本實用新型實施方式涉及模擬電子技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種音頻噪聲消除電路。

背景技術(shù)：

在音頻處理芯片系統(tǒng)中，音頻輸出信號一般會送給音頻功放作為輸入信號。在實際應(yīng)用中，為了節(jié)約封裝引腳數(shù)目，芯片的音頻處理芯片的封裝引腳輸出信號一般為單端信號。在這種方案中，芯片音頻輸出到功放輸入之間會有隔直電容。而在這類應(yīng)用中，一些情況下音頻處理芯片需要節(jié)約掉控制功放MUTE的引腳。在這些應(yīng)用方案快速開關(guān)機時，殘留在隔直電容上的電荷，會導(dǎo)致在芯片輸出建立到共模電平的時候產(chǎn)生啪啪聲。參閱圖1，現(xiàn)有的處理方式一般是在芯片的輸出端增加一個外部電阻，在芯片處于關(guān)閉狀態(tài)的時候，利用這個電阻泄放隔直電容上的電荷。但是，在實現(xiàn)本實用新型實施例的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)相關(guān)技術(shù)至少存在以下問題：

1.因為電阻的選值與隔直電容大小相關(guān)以控制RC泄放時間，所以內(nèi)置到芯片內(nèi)部使用起來不靈活，需要每個隔直電容方案重新調(diào)整內(nèi)部電阻大小。

2.這個電阻在音頻處理芯片關(guān)閉輸出的一瞬間，會產(chǎn)生一個階躍響應(yīng)在功放的輸出，其大小與泄流電阻大小成反比，與功放的反饋電阻成正比。所以產(chǎn)生了一個折中，小的泄流電阻泄放電流速度快，系統(tǒng)可以更快的建立，但是產(chǎn)生的功放輸出階躍及沖擊聲會越大。反之系統(tǒng)建立時間會拖的很長。

3.階躍響應(yīng)的低頻分量比較多，所以功放輸出產(chǎn)生的沖擊聲會比較大。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型實施方式主要解決的技術(shù)問題是提供一種音頻噪聲消除電路，使用靈活、輸出階躍及沖擊聲小。

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的一個技術(shù)方案是：提供一種音頻噪聲消除電路，包括：音頻輸入電路、電容以及功放電路，其中音頻輸入電路通過電容與功放電路相連接；音頻輸入電路包括：泄流模塊、第一輸入電阻、第一反饋電阻以及第一運算放大器。其中，第一輸入電阻連接在第一運算放大器的同向輸入端；第一反饋電阻一端連接在第一運算放大器的同向輸入端，另一端連接在第一運算放大器的輸出端；泄流模塊的一端通過與第一輸入電阻與第一運算放大器的同向輸入端連接，另一端連接在第一運算放大器的輸出端。

其中，所述音頻輸入電路還包括：數(shù)模轉(zhuǎn)換電路、第一開關(guān)、第二開關(guān)以及第一電流源；數(shù)模轉(zhuǎn)換電路通過第一開關(guān)與第一輸入電阻連接，通過第二開關(guān)與泄流模塊連接；第二開關(guān)一端與泄流模塊連接，另一端連接在數(shù)模轉(zhuǎn)換電路與第一輸入電阻之間；電流源一端連接在第一運算放大器的反向輸入端，另一端接地。

其中，泄流模塊包括：輸入端、第一支路、第二支路、第三支路、第四支路、泄流電路以及第三開關(guān)；第一支路、第二支路、第三支路及第四支路的一端與輸入端連接另一端接地；泄流電路與第一運算放大器的輸出端連接；第三開關(guān)一端與輸入端連接，另一端接地。

其中，第一支路包括：第一PMOS管、第二PMOS管以及第一電阻；第一PMOS管的源極與輸入端連接，柵極與漏極連接后與第二PMOS管的源極連接；第二PMOS管的柵極與漏極連接后與第一電阻連接；第一電阻接地。

其中，第二支路包括：第三PMOS管、第四PMOS管以及第二電阻；第三PMOS管的源極與輸入端連接，柵極與漏極連接后與第四PMOS管的源極連接；第四PMOS管的柵極與漏極連接后與第二電阻連接；第二電阻接地。

