專(zhuān)利名稱(chēng)：電子阻抗供電電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有為包括第一和第二導(dǎo)線(xiàn)在內(nèi)的電信線(xiàn)路供電的供電電路的電信系統(tǒng)，供電電路包括具有第一晶體管的第一電子阻抗電路和具有第二晶體管的第二電子阻抗電路，電子阻抗電路分別連接在第一電壓參考端和第一導(dǎo)線(xiàn)之間，第二電壓參考端和第二導(dǎo)線(xiàn)之間。這種系統(tǒng)可以是經(jīng)雙絞線(xiàn)與數(shù)個(gè)用戶(hù)裝置相連的專(zhuān)用自動(dòng)分支交換機(jī)，其中裝置可以是模擬裝置，也可以是數(shù)字裝置，分支交換機(jī)可以與公用交換電話(huà)網(wǎng)或任何其它的適用系統(tǒng)相連，而用戶(hù)裝置必須通過(guò)電信線(xiàn)路供電。
本發(fā)明還進(jìn)一步涉及自動(dòng)分支交換機(jī)、線(xiàn)路插板、為電信線(xiàn)路供電的供電電路和電信用戶(hù)裝置。
上述類(lèi)型的電信系統(tǒng)可以從由同一申請(qǐng)人提交的比利時(shí)專(zhuān)利No.1007208A3得知。該比利時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)了包括供電電路的電信系統(tǒng)，其中供電電路通過(guò)雙絞線(xiàn)電信線(xiàn)路向可以連接電信用戶(hù)裝置，例如電話(huà)機(jī)或傳真設(shè)備或數(shù)據(jù)終端，的線(xiàn)路另一端供電。電信裝置由經(jīng)供電電路注入到雙絞線(xiàn)的DC電壓供電。已知的供電電路采用線(xiàn)電壓控制，這樣DC線(xiàn)電流決定于用戶(hù)裝置的供電需求。用此方法，與采用電流控制和不同的電信電路長(zhǎng)度時(shí)不同，供電電路有會(huì)不必要的耗散了功率。在后一種情況下，供電電路將根據(jù)最大線(xiàn)路長(zhǎng)度進(jìn)行設(shè)計(jì)，當(dāng)線(xiàn)路長(zhǎng)度較短時(shí)，就會(huì)浪費(fèi)功率。為了向電信線(xiàn)路注入DC功率，同時(shí)防止信號(hào)功率由導(dǎo)線(xiàn)反饋回DC電源，已知的電路采用對(duì)稱(chēng)地配置在導(dǎo)線(xiàn)和各個(gè)DC功率供電線(xiàn)路之間的電子阻抗。電子阻抗模擬大線(xiàn)圈。這是因?yàn)樵诂F(xiàn)代分支交換機(jī)中，或類(lèi)似設(shè)備中，應(yīng)當(dāng)盡量避免使用大線(xiàn)圈。這種線(xiàn)圈即昂貴又笨重，使得安裝很不方便。電子阻抗包括FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，其控制電極通過(guò)串聯(lián)配置的電阻器、電容器以及FET源極引線(xiàn)內(nèi)的電阻器的結(jié)點(diǎn)與DC供電端子和導(dǎo)線(xiàn)相連。由于電阻器和電容器的串聯(lián)配置，F(xiàn)ET的柵電壓只能緩慢地變化，使得FET源電阻器上的電壓基本上保持恒定。FET漏極上的AC電壓按照與FET的增益成反比的系數(shù)減小。結(jié)果，電子阻抗的特性類(lèi)似于集總單元線(xiàn)圈，等效阻抗值等于FET的源極電阻值與FET增益因子的乘積，DC電阻值實(shí)際上等于源極電阻值。串聯(lián)配置的電阻器優(yōu)選地具有較高的阻值，該電阻器與模擬的線(xiàn)圈并聯(lián)。