本實(shí)用新型涉及聲電產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，具體為基于ASIC芯片的MEMS麥克風(fēng)的封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，MEMS（微電子機(jī)械系統(tǒng)）麥克風(fēng)以其體積小、便于SMT（表面貼裝技術(shù)）安裝、耐高溫、穩(wěn)定性好、自動(dòng)化程度高和適合大批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。

現(xiàn)有的基于ASIC芯片NJU72082的MEMS麥克風(fēng)PCB為上下打線方式，實(shí)際運(yùn)用過(guò)程中會(huì)造成跨芯片打線的情況，這樣打線的會(huì)浪費(fèi)導(dǎo)線，導(dǎo)線通常為貴重金屬，造成封裝成本居高不下，且會(huì)造成電信號(hào)傳輸時(shí)的消耗過(guò)大，易發(fā)熱等缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了基于ASIC芯片的MEMS麥克風(fēng)的封裝結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，布局合理，更適合ASIC芯片NJU72082G的打線位置，避免了跨芯片打線的情況，節(jié)約了金線的使用量。

其技術(shù)方案是這樣的：基于ASIC芯片的MEMS麥克風(fēng)的封裝結(jié)構(gòu)，包括上層PCB板和下層PCB板，所述上層PCB板上設(shè)置有MEMS芯片和ASIC芯片，其特征在于：所述ASIC芯片為NJU72082G，所述ASIC芯片的VDD端口通過(guò)導(dǎo)線連接設(shè)置在所述上層PCB板正面的VDD焊盤，所述ASIC芯片的OUT端口通過(guò)導(dǎo)線連接設(shè)置在所述上層PCB板正面的輸出焊盤，所述ASIC芯片的GND端口通過(guò)導(dǎo)線連接設(shè)置在所述上層PCB板正面的接地焊盤,所述VDD焊盤、輸出焊盤、接地焊盤分別靠近所述ASIC芯片設(shè)置并設(shè)置在所述上層PCB板的同一側(cè)，所述上層PCB板和所述下層PCB板之間設(shè)有銅層，所述VDD焊盤、所述輸出焊盤分別通過(guò)所述銅層與所述下層PCB板背面的背部焊盤相連接。

進(jìn)一步的，所述MEMS芯片的BIAS端口通過(guò)導(dǎo)線連接所述ASIC芯片的BIAS端口，所述MEMS芯片的VOUT端口通過(guò)導(dǎo)線連接所述ASIC芯片的MICIN端口。

進(jìn)一步的，所述導(dǎo)線為金線。

進(jìn)一步的，所述ASIC芯片設(shè)有VDD端口、OUT端口、GND端口的一側(cè)靠近所述上層PCB板的右側(cè)設(shè)置，所述VDD焊盤、輸出焊盤、接地焊盤分別靠近所述ASIC芯片、設(shè)置在所述ASIC芯片的右側(cè)。

進(jìn)一步的，所述MEMS芯片為NJD3005e。

本實(shí)用新型的基于ASIC芯片NJU72082G的MEMS麥克風(fēng)的封裝結(jié)構(gòu)，打線位置設(shè)計(jì)成右打線方式,節(jié)約了金線的使用距離和封裝成本，避免了跨芯片打線的情況，減少了芯片與PCB之間的鏈接距離，有效地降低了成本、設(shè)計(jì)周期變短，投放市場(chǎng)較快，適應(yīng)了目前電子行業(yè)小型化、微型化的發(fā)展需求；同時(shí)使得由于連接之間的各種損耗、干擾降低到最小，性能優(yōu)良，可靠性高，其綜合利用了微電子、固體電子等多項(xiàng)工藝技術(shù)，充分發(fā)揮了各種工藝的優(yōu)勢(shì)，從而提高了系統(tǒng)的綜合性能；容易實(shí)現(xiàn)電子系統(tǒng)的小型化、輕量化、高性能和高可靠性，特別適合于手機(jī)、電腦、便攜式電子穿戴設(shè)備等對(duì)體積、重量和環(huán)境要求苛刻的場(chǎng)合。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的基于ASIC芯片NJU72082G的MEMS麥克風(fēng)的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

見(jiàn)圖1，基于ASIC芯片的MEMS麥克風(fēng)的封裝結(jié)構(gòu)，包括上層PCB板1和下層PCB板，上層PCB板1上設(shè)置有MEMS芯片2和ASIC芯片3，MEMS芯片的BIAS端口通過(guò)金線連接ASIC芯片的BIAS端口，MEMS芯片的VOUT端口通過(guò)金線連接ASIC芯片的MICIN端口，ASIC芯片為NJU72082G， MEMS芯片為NJD3005e，ASIC芯片3的VDD端口通過(guò)金線4連接設(shè)置在上層PCB板1正面的VDD焊盤5，ASIC芯片3的OUT端口通過(guò)金線4連接設(shè)置在上層PCB板1正面的輸出焊盤6，ASIC芯片3的的GND端口通過(guò)金線4連接設(shè)置在上層PCB板1正面的接地焊盤7, ASIC芯片3設(shè)有VDD端口、OUT端口、GND端口的一側(cè)靠近上層PCB板1的右側(cè)設(shè)置，VDD焊盤5、輸出焊盤6、接地焊盤7分別靠近ASIC芯片3、設(shè)置在ASIC芯片3的右側(cè)，上層PCB板1和下層PCB板之間設(shè)有銅層8，VDD焊盤5、輸出焊盤6分別通過(guò)銅層8與下層PCB板背面的背部焊盤9相連接。

聲音通過(guò)MEMS芯片2轉(zhuǎn)換為電信號(hào)通過(guò)金線傳遞給ASIC芯片3，ASIC芯片3的輸出從OUT端口通過(guò)金線輸出到輸出焊盤6，輸出焊盤6連接銅層8，電信號(hào)經(jīng)過(guò)銅層8輸出到背部焊盤9，通過(guò)背部焊盤9連接到其他外部裝置，Vdd從ASIC芯片3的VDD端口通過(guò)金線輸出到VDD焊盤5，VDD焊盤5連接銅層8，經(jīng)過(guò)銅層8后輸出到背部焊盤11。

本實(shí)用新型的基于ASIC芯片NJU72082G的MEMS麥克風(fēng)的封裝結(jié)構(gòu)，打線位置設(shè)計(jì)成右打線方式,節(jié)約了金線的使用距離和封裝成本，減少了芯片與PCB之間的鏈接距離，有效地降低了成本、設(shè)計(jì)周期變短，投放市場(chǎng)較快，適應(yīng)了目前電子行業(yè)小型化、微型化的發(fā)展需求；同時(shí)使得由于連接之間的各種損耗、干擾降低到最小，性能優(yōu)良，可靠性高，其綜合利用了微電子、固體電子等多項(xiàng)工藝技術(shù)，充分發(fā)揮了各種工藝的優(yōu)勢(shì)，從而提高了系統(tǒng)的綜合性能；容易實(shí)現(xiàn)電子系統(tǒng)的小型化、輕量化、高性能和高可靠性，特別適合于手機(jī)、電腦、便攜式電子穿戴設(shè)備等對(duì)體積、重量和環(huán)境要求苛刻的場(chǎng)合。

以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書中描述的只是說(shuō)明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。