本實(shí)用新型涉及參數(shù)采集領(lǐng)域，具體而言，涉及一種基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

隨著現(xiàn)代工業(yè)技術(shù)的進(jìn)步，特大橋梁、超高建筑和超長(zhǎng)隧道等大型工程越來(lái)越多。

大型建筑工程在建設(shè)施工和在役運(yùn)行期間，受到地殼運(yùn)動(dòng)、溫度變化、自然的侵蝕風(fēng)化作用、復(fù)雜地質(zhì)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的內(nèi)力變化等因素的影響，都會(huì)引發(fā)構(gòu)造物的位移、應(yīng)力、應(yīng)變和裂縫變形等結(jié)構(gòu)參數(shù)變化，這種變化過(guò)大時(shí)，會(huì)引起結(jié)構(gòu)破壞，產(chǎn)生重大安全問(wèn)題。

現(xiàn)有工程技術(shù)中對(duì)工程參數(shù)的采集，主要是利用測(cè)量設(shè)備到工程施工現(xiàn)場(chǎng)對(duì)所需要的參數(shù)進(jìn)行手動(dòng)采集，通過(guò)該種方法采集的參數(shù)只能體現(xiàn)某一個(gè)時(shí)刻該大型工程結(jié)構(gòu)參數(shù)的情況。然而，人工測(cè)量耗時(shí)費(fèi)力，間隔周期長(zhǎng)；只有實(shí)時(shí)、連續(xù)不間斷地對(duì)大型工程構(gòu)造物進(jìn)行工程參數(shù)測(cè)量，才能有效預(yù)防隨時(shí)可能出現(xiàn)的結(jié)構(gòu)安全隱患。現(xiàn)有工程技術(shù)中對(duì)工程參數(shù)的采集，主要是利用測(cè)量設(shè)備到工程施工現(xiàn)場(chǎng)對(duì)所需要的參數(shù)進(jìn)行手動(dòng)采集，通過(guò)該種方法采集的參數(shù)只能體現(xiàn)某一個(gè)時(shí)刻該大型工程結(jié)構(gòu)參數(shù)的情況。然而，人工測(cè)量耗時(shí)費(fèi)力，間隔周期長(zhǎng)；只有實(shí)時(shí)、連續(xù)不間斷地對(duì)大型工程構(gòu)造物進(jìn)行工程參數(shù)測(cè)量，才能有效預(yù)防隨時(shí)可能出現(xiàn)的結(jié)構(gòu)安全隱患。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)，以解決上述的問(wèn)題。

在本實(shí)用新型的實(shí)施例中提供了一種基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)，包括：激光位移探頭采集裝置、應(yīng)變計(jì)采集裝置和裂縫計(jì)采集裝置；

所述激光位移探頭采集裝置包括激光探頭、第一采集電路和顯示終端；

所述應(yīng)變計(jì)采集裝置包括應(yīng)變計(jì)、第二采集電路和顯示終端；

所述裂縫計(jì)采集裝置包括裂縫計(jì)、第三采集電路和顯示終端；

所述第一采集電路與所述激光探頭電連接，用于將所述激光探頭采集到的激光信號(hào)轉(zhuǎn)換為第一數(shù)據(jù)信號(hào)；

所述第二采集電路與所述應(yīng)變計(jì)電連接，用于將所述應(yīng)變計(jì)采集到的第一頻率信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二數(shù)據(jù)信號(hào)；

所述第三采集電路與所述裂縫計(jì)電連接，用于將所述裂縫計(jì)采集到的第二頻率信號(hào)轉(zhuǎn)換為第三數(shù)據(jù)信號(hào)；

所述第一采集電路、所述第二采集電路和所述第三采集電路均與所述顯示終端連接；

所述顯示終端，用于顯示第一數(shù)據(jù)信號(hào)、第二數(shù)據(jù)信號(hào)和第三數(shù)據(jù)信號(hào)。

優(yōu)選的，上述基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)中，還包括無(wú)線中繼器；

