本技術(shù)涉及圖像數(shù)據(jù)存儲，具體涉及一種yuv數(shù)據(jù)存儲方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、對于8比特視頻編碼，許多硬件編碼器原生支持nv12格式圖像輸入。nv12格式中yuv數(shù)據(jù)采用4：2：0采樣，存儲順序是先將所有的y數(shù)據(jù)進行存儲在一個內(nèi)部存儲ram（y-ram）中，再將uv數(shù)據(jù)交替混合存儲在另一個內(nèi)部存儲ram（uv-ram）中，對于每一個y/u/v數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元均是8比特，各占一個字節(jié)。而由于總線數(shù)據(jù)寬度為128比特，為保障總線性能，所采集的y/uv數(shù)據(jù)需要能夠直接寫入到內(nèi)部存儲ram中，因此內(nèi)部存儲ram的單元存儲空間的數(shù)據(jù)寬度被設(shè)計為128比特，對應(yīng)16字節(jié)。

2、但隨著技術(shù)進步，具有更高色深的10比特視頻開始普及，在將yuv數(shù)據(jù)存儲為p010格式時，所接收到的y/u/v數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元均為10比特大小，且對于剛接收到的y/uv數(shù)據(jù)而言，其在過渡存儲空間的存儲格式為每個數(shù)據(jù)單元占用兩個字節(jié)，導(dǎo)致第二字節(jié)存在6比特資源浪費，此時，若為了使上述支持nv12格式存儲的設(shè)備能夠支持p010格式的存儲，而將上述情況下的y/uv數(shù)據(jù)直接存儲在ram單元存儲空間中，也將導(dǎo)致ram中的每兩個字節(jié)來僅被利用10比特空間，存在6比特的浪費空間，下一數(shù)據(jù)單元將重新存儲在下兩個字節(jié)中，而當高比特位的字節(jié)數(shù)量不足時，將進一步占用低比特位空間，最終，形成如圖1的存儲方式，可以看出，在p010格式下y/uv數(shù)據(jù)將同時占用部分高比特位存儲空間和低比特位存儲空間，最終將導(dǎo)致128比特的內(nèi)部存儲ram的每個單元存儲空間出現(xiàn)較大的空間浪費。

3、因此，對于能夠支持兩種工作模式的設(shè)備而言，當其存儲模式由nv12切換為p010時，如何降低存儲ram中存在的浪費空間，是目前有待改進的方向。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本技術(shù)提供一種yuv數(shù)據(jù)存儲方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)，可以解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的相關(guān)技術(shù)問題。

2、第一方面，本技術(shù)實施例提供一種yuv數(shù)據(jù)存儲方法，采用如下技術(shù)方案：

3、一種yuv數(shù)據(jù)存儲方法，所述方法包括：

4、獲取待存儲的yuv數(shù)據(jù)；其中，所述yuv數(shù)據(jù)為分批接收的y數(shù)據(jù)和uv數(shù)據(jù)中的一種；

5、判斷所述yuv數(shù)據(jù)的存儲格式為nv12格式或p010格式；

6、若為p010格式，調(diào)整所述y數(shù)據(jù)/所述uv數(shù)據(jù)中的數(shù)據(jù)單元在過渡存儲空間中的排布方式為連續(xù)排布；

7、將調(diào)整后的所述y數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元寫入第一ram或第二ram中單元存儲空間中連續(xù)的高比特位內(nèi)，或者，將調(diào)整后的所述uv數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元寫入第一ram和第二ram中單元存儲空間中連續(xù)的低比特位。

8、結(jié)合第一方面，在一種實施方式中，所述將調(diào)整后的所述y數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元寫入第一ram或第二ram中單元存儲空間中連續(xù)的高比特位內(nèi)，或者，將調(diào)整后的所述uv數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元寫入第一ram和第二ram中單元存儲空間中連續(xù)的低比特位，包括以下步驟：

9、根據(jù)所述y數(shù)據(jù)/所述uv數(shù)據(jù)的圖像塊編號和圖像塊內(nèi)部地址，確定所述y數(shù)據(jù)/所述uv數(shù)據(jù)對應(yīng)的全局地址；

10、根據(jù)所述y數(shù)據(jù)/所述uv數(shù)據(jù)的全局地址和所述第一ram、所述第二ram各自的地址范圍，將所述y數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元寫入對應(yīng)的第一ram或第二ram單元存儲空間中連續(xù)的高比特位，或者將所述uv數(shù)據(jù)寫入對應(yīng)的第一ram或第二ram單元存儲空間中連續(xù)的低比特位。

11、結(jié)合第一方面，在一種實施方式中，所述根據(jù)所述y數(shù)據(jù)/所述uv數(shù)據(jù)的全局地址和所述第一ram、所述第二ram各自的地址范圍，將所述y數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元寫入對應(yīng)的第一ram或第二ram單元存儲空間中連續(xù)的高比特位，或者將所述uv數(shù)據(jù)寫入對應(yīng)的第一ram或第二ram單元存儲空間中連續(xù)的低比特位，包括以下步驟：

12、若所述y數(shù)據(jù)的全局地址大于所述第一ram的地址范圍，根據(jù)所述y數(shù)據(jù)的全局地址在所述第二ram中確定對應(yīng)的單元存儲空間的高比特位并寫入；

13、若所述uv數(shù)據(jù)的全局地址大于所述第一ram的地址范圍，根據(jù)所述uv數(shù)據(jù)的全局地址在所述第二ram中確定對應(yīng)的單元存儲空間的低比特位并寫入。

