專利名稱：圖象讀取方法及其設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種圖象讀取方法及其設(shè)備，更具體地涉及用于讀取一臺(tái)傳真設(shè)備、圖象掃描器、數(shù)字復(fù)印機(jī)、電子黑板等中的時(shí)間序列中的一份文件的圖象的一種方法及其設(shè)備。
近年來(lái)，為了代替有必要減少其光學(xué)器件的電荷耦合器件(CCD)型圖象閱讀器，已經(jīng)在諸如傳真設(shè)備等文件閱讀器中廣泛地應(yīng)用了通常稱作接觸型圖象傳感器的圖象讀取設(shè)備。由于這種圖象讀取設(shè)備是形成為由一種薄膜半導(dǎo)體構(gòu)成的多個(gè)一維的光電能量轉(zhuǎn)換元件的，諸如在一塊玻璃基板上的非晶硅，一份文件的圖象得以均勻地讀取。在光電能量轉(zhuǎn)換元件中使用了一種標(biāo)準(zhǔn)的光電二極管，但鑒于在光電二極管中所生成的極弱的光電流，廣泛地采用一種電荷存儲(chǔ)方法，在該方法中，這一光電流是從暫時(shí)累積在光電二極管的結(jié)電容中的電荷中檢測(cè)的。再者，作為光電能量轉(zhuǎn)換元件的數(shù)目極度增大的后果，通常采用一種可具有較小數(shù)目開關(guān)元件的矩陣驅(qū)動(dòng)器。
例如，如

圖1中所示，一種現(xiàn)有技術(shù)的圖象讀取設(shè)備是由組合一個(gè)m乘n個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件的一維陣列而構(gòu)成的，各光電能量轉(zhuǎn)換元件包含一個(gè)光電二極管1及一個(gè)與該光電二極管1極性相反串聯(lián)的阻塞二極管2。這些由光電二極管1及阻塞二極管2構(gòu)成的對(duì)是分成每m個(gè)二極管對(duì)一塊的n塊B1、B2、…、Bn的。B1、B2、…、Bn中的阻塞二極管2的陽(yáng)極端是經(jīng)由一個(gè)對(duì)應(yīng)的緩沖門3共同連接到一個(gè)移位寄存器4的對(duì)應(yīng)輸出端上的。在各塊B1、B2、…、Bn、…、Bn中同一相對(duì)位置上的光電二極管1的陽(yáng)極是經(jīng)由一個(gè)對(duì)應(yīng)的電流放大電路IV、IV2、…、IVm共同連接到一個(gè)對(duì)應(yīng)的積分電路IN1、IN2、…、INm上的。再者，積分電路IN1、IN2、…、INm是連接到樣本保持電路SH1、SH2、…SHm、一個(gè)多路轉(zhuǎn)換電路MPX及一放大電路5上的，使得電流放大電路IV1、IV2、…、IVm、積分電路IN1、IN2、…INm、樣本保持電路SH1、SH2、…SHm、多路轉(zhuǎn)換電路MPX及放大電路5構(gòu)成用于時(shí)間積分從光電二極管1流出的電流I1、I2、…、Im的一個(gè)信號(hào)處理電路。
根據(jù)這一圖象讀取設(shè)備，如在圖2的時(shí)間圖中所示，輸入到一個(gè)移位寄存器4中的一個(gè)數(shù)據(jù)輸入脈沖Din按照一個(gè)時(shí)鐘脈沖CLK順序地在移位寄存器4中移位，并且從各輸出端順序地輸出。從而，從一個(gè)塊到下一個(gè)塊地將一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓作用在塊單元B1、B2、…、Bn中的光電二極管1上。在驅(qū)動(dòng)電壓作用的光電二極管1中，電流I1、I2、…、Im與存儲(chǔ)在結(jié)電容中的光信號(hào)成正比地流動(dòng)，并且這一電流被對(duì)應(yīng)的電流放大電路IV1、IV2、…、IVm所放大。再者，通過(guò)使用由積分電路IN1、IN2、…、INm、樣本保持電路SH1、SH2、…、SHm、多路轉(zhuǎn)換電路MPX及放大電路5構(gòu)成的信號(hào)處理電路，從光電二極管1流出的電流I1、I2、…、Im是經(jīng)過(guò)信號(hào)處理以給出一個(gè)輸出電壓Vout的。從而，各光電二極管1的電信號(hào)，通過(guò)使用移位寄存器4等，從一個(gè)塊到下一個(gè)塊地在塊單元B1、B2、…、Bn中被掃描，并且同時(shí)讀出一個(gè)塊中的通道部分。
如上面所說(shuō)明的，如圖2的時(shí)間圖中所示的移位寄存器輸出起到采用電荷存儲(chǔ)法的矩陣驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電壓Vd的作用。例如作為其結(jié)果，由于在A4尺寸的一個(gè)8元件/mm的圖象讀取設(shè)備中，一共有1728個(gè)元件，因而構(gòu)成了或者32個(gè)通道乘54塊，或者16個(gè)通道乘108塊，或者8個(gè)通道乘216塊，其中常用的構(gòu)造為16個(gè)通道乘108塊。然而，問(wèn)題在于，在這些構(gòu)造的每一個(gè)中都必須有大量的移位寄存器。此外，由于在構(gòu)成一個(gè)IC的情況中，模擬電路部件是昂貴的，因此在制造這種構(gòu)造時(shí)，有必要使用許多價(jià)格低廉的數(shù)字電路。
在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明時(shí)考慮了已有技術(shù)中這種固有的問(wèn)題，因而本發(fā)明的一個(gè)目的為提供一種極大地減少了驅(qū)動(dòng)門的數(shù)量的高效、低成本的圖象讀取方法及其設(shè)備。
在實(shí)現(xiàn)上述的及其它相關(guān)目的中，本發(fā)明提供了一種圖象讀取方法，在該方法中，一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在配置在一個(gè)一維陣列中的多個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件上，并讀取所述光電能量轉(zhuǎn)換元件的電信號(hào)，其中，驅(qū)動(dòng)電壓作用在所述光電能量轉(zhuǎn)換元件上的驅(qū)動(dòng)側(cè)是分成每X個(gè)元件一塊的Y個(gè)塊的，一個(gè)第一驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在所述諸塊中X個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件的單元上，一個(gè)第二驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在各塊中同一相對(duì)位置上的光電能量轉(zhuǎn)換元件的單元上，并且在同時(shí)作用所述第一驅(qū)動(dòng)電壓及所述第二驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，適當(dāng)?shù)墓怆娔芰哭D(zhuǎn)換元件能被驅(qū)動(dòng)。
此外，本發(fā)明提供一種圖象讀取方法，在該方法中，在一個(gè)一維陣列中的多個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件是分成每m個(gè)元件一塊的n個(gè)第一塊的，一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在所述第一塊中的m個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件的單元上，并讀取所述光電能量轉(zhuǎn)換元件的電信號(hào)，其中，驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在上述分成n個(gè)第一塊上的驅(qū)動(dòng)側(cè)是進(jìn)一步分成每X個(gè)第一塊一塊的Y個(gè)第二塊的，一個(gè)第一驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在所述第一塊中的X個(gè)第一塊的單元上，一個(gè)第二驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在各第二塊中同一相對(duì)位置上的諸第一塊的單元上，并當(dāng)?shù)谝或?qū)動(dòng)電壓與第二驅(qū)動(dòng)電壓同時(shí)作用在諸第一塊上時(shí)，這些第一塊中的m個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件的適當(dāng)單元受到驅(qū)動(dòng)。
本發(fā)明還提供一種圖象讀取設(shè)備，在該設(shè)備中，一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在配置在一個(gè)一維陣列中的多個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件上，并讀取所述光電能量轉(zhuǎn)換元件的電信號(hào)，其中，驅(qū)動(dòng)電壓作用在上述光電能量轉(zhuǎn)換元件的驅(qū)動(dòng)側(cè)是分成每X個(gè)元件一塊的Y個(gè)塊的，并設(shè)置有(a)一個(gè)第一電壓作用裝置，用于順序地作用一個(gè)第一驅(qū)動(dòng)電壓在所述塊中的X個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件的單元上，(b)一個(gè)第二電壓作用裝置，用于順序地作用一個(gè)第二驅(qū)動(dòng)電壓在各塊中同一相對(duì)位置上的光電能量轉(zhuǎn)換元件的單元上，(c)一個(gè)矩陣驅(qū)動(dòng)器，用于在同時(shí)作用第一驅(qū)動(dòng)電壓與第二驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，作用驅(qū)動(dòng)電壓以驅(qū)動(dòng)適當(dāng)?shù)墓怆娔芰哭D(zhuǎn)換元件。