其中，第三支路包括：第五PMOS管以及第三電阻；第五PMOS 管的源極與輸入端連接，柵極與漏極連接后與第三電阻連接；第三電阻接地。

其中，第四支路包括：第六PMOS管以及第四電阻；第六PMOS管的源極與輸入端連接，柵極與漏極連接后與第四電阻連接；第四電阻接地。

其中，所述泄流電路包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管以及第五NMOS管；第一NMOS管的柵極與第二PMOS管的漏極連接，漏極與第一運算放大器的輸出端連接，源極接地；第二NMOS管的柵極與第四PMOS管的漏極連接，漏極與第一運算放大器的輸出端連接，源極接地；第三NMOS管的柵極與第五PMOS管的漏極連接，漏極與第一運算放大器的輸出端連接，源極接地；第四NMOS管的柵極與第六PMOS管的漏極連接，漏極與第一運算放大器的輸出端連接，源極接地；第五NMOS管的柵極分別與第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管的源極連接，漏極與第一運算放大器的輸出端連接，源極接地。

其中，功放電路包括：第二輸入電阻、第二反饋電阻以及第二運算放大器，其中，第二輸入電阻一端連接與電容連接，另一端連接在第二運算放大器的同向輸入端上，第二反饋電阻一端連接在第二運算放大器的同相輸入端，另一端連接在第二運算放大器的輸出端。

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的另一個技術(shù)方案是：提供一種電子裝置，其特征在于，包括：如上所述的電路。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型提供的一種音頻噪聲消除電路，通過二極管接法的PMOS管及電阻分壓，為NMOS管提供柵極電壓能夠?qū)⑼ㄟ^NMOS管的漏極與源極導(dǎo)通，并通過源極接地將電荷泄放。并且能夠自適應(yīng)寬范圍隔直電容的大小，使得產(chǎn)生的泄放電流的噪音信號主能量處于20Hz以下，處于人耳不可聽的范圍之外。響應(yīng)快速，使用靈活，且輸出階躍及沖擊聲小。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一種音頻噪聲消除電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實用新型提供的一種音頻噪聲消除電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是圖2所示的泄流模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為了便于理解本實用新型，下面結(jié)合附圖和具體實施方式，對本實用新型進行更詳細(xì)的說明。需要說明的是，當(dāng)元件被表述“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上、或者其間可以存在一個或多個居中的元件。當(dāng)一個元件被表述“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件、或者其間可以存在一個或多個居中的元件。本說明書所使用的術(shù)語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的。

除非另有定義，本說明書所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本實用新型的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本說明書中在本實用新型的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施方式的目的，不是用于限制本實用新型。本說明書所使用的術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)的所列項目的任意的和所有的組合。

實施例一

參閱圖2，本實用新型實施例提供的一種音頻噪聲消除電路：包括：音頻輸入電路1、電容C1以及功放電路3，其中音頻輸入電路1通過電容C1與功放電路3相連接。

功音頻輸入電路1包括：數(shù)模轉(zhuǎn)換電路11、開關(guān)SW0、開關(guān)SW1、泄流模塊12、電阻Rin1、電阻Rfb1、電流源13以及第一運算放大器14。其中，數(shù)模轉(zhuǎn)換電路11通過開關(guān)SW0與電阻Rin1連接，電阻Rin1連接在第一運算放大器14的同向輸入端。電阻Rfb1一端連接在第一運算放大器14的同向輸入端，另一端連接在第一運算放大器14的輸出端。開關(guān)SW1與泄流模塊12連接，開關(guān)SW1的一端連接在數(shù)模轉(zhuǎn)換電路11與電阻Rin1之間，泄流模塊12的一端連接在第一運算放大器14的輸出端。電流源13一端連接在第一運算放大器14的反向輸入端，另一端 接地。

功放電路3包括：電阻Rin2、電阻Rfb2以及第二運算放大器31，其中，電阻Rin2一端連接與電容C1連接，另一端連接在第二運算放大器31的同向輸入端，電阻Rfb2一端連接在第二運算放大器31的同相輸入端，另一端連接在第二運算放大器31的輸出端。

