本發(fā)明涉及電聲換能，特別涉及一種發(fā)聲裝置以及應用該發(fā)聲裝置的電子設備。

背景技術：

1、近年來，便捷電子設備(例如手機、耳機、電腦)已經(jīng)深入人們的日常生活。隨著科技的高速發(fā)展，人們對電子設備中揚聲器的音質需求和靈敏度也越來越高，且揚聲器的全頻化、微型化成為主流需求。

2、目前，電子設備內的box空間越來越小，發(fā)聲裝置的bl值受空間尺寸限制，致使揚聲器中穿過音圈的磁力線數(shù)量少，從而導致音圈受到的磁場力較小，使得發(fā)聲裝置的靈敏度低，整體聲學性能及音效差。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的主要目的是提供一種發(fā)聲裝置和電子設備，旨在提供一種有效提升bl值的發(fā)聲裝置，該發(fā)聲裝置通過優(yōu)化磁路系統(tǒng)的中心磁部，設計調整磁鐵的位置和磁感方向，使得磁感線有效聚集在磁間隙中，從而增大發(fā)聲裝置的bl值，提升發(fā)聲裝置的靈敏度，進而提升整機音效，且在不損失磁場強度的同時減輕整機重量。

2、為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種發(fā)聲裝置，所述發(fā)聲裝置包括：

3、磁路系統(tǒng)，所述磁路系統(tǒng)包括導磁軛以及設于所述導磁軛的中心磁部和邊磁部，所述邊磁部位于所述中心磁部的外側，并與所述中心磁部間隔以形成磁間隙，所述中心磁部包括依次層疊設置于所述導磁軛的第一磁組、第二磁組、第三磁組及第四磁組，所述第二磁組包括平鋪設于所述第一磁組和所述第三磁組之間的內磁組和外磁組，所述外磁組環(huán)繞所述內磁組設置；和

4、振動系統(tǒng)，所述振動系統(tǒng)包括振膜和連接于所述振膜的音圈，所述音圈的一端懸設于所述磁間隙內；

5、其中，所述第一磁組、所述外磁組及所述第四磁組均沿所述振動系統(tǒng)的振動方向充磁，所述內磁組和所述第三磁組均沿垂直于所述振動系統(tǒng)的振動方向充磁，所述第一磁組靠近所述第二磁組一側的磁極與所述外磁組靠近所述第三磁組一側的磁極相同，所述第一磁組靠近所述第二磁組一側的磁極與所述第四磁組靠近所述第三磁組一側的磁極相同，所述第三磁組靠近所述磁間隙一側的磁極與所述內磁組靠近所述外磁組一側的磁極相同，所述第一磁組靠近所述第二磁組一側的磁極與所述第三磁組靠近所述磁間隙一側的磁極相同，所述中心磁部設有減重空間。

6、在一實施方式中，所述第一磁組的中央設有所述減重空間；

7、且/或，所述第二磁組的中央設有所述減重空間；

8、且/或，所述第三磁組的中央設有所述減重空間；

9、且/或，所述第四磁組的中央設有所述減重空間；

10、且/或，所述減重空間為通孔或凹槽。

11、在一實施方式中，所述第一磁組設有第一減重孔，所述內磁組設有第二減重孔，所述第一減重孔與所述第二減重孔對應連通，并配合形成所述減重空間；

12、所述導磁軛對應所述第一減重孔設有第三減重孔，所述第三減重孔與所述減重空間對應連通。

13、在一實施方式中，所述導磁軛設有位于所述減重空間內的導磁柱；

14、所述導磁柱為一個整體的筒狀結構，且筒狀結構的所述導磁柱環(huán)繞所述第三減重孔設置，并與所述第一磁組和所述內磁組抵接；或，所述導磁柱包括多個，多個所述導磁柱環(huán)繞所述第三減重孔設置，并分別與所述第一磁組和所述內磁組抵接；

15、且/或，所述導磁柱遠離所述導磁軛的一端與所述第三磁組抵接。

16、在一實施方式中，所述第一磁組設有多個所述第一減重孔，所述內磁組設有多個所述第二減重孔，多個所述第一減重孔與多個所述第二減重孔一一對應設置，以形成多個所述減重空間。

17、在一實施方式中，所述第一磁組包括一個第一磁鐵，所述第一磁鐵形成封閉的一體環(huán)狀結構，以在所述第一磁組的中央形成所述第一減重孔；或，所述第一磁組包括多個第一磁鐵，相鄰的所述第一磁鐵首尾相接以形成封閉的環(huán)狀結構，以在所述第一磁組的中央形成所述第一減重孔；或，所述第一磁組包括多個第一磁鐵，相鄰的所述第一磁鐵之間間隔設置以形成具有間隙的環(huán)狀結構，以在所述第一磁組的中央形成所述第一減重孔；