此外，本發(fā)明提供一種圖象讀取設(shè)備，在該設(shè)備中，配置在一個(gè)一維陣列中的多個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件是分成每m個(gè)元件一塊的n個(gè)第一塊的，一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在所述第一塊中的m個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件的單元上，并讀出所述光電能量轉(zhuǎn)換元件的電信號(hào)，其中，驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在上述分成n個(gè)第一塊的驅(qū)動(dòng)側(cè)進(jìn)一步分成每X個(gè)第一塊一塊的Y個(gè)第二塊，并設(shè)置有下述裝置;
(a)一個(gè)第一電壓作用裝置，用于順序地作用一個(gè)第一驅(qū)動(dòng)脈沖在所述第二塊中的X個(gè)第一塊的單元上，(b)一個(gè)第二電壓作用裝置，用于順序地作用一個(gè)第二驅(qū)動(dòng)電壓在各第二塊中同一相對(duì)位置上的第一塊的單元上，及(c)一個(gè)矩陣驅(qū)動(dòng)器，用于在第一驅(qū)動(dòng)電壓及第二驅(qū)動(dòng)電壓同時(shí)作用在第一塊上時(shí)，作用驅(qū)動(dòng)電壓以驅(qū)動(dòng)第一塊中的m個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件的適當(dāng)單元。
本發(fā)明的圖象讀取設(shè)備的矩陣驅(qū)動(dòng)器可以用一個(gè)包含多個(gè)電阻器的加法電路構(gòu)成，或者可以用一個(gè)“與”電路構(gòu)成。
包含多個(gè)電阻器的加法電路可從構(gòu)成圖象讀取設(shè)備的光電能量轉(zhuǎn)換元件的構(gòu)成層中形成。
在本發(fā)明的圖象讀取方法及其設(shè)備中，因?yàn)闃?gòu)造是制成使驅(qū)動(dòng)電壓作用在光電能量轉(zhuǎn)換元件上的驅(qū)動(dòng)側(cè)分成每X個(gè)元件或元件單元一塊的Y個(gè)塊的，并使第一驅(qū)動(dòng)電壓與第二驅(qū)動(dòng)電壓通過(guò)使用X乘Y矩陣順序地移位，以順序地驅(qū)動(dòng)光電能量轉(zhuǎn)換元件或者分成塊的設(shè)定數(shù)目的光電能量轉(zhuǎn)換元件的單元的，這便有可能構(gòu)成極小數(shù)量的驅(qū)動(dòng)側(cè)門，從而提供一種成本低的圖象讀取設(shè)備。
此外，由于可以減少模擬部件的構(gòu)造，便有可能構(gòu)成一種具有強(qiáng)抗噪聲能力的設(shè)備，并且由于驅(qū)動(dòng)電壓具有高噪聲極限，而使圖象讀取設(shè)備的設(shè)計(jì)變得簡(jiǎn)單。
此外，雖然驅(qū)動(dòng)側(cè)移位寄存器的性能對(duì)圖象讀取設(shè)備的讀取速度具有重大的影響，但通過(guò)構(gòu)成一個(gè)矩陣，不論移位寄存器的性能如何，讀取速度都能增進(jìn)。
此外，由于可以使用構(gòu)成光電能量轉(zhuǎn)換元件(即下部電極、半導(dǎo)體層、上部透明電極及耦合電極)的構(gòu)造層中任何一層來(lái)制造構(gòu)成加法電路的電阻器，可以廉價(jià)地提供本發(fā)明的圖象讀取設(shè)備，并且不增加生產(chǎn)步驟。
本發(fā)明的上述及其它方面及優(yōu)點(diǎn)可參照以下的描述、所附的權(quán)利要求書及附圖得到更好的理解，附圖中圖1為展示一種已有技術(shù)的圖象讀取設(shè)備的一個(gè)實(shí)例的電路圖。
圖2為用于說(shuō)明圖1中所示的已有技術(shù)的實(shí)例的操作的時(shí)間圖。
圖3為展示本發(fā)明的圖象讀取方法及其設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。
圖4(a)為展示圖3中所示的圖象讀取方法及設(shè)備的基本構(gòu)造的說(shuō)明圖。
圖4(b)為說(shuō)明圖3中所示的圖象讀取方法及設(shè)備的基本操作的圖。
圖5(a)為用于確定構(gòu)成本發(fā)明的圖象讀取設(shè)備的加法電路電阻器的最適當(dāng)?shù)碾娮柚档囊徊糠终f(shuō)明圖，它是一個(gè)簡(jiǎn)化的圖象讀取設(shè)備的電路圖。
圖5(b)為用于確定構(gòu)成本發(fā)明的圖象讀取設(shè)備的加法電路電阻器的最適當(dāng)?shù)碾娮柚档囊徊糠终f(shuō)明圖，它是例示在驅(qū)動(dòng)模式中的加法電路的圖。
圖5(c)為用于確定構(gòu)成本發(fā)明的圖象讀取設(shè)備的加法電路電阻器的最適當(dāng)?shù)碾娮柚档囊徊糠终f(shuō)明圖，它是例示在非驅(qū)動(dòng)模式中的加法電路的圖。
圖5(d)為用于確定構(gòu)成本發(fā)明的圖象讀取設(shè)備的加法電路電阻器的最適當(dāng)?shù)碾娮柚档囊徊糠终f(shuō)明圖，它是例示在另一種非驅(qū)動(dòng)模式中的加法電路的圖。
圖6(a)為簡(jiǎn)化圖3中所示的實(shí)施例的一種圖象讀取設(shè)備的電路圖。
圖6(b)為說(shuō)明圖6(a)中的圖象讀取設(shè)備的操作的時(shí)間圖。
圖7為展示本發(fā)明的圖象讀取設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例的電路構(gòu)造的主要部件的圖。
圖8(a)為圖7中所示的圖象讀取設(shè)備沿A-A的剖面的剖視說(shuō)明圖。
圖8(b)為圖7中所示的圖象讀取設(shè)備沿B-B的剖面的剖視說(shuō)明圖。
圖9為展示本發(fā)明的圖象讀取設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例的電路構(gòu)造的主要部件的圖。
圖10為圖9中所示的圖象讀取設(shè)備沿A-A的剖面的剖視說(shuō)明圖。
圖11為展示本發(fā)明的圖象讀取設(shè)備的又一個(gè)實(shí)施例的電路構(gòu)造的主要部件的圖。
圖12(a)為圖11中所示的圖象讀取設(shè)備沿A-A的剖面的剖視說(shuō)明圖。
圖12(b)為圖11中所示的圖象讀取設(shè)備沿B-B的剖面的剖視圖。
圖13為展示本發(fā)明的圖象讀取設(shè)備的再一個(gè)實(shí)施例的電路構(gòu)造的主要部件的圖。
圖14為展示本發(fā)明的圖象讀取設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例的電路構(gòu)造的主要部件的圖。
圖15為圖14中的圖象讀取設(shè)備沿A-A的剖面的剖視說(shuō)明圖。
圖16為展示本發(fā)明的圖象讀取方法及其設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例的電路圖。
圖17為說(shuō)明圖16中所示的圖象讀取方法及其設(shè)備的基本構(gòu)造及基本操作的圖。
圖18(a)為簡(jiǎn)化圖16中所示的實(shí)施例的一種圖象讀取方法及其設(shè)備的電路圖。
圖18(b)為說(shuō)明圖象讀取方法及其設(shè)備的操作的時(shí)間圖，其電路圖示在圖18(a)中。
圖19(a)為展示本發(fā)明的圖象讀取方法及其設(shè)備的另一個(gè)實(shí)施例的電路圖。
圖19(b)為說(shuō)明圖19(a)中所示的圖象讀取方法及其設(shè)備的操作的時(shí)間圖。
如圖3中所示，本發(fā)明的一種圖象讀取設(shè)備180為一個(gè)m乘n個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件的一維陣列，各光電能量轉(zhuǎn)換元件包括一個(gè)光電二極管10及一個(gè)與之反極性串聯(lián)的阻塞二極管12，在該圖象讀取設(shè)備中，光電二極管10與阻塞二極管12的對(duì)是分成n個(gè)第一塊B1、B2、…Bn的，每一塊包含m個(gè)二極管對(duì)。這些光電二極管10與阻塞二極管12是同時(shí)地、邊靠邊地以一種針型結(jié)構(gòu)之類作為諸如非晶硅a-Si等的薄膜半導(dǎo)體的疊層制成的，它們可以用相同的結(jié)構(gòu)構(gòu)成，或者它們也可以用不同的結(jié)構(gòu)構(gòu)成。
在各第一塊B1、B2、…、Bn中的同一相對(duì)位置上的光電二極管10的陽(yáng)極端在一條公用的矩陣線路14上連接在一起。這里，標(biāo)準(zhǔn)的電流放大電路、積分電路、樣本保持電路、多路轉(zhuǎn)換電路等是連接在矩陣線路14的輸出端上的，因此，從各光電二極管10流出的電流I1、I2、…、Im是在時(shí)間積分的系列中輸出的。