所述無(wú)線中繼器的輸入口與所述第一采集電路電連接，所述無(wú)線中繼器的輸出口與顯示終端電連接。

優(yōu)選的，上述基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)中，所述第一采集電路包括第一串口轉(zhuǎn)網(wǎng)口模塊和第一處理器；

所述第一串口轉(zhuǎn)網(wǎng)口模塊包括W5200芯片、電阻R15、電容C1、電容C20和晶體振蕩器Y3；

電阻R15的一端與W5200的1引腳連接，電阻R15的另一端與W5200的2引腳連接，晶體振蕩器Y3并聯(lián)在電阻R15的兩端，電容C1和電容C20串聯(lián)后并聯(lián)在電阻R15的兩端；

所述第一處理器包括芯片U14、電容C33、電容C34和晶體振蕩器Y2；

晶體振蕩器Y2的一端與芯片U14的5引腳連接，晶體振蕩器Y2的另一端與芯片U14的6引腳連接，電容C33和電容C34串聯(lián)后再與晶體振蕩器Y2并聯(lián)；

電阻R15阻值為1M歐，電容C1為18PF，電容C20為18PF，晶體振蕩器Y3為25MHZ，電容C33為20PF，C34為20PF，晶體振蕩器Y2為8MHZ。

優(yōu)選的，上述基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)中，所述第二采集電路包括第二串口轉(zhuǎn)網(wǎng)口模塊、第一頻率采集模塊和第二處理器；

所述第二串口轉(zhuǎn)網(wǎng)口模塊包括W5200芯片、電阻R15、電容C1、電容C20和晶體振蕩器Y3；

電阻R15的一端與W5200的1引腳連接，電阻R15的另一端與W5200的2引腳連接，晶體振蕩器Y3并聯(lián)在電阻R15的兩端，電容C1和電容C20串聯(lián)后并聯(lián)在電阻R15的兩端；

所述第一頻率采集模塊包括電阻R47、電阻R48、電阻R50電容C4、電容C29、二極管J19；

電阻R47的一端接5V電壓，另一端與電容C4串聯(lián)構(gòu)成回路，電阻R48、二極管J19與電阻R47串聯(lián)構(gòu)成回路，電阻R48、電阻R50、電容C29與電阻R47串聯(lián)構(gòu)成回路；

所述第二處理器包括STM32F051CB芯片、電容C33、電容C34和晶體振蕩器Y2；

晶體振蕩器Y2的一端與STM32F051CB芯片的5引腳連接，晶體振蕩器Y2的另一端與STM32F051CB芯片的6引腳連接，電容C33和電容C34串聯(lián)后再與晶體振蕩器Y2并聯(lián)；

電阻R15阻值為1M歐，電容C1為18PF，電容C20為18PF，晶體振蕩器Y3為25MHZ，電阻R47阻值為10K，電阻R48阻值為10K，電阻R50阻值為10K，電容C4為1uf/50V、電容C29為0.1uf、二極管J19為SMBJ6CA。

優(yōu)選的，上述基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)中，所述第三采集電路包括電源模塊、第二頻率采集模塊和第三處理器；

所述電源模塊包括芯片U2、電阻R5、二極管D1、電容C11、電容C12、電感L1、二極管D2、電容C13、電容C14和電感L2；

二極管D2的陰極與芯片U2的2引腳連接，二極管D2的陽(yáng)極接地，二極管D1的陰極與芯片U2的1引腳連接，二極管D1的陽(yáng)極接地，電容C11并聯(lián)在二極管D1的兩端，電容C12并聯(lián)在二極管D1的兩端，電感L1的一端與芯片U2的2引腳連接，電感L1的另一端與VDD_3V3D連接，電感L2的一端與VDD_3V3D連接連接，電感L2的另一端與STM_3V3D連接，電容C14的一端與VDD_3V3D連接，另一端接地，電容C13并聯(lián)在電容C14的兩端；芯片U2的5引腳、6引腳、7引腳和8引腳均接地；