18、且/或，所述內磁組包括一個內磁鐵，所述內磁鐵形成封閉的一體環(huán)狀結構，以在所述內磁組的中央形成所述第二減重孔；或，所述內磁組包括多個內磁鐵，相鄰的所述內磁鐵首尾相接以形成封閉的環(huán)狀結構，以在所述內磁組的中央形成所述第二減重孔；或，所述內磁組包括多個內磁鐵，相鄰的所述內磁鐵之間間隔設置以形成具有間隙的環(huán)狀結構，以在所述內磁組的中央形成所述第二減重孔；

19、且/或，所述外磁組包括一個外磁鐵，所述外磁鐵形成封閉的一體環(huán)狀結構，并環(huán)繞所述內磁組設置；或，所述外磁組包括多個外磁鐵，相鄰的所述外磁鐵首尾相接以形成封閉的環(huán)狀結構，并環(huán)繞所述內磁組設置；或，所述外磁組包括多個外磁鐵，相鄰的所述外磁鐵之間間隔設置以形成具有間隙的環(huán)狀結構，并環(huán)繞所述內磁組設置；

20、且/或，所述第四磁組包括一個整體的板狀結構的第四磁鐵；或，所述第四磁組包括多個第四磁鐵，多個所述第四磁鐵相鄰且平鋪設于所述第三磁組背向所述第二磁組的一側，多個所述第四磁鐵均沿所述振動系統(tǒng)的振動方向充磁，且多個所述第四磁鐵的充磁方向相同。

21、在一實施方式中，所述音圈呈矩形環(huán)狀，所述音圈具有首尾相接的長邊和短邊；

22、所述第三磁組包括兩個第三磁鐵，兩個所述第三磁鐵沿所述長邊的方向相鄰且并行設置，兩個所述第三磁鐵均沿所述長邊的方向充磁，且兩個所述第三磁鐵的充磁方向相反；

23、或，所述第三磁組包括兩個第三磁鐵，兩個所述第三磁鐵沿所述短邊的方向相鄰且并行設置，兩個所述第三磁鐵均沿所述短邊的方向充磁，且兩個所述第三磁鐵的充磁方向相反；

24、或，所述第三磁組包括四個第三磁鐵，兩個所述第三磁鐵沿所述短邊的方向相鄰且并行設置，另外兩個所述第三磁鐵沿所述長邊的方向設于兩個第三磁鐵的兩端，四個所述第三磁鐵均分別沿所述短邊的方向和所述長邊的方向充磁，沿所述短邊方向設置的兩個所述第三磁鐵的充磁方向相反，沿所述長邊方向設置的另外兩個所述第三磁鐵的充磁方向相反；

25、或，所述第三磁組沿兩條對角線分割形成四個第三磁鐵，兩個所述第三磁鐵沿所述短邊的方向并行設置，另外兩個所述第三磁鐵沿所述長邊的方向并行設置，四個所述第三磁鐵均分別沿所述短邊的方向和所述長邊的方向充磁，沿所述短邊方向設置的兩個所述第三磁鐵的充磁方向相反，沿所述長邊方向設置的另外兩個所述第三磁鐵的充磁方向相反。

26、在一實施方式中，所述第一磁組的充磁方向與所述外磁組的充磁方向相同，所述第一磁組的充磁方向與所述第四磁組的充磁方向相反，所述內磁組的充磁方向與所述第三磁組的充磁方向相同。

27、在一實施方式中，所述內磁組的充磁方向沿著所述內磁組的中心向所述內磁組的周緣的方向，所述第三磁組的充磁方向沿著所述第三磁組的中心向所述第三磁組的周緣的方向；

28、或，所述內磁組和所述第三磁組均具有垂直于所述振動系統(tǒng)的振動方向的第一軸線和第二軸線，且所述第一軸線和所述第二軸線相互垂直，所述內磁組的充磁方向和所述第三磁組的充磁方向均沿著所述第一軸線和/或所述第二軸線。

29、在一實施方式中，所述音圈沿垂直于所述振動系統(tǒng)的振動方向上的投影位于所述第三磁組沿垂直于所述振動系統(tǒng)的振動方向上的投影范圍內；

30、且/或，所述第三磁組沿所述振動系統(tǒng)的振動方向上的厚度大于或等于所述第一磁組和所述第二磁組沿所述振動系統(tǒng)的振動方向上的厚度之和；

31、且/或，沿所述振動系統(tǒng)的振動方向上，所述第一磁組和所述第二磁組均位于所述音圈遠離所述振膜一端的下方。

32、在一實施方式中，所述第四磁組沿所述振動系統(tǒng)的振動方向上的投影面積小于所述第三磁組沿所述振動系統(tǒng)的振動方向上的投影面積，所述振膜為環(huán)形，所述振膜的內周緣固定于所述第三磁組背向所述第二磁組一側的周緣，并環(huán)繞所述第四磁組設置；