各第一塊B1、B2、…、Bn中的阻塞二極管12的陽(yáng)極端用公用線路16連在一起，分成n個(gè)塊的第一塊B1、B2、…、Bn進(jìn)一步分成每X個(gè)第一塊一塊的Y個(gè)第二塊C1、C2、…Cy。然后，為了使第一驅(qū)動(dòng)電壓能順序地作用在各第二塊C1、C2、…、Cy中的各X個(gè)第一塊B1、B2、…、Bx的單元上，第一塊B1、B2、…、Bx的公共線路16經(jīng)由電阻器Rd連接到對(duì)應(yīng)的公用輸入端D1、D2、…、Dy上。再者，在各第二塊C1、C2、…、Cy中同一相對(duì)位置上的第一塊B1、B2、…、Bx是經(jīng)由電阻器Re連接到對(duì)應(yīng)的公共輸入端E1、E2、…、Ex上的，因此，第二驅(qū)動(dòng)電壓能夠既獨(dú)立地又順序地作用在各第二塊C1、C2、…、Cy中的第一塊B1、B2、…、Bx上。
這里如圖4(a)中所示，在任何第一塊B1、B2、…、Bn中，任何一對(duì)光電二極管10與阻塞二極管12是相對(duì)的，并且連在電阻器Rd與Re上以構(gòu)成一個(gè)加法電路。從而如圖4中所示，當(dāng)分別將一個(gè)第一驅(qū)動(dòng)電壓D＝5V及一個(gè)第二驅(qū)動(dòng)電壓E＝5V從輸入端D(y)及E(x)輸入時(shí)，B點(diǎn)上的電位為5V，這給出讀出狀態(tài)。接著，當(dāng)?shù)谝或?qū)動(dòng)電壓D＝OV及第二驅(qū)動(dòng)電壓E＝OV時(shí)，在B點(diǎn)上的電位Vd為OV，再者，當(dāng)D＝OV及及E＝5V或者當(dāng)D＝5V及E＝OV被輸入時(shí)，B點(diǎn)上的電位Vd為2.5V，上述任何一種條件給出存儲(chǔ)狀態(tài)，在這一狀態(tài)中沒(méi)有讀出。
現(xiàn)在，當(dāng)B點(diǎn)的電位Vd為2.5伏時(shí)，如果光電二極管10與阻塞二極管12之間的電位VpD并不下降到2.5V或更低，沒(méi)有任何問(wèn)題發(fā)生。再者，在進(jìn)入光電二極管10的光是非常強(qiáng)的情況中，即使電位VpD為2.5V也會(huì)出現(xiàn)不希望的讀出。然而，即使在這種情況中，如果存儲(chǔ)時(shí)間是短的，即如果速度是高的，便能避免不希望的讀出性能。
這些輸入端D1、D2、…、Dy及輸入端E1、E2、…、Ex是經(jīng)由緩沖門(未示出在圖中)連接到一個(gè)移位寄存器的對(duì)應(yīng)輸出端上的，并且是用這些分別構(gòu)成第一電壓作用裝置與第二電壓作用裝置的。從而，所使用的移位寄存器提供(x+y)個(gè)觸發(fā)步驟的總和，從而與傳統(tǒng)的系統(tǒng)中的移位寄存器(它提供n(＝X乘Y)個(gè)觸發(fā)步驟)相比，便有可能極大地減少所構(gòu)成的門的數(shù)量。
在這種實(shí)施例中，所使用的電阻器Rd及Re的數(shù)目對(duì)應(yīng)于輸入端D1、D2、…、Dy及輸入端E1、E2、…、Ex的數(shù)目，從而有Y乘X個(gè)電阻器Rd及X乘Y個(gè)電阻器Re。對(duì)于一個(gè)Rd＝Re＝R的電阻及一個(gè)V的第一與第二驅(qū)動(dòng)電壓，在輸入端D(y)側(cè)上的電流消耗為V(X/2R)，而在輸入端E(x)側(cè)上則為V(y-1)/2R。從而，例如對(duì)于一個(gè)8通道模擬(220塊)的Y＝10、X＝22矩陣，在具有電阻Rd＝Re＝R＝10KΩ(4歐)及一個(gè)第一或第二驅(qū)動(dòng)電壓V＝5伏時(shí)，在輸入端E(x)側(cè)上的電流消耗為2.25mA(毫安)，而在輸入端D(y)側(cè)上的電流消耗則為5.5mA。因此，所使用的電阻器Rd與Re是從這一值逆推算確定的，并且最好在幾千歐至幾十千歐之間。
這里，更具體地說(shuō)明如何確定用在圖象讀取設(shè)備的加法電路中的電阻器Rd與Re的電阻值。作為一個(gè)實(shí)例，說(shuō)明由一個(gè)5伏驅(qū)動(dòng)電壓驅(qū)動(dòng)一個(gè)單塊、8通道圖象讀出設(shè)備的案例，如圖5(a)中所示。作為光電能量轉(zhuǎn)換元件的光電二極管PD及阻塞二極管BD的尺寸分別制成110μm(微米)見方與33μm見方。下方電極用鉻制成而上方透明電極則用ITO制成，此外，半導(dǎo)體層是通過(guò)噴鍍9000埃作為半導(dǎo)體的非晶硅a-Si制作的。當(dāng)所得到的圖象讀取設(shè)備受到一個(gè)5伏的驅(qū)動(dòng)電壓驅(qū)動(dòng)時(shí)，觀察到的在這一塊中流過(guò)的電容突跳電流I為大約5.7μA(微安)。因此，在這一圖象讀取設(shè)備中，最好能夠建立能從讀出電流中消除這一電容突跳電流的電阻器Rd與Re的電阻值的水平。
當(dāng)上述圖象讀取設(shè)備在圖5(b)中所示的模式中時(shí)，即當(dāng)一個(gè)5伏的驅(qū)動(dòng)電壓作用在輸入端E(x)及輸入端D(y)上時(shí)，圖象讀取設(shè)備得到驅(qū)動(dòng)。此外，當(dāng)在圖5(c)中所示的模式中時(shí)，即當(dāng)一個(gè)5伏的驅(qū)動(dòng)電壓作用在輸入端D(y)上而輸入端E(x)為0伏時(shí)，或者當(dāng)在圖5(d)中所示的模式中時(shí)，即當(dāng)輸入端E(x)及輸入端D(y)都是0伏時(shí)，圖象讀取設(shè)備不被驅(qū)動(dòng)。這里，當(dāng)圖象讀取設(shè)備受到驅(qū)動(dòng)，并以Re＝Rd＝R作為電阻時(shí)，在加法電路中的總體電阻值成為R/2。由于在驅(qū)動(dòng)圖象讀取設(shè)備時(shí)，加法電路中的總體電阻值(R/2)是小的，驅(qū)動(dòng)電力消耗量是大的，所以最好電阻值是大的。然而，電阻值非常大時(shí)，延遲時(shí)間變成長(zhǎng)的，因此加法電路的總體電阻值最好不要大于大約100KΩ。
再者，當(dāng)從圖5(b)中所示的模式改變到圖5(c)中所示的模式(即非驅(qū)動(dòng)模式)時(shí)，一個(gè)電容突跳電流I流過(guò)。為了使圖象讀取設(shè)備在圖5(c)中所示的模式的時(shí)間上不受這一電容突跳電流I的驅(qū)動(dòng)，有必要選擇一種具有能使電容突跳電流I流到地的電阻值的電阻器R。為了安全，這一電阻器R最好設(shè)置成能使不小于數(shù)據(jù)電容突跳電流I(約5.7μA)的電流流過(guò)。這樣，假定五倍于電容突跳電流的一個(gè)電流能夠流過(guò)，電阻器R的電阻值成為大約88KΩ，此外進(jìn)一步相似地假定十倍的一個(gè)電流，則電阻值成為大約44KΩ。這一電阻值滿足上述驅(qū)動(dòng)圖象讀取設(shè)備時(shí)電阻器R的電阻的條件，并且由于當(dāng)電阻器R的電阻成為大約88KΩ時(shí)，驅(qū)動(dòng)時(shí)的總體電阻值為大約44KΩ，并且在驅(qū)動(dòng)時(shí)足以流過(guò)電容突跳電流I。此外，由于來(lái)自這一電流I(約5.7μA)的電壓降大約為0.25伏，與5V相比只是微小的量，因此不會(huì)導(dǎo)致本質(zhì)上的影響。從而，在上述假定的圖5(c)中所示的模式的時(shí)間上，電阻器R的電阻值最好用不小于5倍于電容突跳電流I的一個(gè)電流能夠流過(guò)這一條件來(lái)選擇。
現(xiàn)在通過(guò)圖6(a)中所示的圖象讀取設(shè)備42的例子說(shuō)明這一圖象讀取設(shè)備的操作，該設(shè)備具有制成3×3矩陣的驅(qū)動(dòng)值，參見圖6(b)中所示的時(shí)間圖。這一圖象讀取設(shè)備42是圖3中所示圖象讀取設(shè)備的一種簡(jiǎn)化，并且由于構(gòu)造相似而省略其說(shuō)明。
分別構(gòu)成圖象讀取設(shè)備42的第一與第二電壓作用裝置的輸入端D1、D2與D3以及輸入端E1、E2與E3經(jīng)由緩沖門連接到一個(gè)移位寄存器的對(duì)應(yīng)輸出端上，輸入到這一移位寄存器中的數(shù)據(jù)輸入脈沖按照一個(gè)時(shí)鐘脈沖CLK順序地在移位寄存器內(nèi)移位，并順序地從移位寄存器的各輸出端輸出。
這便是說(shuō)，順序地從輸入端D1、D2與D3輸入的第一驅(qū)動(dòng)電壓經(jīng)由電阻器Rd分別作用在第一塊B1、B2與B3、第一塊B4、B5與B6及第一塊B7、B8與B9的光電能量轉(zhuǎn)換元件上。這里，順序地輸入的第一驅(qū)動(dòng)電壓的上升沿與下降沿是定時(shí)成重合的。從輸入端E1、E2及E3順序輸入的第二驅(qū)動(dòng)電壓經(jīng)由電阻器Re分別作用在第一塊B1、B4與B7，第一塊B2、B5與B8以及第一塊B3、B6與B9的光電能量轉(zhuǎn)換元件上。這里，順序地輸入的第二驅(qū)動(dòng)電壓的上升沿與下降沿是定時(shí)成重合的。
