本實(shí)用新型涉及電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種卡槽保護(hù)電路、卡槽、終端。

背景技術(shù)：

隨著終端技術(shù)的不斷發(fā)展，終端上的卡槽數(shù)量逐漸增多，除了單一的用戶識(shí)別(Subscriber Identity Module，SIM)卡的卡槽以外，還具有第二SIM卡的卡槽、存儲(chǔ)(Trans FLash，TF)卡的卡槽等。如圖1所示，為了減小終端的體積，將多個(gè)卡槽集成在一個(gè)卡托上，形成三選二卡托。

用戶使用三選二卡托時(shí)，將SIM卡或者TF卡放入相應(yīng)的位置后，將三選二卡托插入終端上對(duì)應(yīng)的卡槽內(nèi)，終端可以讀取SIM卡或者TF卡的信息，使用與放入的卡片所對(duì)應(yīng)的功能。

然而，現(xiàn)有技術(shù)中，在用戶插入三選二卡托或拔出三選二卡托的過程中，卡槽內(nèi)用于識(shí)別SIM卡或者TF卡的位置會(huì)一直供電，容易使得卡托內(nèi)放入的卡片短路，造成卡片損壞。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種卡片保護(hù)電路、卡槽、終端，用以保護(hù)卡片，避免卡片損壞。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種卡片保護(hù)電路，包括：

識(shí)別端；

三極管；

場(chǎng)效應(yīng)管；

電源輸入端；

電源輸出端；

所述識(shí)別端連接所述三極管的基極，所述三極管的發(fā)射級(jí)接地，所述三極管的集電極連接所述場(chǎng)效應(yīng)管的柵極；

所述電源輸入端連接所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極，所述電源輸出端連接所述場(chǎng)效應(yīng)管的源極。

進(jìn)一步地，上述電路中，所述電源輸入端還連接電源；所述電源輸出端還連接卡片的觸點(diǎn)。

進(jìn)一步地，上述電路中，還包括：第一電阻；

所述第一電阻的第一端連接所述識(shí)別端，所述第一電阻的第二端連接所述三極管的基極。

進(jìn)一步地，上述電路中，還包括：第二電阻；

所述第二電阻的第一端連接所述電源輸入端，所述第二電阻的第二端連接所述三極管的集電極。

進(jìn)一步地，上述電路中，還包括：第三電阻；

所述第三電阻的第一端連接所述電源輸入端，所述第三電阻的第二端連接所述電源輸出端。

進(jìn)一步地，上述電路中，所述第三電阻為零歐姆電阻。

進(jìn)一步地，上述電路中，所述場(chǎng)效應(yīng)管為金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)MOS管。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種卡槽，包括上述任一項(xiàng)所述的卡片保護(hù)電路。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種移動(dòng)終端，包括上述卡槽。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的卡片保護(hù)電路、卡槽、終端，通過識(shí)別端檢測(cè)卡片是否完全進(jìn)入卡槽，當(dāng)識(shí)別端檢測(cè)到卡片沒有完全進(jìn)入卡槽時(shí)，識(shí)別端向三極管發(fā)送低電平信號(hào)，使得場(chǎng)效應(yīng)管不導(dǎo)通，電源輸入端與電源輸出端之間為斷路，電源輸出端無法為卡片供電，當(dāng)識(shí)別端檢測(cè)到卡片完全進(jìn)入卡槽，識(shí)別端向三極管發(fā)送高電平信號(hào)，使得場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，電源輸出入端與電源輸出端導(dǎo)通，由電源輸出端為卡片供電，因此，本實(shí)用新型實(shí)施例中當(dāng)卡片完全進(jìn)入卡槽內(nèi)才開始為卡片供電，避免了在插入三選二卡托或拔出三選二卡托的過程中，卡槽內(nèi)用于識(shí)別卡片的位置會(huì)一直供電導(dǎo)致的卡片短路，造成卡片損壞的問題，實(shí)現(xiàn)了對(duì)卡片的保護(hù)。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的卡托；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的卡片保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的卡片保護(hù)電路的另一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的卡片保護(hù)方法實(shí)施例的流程圖。

附圖標(biāo)記：

1—識(shí)別端

2—三極管

3—場(chǎng)效應(yīng)管

4—電源輸入端

5—電源輸出端

6—第一電阻

7—第二電阻

8—第三電阻

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

實(shí)施例一

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的卡片保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的卡片保護(hù)電路，可以包括：識(shí)別端1、三極管2、場(chǎng)效應(yīng)管3、電源輸入端4以及電源輸出端5。

如圖1所示，識(shí)別端1連接三極管2的基極，三極管2的發(fā)射級(jí)接地，三極管2的集電極連接場(chǎng)效應(yīng)管3的柵極，電源輸入端4連接場(chǎng)效應(yīng)管3的漏極，電源輸出端5連接場(chǎng)效應(yīng)管3的源極。其中，識(shí)別端1用于識(shí)別卡片是否完全進(jìn)入卡槽，電源輸入端4連接電源，電源為卡片保護(hù)電路所在的主體內(nèi)的電源，電源輸出端5連接卡片的觸點(diǎn)，使得當(dāng)卡片完全進(jìn)入卡槽內(nèi)時(shí)，電源輸出端5與卡片完全接觸為卡片供電。

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的卡片保護(hù)電路的另一結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示，在一種具體的實(shí)現(xiàn)過程中，卡片保護(hù)電路中還包括第一電阻6，第一電阻6的第一端連接識(shí)別端1，第一電阻6的第二端連接三極管2的基極。在本實(shí)用新型實(shí)施例中，第一電阻的作用為三極管2提供一個(gè)適合的電壓。

