1.一種變頻器的微波變頻電路，其特征在于，所述微波變頻電路包括射頻放大模塊、濾波模塊、控制模塊、晶振模塊和穩(wěn)壓模塊，所述濾波模塊包括電容器件和長寬比范圍為1～2的平面式微帶濾波結(jié)構(gòu)；
所述電容器件的輸入端為所述濾波模塊的輸入端，所述電容器件的輸出端接所述微帶濾波結(jié)構(gòu)的輸入端，所述微帶濾波結(jié)構(gòu)的輸出端為所述濾波模塊的輸出端；所述射頻放大模塊的第一輸入端接入水平極化信號，所述射頻放大模塊的第二輸入端接入垂直極化信號，所述射頻放大模塊的第一受控端、第二受控端、第三受控端、第一電源端、第二電源端和第三電源端分別與所述穩(wěn)壓模塊的第一控制端、第二控制端、第三控制端、第一供電端、第二供電端和第三供電端一一對應(yīng)連接，所述射頻放大模塊的輸出端接所述濾波模塊的輸入端，所述濾波模塊的輸出端接所述控制模塊的射頻信號輸入端，所述控制模塊的本振信號輸入端和晶振控制端分別與所述晶振模塊的本振信號輸出端和受控端一一對應(yīng)連接，所述控制模塊的輸入輸出端外接接收機并輸入所述接收機輸出的控制信號，所述穩(wěn)壓模塊的第四供電端接所述控制模塊的電源端，所述穩(wěn)壓模塊的輸入端外接所述接收機并輸入所述接收機輸出的電壓信號；
所述射頻放大模塊受所述穩(wěn)壓模塊控制對所述水平極化信號和所述垂直極化信號進(jìn)行放大，所述濾波模塊將所述放大后的所述水平極化信號、放大后的所述垂直極化信號濾波為頻率在預(yù)設(shè)頻率范圍內(nèi)的射頻信號，所述控制模塊根據(jù)所述控制信號控制所述晶振模塊輸出預(yù)設(shè)頻率的本振信號，所述控制模塊將所述射頻信號和所述本振信號混頻處理為中頻信號并輸出給所述接收機，所述穩(wěn)壓模塊將所述電壓信號的電壓調(diào)節(jié)至預(yù)設(shè)值分別為所述射頻放大模塊和所述控制模塊供電。
2.如權(quán)利要求1所述的變頻器的微波變頻電路，其特征在于，所述微帶濾波結(jié)構(gòu)的長度范圍為0mm～6.6mm、寬度范圍為0mm～6.1mm，所述放大后的所述水平極化信號、放大后的所述垂直極化信號由所述微帶濾波結(jié)構(gòu)的左側(cè)輸入，經(jīng)所述微帶濾波結(jié)構(gòu)濾波后輸出頻率在預(yù)設(shè)頻率范圍內(nèi)的射頻信號。
3.如權(quán)利要求1所述的變頻器的微波變頻電路，其特征在于，所述射頻放大模塊包括第一射頻放大單元、第二射頻放大單元和第三射頻放大單元；
所述第一射頻放大單元的輸入端、受控端和電源端分別為所述射頻放大模塊的第一輸入端、第一受控端和第一電源端，所述第一射頻放大單元的輸出端與所述第二射頻放大單元的輸出端和所述第三射頻放大單元的輸入端共接；
所述第二射頻放大單元的輸入端、受控端和電源端分別為所述射頻放大模塊的第二輸入端、第二受控端和第二電源端；
所述第三射頻放大單元的受控端和電源端分別為所述射頻放大模塊的第三受控端和第三電源端，所述第三射頻放大單元的輸出端為所述射頻放大模塊的輸出端；
所述第一射頻放大單元受所述穩(wěn)壓模塊控制對所述水平極化信號進(jìn)行一次放大，所述第二射頻放大單元受所述穩(wěn)壓模塊控制對所述垂直極化信號進(jìn)行一次放大，所述第三射頻放大單元受所述穩(wěn)壓模塊控制對一次放大后的所述水平極化信號和一次放大后的所述垂直極化信號進(jìn)行二次放大后輸出。
4.如權(quán)利要求3所述的變頻器的微波變頻電路，其特征在于，所述第一射頻放大單元包括第一N型場效應(yīng)管、第一限流電阻、第二限流電阻、第一旁路電容和第二旁路電容；