結(jié)果，順序地從輸入端D1、D2與D3輸入的第一驅(qū)動(dòng)電壓，及順序地從輸入端E1、E2與E3輸入的第二驅(qū)動(dòng)電壓分別由包含電阻器Rd與Re的加法電路相加，并在達(dá)到規(guī)定的作用電壓時(shí)，第一塊B1、B2、…、B9的光電能量轉(zhuǎn)換元件被驅(qū)動(dòng)。從而，例如從輸入端D1輸入第一驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，通過(guò)從輸入端E1、E2與E3順序地移位與作用第二驅(qū)動(dòng)電壓，第一塊B1、B2與B3中的光電能量轉(zhuǎn)換元件順序地被驅(qū)動(dòng)。再者，從類似的方式，從輸入端D2輸入第一驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，通過(guò)從輸入端E1、E2與E3順序地移位與作用第二驅(qū)動(dòng)電壓，第一塊B4、B5與B6中的光電能量轉(zhuǎn)換元件順序地被驅(qū)動(dòng)。
在用上述方法驅(qū)動(dòng)的這種圖象讀取設(shè)備42中，既通過(guò)在定時(shí)中令第一與第二驅(qū)動(dòng)電壓的上升沿與下降沿重合，又通過(guò)令電阻器Rd與Re的值一致，而順序地分別從T1切換到T2及從T2切換到T3等時(shí)，第一塊B1與B2之間及第一塊B2與B3之間的作用電壓電平的變化示出在表1的下方部分中。在所有第一塊B1、B2、…B9上求和的總的作用電壓電平變化為0，即，在這些塊間的變化是互相對(duì)消的，因此沒(méi)有噪聲輸出。
在上述實(shí)施例中，在設(shè)置構(gòu)成加法電路(矩陣驅(qū)動(dòng)器便是用它構(gòu)成的)的電阻器的方法上沒(méi)有特殊的限制。例如，可以使用通過(guò)焊接等提供的標(biāo)準(zhǔn)外部電阻器;但是從減少生產(chǎn)步驟及降低生產(chǎn)成本的觀點(diǎn)上，這些電阻器最好是在制造光電能量轉(zhuǎn)換元件時(shí)，利用構(gòu)成這些元件的構(gòu)造層同時(shí)形成的?，F(xiàn)在參照附圖描述本發(fā)明的圖象讀取設(shè)備的實(shí)施例，在這些實(shí)施例中，矩陣驅(qū)動(dòng)器是用加法電路構(gòu)成的，加法電路包含從構(gòu)成光電能量轉(zhuǎn)換元件的構(gòu)造層形成的電阻器。
圖7與8分別顯示了一個(gè)圖象讀取設(shè)備40的主要部件的平面圖與剖視圖，其電路圖是與圖3中所示的相似的。由于本實(shí)施例的基本構(gòu)造及操作與上述實(shí)施例相似，故省略其說(shuō)明。以下是這種結(jié)構(gòu)的圖象讀取設(shè)備40的生產(chǎn)過(guò)程的簡(jiǎn)要概述。在諸如玻璃基板這樣的一塊絕緣基板18上，依次疊加，噴鍍的鉻等的用作一個(gè)下方電極的一層下方電極膜，在針型結(jié)構(gòu)(Pin structure)之類中依次噴鍍諸如非晶硅a-Si等的一層半導(dǎo)體膜，以及諸如ITO之類的一層透明導(dǎo)電膜，該膜起上方透明電極的作用。這里，噴鍍是這樣進(jìn)行的，使得下方電極膜的厚度為從大約500埃至大約1500埃，半導(dǎo)體膜的厚度為從大約7000埃至大約12000埃，而透明導(dǎo)電膜的厚度則為從大約2000埃至大約800埃;但是由于膜的厚度是為滿足電阻器所要求的電阻值而設(shè)定的，所以并無(wú)特殊的限制。接著，以相反的次序用光刻法進(jìn)行蝕刻，從而制成上方透明電極20、半導(dǎo)體層22及下方電極24，以構(gòu)成光電二極管10及阻塞二極管12。在制造這一下方電極24時(shí)，同時(shí)整體地形成一個(gè)公共線路16及結(jié)合的相鄰電阻器Rd與Re、用于將下方電極24連接到矩陣線路14的一條輸出導(dǎo)線26、并且還有連接到輸入引線D(1-y)及E(1-x)的引出導(dǎo)線28、30，輸入引線D(1-y)及E(1-x)是分別引至輸入端D1、D2、…、Dy及E1、E2、…、Ex上的。這里，由于電阻器Rd與Re是使用與下方電極24等的同一下方電極膜形成的，為了能起到電阻器的功能，它們的線寬度是設(shè)定為充分地窄的，而它們的長(zhǎng)度則設(shè)定為充分地長(zhǎng)。例如，在采用鉻的情況中，由于電阻率為60μΩcm，如果制成一個(gè)10μm寬、7mm長(zhǎng)、1000埃厚的電阻器體，可得到4.2KΩ的一個(gè)電阻值。
接著，在帶有制成的光電二極管10等的絕緣基板18上噴鍍一層由氧化硅SiOx之類構(gòu)成的透明層間絕緣膜32，然后用光刻法在規(guī)定的位置上制成接觸孔34。然后，在透明層間絕緣膜32上噴鍍一層諸如鋁之類的金屬膜之后，用光刻法蝕刻這一金屬膜以形成矩陣導(dǎo)線14、輸入引線D(1-y)及E(1-x)以及連接光電二極管10與阻塞二極管12的耦合電極36。最后，噴鍍一層由氮化硅SiNx之類制成的絕緣保護(hù)膜38，以制成本實(shí)施例的圖象讀取設(shè)備40。這里，透明層間絕緣膜32的厚度是從大約12000埃至大約18000埃的，金屬膜的厚度從大約12000埃至大約18000埃，而絕緣保護(hù)膜38的厚度以大約3000埃至大約8000埃;然而，并沒(méi)有特殊的限制。
上面已經(jīng)說(shuō)明了本發(fā)明的圖象讀取設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例，其中，構(gòu)成加法電路的電阻器是采用下方電極膜的材料構(gòu)成的;然而，本發(fā)明不僅限于上述實(shí)施例，而可實(shí)現(xiàn)其它的模式。
例如，如圖9與10中所示，與上述實(shí)施例相似，一個(gè)圖象讀取設(shè)備44是m×n個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件的一個(gè)一維陣列，各該元件包含一個(gè)光電二極管10及一個(gè)以相反極性串聯(lián)在光電二極管10上的阻塞二極管12。光電二極管10的陽(yáng)極端及阻塞二極管12的陽(yáng)極端用幾乎與上述實(shí)施例相同的構(gòu)造連接到矩陣線路14及輸入引線D(1-y)與E(1-x)上。即，在這種圖象讀取設(shè)備44中，連接到阻塞二極管12的公共線路16及輸入引線D(1-y)及E(1-x)上的電阻器Rd與Re是與連接光電二極管10與阻塞二極管12的上方透明電極的耦合電極36同時(shí)形成的，并且它們使用形成在透明層間絕緣膜32中形成的接觸孔34連接到引出導(dǎo)線46、48上。
在這種構(gòu)造的圖象讀取設(shè)備的生產(chǎn)方法中，使用正常的方法，在一塊絕緣基板18上制成光電二極管10與阻塞二極管12，并且從光電二極管10的下方電極24中整體地制造輸出導(dǎo)線26。此外，引出導(dǎo)線46與引出導(dǎo)線48是整體地形成為從阻塞二極管12的公共線路16中延伸出來(lái)的。然后，在制造了形成在這些光電二極管10等上的透明層間絕緣膜中的接觸孔34之后，噴鍍一層鋁等的金屬膜，并且進(jìn)一步用光刻法之類蝕刻這一金屬膜，以形成耦合電極36、矩陣線路14、以及包含電阻器Rd與Re及經(jīng)由接觸孔34連接的輸入引線D(1-y)及E(1-x)的加法電路。此后，噴鍍一層絕緣保護(hù)膜38以制成圖象讀取設(shè)備44。在這種構(gòu)造的圖象讀取設(shè)備中，包含電阻器Rd與Re的加法電路是從耦合電極36的材料中形成的;例如，在采用鋁的情況中，電阻率為3μΩcm，從而，如果制成了一個(gè)10μm寬、7mm長(zhǎng)、1000埃厚的電阻器體，則可得到210Ω的一個(gè)電阻值。
現(xiàn)在，如圖11與12中所示，在一個(gè)圖象讀取設(shè)備50中，也可以在由非晶硅a-Si之類制成的半導(dǎo)體層22的頂上，用構(gòu)成光電二極管10等的上方透明電極20的ITO之類，來(lái)制造包含電阻器Rd與Re的加法電路。這便是說(shuō)，依次在一塊絕緣基板18上噴鍍一層構(gòu)成下方電極24的下方電極膜，一層構(gòu)成半導(dǎo)體層22的半導(dǎo)體膜以及一層構(gòu)成上方透明電極20的透明導(dǎo)電膜之后，以相反的次序用光刻法之類進(jìn)行蝕刻，并且在形上方透明電極20等的同時(shí)，使用由ITO之類制成的透明導(dǎo)電膜同時(shí)形成電阻器Rd與Re。由于用ITO之類制成的透明導(dǎo)電膜具有相對(duì)地高的電阻，可以容易地制成具有所要求的電阻值的電阻器Rd與Re，這是一種優(yōu)點(diǎn)。例如，ITO的電阻率為500μΩcm，從而通過(guò)制成一個(gè)10μm寬、7mm長(zhǎng)、1000埃厚的電阻器體，可得到35KΩ的一個(gè)電阻值。
在這種構(gòu)造中，由于包含電阻器Rd與Re的加法電路是通過(guò)層疊在構(gòu)成下方電極24等的下方電極膜52及半導(dǎo)體層22的頂上而制成的，當(dāng)光進(jìn)入電阻器Rd與Re的部分時(shí)，便生成了光電電動(dòng)勢(shì)。因此，經(jīng)由透明層間絕緣膜22在電阻器Rd與Re上方側(cè)上建立了一層遮光膜54。此外，由于下方電極膜52是作為到包含電阻器Rd與Re的加法電路的一條公共導(dǎo)線出現(xiàn)的，最好在下方電極膜52上建立一個(gè)接線端，并且在這一層膜上作用一個(gè)反向偏壓在半導(dǎo)體層22上，或者將其接地以給出0伏(零偏壓)。
此外，在這種構(gòu)造中，形成在由電阻器Rd與Re制成的加法電路部分下方的半導(dǎo)體層22可如圖12中所示那樣以不同于電阻器Rd與Re的圖形的不同圖形蝕刻;然而，為了減少電阻膜的制造步驟數(shù)量，不言而喻，半導(dǎo)體層22也可以用與Rd與Re相同的圖形蝕刻。