為了使FET產(chǎn)生最佳的動(dòng)態(tài)工作范圍，并且為了避免信號(hào)畸變和強(qiáng)調(diào)制干擾信號(hào)的解調(diào)，例如來(lái)自功率強(qiáng)大的AM廣播發(fā)射機(jī)的信號(hào)，在FET的控制電極和DC供電端子或?qū)Ь€(xiàn)之間提供了串聯(lián)配置的二極管-電阻對(duì)。盡管該電子阻抗電路在線(xiàn)電流相對(duì)較低的情況下可以令人滿(mǎn)意地工作，但是當(dāng)需要相對(duì)較高的線(xiàn)電流時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題。當(dāng)采用包括為內(nèi)部電路和外部設(shè)備供電的開(kāi)關(guān)功率電源的多功能電信用戶(hù)裝置時(shí)，就需要相對(duì)較高的DC線(xiàn)電流，例如在200mA量級(jí)。在線(xiàn)路的另一端，線(xiàn)電壓應(yīng)當(dāng)相對(duì)較低。當(dāng)采用需要恒定功率的開(kāi)關(guān)功率電源時(shí)，如果線(xiàn)電壓減小，線(xiàn)電流就增加。此外，在分支交換機(jī)這一側(cè)，線(xiàn)電壓的典型值為-48伏特，但是在饋電線(xiàn)路斷路的情況下，當(dāng)開(kāi)始使用蓄能電路時(shí)，該線(xiàn)電壓可能會(huì)下降到-42伏特。在上述條件下，重要的是要保證替換集總單元線(xiàn)圈的電路上的電壓下降盡可能地小。已知的電路包括連接在源極電極和導(dǎo)線(xiàn)或DC供電端子之間的電阻器。該電阻器應(yīng)當(dāng)足夠地大，以便使電路阻抗盡可能地大，同時(shí)還應(yīng)足夠地小，以保證不會(huì)產(chǎn)生過(guò)大的電壓降。當(dāng)需要相對(duì)較大的線(xiàn)電流時(shí)，在獲得滿(mǎn)意的系統(tǒng)操作的前提下，這種折衷是難于實(shí)現(xiàn)的。
法國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.2254168公開(kāi)了用于電信線(xiàn)路的、包括達(dá)林頓晶體管對(duì)而不是FET的供電電路。連接成電子阻抗形式的達(dá)林頓晶體管對(duì)具有與單一FET不同的電學(xué)特性，它具有較大的放大因子。這種達(dá)林頓結(jié)構(gòu)可以用于切換相對(duì)較高的電流，但是對(duì)于線(xiàn)性應(yīng)用或者以相對(duì)較高的頻率，例如40-200kHz，在線(xiàn)路上輸入數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的情況下，達(dá)林頓晶體管對(duì)的性能不是很好。這是因?yàn)檫_(dá)林頓晶體管是電流-電流的放大器，其主電流能夠在向達(dá)林頓晶體管施加控制電流之后迅速地建立起來(lái)，而在當(dāng)其被關(guān)斷時(shí)，該主電流下降得很慢，即，達(dá)林頓晶體管開(kāi)啟速度很快(高增益)，而關(guān)斷速度很慢。由于較高的閉環(huán)增益，達(dá)林頓晶體管對(duì)很不穩(wěn)定，即電流容易發(fā)生振蕩或產(chǎn)生稱(chēng)為低頻寄生振蕩(motorboating)的現(xiàn)象。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種上述類(lèi)型的、對(duì)于較高的DC線(xiàn)電流具有較好特性的電信系統(tǒng)。