如圖3所示，在一種具體的實(shí)現(xiàn)過程中，卡片保護(hù)電路中還包括第二電阻7，第二電阻7的第一端連接電源輸入端4，第二電阻7的第二端連接三極管2的集電極。在本實(shí)用新型實(shí)施例中，通過設(shè)定第二電阻7可以對(duì)三極管2起到保護(hù)作用。

如圖3所示，在一種具體的實(shí)現(xiàn)過程中，卡片保護(hù)電路中還包括第三電阻8，第三電阻8的第一端連接電源輸入端4，第三電阻8的第二端連接電源輸出端5。設(shè)置第三電阻8的目的在于為卡槽內(nèi)的電路走向提供多種選擇，其含義為，若使用第三電阻8，則不使用卡片保護(hù)電路，若不使用第三電阻8，則使用卡片保護(hù)電路。為了使用方便，第三電阻8可以采用零歐姆電阻，然后，使用其他電阻以貼片的形式附著在零歐姆電阻上。

需要說明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例中，場(chǎng)效應(yīng)管為MOS(metal oxide semiconductor，金屬—絕緣體—半導(dǎo)體)場(chǎng)效應(yīng)管。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的卡片保護(hù)電路，通過識(shí)別端1檢測(cè)卡片是否完全進(jìn)入卡槽，當(dāng)識(shí)別端檢測(cè)1到卡片沒有完全進(jìn)入卡槽，識(shí)別端1向三極管2發(fā)送低電平信號(hào)，使得場(chǎng)效應(yīng)管3不導(dǎo)通，電源輸入端4與電源輸出端5之間為斷路，電源輸出端5無法為卡片供電，當(dāng)識(shí)別端1檢測(cè)到卡片完全進(jìn)入卡槽，識(shí)別端1向三極管2發(fā)送高電平信號(hào)，使得場(chǎng)效應(yīng)管3導(dǎo)通，電源輸出入端4與電源輸出端5導(dǎo)通，由電源輸出端5為卡片供電，因此，本實(shí)用新型實(shí)施例中當(dāng)卡片完全進(jìn)入卡槽內(nèi)才開始為卡片供電，避免了在插入三選二卡托或拔出三選二卡托的過程中，卡槽內(nèi)用于識(shí)別卡片的位置會(huì)一直供電導(dǎo)致的卡片短路，造成卡片損壞的問題，實(shí)現(xiàn)了對(duì)卡片的保護(hù)。

實(shí)施例二

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種卡槽，卡槽中包括實(shí)施例一中的卡片保護(hù)電路。

實(shí)施例三

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種移動(dòng)終端，移動(dòng)終端包括實(shí)施例二中的卡槽。

實(shí)施例四

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的卡片保護(hù)方法實(shí)施例的流程圖，如圖4所示，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種卡片保護(hù)方法，具體可以包括如下步驟：

401、識(shí)別端檢測(cè)卡片是否完全進(jìn)入卡槽，若檢測(cè)到卡片沒有完全進(jìn)入卡槽，執(zhí)行步驟402，若檢測(cè)到卡片完全進(jìn)入卡槽，執(zhí)行步驟403。

具體地，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，識(shí)別端通過檢測(cè)卡片上的觸點(diǎn)是否與識(shí)別端完全對(duì)應(yīng)來確認(rèn)卡片是否完全進(jìn)入卡槽，即若卡片上的觸點(diǎn)與識(shí)別端完全對(duì)應(yīng)，則識(shí)別端檢測(cè)出卡片完全進(jìn)入卡槽，若卡片上的觸點(diǎn)沒有與識(shí)別端完全對(duì)應(yīng)，則識(shí)別端檢測(cè)出卡片沒有完全進(jìn)入卡槽。

402、識(shí)別端向三極管發(fā)送低電平信號(hào)，三極管根據(jù)所述低電平信號(hào)控制場(chǎng)效應(yīng)管不導(dǎo)通，以斷開電源輸入端與電源輸出端之間的連接。

其中，所述電源輸出端連接所述卡片的觸點(diǎn)；所述電源輸入端連接電源。

403、識(shí)別端向三極管發(fā)送高電平信號(hào)，三極管根據(jù)高電平信號(hào)控制場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，使得電源輸入端與電源輸出端之間接通。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的卡片保護(hù)方法，通過識(shí)別端檢測(cè)卡片是否完全進(jìn)入卡槽，當(dāng)識(shí)別端檢測(cè)到卡片沒有完全進(jìn)入卡槽，識(shí)別端向三極管發(fā)送低電平信號(hào)，使得場(chǎng)效應(yīng)管不導(dǎo)通，電源輸入端與電源輸出端之間為斷路，電源輸出端無法為卡片供電，當(dāng)識(shí)別端檢測(cè)到卡片完全進(jìn)入卡槽，識(shí)別端向三極管發(fā)送高電平信號(hào)，使得場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通，電源輸出入端與電源輸出端導(dǎo)通，由電源輸出端為卡片供電，因此，本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案中當(dāng)卡片完全進(jìn)入卡槽內(nèi)才開始為卡片供電，避免了在插入三選二卡托或拔出三選二卡托的過程中，卡槽內(nèi)用于識(shí)別卡片的位置會(huì)一直供電導(dǎo)致的卡片短路，造成卡片損壞的問題，實(shí)現(xiàn)了對(duì)卡片的保護(hù)。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解：實(shí)現(xiàn)上述各方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成。前述的程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述各方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：ROM、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。

以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，其中作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到至少兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部模塊來實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性的勞動(dòng)的情況下，即可以理解并實(shí)施。

最后應(yīng)說明的是：以上各實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。