這里，在上述圖象讀取設(shè)備50中，用電阻器Rd與Re制成的加法電路(它們是制造在半導(dǎo)體層22的頂上的)是如圖12中所示那樣包封有一層透明層間絕緣膜32的，并且電阻器Rd與Re以及將驅(qū)動(dòng)電壓輸送給電阻器Rd與Re的輸入引線D(1-y)及E(1-x)是使用引出導(dǎo)線56與58、耦合電極60及形成在透明層間絕緣膜32中的接觸孔34連接的。形成到阻塞二極管12的陽(yáng)極端及電阻器Rd與Re上的公共線路16是用通過(guò)另一形成在透明層間絕緣膜32中的接觸孔34的耦合電極60連接的。
上面已經(jīng)給出了本發(fā)明的圖象讀取設(shè)備的典型實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明;但是，本發(fā)明的圖象讀取設(shè)備不限于上述實(shí)施例，其它模式也能實(shí)現(xiàn)。
例如，如圖13中所示，本發(fā)明的一種圖象讀取設(shè)備70也可令輸入引線D(1-y)及E(1-x)經(jīng)由透明層間絕緣膜裝設(shè)在包含電阻器Rd與Re的加法電路上。這便是說(shuō)，電阻器Rd與Re是與絕緣基板18上的阻塞二極管12的公共線路16整體地制造的，并且不能起電阻器作用的端部72是裝設(shè)在電阻器Rd與Re的另一端上，而不是從公共線路16延伸的端上。在形成在電阻器Rd與Re部分等上面的透明層間絕緣膜中的端部72的規(guī)定位置等中設(shè)置了接觸孔34之后，制造連接光電二極管10與阻塞二極管12的耦合電極36，并制造輸入引線D(1-y)及E(1-x)，從而使電阻器Rd與Re的端部72經(jīng)由接觸孔34連接到輸入引線D(1-y)及E(1-x)上。
采用這種構(gòu)造，不但有可能極度小型化圖象讀取設(shè)備70，并且還可能在一塊絕緣基板上得到許多圖象讀取設(shè)備70的產(chǎn)品，從而降低了生產(chǎn)成本。
現(xiàn)在，如圖14與15中所示，有可能使用從反電極76、78及非晶硅a-Si之類的半導(dǎo)體層中制造的一個(gè)電阻體80來(lái)形成構(gòu)成圖象讀取設(shè)備74的加法電路的電阻器Rd與Re。這便是說(shuō)，反電極76與78是，例如，與公共線路16之類整體制成的，并且構(gòu)成光電二極管10等的半導(dǎo)體層是形成在這一反電極76、78部分上的，使之可用作電阻體。由于非晶硅a-Si之類半導(dǎo)體的導(dǎo)電率是從大約103(Ωcm)-1至大約10-8(Ωcm)-1，可以通過(guò)調(diào)節(jié)反電極76、78之間的間距及反電極的長(zhǎng)度來(lái)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定所要求的電阻值。
在這種構(gòu)造的圖象讀取設(shè)備中，還可能使用由ITO等制成的上方透明電極來(lái)制造反電極。此外，用作電阻器的半導(dǎo)體可以是P型半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體或者i型半導(dǎo)體等中任何一種;但是，即使具有一種比較高的導(dǎo)電率的形成的半導(dǎo)體也可使用，諸如具有，例如，大約10-3至大約100(Ωcm)-1的電阻率的μc-n型氫化非晶硅之類。這里，μc-n型氫化非晶硅是一種可以摻雜磷P或周期表中其它5族元素的氫化非晶硅。
此外，在上述實(shí)施例中，構(gòu)成電阻器的反電極76、78是使用形成在絕緣基板18上的下方電極膜制成的;然而，也可能用下方電極膜制成反電極的一側(cè);而用上方透明電極膜制成另一側(cè)。在本例中，在構(gòu)成電阻器體的半導(dǎo)體層中間，即P型半導(dǎo)體層、i型導(dǎo)體層或n型半導(dǎo)體層等，最好這一結(jié)構(gòu)是例如制造成不噴鍍一層i型導(dǎo)體層之類的。
上面已經(jīng)給出了本發(fā)明的圖象讀取方法及直接用于執(zhí)行這一方法的圖象讀取設(shè)備的實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明;但是，本發(fā)明不僅限于上述實(shí)施例，其它模式也能實(shí)現(xiàn)。
例如，如圖16中所示，一種圖象讀取設(shè)備200是與上述實(shí)施例中相似的由光電二極管10及以相反極性與這些光電二極管10串聯(lián)的阻塞二極管12構(gòu)成的m×n個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件的一個(gè)一維陣列。在各第一塊B1、B2、…、Bn中相同的相對(duì)位置上的光電二極管10的陽(yáng)極端在一個(gè)矩陣線路14中連在一起，以給出一種類似的構(gòu)造。
另一方面，阻塞二極管12的陽(yáng)極端以上述相似的方式用公共線路16在各對(duì)應(yīng)的第一塊B1、B2、…、Bn中連在一起，并且分成n個(gè)塊的第一塊B1、B2、…Bn進(jìn)一步分成每x個(gè)第一塊一塊的y個(gè)第二塊C1、C2、…Cy。然后，為了使第一驅(qū)動(dòng)電壓能夠順序地作用在各第二塊C1、C2、…，Cy中的x個(gè)第一塊B1、B2、…、Bx的單元上，第一塊B1、B2、…Bx的公共線路16經(jīng)由二極管Did一起連接到對(duì)應(yīng)的輸入端D1、D2、…Dy上。此外，這一構(gòu)造是制成為使得在第二塊C1、C2、…Cy中的相同相對(duì)位置上的第一塊B1、B2、…Bx的公共線路16經(jīng)由二極管Die一起連接到對(duì)應(yīng)的輸入端E1、E2、…Ex上，從而，第二驅(qū)動(dòng)電壓能夠既獨(dú)立地又順序地作用在各第二塊C1、C2、…、Cy中的第一塊B1、B2、…、Bx上。然后，將二極管Did與Die的陽(yáng)極端串聯(lián)到對(duì)應(yīng)的阻塞二極管12的陽(yáng)極端上，并且將一個(gè)偏壓Va經(jīng)由電阻器R作用在這一陽(yáng)極端側(cè)上。
這里，如圖17所示，在任何第一塊B1、B2、…Bn中，任何一對(duì)光電二極管10與阻塞二極管12都是相對(duì)的，二極管Did與二極管Die是連接的，一個(gè)偏壓Va＝5伏經(jīng)由電阻器R作用，并且從這兩個(gè)二極管構(gòu)成一個(gè)“與”電路。從而，如果正向電壓VF近似等于0伏，理想地沒(méi)有輸出，并當(dāng)一個(gè)第一驅(qū)動(dòng)電壓D＝5伏及一個(gè)第二驅(qū)動(dòng)電壓E＝5伏分別從輸入端D(y)與E(x)輸入時(shí)，B點(diǎn)上的電位Vd為5伏，以給出讀出狀態(tài)。下面，當(dāng)?shù)谝或?qū)動(dòng)電壓D＝0伏及第二驅(qū)動(dòng)電壓E＝0伏時(shí)，B點(diǎn)上的電位Vd為0伏，再者，當(dāng)D＝0伏且E＝5伏或者當(dāng)D＝5伏且E＝0V被輸入時(shí)，B點(diǎn)具有0伏的電位Vd，這些條件中任何一種給出存儲(chǔ)狀態(tài)，在這一狀態(tài)中沒(méi)有讀出。
再者，如果分別從輸入端D(y)與E(x)輸入一個(gè)第一驅(qū)動(dòng)電壓D＝5伏及一個(gè)第二驅(qū)動(dòng)電壓E＝5伏時(shí)，存在著一個(gè)正向電壓VF＝1伏，B點(diǎn)上的電位為5伏，而進(jìn)入讀出狀態(tài)。下面，當(dāng)?shù)谝或?qū)動(dòng)電壓D＝0伏且第二驅(qū)動(dòng)電壓E＝0伏，B點(diǎn)上的電位Vd成為0.5伏，再者，當(dāng)D＝0伏且E＝5伏或者當(dāng)D＝5伏且E＝0伏被輸入時(shí)，B點(diǎn)上的電位Vd成為1伏。從而，在本例中，如果光電二極管10與阻塞二極管12之間的電位VPD不降至1伏或1伏以下，則保持存儲(chǔ)狀態(tài)并且沒(méi)有讀出。
現(xiàn)在參照?qǐng)D18(b)中所示的時(shí)間圖用一個(gè)示例性圖象讀取設(shè)備220說(shuō)明這一圖象讀取設(shè)備的操作，在該設(shè)備中，驅(qū)動(dòng)側(cè)是如圖18(a)中所示制成一個(gè)3×3的矩陣的。這一圖象讀取設(shè)備220是上述圖16中所示的圖象讀取設(shè)備200的一種簡(jiǎn)化，因此由于構(gòu)造是相似的，從而省略其說(shuō)明。
分別構(gòu)成圖象讀取設(shè)備220的第一與第二電壓作用裝置的輸入端D1、D2與D3及輸入端E1、E2與E3經(jīng)由緩沖門連接到一個(gè)移位寄存器的對(duì)應(yīng)輸出端上，輸入進(jìn)這一移位寄存器中的數(shù)據(jù)輸入脈沖根據(jù)一個(gè)時(shí)鐘脈沖CLK在移位寄存器內(nèi)順序地移位，并且順序地從移位寄存器的各輸出端輸出。這便是說(shuō)，順序地從輸入端D1、D2與D3輸入的第一驅(qū)動(dòng)電壓分別作用在第一塊B1、B與B3，第一塊B4、B5與B6及第一塊B7、B8與B9的二極管Did上。這里，順序地輸入的第一驅(qū)動(dòng)電壓的上升沿與下降沿是定時(shí)成重合的。順序地從輸入端E1、E2與E3輸入的第二驅(qū)動(dòng)電壓分別作用在第一塊B1、B4與B7，第一塊B2、B5與B8及第一塊B3、B6與B9的二極管Die上。這里，順序地輸入的第二驅(qū)動(dòng)電壓的上升沿與下降沿是定時(shí)成重合的。