所述第一N型場效應(yīng)管的柵極與所述第一限流電阻的一端共接構(gòu)成所述第一射頻放大單元的輸入端，所述第一限流電阻的另一端與所述第一旁路電容的陽極共接構(gòu)成所述第一射頻放大單元的受控端，所述第一旁路電容的陰極接地，第一N型場效應(yīng)管的漏極與所述第二限流電阻的一端共接構(gòu)成所述第一射頻放大單元的輸出端，所述第二限流電阻的另一端和所述第二旁路電容的陽極共接構(gòu)成所述第一射頻放大單元的受控端，所述第二旁路電容的陰極接地，所述第一N型場效應(yīng)管的源極接地。
5.如權(quán)利要求3所述的變頻器的微波變頻電路，其特征在于，所述第二射頻放大單元包括第二N型場效應(yīng)管、第三限流電阻、第四限流電阻、第三旁路電容和第四旁路電容；
所述第二N型場效應(yīng)管的柵極與所述第三限流電阻的一端共接構(gòu)成所述第二射頻放大單元的輸入端，所述第三限流電阻的另一端與所述第三旁路電容的陽極共接構(gòu)成所述第二射頻放大單元的受控端，所述第三旁路電容的陰極接地，第二N型場效應(yīng)管的漏極與所述第四限流電阻的一端共接構(gòu)成所述第二射頻放大單元的輸出端，所述第四限流電阻的另一端和所述第四旁路電容的陽極共接構(gòu)成所述第二射頻放大單元的受控端，所述第四旁路電容的陰極接地，所述第二N型場效應(yīng)管的源極接地。
6.如權(quán)利要求3所述的變頻器的微波變頻電路，其特征在于，所述第三射頻放大單元包括第三N型場效應(yīng)管、第五限流電阻、第六限流電阻、第五旁路電容和第六旁路電容；
所述第三N型場效應(yīng)管的柵極與所述第五限流電阻的一端共接構(gòu)成所述第三射頻放大單元的輸入端，所述第五限流電阻的另一端與所述第五旁路電容的陽極共接構(gòu)成所述第三射頻放大單元的受控端，所述第五旁路電容的陰極接地，第三N型場效應(yīng)管的漏極與所述第六限流電阻的一端共接構(gòu)成所述第三射頻放大單元的輸出端，所述第六限流電阻的另一端和所述第六旁路電容的陽極共接構(gòu)成所述第三射頻放大單元的受控端，所述第六旁路電容的陰極接地，所述第三N型場效應(yīng)管的源極接地。
7.如權(quán)利要求3～6所述的變頻器的微波變頻電路，其特征在于，所述射頻放大模塊還包括第一耦合電容和第二耦合電容；
所述第一耦合電容的陽極接所述第一射頻放大單元的輸出端，所述第二耦合電容的陽極接所述第二射頻放大單元的輸出端，所述第一耦合電容的陰極和所述第二耦合電容的陰極共接于所述第三射頻放大單元的輸入端。
8.如權(quán)利要求1所述的變頻器的微波變頻電路，其特征在于，所述控制模塊包括控制芯片、第三耦合電容、第四耦合電容、第七旁路電容和第八旁路電容，所述晶振模塊為晶體振蕩器；
所述控制芯片的射頻信號輸入端和電源端分別為所述控制模塊的射頻信號輸入端和電源端，所述控制芯片的本振信號輸入端與所述第七旁路電容的陽極共接構(gòu)成所述控制模塊的本振信號輸入端，所述控制芯片的晶振控制端和所述第八旁路電容的陽極共接構(gòu)成所述控制模塊的晶振控制端，第七旁路電容的陰極和所述第八旁路電容的陰極均接地，所述控制芯片的輸入輸出端接所述第三耦合電容的陽極，所述第三耦合電容的陽極接所述第四耦合電容的陽極，所述第四耦合電容的陰極為所述控制模塊的輸入輸出端。
9.如權(quán)利要求1所述的變頻器的微波變頻電路，其特征在于，所述穩(wěn)壓模塊包括穩(wěn)壓芯片、第七限流電阻、第八旁路電容和第九旁路電容；
所述穩(wěn)壓芯片的第一控制端、第二控制端、第三控制端、第一供電端、第二供電端、第三供電端和第四供電端分別為所述穩(wěn)壓模塊的第一控制端、第二控制端、第三控制端、第一供電端、第二供電端、第三供電端和第四供電端，所述穩(wěn)壓芯片的輸入端與所述第八旁路電容的陽極和所述第七限流電阻的一端共接，所述第七限流電阻的另一端與所述第九旁路電容的陽極共接構(gòu)成所述穩(wěn)壓模塊的輸入端，所述第八旁路電容的陰極和所述第九旁路電容的陰極均接地。
10.一種變頻器，其特征在于，所述變頻器包括如權(quán)利要求1～9任一項所述的微波變頻電路。