所述第二采集頻率模塊包括電阻R40、電阻R31、電阻R29、電阻R51、電阻R54、電容C40、三極管Q5和三極管Q6；

電阻R54的一端接5V電壓，另一端與電容C40串聯(lián)構(gòu)成回路，電阻R51一端與R54串聯(lián)，另一端與三極管Q5的集電極連接，三極管Q5的發(fā)射極與電阻R29的一端連接，三極管Q5的基極與電阻R29的另一端連接，電阻R31的一端與三極管Q5的基極連接，另一端與三極管Q6的集電極連接，三極管Q6的發(fā)射極接地，三極管Q6的基極與電阻R40串聯(lián)；

所述第三處理器包括STM32F051CB芯片、電容C33、電容C34和晶體振蕩器Y2；

晶體振蕩器Y2的一端與STM32F051CB芯片的5引腳連接，晶體振蕩器Y2的另一端與STM32F051CB芯片的6引腳連接，電容C33和電容C34串聯(lián)后再與晶體振蕩器Y2并聯(lián)；

電阻R15阻值為1M歐，電容C1為18PF，電容C20為18PF，晶體振蕩器Y3為25MHZ，電阻R40阻值為1K，電阻R31阻值為150K，電阻R29阻值為150K，電阻R51阻值為10K，電阻R54阻值為10K，電容C40為1uf/50V，電容C33為18PF，電容C34為18PF，晶體振蕩器Y2為8MHZ。

優(yōu)選的，上述自動(dòng)化生產(chǎn)實(shí)訓(xùn)系統(tǒng)基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)中，所述激光位移探頭采集裝置還包括探頭支架；

所述探頭支架包括固定外殼和連接部，所述固定外殼和所述連接部轉(zhuǎn)動(dòng)連接；

所述激光探頭設(shè)置在所述固定外殼內(nèi)部，所述連接部通過(guò)螺釘與墻體連接。

優(yōu)選的，上述基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)中，所述應(yīng)變計(jì)采集裝置還包括固定金屬板；

所述應(yīng)變計(jì)設(shè)置在所述固定金屬板的一個(gè)表面上；

所述固定金屬板設(shè)有安裝孔，所述固定金屬板通過(guò)所述安裝孔與墻體螺紋連接。

優(yōu)選的，上述基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)中，所述第一采集電路與4個(gè)所述激光探頭連接。

優(yōu)選的，上述基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)中，所述螺釘為塑料膨脹螺絲。

優(yōu)選的，上述基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)中，所述應(yīng)變計(jì)和所述裂縫計(jì)均通過(guò)環(huán)氧樹脂系膠結(jié)劑設(shè)置在墻體上。

本實(shí)用新型提供的一種基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)，包括：激光位移探頭采集裝置、應(yīng)變計(jì)采集裝置和裂縫計(jì)采集裝置。激光位移探頭采集裝置包括激光探頭、第一采集電路和顯示終端，應(yīng)變計(jì)采集裝置包括應(yīng)變計(jì)、第二采集電路和顯示終端，裂縫計(jì)采集裝置包括裂縫計(jì)、第三采集電路和顯示終端。其中，第一采集電路用于將激光位移探頭采集到的激光信號(hào)轉(zhuǎn)換為第一數(shù)據(jù)信號(hào)，第二采集電路用于將應(yīng)變計(jì)采集到的第一頻率信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二數(shù)據(jù)信號(hào)，第三采集電路用于將裂縫計(jì)采集到的第二頻率信號(hào)轉(zhuǎn)換為第三數(shù)據(jù)信號(hào)，顯示終端用于實(shí)時(shí)顯示第一數(shù)據(jù)信號(hào)、第二數(shù)據(jù)信號(hào)和第三數(shù)據(jù)信號(hào)。在大型工程建筑中，人們根據(jù)顯示終端實(shí)時(shí)接收并顯示的第一數(shù)據(jù)信號(hào)、第二數(shù)據(jù)信號(hào)和第三數(shù)據(jù)信號(hào)分析該大型工程存在安全隱患的可能性，以便及時(shí)采取應(yīng)對(duì)措施。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本實(shí)用新型的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1示出了本實(shí)用新型實(shí)施例1提供的一種基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)總體結(jié)構(gòu)圖；