結(jié)果，當(dāng)在包含二極管Did與二極管Die的“與”電路中，順序地從輸入端D1、D2與D3輸入的第一驅(qū)動(dòng)電壓分別與順序地從輸入端E1、E2與E3輸入的第二驅(qū)動(dòng)電壓一致時(shí)，便輸出作用電壓，并驅(qū)動(dòng)第一塊B1、B2、…B9的光電能量轉(zhuǎn)換元件。從而，例如在從輸入端D1輸入第一驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，通過(guò)順序地移位與作用來(lái)自輸入端E1、E2與E3的第二驅(qū)動(dòng)電壓，便可順序地驅(qū)動(dòng)第一塊B1、B2與B3中的光電能量轉(zhuǎn)換元件。再者，以相似的方式，當(dāng)從輸入端D2輸入第一驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，通過(guò)順序地移位與作用來(lái)自輸入端E1、E2與E3的第二驅(qū)動(dòng)電壓，便可順序地驅(qū)動(dòng)第一塊B4、B5與B6中的光電能量轉(zhuǎn)換元件。
當(dāng)通過(guò)在第一與第二驅(qū)動(dòng)電壓的定時(shí)中重合它們的上升沿與下降沿并且通過(guò)使各二極管Did與Die中的正向電壓VF的值一致，而在上述方式驅(qū)動(dòng)的這種圖象讀取設(shè)備中分別順序地從T1切換到T2，從T2切換到T3等等時(shí)，第一塊B1與B2之間以及第一塊B2與B3之間的作用電壓電平的變化示出在表2的下方部分中。在所有第一塊B1、B2、…、B9上求和的作用電壓電平的變化的總和結(jié)果為0，即，各塊之間的變化是對(duì)消的，因此沒(méi)有噪聲輸出。
本發(fā)明的圖象讀取方法及其設(shè)備不限于諸如上述實(shí)施例中所例示的那些系統(tǒng)，在這種系統(tǒng)中，包含光電二極管10與阻塞二極管12的光電能量轉(zhuǎn)換元件是分成每固定數(shù)目的二極管對(duì)一塊的若干塊的，并且制成一個(gè)多通道，并且可以設(shè)置任何數(shù)目的通道來(lái)與傳感器響應(yīng)進(jìn)行應(yīng)答。
例如，如圖19(a)中所示，有可能構(gòu)成一個(gè)只帶一條通道的圖象讀取設(shè)備240。這便是說(shuō)，在各由一對(duì)光電二極管10及阻塞二極管12制成的光電能量轉(zhuǎn)換元件中，其構(gòu)造是做成使光電二極管10的陽(yáng)極側(cè)完全用一條公共引線260連在一起，而令其輸出端通過(guò)一個(gè)電流放大電路280。另一方面，在各阻塞二極管12的陽(yáng)極側(cè)上，將兩個(gè)相同值的電阻器R并聯(lián)以構(gòu)成一個(gè)加法電路，劃分成Y個(gè)塊B1、B2、…、By，各塊帶有設(shè)定數(shù)目的X個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件，并且在塊B1、B2、…By中的一側(cè)上的電阻器R是一起連接到對(duì)應(yīng)的輸入端D1、D2、…Dy上的。再者，在各塊B1、B2、…By中的相同的相對(duì)位置上的光電能量轉(zhuǎn)換元件上的另一側(cè)上的對(duì)應(yīng)電阻器R一起連接到輸入端E1、E2、…Ex以制成該構(gòu)造。
如圖19(b)中的時(shí)間表中所示，在這種圖象讀取設(shè)備240中，第一驅(qū)動(dòng)電壓D1、D2、…、Dy是從對(duì)應(yīng)的輸入端D1、D2、…Dy順序地移位與輸入的，而第二驅(qū)動(dòng)電壓E1、E2、…Ex是順序地從對(duì)應(yīng)的輸入端E1、E2、…Ex輸入的。從而，第一驅(qū)動(dòng)電壓D1、D2、…Dy與第二驅(qū)動(dòng)電壓E1、E2、…Ex相加，凡是達(dá)到規(guī)定的作用電壓的光電能量轉(zhuǎn)換元件都被驅(qū)動(dòng)，從而，如時(shí)間圖中所示，各包含一個(gè)光電二極管10及一個(gè)阻塞二極管12的光電能量轉(zhuǎn)換元件被順序地驅(qū)動(dòng)與讀出。
本實(shí)施例是使用包含電阻器的加法電路作為一個(gè)矩陣驅(qū)動(dòng)器構(gòu)成的;然而，也可能采用一種類似于上述使用二極管的“與”電路的電路構(gòu)造。無(wú)論構(gòu)造是怎樣的，來(lái)自光電二極管10的陽(yáng)極端的輸出系統(tǒng)是在一條線上的，因此，電流放大電路等可以只在一個(gè)系列中，并且由于其它電路為數(shù)字部件，所以便能提供一種廉價(jià)的圖象讀取設(shè)備。
在上述實(shí)施例中，光電二極管10與阻塞二極管12的陰極端是連在一起的;然而，在逆向配置中，光電二極管10與阻塞二極管12的陽(yáng)極端可以連在一起，光電二極管10的陰極端可連到構(gòu)成加法電路的電阻器上，或者與構(gòu)成“與”電路的二極管的陽(yáng)極端相連，并且阻塞二極管12的陰極端可以連到電流放大電路上。此外，本發(fā)明還可應(yīng)用于一種選擇驅(qū)動(dòng)，它使用一個(gè)TFT(薄膜晶體管)之類而不用阻塞二極管12，并且作為當(dāng)然的事情，不僅一種接觸型而且一種稱作完全接觸型的圖象讀取設(shè)備也能應(yīng)用。
此外，上述使用二極管的矩陣驅(qū)動(dòng)器“與”電路是用正的邏輯“與”電路構(gòu)成的;然而，它也能用具有二極管及一個(gè)反極性的偏壓電源的負(fù)的邏輯“與”電路來(lái)構(gòu)成。再者，雖然使用二極管的“與”電路是最佳選擇，但是作為當(dāng)然的事情，也可采用其它構(gòu)造的“與”電路。
此外，構(gòu)成“與”電路的二極管最好是利用構(gòu)成光敏二極管10與阻塞二極管12的非晶半導(dǎo)體或晶體半導(dǎo)體制成。再者，構(gòu)成加法電路或“與”電路的電阻器可以獨(dú)立地使用一種線路圖形之類并汽化電阻器物質(zhì)來(lái)制造，或者也可能利用半導(dǎo)體層中比較好的導(dǎo)電部分來(lái)制造這些電阻器。
如上所述，在本發(fā)明的圖象讀取方法及其設(shè)備中，光電能量轉(zhuǎn)換元件的驅(qū)動(dòng)側(cè)是制入一個(gè)驅(qū)動(dòng)矩陣中的，因此在這種方法與設(shè)備中，有可能實(shí)現(xiàn)各式各樣的另外的構(gòu)造。
例如，考慮一種與本發(fā)明相似的構(gòu)造，在一種圖象讀取方法中，順序地將一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓作用在布置成一個(gè)一維陣列的多個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件上，并讀出所述光電能量轉(zhuǎn)換元件的電信號(hào)，該構(gòu)造可以做成在將驅(qū)動(dòng)電壓作用到上述光電能量轉(zhuǎn)換元件上之前，重復(fù)進(jìn)行兩次或兩次以上將一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在多個(gè)虛設(shè)的(dummy)光電能量轉(zhuǎn)換元件上，這些虛設(shè)的元件具有與所述光電能量轉(zhuǎn)換元件大致相同的性質(zhì)。
根據(jù)這種圖象讀取方法，在將驅(qū)動(dòng)電壓作用到適當(dāng)?shù)墓怆娔芰哭D(zhuǎn)換元件上之前，順序地將一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓作用在多個(gè)虛設(shè)的光電能量轉(zhuǎn)換元件上，并且進(jìn)一步，至少再一次將該驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在這些虛設(shè)的光電能量轉(zhuǎn)換元件上。簡(jiǎn)言之，在將驅(qū)動(dòng)電壓作用在第一個(gè)虛設(shè)的光電能量轉(zhuǎn)換元件與將該驅(qū)動(dòng)電壓作用在第一個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件之間，該驅(qū)動(dòng)電壓在這些虛設(shè)的光電能量轉(zhuǎn)換元件上作用了若干次。從而，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓作用在第一個(gè)虛設(shè)的光電能量轉(zhuǎn)換元件上時(shí)，在這一時(shí)間中產(chǎn)生的電容突跳是充分耗散的。結(jié)果，包含在讀出的電信號(hào)中的唯一信號(hào)成分便是來(lái)自光電能量轉(zhuǎn)換元件的。再者，由于重復(fù)地將驅(qū)動(dòng)電壓作用在多個(gè)相同的虛設(shè)的光電能量轉(zhuǎn)換元件上，便有可能用較少數(shù)量的消散初始生成的電容突跳所必需的虛設(shè)的光電能量轉(zhuǎn)換元件來(lái)處理。