參閱圖3，泄流模塊12包括：支路I1、支路I2、支路I3、支路I4、泄流電路121以及開關(guān)SW2。支路I1、I2、I3、I4一端與輸入端PD_IN連接另一端接地，并且輸入端PD_IN與數(shù)模轉(zhuǎn)換電路11連接。泄流電路121與運算放大器14的輸出端連接。

其中，支路I1包括：PMOS管MP1、PMOS管MP2以及電阻R1。PMOS管MP1的源極與輸入端PD_IN連接，柵極與漏極連接后與PMOS管MP2的源極連接。PMOS管MP2的柵極與漏極連接后與電阻R1連接。電阻R1接地。

支路I2包括：PMOS管MP3、PMOS管MP4以及電阻R2。PMOS管MP3的源極與輸入端PD_IN連接，柵極與漏極連接后與PMOS管MP4的源極連接。PMOS管MP4的柵極與漏極連接后與電阻R2連接。電阻R2接地。

支路I3包括：PMOS管MP5以及電阻R3。PMOS管MP5的源極與輸入端PD_IN連接，柵極與漏極連接后與電阻R3連接。電阻R3接地。

支路I4包括：PMOS管MP6以及電阻R4。PMOS管MP6的源極與輸入端PD_IN連接，柵極與漏極連接后與電阻R4連接。電阻R4接地。

泄流電路121包括：NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4以及NMOS管MN5。

NMOS管MN1的柵極與PMOS管MP2的漏極連接，漏極與運算放大器14的輸出端連接，源極接地。NMOS管MN2的柵極與PMOS管MP4的漏極連接，漏極與運算放大器14的輸出端連接，源極接地。NMOS管MN3的柵極與PMOS管MP5的漏極連接，漏極與運算放大器14的輸出端連接，源極接地。NMOS管MN4的柵極與PMOS管MP6的漏極 連接，漏極與運算放大器14的輸出端連接，源極接地。NMOS管MN5的柵極分別與PMOS管MP1、MP3、MP5、MP6的源極以及輸入端PD_IN連接，漏極與運算放大器14的輸出端連接，源極接地。

開關(guān)SW2一端與運算放大器14的輸出端連接，另一端接地。

上述PMOS管中，PMOS管MP1、MP2、MP4、MP5的導(dǎo)通闕值為3.3v，PMOS管MP3、MP5的導(dǎo)通闕值為1.2v。

泄流模塊12工作時，輸入端連接數(shù)模轉(zhuǎn)換電路11，數(shù)模轉(zhuǎn)換電路11提供的電壓經(jīng)二極管接法的PMOS管及電阻分壓，為NMOS管提供柵極電壓。下述的V(DAC)代表數(shù)模轉(zhuǎn)換電路11提供的電壓，V(PMOS管標(biāo)號)代表對應(yīng)的PMOS管的電壓。

具體地，NMOS管MN1的柵極電壓為：V(DAC)-V(MP1)-V(MP2)。

NMOS管MN2的柵極電壓為：V(DAC)-V(MP3)-V(MP4)。

NMOS管MN3的柵極電壓為：V(DAC)-V(MP4)。

NMOS管MN4的柵極電壓為：V(DAC)-V(MP5)。

NMOS管MN5的柵極電壓為：V(DAC)。

通過上述的電壓控制NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5的柵極，使NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5的漏極與源極導(dǎo)通，作為泄流路徑。

