1.一種mems陣列傳感器的非均勻性校正方法，所述mems陣列傳感器包括多個呈陣列排布傳感器陣元，其特征在于，所述校正方法包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的一種mems陣列傳感器的非均勻性校正方法，其特征在于：所述基于校正輸出數(shù)據(jù)獲取mems陣列傳感器中的第一壞點陣元數(shù)量，包括：
3.根據(jù)權利要求2所述的一種mems陣列傳感器的非均勻性校正方法，其特征在于，所述基于第一壞點陣元數(shù)量、壞點陣元分布情況選擇通過均值近似法或修正模型獲取修正后校正輸出數(shù)據(jù)，包括：
4.根據(jù)權利要求3所述的一種mems陣列傳感器的非均勻性校正方法，其特征在于，所述當?shù)诙狞c陣元數(shù)量小于第一預設值時，輸出修正后校正輸出數(shù)據(jù)，并返回所述獲取mems陣列傳感器在工作環(huán)境中采集得到的陣列數(shù)據(jù)，并基于當前校正數(shù)據(jù)校正陣列數(shù)據(jù)，以得到包括每一傳感器陣元各自對應的校正陣元值的校正輸出數(shù)據(jù)的步驟，包括；
5.根據(jù)權利要求3所述的一種mems陣列傳感器的非均勻性校正方法，其特征在于，所述基于壞點陣元分布情況獲取每一壞點陣元周圍各自對應的均值目標陣元，并基于每一壞點陣元周圍各自對應的均值目標陣元的校正陣元值的均值獲取每一壞點陣元各自對應的近似校正陣元值，包括：
6.根據(jù)權利要求5所述的一種mems陣列傳感器的非均勻性校正方法，其特征在于，所述在第一選取圓外選取每一其他壞點陣元各自對應的至少一個補充陣元，包括：
7.根據(jù)權利要求3所述的一種mems陣列傳感器的非均勻性校正方法，其特征在于，所述獲取mems陣列傳感器在測試環(huán)境中采集得到的測試陣列數(shù)據(jù)，包括：
8.根據(jù)權利要求7所述的一種mems陣列傳感器的非均勻性校正方法，其特征在于，所述修正模型的構建，包括：
9.根據(jù)權利要求3所述的一種mems陣列傳感器的非均勻性校正方法，其特征在于，所述當?shù)诙狞c陣元數(shù)量大于或等于第一預設值時，還包括：
10.一種mems陣列傳感器的非均勻性校正系統(tǒng)，所述mems陣列傳感器包括多個呈陣列排布傳感器陣元，其特征在于，所述校正系統(tǒng)包括獲取模塊、校正模塊、第一檢測模塊、第一修正模塊、第二檢測模塊和第二修正模塊：