再者，在與本發(fā)明相似的構(gòu)造的一種圖象讀取設(shè)備中，其中，將一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在布置在一個(gè)一維陣列中的多個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件上，并讀出來(lái)自所述光電能量轉(zhuǎn)換元件的電信號(hào)，該構(gòu)造可提供多個(gè)虛設(shè)的光電能量轉(zhuǎn)換元件，這些虛設(shè)的元件具有與上述光電能量轉(zhuǎn)換元件大致相同的性質(zhì)，該構(gòu)造還提供一個(gè)初始化裝置，在將一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓作用在上述光電能量轉(zhuǎn)換元件上之前，該裝置重復(fù)執(zhí)行兩次或兩次以上將該驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在所述虛設(shè)的光電能量轉(zhuǎn)換元件上。
這種圖象讀取設(shè)備減少上述圖象讀取方法的實(shí)施，并且在這一實(shí)例中，通過(guò)使用初始化裝置，重復(fù)地執(zhí)行將一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在這些虛設(shè)的光電能量轉(zhuǎn)換元件上，因此，初始生成的電容突跳得以充分地耗散。再者，由于驅(qū)動(dòng)電壓是重復(fù)地作用在多個(gè)相同的虛設(shè)光電能量轉(zhuǎn)換元件上的，虛設(shè)的光電能量轉(zhuǎn)換元件的數(shù)量是較少的。
此外，有可能將本發(fā)明的圖象讀取方法應(yīng)用在這樣一種圖象讀取方法中，在該方法中，以一個(gè)設(shè)定的時(shí)間間隔將一個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖作用在光電二極管上，并通過(guò)時(shí)間積分在所述驅(qū)動(dòng)脈沖的作用期間從所述光電二極管流出的電流，作為電信號(hào)讀取在所述設(shè)定的時(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)入所述光電二極管的光的量，因此一個(gè)虛設(shè)的驅(qū)動(dòng)脈沖作用在與上述光電二極管共用輸出線的虛設(shè)光電二極管上，當(dāng)上述驅(qū)動(dòng)脈沖上升時(shí)該虛設(shè)驅(qū)動(dòng)脈沖下降，而當(dāng)所述驅(qū)動(dòng)脈沖下降時(shí)該虛設(shè)脈沖則上升，并且時(shí)間積分是進(jìn)行到上述驅(qū)動(dòng)脈沖下降以后的。此外，有可能將本發(fā)明的圖象讀取方法應(yīng)用在這樣一種圖象讀取方法中，在該方法中，以一個(gè)設(shè)定的時(shí)間間隔將一個(gè)對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)脈沖順序地作用在一條公共輸出線上的多個(gè)光電二極管上，通過(guò)時(shí)間積分在所述驅(qū)動(dòng)脈沖的作用期間從所述光電二極管流出的電流，作為電信號(hào)讀出在所述設(shè)定的時(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)入所述光電二極管的光量，因此在結(jié)束了上述驅(qū)動(dòng)脈沖的作用的光電二極管上作用一個(gè)輔助驅(qū)動(dòng)脈沖，當(dāng)作用在對(duì)應(yīng)的下一個(gè)光電二極管上的驅(qū)動(dòng)脈沖下降時(shí)，該輔助驅(qū)動(dòng)脈沖上升，而當(dāng)作用在對(duì)應(yīng)的再下一個(gè)光電二極管上的驅(qū)動(dòng)脈沖上升時(shí)，該輔助驅(qū)動(dòng)脈沖下降，并且時(shí)間積分是進(jìn)行到上述驅(qū)動(dòng)脈沖下降之后的。
再者，有可能將本發(fā)明的圖象讀取設(shè)備應(yīng)用在這樣一種圖象讀取設(shè)備中，該設(shè)備設(shè)置有光電二極管，以一個(gè)設(shè)定的時(shí)間間隔將一個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖作用在所述光電二極管上的一個(gè)驅(qū)動(dòng)器電路，以及時(shí)間積分在所述驅(qū)動(dòng)脈沖的作用期間從所述光電二極流出的電流的一個(gè)信號(hào)處理電路，該設(shè)備是構(gòu)成為裝有與上述光電二極管共用輸出線的虛設(shè)光電二極管，并裝有將一個(gè)虛設(shè)驅(qū)動(dòng)脈沖作用在所述虛設(shè)光電二極管上的一個(gè)虛設(shè)驅(qū)動(dòng)器電路，在上述驅(qū)動(dòng)脈沖上升時(shí)，該虛設(shè)驅(qū)動(dòng)脈沖下降，而在所述驅(qū)動(dòng)脈沖下降時(shí)，該虛設(shè)驅(qū)動(dòng)脈沖上升，并且上述信號(hào)處理電路執(zhí)行時(shí)間積分直到上述驅(qū)動(dòng)脈沖下降以后。此外，有可能將本發(fā)明的圖象讀取設(shè)備應(yīng)用于這樣一種圖象讀取設(shè)備，該設(shè)備在一條公共輸出線上設(shè)置有多個(gè)光電二極管，以一個(gè)設(shè)定的時(shí)間間隔將一個(gè)對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)脈沖順序地作用在所述光電二極管上的一個(gè)驅(qū)動(dòng)器電路，以及時(shí)間積分在所述驅(qū)動(dòng)脈沖作用期間從所述光電二極管流出的電流的一個(gè)信號(hào)處理電路，該設(shè)備是構(gòu)成為裝有一輔助驅(qū)動(dòng)器電路的，該電路將一個(gè)輔助驅(qū)動(dòng)脈沖作用在上述驅(qū)動(dòng)脈沖作用完了光電二極管上，當(dāng)作用在對(duì)應(yīng)的下一個(gè)光電二極管上的驅(qū)動(dòng)脈沖下降時(shí)，該輔助驅(qū)動(dòng)脈沖上升，而在作用在再下一個(gè)光電二極管上的驅(qū)動(dòng)脈沖上升時(shí)，該輔助驅(qū)動(dòng)脈沖下降，并且上述信號(hào)處理電路進(jìn)行時(shí)間積分直到上述驅(qū)動(dòng)脈沖下降之后。
根據(jù)這種圖象讀取方法或其設(shè)備，使用一個(gè)驅(qū)動(dòng)器電路之類以一個(gè)設(shè)定的時(shí)間間隔將一個(gè)驅(qū)動(dòng)脈沖作用在一個(gè)光電二極管上，并使用一個(gè)虛設(shè)驅(qū)動(dòng)器電路之類將一個(gè)虛設(shè)驅(qū)動(dòng)脈沖作用在一個(gè)虛設(shè)光電二極管上。由于在驅(qū)動(dòng)脈沖上升時(shí)，該虛設(shè)驅(qū)動(dòng)脈沖下降，而在驅(qū)動(dòng)脈沖下降時(shí)，該虛設(shè)驅(qū)動(dòng)脈沖上升，來(lái)源于光電二極管的電容的所生成的電容突跳與來(lái)源于虛設(shè)光電二極管的電容的所生成的電容突跳具有互相相反的極性，因而它們幾乎是完全對(duì)消的。
然而，由于這些電容是不同的，電容突跳可能完全對(duì)消而仍有少量殘留，這便是說(shuō)，在光電二極管的電容較大的情況中，在驅(qū)動(dòng)脈沖上升時(shí)，電容突跳的殘留成分表現(xiàn)為正的噪聲，而在驅(qū)動(dòng)脈沖下降時(shí)，它表現(xiàn)為負(fù)的噪聲。反之，在虛設(shè)光電二極管的電容較大的情況中，在驅(qū)動(dòng)脈沖上升時(shí)，電容突跳的殘留成分表現(xiàn)為負(fù)的噪聲，而在驅(qū)動(dòng)脈沖下降時(shí)，它表現(xiàn)為正的噪聲。不但電容突跳的殘留成分具有相反的極性，并且由于這些殘留成分是來(lái)源于一定的特定光電二極管及虛設(shè)光電二極管之間的電容差的，它們的大小是完全一樣的。因而，使用一個(gè)信號(hào)處理電路之類，通過(guò)不僅在驅(qū)動(dòng)脈沖作用期間并且直到驅(qū)動(dòng)脈沖下降之后，時(shí)間積分從光電二極管流出的電流，這些電容突跳的殘留成分便得以完全對(duì)消，只有在設(shè)定的時(shí)間隔中進(jìn)入光電二極管的光量被作為電信號(hào)讀出。
再者，使用一個(gè)驅(qū)動(dòng)器電路之類，以一個(gè)設(shè)定的時(shí)間間隔將驅(qū)動(dòng)脈沖分別順序地作用在多個(gè)光電二極管上，并使用一個(gè)輔助驅(qū)動(dòng)器電路之類，將輔助驅(qū)動(dòng)脈沖作用在驅(qū)動(dòng)脈沖作用結(jié)束后的光電二極管上。由于這一輔助驅(qū)動(dòng)脈沖是這樣作用的，使得當(dāng)作用在下一個(gè)光電二極管上的驅(qū)動(dòng)脈沖下降時(shí)，輔助驅(qū)動(dòng)脈沖上升，而在作用在再下一個(gè)光電二極管上的驅(qū)動(dòng)脈沖上升時(shí)，它下降，因此驅(qū)動(dòng)脈沖上升時(shí)產(chǎn)生的電容突跳被作用在前面第二個(gè)光電二極管上的輔助驅(qū)動(dòng)脈沖下降時(shí)產(chǎn)生的電容突跳所對(duì)消，而在驅(qū)動(dòng)脈沖下降時(shí)產(chǎn)生的電容突跳則被作用在緊接在前面的光電二極管上的輔助驅(qū)動(dòng)脈沖上升時(shí)產(chǎn)生的電容突跳所對(duì)消。