14、結(jié)合第一方面，在一種實施方式中，所述y數(shù)據(jù)和所述uv數(shù)據(jù)均包括8個數(shù)據(jù)單元，每個所述數(shù)據(jù)單元共10比特占用兩字節(jié)存儲空間，且兩個所述y數(shù)據(jù)分別與所述uv數(shù)據(jù)中一半的數(shù)據(jù)單元相對應(yīng)；所述第一ram和所述第二ram的單元存儲空間包括10個字節(jié)的高比特位和6個字節(jié)的低比特位。

15、結(jié)合第一方面，在一種實施方式中，所述將調(diào)整后的所述y數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元寫入第一ram或第二ram中單元存儲空間中連續(xù)的高比特位內(nèi)，或者，將調(diào)整后的所述uv數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元寫入第一ram和第二ram中單元存儲空間中連續(xù)的低比特位之前，包括以下步驟：

16、根據(jù)排布方式調(diào)整前各數(shù)據(jù)單元的有效性標志，確定調(diào)整后各數(shù)據(jù)單元的有效性標志；

17、所述將調(diào)整后的所述y數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元寫入第一ram或第二ram中單元存儲空間中連續(xù)的高比特位內(nèi)，或者，將調(diào)整后的所述uv數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元寫入第一ram和第二ram中單元存儲空間中連續(xù)的低比特位中，

18、根據(jù)所述有效性標志判斷所述y數(shù)據(jù)/所述uv數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元是否有效，并將有效的所述y數(shù)據(jù)/所述uv數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元根據(jù)所述全局地址，寫入對應(yīng)的所述第一ram或所述第二ram單元存儲空間的高比特位/低比特位。

19、結(jié)合第一方面，在一種實施方式中，所述將調(diào)整后的所述uv數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元寫入第一ram和第二ram中單元存儲空間中連續(xù)的低比特位中，

20、將所述uv數(shù)據(jù)中分別對應(yīng)兩個所述y數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元分拍寫入所述第一ram或所述第二ram單元存儲空間的低比特位。

21、結(jié)合第一方面，在一種實施方式中，所述第一ram和所述第二ram的單元存儲空間中高比特位的所述y數(shù)據(jù)和低比特位的所述uv數(shù)據(jù)相互對應(yīng)。

22、第二方面，本技術(shù)實施例提供了一種yuv數(shù)據(jù)存儲裝置，采用如下技術(shù)方案：

23、一種yuv數(shù)據(jù)存儲裝置，所述裝置包括：

24、獲取模塊，其被配置為獲取待存儲的yuv數(shù)據(jù)；其中，所述yuv數(shù)據(jù)為分批接收的y數(shù)據(jù)和uv數(shù)據(jù)中的一種；

25、判斷模塊，其被配置為判斷所述yuv數(shù)據(jù)的存儲格式為nv12格式或p010格式；

26、處理模塊，其被配置為若為p010格式，調(diào)整所述y數(shù)據(jù)/所述uv數(shù)據(jù)中的數(shù)據(jù)單元在過渡存儲空間中的排布方式為連續(xù)排布；將調(diào)整后的所述y數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元寫入第一ram或第二ram中單元存儲空間中連續(xù)的高比特位內(nèi)，或者，將調(diào)整后的所述uv數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元寫入第一ram和第二ram中單元存儲空間中連續(xù)的低比特位。

27、第三方面，本技術(shù)實施例提供了一種yuv數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，采用如下技術(shù)方案：

28、一種yuv數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，所述yuv數(shù)據(jù)存儲設(shè)備包括處理器、存儲器、以及存儲在所述存儲器上并可被所述處理器執(zhí)行的yuv數(shù)據(jù)存儲程序，其中所述yuv數(shù)據(jù)存儲程序被所述處理器執(zhí)行時，實現(xiàn)如上所述的yuv數(shù)據(jù)存儲方法的步驟。

29、第四方面，本技術(shù)實施例提供了一種存儲介質(zhì)，采用如下技術(shù)方案：

30、一種存儲介質(zhì)，所述存儲介質(zhì)上存儲有yuv數(shù)據(jù)存儲程序，其中所述yuv數(shù)據(jù)存儲程序被處理器執(zhí)行時，實現(xiàn)如上所述的yuv數(shù)據(jù)存儲方法的步驟。

31、本技術(shù)實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果包括：

32、通過對yuv數(shù)據(jù)進行存儲前判斷其存儲格式，實現(xiàn)在存儲格式為p010時，能夠調(diào)整存儲策略，將yuv數(shù)據(jù)中y數(shù)據(jù)/uv數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)單元在寫入在第一ram或第二ram中單元存儲空間之前，通過調(diào)整y數(shù)據(jù)或者uv數(shù)據(jù)中數(shù)據(jù)單元的排布方式為連續(xù)排布，使其能夠在后續(xù)中順利連續(xù)的被寫入第一ram或第二ram單元存儲空間的高比特位/低比特位，相對現(xiàn)有技術(shù)中存儲p010格式數(shù)據(jù)的方式而言，有效降低了資源浪費，實現(xiàn)了大大提高第一ram或第二ram的存儲能力，最終使得相關(guān)設(shè)備不僅能夠在nv12存儲格式下具備充分的存儲性能，也能在p010格式下進行存儲時也具備將對較好的存儲性能，此外，由于y數(shù)據(jù)和uv數(shù)據(jù)分別存儲在同一單元存儲空間的高bit位和低bit位，使得該存儲方式下一個單元存儲空間有能力存儲一個完整的yuv數(shù)據(jù)，便于尋址進行讀寫。