1.一種發(fā)聲裝置，其特征在于，所述發(fā)聲裝置包括：
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述外殼包括框架主體和安裝側(cè)壁，所述安裝側(cè)壁設(shè)于所述框架主體一側(cè)，并與所述框架主體的外壁圍合形成安裝空間，所述安裝側(cè)壁設(shè)有連通所述安裝空間的安裝孔；
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述高音磁路部分包括設(shè)于所述安裝空間的第一磁鐵、第二磁鐵及第三磁鐵，所述第一磁鐵、所述第二磁鐵及所述第三磁鐵沿平行于所述高音輻射面的方向?qū)盈B設(shè)置，所述第一磁鐵鄰近所述導(dǎo)磁軛，所述第三磁鐵與所述框架主體連接；
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述第一磁鐵、所述第二磁鐵及所述第三磁鐵均沿垂直于所述高音輻射面的方向充磁，且所述第二磁鐵的充磁方向與所述第一磁鐵和所述第三磁鐵的充磁方向相反；
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述中心磁部包括層疊設(shè)置的第一中心磁鐵、中心導(dǎo)磁板及第二中心磁鐵，所述共用磁部包括層疊設(shè)置的第一共用磁鐵、共用導(dǎo)磁板及第二共用磁鐵，所述邊磁部包括層疊設(shè)置的邊磁鐵和邊導(dǎo)磁板，所述邊導(dǎo)磁板與所述外殼連接；
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述第一中心磁鐵和所述第二中心磁鐵均沿所述低音振膜的振動(dòng)方向充磁，且所述第一中心磁鐵和所述第二中心磁鐵靠近所述中心導(dǎo)磁板的磁極相同；
7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述導(dǎo)磁軛包括第一磁軛和第二磁軛，所述第一中心磁鐵、所述第一共用磁鐵及所述邊磁鐵與所述第一磁軛連接，所述第二中心磁鐵和所述第二共用磁鐵與所述第二磁軛連接；
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述低音振膜包括內(nèi)環(huán)部、環(huán)繞所述內(nèi)環(huán)部設(shè)置的第一折環(huán)、環(huán)繞所述第一折環(huán)設(shè)置的平直部、環(huán)繞所述平直部設(shè)置的第二折環(huán)以及連接于所述第二折環(huán)外側(cè)的固定部，所述固定部連接于所述外殼，所述內(nèi)環(huán)部形成所述內(nèi)環(huán)孔，且所述內(nèi)環(huán)部與所述第二磁軛的周緣連接。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述內(nèi)環(huán)部、所述第一折環(huán)、所述平直部、所述第二折環(huán)及所述固定部為一體成型結(jié)構(gòu)；
10.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述共用磁部設(shè)有連通所述第一低音磁間隙和所述第二低音磁間隙的避讓缺口；
11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述邊磁部與所述外殼之間形成有避讓空間；
12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述主體部呈矩形環(huán)設(shè)置，所述連接部包括多個(gè)，多個(gè)所述連接部分別對(duì)應(yīng)所述主體部的四角位置設(shè)置，所述共用磁部對(duì)應(yīng)每一所述連接部設(shè)有一所述避讓缺口；
13.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述發(fā)聲裝置沿所述低音振動(dòng)單元的振動(dòng)方向的尺寸小于所述發(fā)聲裝置沿所述高音振動(dòng)單元的振動(dòng)方向的尺寸。
14.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述發(fā)聲裝置安裝于發(fā)聲模組的殼體中，并與所述殼體之間形成相互隔離的低音前腔、高音前腔和后腔，所述殼體上設(shè)有連通所述低音前腔的低音出聲孔以及連通所述高音前腔的高音出聲孔，所述低音振膜的聲波經(jīng)所述低音出聲孔向外界輻射，所述高音輻射面的聲波經(jīng)所述高音出聲孔向外界輻射；
15.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括如權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的發(fā)聲裝置。