圖2示出了本實(shí)用新型實(shí)施例1提供的一種基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)第一串口轉(zhuǎn)網(wǎng)口的部分電路圖；

圖3示出了本實(shí)用新型實(shí)施例1提供的一種基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)第一處理器的部分電路圖；

圖4示出了本實(shí)用新型實(shí)施例1提供的一種基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)第二采集模塊的部分電路圖；

圖5示出了本實(shí)用新型實(shí)施例1提供的一種基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)電源模塊的電路圖。

附圖中數(shù)字代表意義如下：

10-激光位移探頭

11-第一采集電路

20-應(yīng)變計(jì)

21-第二采集電路

30-裂縫計(jì)

31-第三采集電路

40-顯示終端

具體實(shí)施方式

需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型。

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本實(shí)用新型，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。通常在此處附圖中描述和示出的本實(shí)用新型實(shí)施例的組件，可以以各種不同的配置來(lái)布置和設(shè)計(jì)。因此，以下對(duì)在附圖中提供的本實(shí)用新型的實(shí)施例的詳細(xì)描述，并非旨在限制要求保護(hù)的本實(shí)用新型的范圍，而是僅僅表示本實(shí)用新型的選定實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員，在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

本實(shí)用新型實(shí)施例1提供了一種基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)，包括：激光位移探頭采集裝置、應(yīng)變計(jì)采集裝置和裂縫計(jì)采集裝置；

激光位移探頭采集裝置包括激光探頭10、第一采集電路11和顯示終端40；

應(yīng)變計(jì)采集裝置包括應(yīng)變計(jì)20、第二采集電路21和顯示終端40；

裂縫計(jì)采集裝置包括裂縫計(jì)30、第三采集電路31和顯示終端40；

第一采集電路11與激光探頭10電連接，用于將激光探頭10采集到的激光信號(hào)轉(zhuǎn)換為第一數(shù)據(jù)信號(hào)；

第二采集電路21與應(yīng)變計(jì)20電連接，用于將應(yīng)變計(jì)20采集到的第一頻率信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二數(shù)據(jù)信號(hào)；

第三采集電路31與裂縫計(jì)30電連接，用于將裂縫計(jì)30采集到的第二頻率信號(hào)轉(zhuǎn)換為第三數(shù)據(jù)信號(hào)；

第一采集電路11、第二采集電路21和第三采集電路31均與顯示終端40無(wú)線連接；

顯示終端40，用于顯示第一數(shù)據(jù)信號(hào)、第二數(shù)據(jù)信號(hào)和第三數(shù)據(jù)信號(hào)。

具體的如圖1所示，上述激光探頭采集裝置中，一個(gè)第一采集電路11最多可與4個(gè)激光探頭10相連接。在高層建筑中，由于受到不同樓層空間距離的限制，第一采集電路的數(shù)量可為多個(gè)。例如，一個(gè)樓層中設(shè)置了最多4個(gè)的激光探頭10，4個(gè)激光探頭10均可連接到一個(gè)第一采集電路11中；當(dāng)一個(gè)樓層設(shè)置的激光探頭數(shù)量多于4個(gè)時(shí)，此時(shí)可采用多個(gè)第一采集電路，多個(gè)第一采集電路均與顯示終端40連接。激光探頭設(shè)置在第一采集電路上的數(shù)量和第一采集電路的數(shù)量可根據(jù)工程實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置。需要強(qiáng)調(diào)的是，每個(gè)第一采集電路均設(shè)置了唯一的IP地址，顯示終端40顯示第一數(shù)據(jù)信號(hào)的過(guò)程需要利用每個(gè)第一采集電路上唯一的IP地址。