以這種方法，電容突跳幾乎完全被地消;然而，由于這三個(gè)光電二極管的電容是不同的，電容突跳不能完全對(duì)消而仍有少量殘留。不但殘留的成分具有相反的極性，并且由于這些殘留的成分是來(lái)源于一定的特定光電二極管與緊接在前面或前面第二個(gè)光電二極管之間的電容差的，它們的大小幾乎是一樣的。因而，使用信號(hào)處理電路之類，不僅在驅(qū)動(dòng)脈沖作用期間而且直到驅(qū)動(dòng)脈沖下降之后，時(shí)間積分從光電二極管流出的電流，電容突跳的殘留成分幾乎完全被對(duì)消，并且只有在設(shè)定的時(shí)間間隔中進(jìn)入光電二極管的光量被作為一個(gè)電信號(hào)讀出。
這樣，通過(guò)在本發(fā)明的圖象讀取方法或其設(shè)備上加入上述構(gòu)造，可以容易地降低伴隨驅(qū)動(dòng)電壓的噪聲。
此外，本發(fā)明可應(yīng)用于電荷存儲(chǔ)型系統(tǒng)以外的系統(tǒng)上，在這些系統(tǒng)中，很容易出現(xiàn)電容突跳，諸如在光電能量轉(zhuǎn)換元件中的采用cds-cdse之類的光電導(dǎo)型元件，并且在本發(fā)明的范圍內(nèi)而不偏離其精神，通過(guò)熟悉本技術(shù)的人員的智力，有可能作出各種附加的改進(jìn)、修正與改型。


權(quán)利要求
1.一種圖象讀取方法，在該方法中，將一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在布置在一個(gè)一維陣列中的多個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件上，并讀取所述光電能量轉(zhuǎn)換元件的電信號(hào)，其中，驅(qū)動(dòng)電壓作用在所述光電能量轉(zhuǎn)換元件上的驅(qū)動(dòng)側(cè)是分成每X個(gè)元件一塊的Y個(gè)塊的，一個(gè)第一驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在所述塊中的X個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件的單元上，一個(gè)第二驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在各塊中相同的相對(duì)位置上的光電能量轉(zhuǎn)換元件的單元上，以及當(dāng)所述第一驅(qū)動(dòng)電壓與所述第二驅(qū)動(dòng)電壓同時(shí)作用時(shí)，適當(dāng)?shù)墓怆娔芰哭D(zhuǎn)換元件能被驅(qū)動(dòng)。
2.一種圖象讀取方法，在該方法中，將布置在一個(gè)一維陣列中的多個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件分成每X個(gè)元件一塊的n個(gè)第一塊，將一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在所述第一塊中的m個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件的單元上，并讀取所述光電能量轉(zhuǎn)換元件的電信號(hào)，其中，驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在所述分成n個(gè)第一塊上的驅(qū)動(dòng)側(cè)進(jìn)一步分成每X個(gè)第一塊一塊的Y個(gè)第二塊，一個(gè)第一驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在所述第二塊中的X個(gè)第一塊的單元，一個(gè)第二驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在各第二塊中相同的相對(duì)位置上的第一塊的單元上，以及當(dāng)所述第一驅(qū)動(dòng)電壓與所述第二驅(qū)動(dòng)電壓同時(shí)作用在第一塊上時(shí)，第一塊中的m個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件的適當(dāng)單元被驅(qū)動(dòng)。
3.一種圖象讀取設(shè)備，在該設(shè)備中，將一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在布置在一個(gè)一維陣列中的多個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件上，并讀取所述光電能量轉(zhuǎn)換元件的電信號(hào)，其中，驅(qū)動(dòng)電壓作用在光電能量轉(zhuǎn)換元件上的驅(qū)動(dòng)側(cè)分成每X個(gè)元件一塊的Y個(gè)塊，并設(shè)置有一個(gè)第一電壓作用裝置，用于將一個(gè)第一驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在所述塊中的X個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件的單元上，一個(gè)第二電壓作用裝置，用于將一個(gè)第二驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在各塊中相同的相對(duì)位置上的光電能量轉(zhuǎn)換元件的單元上，以及一個(gè)矩陣驅(qū)動(dòng)器，用于在所述第一驅(qū)動(dòng)電壓與所述第二驅(qū)動(dòng)電壓同時(shí)作用時(shí)，將驅(qū)動(dòng)電壓作用在適當(dāng)?shù)墓怆娔芰哭D(zhuǎn)換元件上。
4.一種圖象讀取設(shè)備，在該設(shè)備中，將布置在一個(gè)一維陣列中的多個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件分成每m個(gè)元件一塊的n個(gè)第一塊，將一個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在所述第一塊中的m個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件的單元上，并讀取所述光電能量轉(zhuǎn)換元件的電信號(hào)，其中，驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在所述分成n個(gè)第一塊上的驅(qū)動(dòng)側(cè)進(jìn)一步分成每X個(gè)第一塊一塊的Y個(gè)第二塊，并設(shè)置有，一個(gè)第一電壓作用裝置，用于將一個(gè)第一驅(qū)動(dòng)脈沖順序地作用在所述第二塊中的X個(gè)第一塊的單元上，一個(gè)第二電壓作用裝置，用于將一個(gè)第二驅(qū)動(dòng)電壓順序地作用在各種第二塊中相同的相對(duì)位置上的第一塊的單元上，以及一個(gè)矩陣驅(qū)動(dòng)器，用于在所述第一驅(qū)動(dòng)電壓與所述第二驅(qū)動(dòng)電壓同時(shí)作用在第一塊上時(shí)，作用驅(qū)動(dòng)電壓以驅(qū)動(dòng)第一塊中m個(gè)光電能量轉(zhuǎn)換元件的適當(dāng)單元。
5.權(quán)利要求3或4的圖象讀取設(shè)備，其中，該矩陣驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè)包含電阻器的加法電路。
6.權(quán)利要求3或4的圖象讀取設(shè)備，其中，該矩陣驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè)包含電阻器的加法電路，該加法電路是從構(gòu)成光電能量轉(zhuǎn)換元件的構(gòu)造層中形成的。
7.權(quán)利要求3或4的圖象讀取設(shè)備，其中該矩陣驅(qū)動(dòng)器包括“與”電路。
8.權(quán)利要求3至7中任何一條的圖象讀取設(shè)備，其中，該光電能量轉(zhuǎn)換元件包括串聯(lián)及相反極性連接的一個(gè)光電二極管與一個(gè)阻塞二極管。
全文摘要
圖象讀取方法及設(shè)備，布置在一維陣列中的光電轉(zhuǎn)換元件分成m個(gè)元件一塊的n個(gè)第一塊，驅(qū)動(dòng)電壓作用在各第一塊中的m個(gè)元件的單元上，并讀出其電信號(hào)，驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)側(cè)又分成各含x個(gè)第一塊的y個(gè)第二塊，并設(shè)有第一、第二電壓作用裝置，將第一、第二驅(qū)動(dòng)電壓分別作用在各第二塊中的x個(gè)第一塊的單元上及各第二塊中相同的相對(duì)位置上的第一塊的單元上，矩陣驅(qū)動(dòng)器，當(dāng)?shù)谝慌c第二驅(qū)動(dòng)電壓同時(shí)作用時(shí)，驅(qū)動(dòng)適當(dāng)?shù)牡谝粔K中的m個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件的單元。
文檔編號(hào)H04N3/15GK1098804SQ9410396
公開日1995年2月15日 申請(qǐng)日期1994年4月9日 優(yōu)先權(quán)日1993年4月9日
發(fā)明者村上悟, 細(xì)川洋一, 前田博已 申請(qǐng)人:鐘淵化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社