一種音頻噪聲消除電路工作時，默認(rèn)所有的開關(guān)和運算放大器都是關(guān)閉的，開關(guān)SW2閉合能夠保證輸入端PD_IN被下拉到地。使能運算放大器14，閉合開關(guān)SW1，斷開開關(guān)SW2，然后用數(shù)模轉(zhuǎn)換電路11輸出一個電壓。數(shù)模轉(zhuǎn)換電路11提供的電壓經(jīng)二極管接法的PMOS管及電阻分壓，為NMOS管提供柵極電壓，使NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5的漏極與源極導(dǎo)通，作為泄流路徑并將電容C1上電荷泄放完畢，使得運算放大器14的輸出端輸出為0，即地電平。之后再把運算放大器14整到合適的增益，進行信號的放大輸出，完成無沖擊聲上電。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型提供的一種音頻噪聲消除電路，通過二極管接法的PMOS管及電阻分壓，為NMOS管提供柵極電壓能夠?qū)⑼ㄟ^NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5的漏極與源極導(dǎo)通，并 通過源極接地將電荷泄放。并且能夠自適應(yīng)寬范圍隔直電容C1的大小，使得產(chǎn)生的泄放電流的噪音信號主能量處于20Hz以下，處于人耳不可聽的范圍之外。響應(yīng)快速，使用靈活，且輸出階躍及沖擊聲小。

實施例二

本申請實施例三提供一種電子裝置，包含上述實施一中的所述的一種音頻噪聲消除電路。

本實施例的電子設(shè)備以多種形式存在，包括但不限于:

(1)移動通信設(shè)備:這類設(shè)備的特點是具備移動通信功能，并且以提供話音、數(shù)據(jù)通信為主要目標(biāo)。這類終端包括:智能手機(例如iPhone)、多媒體手機、功能性手機，以及低端手機等。

(2)超移動個人計算機設(shè)備:這類設(shè)備屬于個人計算機的范疇，有計算和處理功能，一般也具備移動上網(wǎng)特性。這類終端包括:PDA、MID和UMPC設(shè)備等，例如iPad。

(3)便攜式娛樂設(shè)備:這類設(shè)備可以顯示和播放多媒體內(nèi)容。該類設(shè)備包括:音頻、視頻播放器(例如iPod)，掌上游戲機，電子書，以及智能玩具和便攜式車載導(dǎo)航設(shè)備。

(4)其他播放音頻、聲音或者發(fā)聲的電子裝置。

上述電子設(shè)備工作時，內(nèi)置的實施例一中的一種音頻噪聲消除電路工作時，默認(rèn)所有的開關(guān)和運算放大器都是關(guān)閉的，開關(guān)SW2閉合能夠保證輸入端PD_IN被下拉到地。使能運算放大器14，閉合開關(guān)SW1，斷開開關(guān)SW2，然后用數(shù)模轉(zhuǎn)換電路11輸出一個電壓。數(shù)模轉(zhuǎn)換電路11提供的電壓經(jīng)二極管接法的PMOS管及電阻分壓，為NMOS管提供柵極電壓，使NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5的漏極與源極導(dǎo)通，作為泄流路徑并將電容C1上電荷泄放完畢，使得運算放大器14的輸出端輸出為0，即地電平。之后再把運算放大器14整到合適的增益，進行信號的放大輸出，完成無沖擊聲上電。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型提供的一種電子設(shè)備，通過內(nèi)置實施例一中的一種音頻噪聲消除電路，通過二極管接法的PMOS管及電阻分壓，為NMOS管提供柵極電壓能夠?qū)⑼ㄟ^NMOS管MN1、MN2、MN3、 MN4、MN5的漏極與源極導(dǎo)通，并通過源極接地將電荷泄放。并且能夠自適應(yīng)寬范圍隔直電容C1的大小，使得產(chǎn)生的泄放電流的噪音信號主能量處于20Hz以下，處于人耳不可聽的范圍之外。響應(yīng)快速，使用靈活，且輸出階躍及沖擊聲小。

需要說明的是，本實用新型的說明書及其附圖中給出了本實用新型的較佳的實施方式，但是，本實用新型可以通過許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本說明書所描述的實施方式，這些實施方式不作為對本實用新型內(nèi)容的額外限制，提供這些實施方式的目的是使對本實用新型的公開內(nèi)容的理解更加透徹全面。并且，上述各技術(shù)特征繼續(xù)相互組合，形成未在上面列舉的各種實施方式，均視為本實用新型說明書記載的范圍；進一步地，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進或變換，而所有這些改進和變換都應(yīng)屬于本實用新型所附權(quán)利要求的保護范圍。