激光探頭10與第一采集電路11有線連接，第一采集電路的網(wǎng)口直接與顯示終端40連接，采集終端40發(fā)送采集指令到第一采集電路11上，第一采集電路11通過(guò)232協(xié)議將采集指令發(fā)送至激光探頭10，此時(shí)，激光探頭10采集激光信號(hào)，第一采集電路11接收激光信號(hào)，并將激光信號(hào)轉(zhuǎn)換為第一數(shù)據(jù)信號(hào)，第一數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)送給采集終端40，并在采集終端40中顯示。

其中，激光探頭10通過(guò)探頭支架固定在墻體上，該探頭支架主要包括兩部分：固定外殼和連接部。激光探頭10固定在固定外殼內(nèi)部，固定外殼與連接部轉(zhuǎn)動(dòng)連接，連接部通過(guò)螺釘與墻體連接，如此，激光探頭發(fā)射激光的方向可通過(guò)手動(dòng)調(diào)整。

同理，應(yīng)變計(jì)采集裝置中，一個(gè)第二采集電路21最多可與4個(gè)應(yīng)變計(jì)20相連接。應(yīng)變計(jì)通過(guò)環(huán)氧樹脂系膠結(jié)劑設(shè)置在墻體上。設(shè)置在墻體上的方式有兩種：第一種，將應(yīng)變計(jì)20直接設(shè)置在墻體的表面上，該種方法首先需要將應(yīng)變計(jì)20固定在國(guó)定金屬板上，該固定金屬板設(shè)置有安裝孔，應(yīng)變計(jì)20通過(guò)安裝孔與墻體進(jìn)行螺紋連接。第二種，將應(yīng)變計(jì)20直接設(shè)置在墻體內(nèi)部。應(yīng)當(dāng)注意的是，上述兩種固定應(yīng)變的設(shè)置方式需要根據(jù)應(yīng)變計(jì)的型號(hào)進(jìn)行選擇，選擇適合該種型號(hào)的固定方式。

應(yīng)變計(jì)20設(shè)置在第二采集電路上的數(shù)量和第二采集電路21的數(shù)量可根據(jù)工程實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置。每個(gè)第二采集電路21都設(shè)置有唯一的IP地址，其與應(yīng)變計(jì)20為有線連接，與顯示終端40通過(guò)網(wǎng)口進(jìn)行連接。采集過(guò)程中，顯示終端40發(fā)送采集指令到第二采集電路21，第二采集電路21給應(yīng)變計(jì)20一個(gè)瞬間的高脈沖(高脈沖幅值可達(dá)380V)，應(yīng)變計(jì)采集第一頻率信號(hào)，第二采集電路21將第一頻率信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二數(shù)據(jù)信號(hào)，第二數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)送給采集終端40，并在采集終端40中顯示。

同理，裂縫計(jì)采集裝置中，一個(gè)第三采集電路31最多可與4個(gè)裂縫計(jì)30相連接。裂縫計(jì)通過(guò)環(huán)氧樹脂系膠結(jié)劑設(shè)置在墻體上。設(shè)置在墻體上的方式有兩種：第一種，將裂縫計(jì)30直接設(shè)置在墻體的表面上，該種方法首先需要將裂縫計(jì)30固定在國(guó)定金屬板上，該固定金屬板設(shè)置有安裝孔裂縫計(jì)30通過(guò)安裝孔與墻體進(jìn)行螺紋連接。第二種，將裂縫計(jì)30直接設(shè)置在墻體內(nèi)部。應(yīng)當(dāng)注意的是，上述兩種固定應(yīng)變的設(shè)置方式需要根據(jù)裂縫計(jì)30的型號(hào)進(jìn)行選擇，選擇適合該種型號(hào)的固定方式。