33、且/或，所述振膜背向所述磁路系統(tǒng)的頂面不高于所述第四磁組背向所述第三磁組的頂面。

34、在一實施方式中，所述第三磁組的邊緣設有避讓結構，所述避讓結構為傾斜斜面、圓角、倒角、臺階結構中的至少一種；

35、所述避讓結構環(huán)繞設于所述第三磁組背向所述第二磁組一側的周緣；或，所述避讓結構包括多個，多個所述避讓結構間隔設置，并環(huán)繞設于所述第三磁組背向所述第二磁組一側的周緣；或，所述避讓結構包括多個，相鄰的所述避讓結構首尾相接以形成封閉的環(huán)狀結構，并環(huán)繞設于所述第三磁組背向所述第二磁組一側的周緣；

36、且/或，所述避讓結構與所述第三磁組背向所述第二磁組一側的表面形成的夾角大于90°，小于180°。

37、在一實施方式中，所述邊磁部包括層疊設置的邊磁鐵和邊導磁板，所述邊磁鐵與所述導磁軛連接；

38、其中，所述第一磁組、所述外磁組、所述第四磁組及所述邊磁鐵均沿所述振動系統(tǒng)的振動方向充磁，所述第一磁組的充磁方向和所述外磁組的充磁方向均與所述邊磁鐵的充磁方向相反，所述第四磁組的充磁方向與所述邊磁鐵的充磁方向相同。

39、在一實施方式中，所述發(fā)聲裝置還包括外殼，所述外殼的一端與所述邊導磁板連接，所述外殼的另一端與所述振膜的外周緣連接；

40、其中，所述邊導磁板與所述外殼為一體成型結構。

41、在一實施方式中，所述振動系統(tǒng)還包括骨架，所述骨架包括主體部和連接于所述主體部周緣的連接部，所述主體部設于所述振膜和所述音圈之間；

42、所述振動系統(tǒng)還包括定心支片，所述定心支片包括外固定部、內固定部以及連接所述外固定部和所述內固定部的彈臂部，所述外固定部與所述外殼和/或所述邊磁部連接，所述內固定部與所述連接部連接。

43、在一實施方式中，所述振膜包括內環(huán)部、環(huán)繞所述內環(huán)部設置的第一折環(huán)、環(huán)繞所述第一折環(huán)設置的平直部、環(huán)繞所述平直部設置的第二折環(huán)以及連接于所述第二折環(huán)外側的固定部，所述固定部連接于所述外殼，所述平直部與所述音圈直接或間接連接，所述內環(huán)部連接于所述第三磁組；

44、其中，所述內環(huán)部形成有內環(huán)孔，所述第四磁組凸設于所述內環(huán)孔。

45、在一實施方式中，所述內環(huán)部、所述第一折環(huán)、所述平直部、所述第二折環(huán)及所述固定部為一體成型結構；

46、且/或，所述第一折環(huán)朝向遠離所述導磁軛的方向凸起，所述第二折環(huán)朝向靠近所述導磁軛的方向凸起；

47、且/或，所述振膜還包括補強部，所述補強部設于所述平直部；

48、且/或，所述固定部遠離所述第二折環(huán)的一端朝向所述外殼彎折延伸形成彎折部，所述彎折部連接于所述外殼的外壁。

49、本發(fā)明還提出一種電子設備，所述電子設備包括上述所述的發(fā)聲裝置。

50、本發(fā)明技術方案的發(fā)聲裝置通過將磁路系統(tǒng)設置為導磁軛以及設于導磁軛的中心磁部和邊磁部，使得邊磁部位于中心磁部的外側，并與中心磁部間隔以形成磁間隙，且將振動系統(tǒng)的音圈的一端懸設于磁間隙內，如此在音圈內通入電流，使得音圈在磁路系統(tǒng)形成的磁場內振動并帶動振膜振動發(fā)聲；同時，通過將中心磁部設置為層疊設置于導磁軛的第一磁組、第二磁組、第三磁組及第四磁組，使得第一磁組、第二磁組的外磁組以及第四磁組均沿振動系統(tǒng)的振動方向充磁，且第二磁組的內磁組和第三磁組均沿垂直于振動系統(tǒng)的振動方向充磁，也即第二磁組的內磁組和第三磁組的充磁方向均與第二磁組的外磁組、第一磁組和第四磁組的充磁方向呈垂直設置，并使得第三磁組靠近磁間隙一側的磁極與內磁組靠近外磁組一側的磁極相同，第一磁組靠近第二磁組一側的磁極與外磁組靠近第三磁組一側的磁極、第四磁組靠近第三磁組一側的磁極、第三磁組靠近磁間隙一側的磁極相同，以使中心磁部形成海爾貝克磁路，如此利用中心磁部形成的海爾貝克磁路，有效提高磁場強度，增加磁間隙的磁通量的密度，使得磁感線有效聚集在磁間隙中，增加穿過音圈的磁力線數(shù)量，從而增大音圈受到的磁場力，有效提升bl值，提高發(fā)聲裝置的靈敏度，如此改善bl曲線的平坦度，使fr頻響曲線明顯提升以及諧波失真thd有效降低，使整機音效和性能得到更好地提升；進一步地，通過在中心磁部設有減重空間，從而使得中心磁部在不損失磁場強度的同時減輕發(fā)聲裝置的重量。