為了這一目的，根據(jù)本發(fā)明的電信系統(tǒng)的特征是供電電路包括具有第三晶體管的第一電子阻抗倍增電路和具有第四晶體管的第二電子阻抗倍增電路，第一晶體管的主電流通路與在第一參考電壓端和第一導(dǎo)線(xiàn)之間的第三晶體管的主電流通路串聯(lián)，第二晶體管的主電流通路與在第二參考電壓端和第二導(dǎo)線(xiàn)之間的第四晶體管的主電流通路串聯(lián)。以這種方式，阻抗倍增是可控制的，即至少可以處于兩個(gè)獨(dú)立的狀態(tài)，同時(shí)倍增電子阻抗上的DC電壓降相對(duì)較低。AC阻抗可以通過(guò)連接兩個(gè)以上的、共陰共柵結(jié)構(gòu)的電子阻抗倍增電路而增加。
在根據(jù)本發(fā)明的的電信系統(tǒng)的實(shí)施方案中，供電電路包括至少一個(gè)反向偏置的二極管或串聯(lián)起來(lái)的反向偏置二極管，以及分別連接在電子阻抗電路或電子阻抗倍增電路中的至少一個(gè)晶體管的控制極與一個(gè)參考電壓端子或一條導(dǎo)線(xiàn)之間的電阻器。以這種方式，可以有效地抑制AM調(diào)制干擾信號(hào)，例如否則可以聽(tīng)到的強(qiáng)無(wú)線(xiàn)電信道的信號(hào)。晶體管的偏置電壓可以較小。如果二極管檢測(cè)到AM干擾信號(hào)，晶體管的信號(hào)控制擺幅將動(dòng)態(tài)地增大。
在根據(jù)本發(fā)明的電信系統(tǒng)的另一個(gè)實(shí)施方案中，第一或第二晶體管的主電極通過(guò)串聯(lián)配置的至少一個(gè)正向偏置二極管和電阻器，分別連接在第一電壓參考端和/或第二導(dǎo)線(xiàn)。以這種方式，倍增電子阻抗的DC電壓擺幅至少下降了一個(gè)正向偏置二極管的管壓降，由此減少了功率損耗。
在根據(jù)本發(fā)明的電信系統(tǒng)的另一個(gè)實(shí)施方案中，第三和/或第四晶體管的主電極分別連接到第一電壓參考端和/或第二導(dǎo)線(xiàn)，其中第三和/或第四晶體管的控制電極通過(guò)串聯(lián)配置的第一晶體管、第一正向偏置二極管和第二正向偏置二極管連接到主電極，第一電阻器和第一二極管的結(jié)點(diǎn)通過(guò)第二電阻器連接到第三電壓參考端。這樣，可以顯著地降低倍增電子阻抗的DC電壓擺幅，進(jìn)而減少了功率損耗。由此，可以使用較小的晶體管，相應(yīng)地散熱器可以很小或者根本不用散熱器。
在根據(jù)本發(fā)明的電信系統(tǒng)的另一個(gè)實(shí)施方案中，第一電子阻抗電路和/或第二電子阻抗電路包括將第一和/或第二晶體管的主電極之間的電壓控制在預(yù)定電壓值的控制環(huán)路。這樣，對(duì)于確定的主電極通路電阻值，電子阻抗電路中的晶體管主電極間的DC電壓可以控制在實(shí)現(xiàn)正常操作所必需的最小可能值，這樣該晶體管可以較小。通過(guò)采用控制環(huán)路而不是采用前一實(shí)施方案中的補(bǔ)償方法，可以在所有的操作環(huán)境下將DC電壓控制在相同的低電壓和/或控制在FET的柵-源電壓的容許范圍內(nèi)。
下面將參照附圖，以舉例的方式，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述，其中

圖1簡(jiǎn)要地示例了根據(jù)本發(fā)明的電信系統(tǒng)。
圖2示例了根據(jù)本發(fā)明的電信用戶(hù)裝置的框圖。
圖3示例了根據(jù)本發(fā)明、在為電信線(xiàn)路供電的供電電路中使用的電子阻抗電路的實(shí)施方案。
