本申請涉及電子設(shè)備，尤其是指一種電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、隨著電子設(shè)備的快速發(fā)展，無線充電在電子設(shè)備上的應(yīng)用越來越廣泛。

2、實現(xiàn)無線充電功能需要電子設(shè)備的內(nèi)部設(shè)置無線充電線圈，無線充電線圈通過電子設(shè)備的后蓋進行遮擋保護。無線充電的路徑上出現(xiàn)金屬材質(zhì)時，會影響電磁波的傳輸，導(dǎo)致無法進行無線充電，因此電子設(shè)備的后蓋上與無線充電線圈對應(yīng)的位置處不能采用金屬材質(zhì)。

3、為保證無線充電電磁波的順利傳輸，現(xiàn)有的電子設(shè)備的后蓋通常包括金屬蓋體和非金屬蓋體兩個部分，其中非金屬蓋體通常由玻璃或塑料材質(zhì)制成，并與無線充電線圈相對設(shè)置。但在實際使用中發(fā)現(xiàn)，非金屬蓋體的結(jié)構(gòu)強度較弱，跌落時容易破裂損壞。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┑碾娮釉O(shè)備，能夠在為電子設(shè)備提供無線充電功能的同時，保證其殼體的結(jié)構(gòu)強度，減少殼體跌落破損的情況。

2、本申請?zhí)峁┑碾娮釉O(shè)備，其中，所述電子設(shè)備包括：

3、殼體，包括：

4、第一殼，由金屬制成，所述第一殼上開設(shè)有通孔；

5、第二殼，由金屬氧化物制成，所述第二殼至少部分設(shè)于所述通孔處，所述第一殼與所述第二殼一體成型連接；

6、無線充電線圈，設(shè)于所述第二殼的內(nèi)側(cè)，且沿所述通孔的貫通方向，所述無線充電線圈的投影落入所述通孔的投影中。

7、如上所述的電子設(shè)備，其中，所述電子設(shè)備還包括填充構(gòu)件，設(shè)置于所述第二殼的內(nèi)側(cè)填充于所述通孔中，所述無線充電線圈設(shè)于所述填充構(gòu)件遠離所述第二殼的一側(cè)。

8、如上所述的電子設(shè)備，其中，所述填充構(gòu)件為結(jié)構(gòu)膠，所述結(jié)構(gòu)膠的楊氏模量大于或等于2gpa且小于或等于10gpa。

9、如上所述的電子設(shè)備，其中，沿著由所述殼體的外側(cè)至所述殼體的內(nèi)側(cè)的方向，所述通孔包括相接的第一孔段與第二孔段，所述第一孔段的孔徑小于所述第二孔段的孔徑，所述第一孔段與所述第二孔段之間的連接處具有朝向所述電子設(shè)備內(nèi)側(cè)的臺階面，所述填充構(gòu)件分別與所述臺階面、所述第一孔段的至少部分孔壁及所述第二孔段的至少部分孔壁粘接固定。

10、如上所述的電子設(shè)備，其中，所述第二殼的厚度大于或等于0.1mm且小于或等于0.3mm。

11、如上所述的電子設(shè)備，其中，所述第一殼的表面上設(shè)置由金屬氧化物膜層，所述金屬氧化物膜層與所述第二殼一體成型連接，位于所述第一殼的外表面上的所述金屬氧化物膜層的外表面與所述第二殼的外表面平齊。

12、如上所述的電子設(shè)備，其中，所述金屬氧化物膜層的厚度大于或等于30μm且小于或等于50μm。

13、如上所述的電子設(shè)備，其中，所述電子設(shè)備還包括粘接層，所述無線充電線圈通過所述粘接層與所述填充構(gòu)件粘接固定。

14、如上所述的電子設(shè)備，其中，所述無線充電線圈的表面覆設(shè)有絕緣膜，所述絕緣膜背離所述無線充電線圈的表面上覆設(shè)有導(dǎo)熱層，或所述絕緣膜背離所述無線充電線圈的表面上間布設(shè)有多個導(dǎo)熱片。

