機(jī)的SIM卡槽。

如上所述，智能移動(dòng)終端內(nèi)置了本實(shí)用新型的安全管控模塊后，通過(guò)該安全管控模塊對(duì)智能移動(dòng)終端的信息交互進(jìn)行實(shí)時(shí)管控，保證數(shù)據(jù)傳輸?shù)陌踩煽?，能夠防止泄密發(fā)生。

所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：以上任何實(shí)施例的討論僅為示例性的，并非旨在暗示本公開的范圍(包括權(quán)利要求)被限于這些例子；在本實(shí)用新型的思路下，以上實(shí)施例或者不同實(shí)施例中的技術(shù)特征之間也可以進(jìn)行組合，步驟可以以任意順序?qū)崿F(xiàn)，并存在如上所述的本實(shí)用新型的不同方面的許多其它變化，為了簡(jiǎn)明它們沒(méi)有在細(xì)節(jié)中提供。因此，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何省略、修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。