裂縫計(jì)30設(shè)置在第三采集電路上的數(shù)量和第三采集電路31的數(shù)量可根據(jù)工程實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置。每個(gè)第三采集電路31都設(shè)置有唯一的IP地址，其與裂縫計(jì)30為有線連接，與顯示終端40通過(guò)網(wǎng)口進(jìn)行連接。采集過(guò)程中，顯示終端40發(fā)送采集指令到第三采集電路31，第三采集電路31給裂縫計(jì)30一個(gè)瞬間的高脈沖(高脈沖幅值可達(dá)380V)，裂縫計(jì)30采集第二頻率信號(hào)，第三采集電路31將第二頻率信號(hào)轉(zhuǎn)換為第三數(shù)據(jù)信號(hào)，第三數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)送給采集終端40，并在采集終端40中顯示。

上述顯示終端40為個(gè)人電腦。

上述用于固定激光探頭10、應(yīng)變計(jì)20和裂縫計(jì)30的螺釘為塑料膨脹螺絲，該塑料膨脹螺絲具有不易生銹、容易安裝、配色方便、絕緣性好和韌性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)，適用于大型工程建筑可能遇到的惡劣環(huán)境情況。

本實(shí)施例1提供的一種基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)，還包括無(wú)線中繼器；

無(wú)線中繼器的輸入口與第一采集電路11電連接，無(wú)線中繼器的輸出口與顯示終端40電連接。

當(dāng)工程參數(shù)采集的距離比較長(zhǎng)時(shí)，第一采集電路11、第二采集電路21和第三采集電路31與顯示終端40直接有線連接的方式可行性較低，此時(shí)，通過(guò)無(wú)線中繼器可解決該問(wèn)題。

上述無(wú)線中繼器可為多個(gè)，當(dāng)激光探頭采集裝置采集參數(shù)的路線較長(zhǎng)時(shí)，將無(wú)線中繼器與第一采集電路11連接，多個(gè)無(wú)線中繼器可順序進(jìn)行無(wú)線連接，設(shè)置在末端無(wú)線中繼器與顯示終端40有線連接。通過(guò)該種方式，不僅解決了遠(yuǎn)距離傳輸?shù)膯?wèn)題，還保證了第一信號(hào)數(shù)據(jù)傳遞的準(zhǔn)確性。

同理，上述無(wú)線中繼器也可使用在應(yīng)變計(jì)采集裝置和裂縫計(jì)采集裝置中，其連接方式與激光探頭采集裝置的連接方式相同。

本實(shí)施例1提供的一種基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)，第一采集電路11包括第一串口轉(zhuǎn)網(wǎng)口模塊和第一處理器。

具體的，第一串口轉(zhuǎn)網(wǎng)口模塊包括W5200芯片、電阻R15、電容C1、電容C20和晶體振蕩器Y3。該部分的電路圖如圖2所示，電阻R15的一端與W5200的1引腳連接，電阻R15的另一端與W5200的2引腳連接，晶體振蕩器Y3并聯(lián)在電阻R15的兩端，電容C1和電容C20串聯(lián)后并聯(lián)在電阻R15的兩端；

第一處理器包括芯片U14、電容C33、電容C34和晶體振蕩器Y2。該部分電路圖如圖3所示，晶體振蕩器Y2的一端與芯片U14的5引腳連接，晶體振蕩器Y2的另一端與芯片U14的6引腳連接，電容C33和電容C34串聯(lián)后再與晶體振蕩器Y2并聯(lián)；

電阻R15阻值為1M歐，電容C1為18PF，電容C20為18PF，晶體振蕩器Y3為25MHZ，電容C33為20PF，C34為20PF，晶體振蕩器Y2為8MHZ。

本實(shí)施例1提供的一種基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)，第二采集電路21包括第二串口轉(zhuǎn)網(wǎng)口模塊、第一頻率采集模塊和第二處理器；