15、如上所述的電子設(shè)備，其中，所述無線充電線圈背離所述第二殼的表面平齊或凹陷于所述第一殼的內(nèi)表面。

16、本申請還提供了一種電子設(shè)備的制造方法，其中，能用于加工如上所述的電子設(shè)備，所述電子設(shè)備的制造方法包括：

17、設(shè)置金屬制成的殼體坯件；

18、于所述殼體坯件的一側(cè)加工形成盲孔，所述殼體坯件除所述盲孔的孔底以外的部分形成第一殼，所述殼體坯件位于所述盲孔的孔底的部分形成第二殼；

19、對所述第二殼進行陽極氧化，使所述第二殼為金屬氧化物制成；

20、于所述盲孔的內(nèi)部設(shè)置無線充電線圈。

21、如上所述的電子設(shè)備的制造方法，其中，于所述殼體坯件的一側(cè)加工形成盲孔之前，所述電子設(shè)備的制造方法還包括：

22、對所述殼體坯件的表面進行陽極氧化，在所述殼體坯件的表面形成金屬氧化物膜層，使所述金屬氧化物膜層的厚度大于或等于30μm且小于或等于50μm。

23、如上所述的電子設(shè)備的制造方法，其中，對所述第二殼進行陽極氧化之前，所述電子設(shè)備的制造方法還包括：

24、于所述第一殼的表面貼設(shè)保護膜；

25、對所述第二殼進行陽極氧化之后，所述電子設(shè)備的制造方法還包括：

26、清除所述保護膜；

27、對所述金屬氧化物膜層與所述第二殼之間的連接處進行拋光處理。

28、如上所述的電子設(shè)備的制造方法，其中，于所述盲孔的內(nèi)部設(shè)置無線充電線圈之前，所述電子設(shè)備的制造方法還包括：

29、于所述盲孔的內(nèi)部填充膠水，待所述膠水固化后形成填充構(gòu)件。

30、如上所述的電子設(shè)備的制造方法，其中，于所述盲孔的內(nèi)部設(shè)置無線充電線圈包括：

31、于所述無線充電線圈的表面覆設(shè)絕緣膜；

32、于所述絕緣膜背離所述無線充電線圈的一側(cè)覆設(shè)導(dǎo)熱層；

33、將所述充電線圈通過粘接層與所述填充構(gòu)件粘接固定；使所述無線充電線圈背離所述第二殼的表面平齊或凹陷于所述第一殼開設(shè)有所述盲孔的一側(cè)表面。

34、本申請?zhí)峁┑碾娮釉O(shè)備，通過采用金屬制造殼體的第一殼，并采用金屬氧化物制造殼體的第二殼，由于金屬及金屬氧化物均具有良好的強度，能有效保證殼體整體的結(jié)構(gòu)強度，從而減少電子設(shè)備跌落時殼體破裂損壞的情況。

技術(shù)特征：

1.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備還包括填充構(gòu)件，設(shè)置于所述第二殼的內(nèi)側(cè)填充于所述通孔中，所述無線充電線圈設(shè)于所述填充構(gòu)件遠離所述第二殼的一側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述填充構(gòu)件為結(jié)構(gòu)膠，所述結(jié)構(gòu)膠的楊氏模量大于或等于2gpa且小于或等于10gpa。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子設(shè)備，其特征在于，沿著由所述殼體的外側(cè)至所述殼體的內(nèi)側(cè)的方向，所述通孔包括相接的第一孔段與第二孔段，所述第一孔段的孔徑小于所述第二孔段的孔徑，所述第一孔段與所述第二孔段之間的連接處具有朝向所述電子設(shè)備內(nèi)側(cè)的臺階面，所述填充構(gòu)件分別與所述臺階面、所述第一孔段的至少部分孔壁及所述第二孔段的至少部分孔壁粘接固定。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述第二殼的厚度大于或等于0.1mm且小于或等于0.3mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述第一殼的表面上設(shè)置由金屬氧化物膜層，所述金屬氧化物膜層與所述第二殼一體成型連接，位于所述第一殼的外表面上的所述金屬氧化物膜層的外表面與所述第二殼的外表面平齊。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述金屬氧化物膜層的厚度大于或等于30μm且小于或等于50μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備還包括粘接層，所述無線充電線圈通過所述粘接層與所述填充構(gòu)件粘接固定。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述無線充電線圈的表面覆設(shè)有絕緣膜；

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述無線充電線圈背離所述第二殼的表面平齊或凹陷于所述第一殼的內(nèi)表面。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種電子設(shè)備。電子設(shè)備包括：殼體，包括：第一殼，由金屬制成，所述第一殼上開設(shè)有通孔；第二殼，由金屬氧化物制成，所述第二殼至少部分設(shè)于所述通孔處，所述第一殼與所述第二殼一體成型連接；無線充電線圈，設(shè)于所述第二殼的內(nèi)側(cè)，且沿所述通孔的貫通方向，所述無線充電線圈的投影落入所述通孔的投影中。本申請?zhí)峁┑碾娮釉O(shè)備及其制造方法，能夠在為電子設(shè)備提供無線充電功能的同時，保證其殼體的結(jié)構(gòu)強度，減少殼體跌落破損的情況。

技術(shù)研發(fā)人員：葉劍
受保護的技術(shù)使用者：維沃移動通信有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6