圖4示例了根據(jù)本發(fā)明的電子阻抗電路的另一個(gè)實(shí)施方案。
圖5示例了根據(jù)本發(fā)明的電子阻抗電路的另一個(gè)實(shí)施方案。
圖6示例了根據(jù)本發(fā)明的電子阻抗電路的另一個(gè)實(shí)施方案，和圖7示例了在根據(jù)本發(fā)明的的供電電路中至少兩個(gè)電子阻抗倍增電路的共陰共柵配置。
在全部的圖形中，相同的參考數(shù)字表示相同的部件。
圖1簡(jiǎn)略地示例了根據(jù)本發(fā)明的電信系統(tǒng)1，包括可以與公共交換電信網(wǎng)絡(luò)3相連的自動(dòng)分支交換機(jī)2。自動(dòng)分支交換機(jī)2包括數(shù)個(gè)線(xiàn)路插板，圖中示出了一個(gè)線(xiàn)路插板4。通常，線(xiàn)路插板包括數(shù)個(gè)為電信線(xiàn)路供電的供電電路。供電電路5示例為向通常的包括第一導(dǎo)線(xiàn)a和第二導(dǎo)線(xiàn)b的雙絞線(xiàn)的電信線(xiàn)路6提供DC功率。供電電路5向線(xiàn)路6注入DC功率，有用信號(hào)，例如聲音和/或數(shù)字信號(hào)通過(guò)變換器7注入到線(xiàn)路6。DC隔斷電容器8用于防止DC供電電壓通過(guò)變換器7短路。供電電路具有產(chǎn)生處于第一參考電壓端9和第二參考電壓端10之間的線(xiàn)電壓，通常為-48伏特，的電壓生成裝置(未示出細(xì)節(jié))。供電電路5包括模擬集總單元線(xiàn)圈的第一電子阻抗電路11和第二電子阻抗電路12，即電子阻抗對(duì)于通過(guò)電信線(xiàn)路6發(fā)射和接收的信號(hào)具有較高的阻抗，以避免信號(hào)不流入DC供電線(xiàn)路，電子阻抗對(duì)于DC信號(hào)具有較低的阻抗，這樣盡可能地減小DC功率損耗。供電電路5的結(jié)構(gòu)可以確保對(duì)電信線(xiàn)路6的DC電壓進(jìn)行控制。因此，線(xiàn)電流可以由通過(guò)端子a’和b’與電信線(xiàn)路6的另一端相連的電信用戶(hù)裝置13所需的電流來(lái)確定，進(jìn)而，線(xiàn)路6上的功率損耗將盡可能地小。線(xiàn)路插板6包括其它的供電電路，簡(jiǎn)要地由其它的變換器14、15和虛線(xiàn)表示。
圖2示例了根據(jù)本發(fā)明的電信用戶(hù)裝置13的框圖，包括通過(guò)DC阻斷電容器21與電信線(xiàn)路6的端子a’和b’相連的變換器20。通過(guò)變換器20，到達(dá)和離開(kāi)電信線(xiàn)路6的信號(hào)通過(guò)用戶(hù)裝置13中的其它電路和裝置22以眾知的方式進(jìn)行交換。用戶(hù)裝置13還包括將來(lái)自電信線(xiàn)路的DC功率供應(yīng)給其它電路和裝置22的供電電路23。供電電路23包括由二極管24、25、26以及27組成的二極管橋路和模擬集總單元線(xiàn)圈的電子阻抗電路28和29。電子阻抗電路28和29的一端分別與端子a’和b’相連，而另一端與二極管橋路相連。盡管為了保證不會(huì)聽(tīng)到電信線(xiàn)路上的共模干擾信號(hào)，優(yōu)選地是電子阻抗電路28和29同時(shí)存在，但是在特定的環(huán)境下，可以將其中的一個(gè)電子阻抗電路短路。