第二串口轉(zhuǎn)網(wǎng)口模塊包括W5200芯片、電阻R15、電容C1、電容C20和晶體振蕩器Y3，電阻R15的一端與W5200的1引腳連接，電阻R15的另一端與W5200的2引腳連接，晶體振蕩器Y3并聯(lián)在電阻R15的兩端，電容C1和電容C20串聯(lián)后并聯(lián)在電阻R15的兩端；

第一頻率采集模塊包括電阻R47、電阻R48、電阻R50電容C4、電容C29、二極管J19，電阻R47的一端接5V電壓，另一端與電容C4串聯(lián)構(gòu)成回路，電阻R48、二極管J19與電阻R47串聯(lián)構(gòu)成回路，電阻R48、電阻R50、電容C29與電阻R47串聯(lián)構(gòu)成回路；

第二處理器包括STM32F051CB芯片、電容C33、電容C34和晶體振蕩器Y2，晶體振蕩器Y2的一端與STM32F051CB芯片的5引腳連接，晶體振蕩器Y2的另一端與STM32F051CB芯片的6引腳連接，電容C33和電容C34串聯(lián)后再與晶體振蕩器Y2并聯(lián)；

電阻R15阻值為1M歐，電容C1為18PF，電容C20為18PF，晶體振蕩器Y3為25MHZ，電阻R47阻值為10K，電阻R48阻值為10K，電阻R50阻值為10K，電容C4為1uf/50V、電容C29為0.1uf、二極管J19為SMBJ6CA。

本實(shí)施例1提供的一種基于無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓こ虆?shù)采集系統(tǒng)，第三采集電路31包括電源模塊、第二頻率采集模塊和第三處理器；

電源模塊包括芯片U2、電阻R5、二極管D1、電容C11、電容C12、電感L1、二極管D2、電容C13、電容C14和電感L2，具體電路結(jié)構(gòu)如圖5所示。

二極管D2的陰極與芯片U2的2引腳連接，二極管D2的陽(yáng)極接地，二極管D1的陰極與芯片U2的1引腳連接，二極管D1的陽(yáng)極接地，電容C11并聯(lián)在二極管D1的兩端，電容C12并聯(lián)在二極管D1的兩端，電感L1的一端與芯片U2的2引腳連接，電感L1的另一端與VDD_3V3D連接，電感L2的一端與VDD_3V3D連接連接，電感L2的另一端與STM_3V3D連接，電容C14的一端與VDD_3V3D連接，另一端接地，電容C13并聯(lián)在電容C14的兩端；芯片U2的5引腳、6引腳、7引腳和8引腳均接地；

第二采集頻率模塊包括電阻R40、電阻R31、電阻R29、電阻R51、電阻R54、電容C40、三極管Q5和三極管Q6。該部分電路圖如圖4所示，電阻R54的一端接5V電壓，另一端與電容C40串聯(lián)構(gòu)成回路，電阻R51一端與R54串聯(lián)，另一端與三極管Q5的集電極連接，三極管Q5的發(fā)射極與電阻R29的一端連接，三極管Q5的基極與電阻R29的另一端連接，電阻R31的一端與三極管Q5的基極連接，另一端與三極管Q6的集電極連接，三極管Q6的發(fā)射極接地，三極管Q6的基極與電阻R40串聯(lián)；

第三處理器包括STM32F051CB芯片、電容C33、電容C34和晶體振蕩器Y2，晶體振蕩器Y2的一端與STM32F051CB芯片的5引腳連接，晶體振蕩器Y2的另一端與STM32F051CB芯片的6引腳連接，電容C33和電容C34串聯(lián)后再與晶體振蕩器Y2并聯(lián)；

電阻R15阻值為1M歐，電容C1為18PF，電容C20為18PF，晶體振蕩器Y3為25MHZ，電阻R40阻值為1K，電阻R31阻值為150K，電阻R29阻值為150K，電阻R51阻值為10K，電阻R54阻值為10K，電容C40為1uf/50V，電容C33為18PF，電容C34為18PF，晶體振蕩器Y2為8MHZ。

以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。