圖3示例了根據(jù)本發(fā)明、在為電信線(xiàn)路6供電的供電電路5中使用的電子阻抗電路11的實(shí)施方案。電子阻抗電路12、28和29在結(jié)構(gòu)上是類(lèi)似的。電子阻抗電路11包括在其主電流路徑上裝有電阻器33的晶體管32。電阻器34連接在電子阻抗電路11的端子35和晶體管32的控制電極之間，電容器36連接在晶體管32的控制電極和電子阻抗電路11的端子37之間。電子阻抗電路11還包括晶體管38，其主電流路徑與晶體管32的主電流路徑串聯(lián)，其控制電極與串聯(lián)配置的電阻器40和電容器41的結(jié)點(diǎn)39相連。根據(jù)本發(fā)明，第一電子阻抗電路31由晶體管38、電阻器33和40、以及電容器41構(gòu)成，電子阻抗倍增電路由晶體管32、電阻器34和電容器36構(gòu)成。如果電子阻抗電路11只包括基本的電子阻抗電路31，那么電阻器33的阻值應(yīng)當(dāng)高得使電路的AC阻抗足夠地高，同時(shí)其阻值又應(yīng)當(dāng)?shù)偷檬闺娮幼杩?1上的DC電壓降不過(guò)高，即需要對(duì)其阻值的選擇進(jìn)行折衷。特別是對(duì)于較高的線(xiàn)電流，即在200mA的量級(jí)，這種折衷是很難實(shí)現(xiàn)的。在結(jié)點(diǎn)39的相對(duì)端，電阻器40連接到結(jié)點(diǎn)42，電容器41連接到端子37。為了保證電子阻抗11的正常工作，應(yīng)當(dāng)向結(jié)點(diǎn)42提供給定的參考電壓。在給定的實(shí)施方案中，饋給結(jié)點(diǎn)42的電壓比端子35處的電壓低一個(gè)正向偏置二極管的管壓降。這可以通過(guò)在端子35和結(jié)點(diǎn)42之間連接一個(gè)正向偏置的二極管43而實(shí)現(xiàn)，該二極管由電阻器44提供偏置電流。結(jié)點(diǎn)42還可以與晶體管32和38的主通路和晶體管32和38之間的結(jié)點(diǎn)相連。通過(guò)以可控的方式使用阻抗倍增，電子阻抗電路11中的功率損耗與基本電子阻抗電路31相比可以顯著地降低，且不會(huì)發(fā)生使用達(dá)林頓晶體管對(duì)時(shí)出現(xiàn)的不穩(wěn)定現(xiàn)象。電阻器33的阻值應(yīng)大大的低于基本電子阻抗中的阻值。選擇晶體管32和38組成的控制電路中的元件的值，使晶體管32的主電極上的電壓擺幅足以保證其動(dòng)態(tài)特性，并且使得晶體管38的主電極上的電壓擺幅盡可能地低，基本上沒(méi)有信號(hào)出現(xiàn)在晶體管38的主電極上。與電阻器33的阻值為40歐姆、晶體管的DC電壓擺幅為2伏特、電流為200毫安的基本電子阻抗中的典型功率損耗2W相比，根據(jù)本發(fā)明的電路中的功率損耗將顯著地降低。產(chǎn)生這種降低的一個(gè)因素是電阻器33的阻值可以選得很小，通常為1歐姆量級(jí)。根據(jù)該實(shí)施方案，對(duì)于200毫安的電流，功率損耗可降低到0.3W至0.8W之間。此外，電子阻抗電路11可以包括串聯(lián)配置的反向偏置二極管和電阻器，以便更好地抑制共模調(diào)幅干擾信號(hào)。在特定的實(shí)施方案中，串聯(lián)配置的二極管45和電阻器46以及串聯(lián)配置的二極管47和電阻器48分別通過(guò)電阻器40和34連接起來(lái)。晶體管32和38可以是雙極晶體管或場(chǎng)效應(yīng)晶體管。在同時(shí)使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極晶體管的情況下，晶體管32優(yōu)選地是場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
圖4示例了根據(jù)本發(fā)明的電子阻抗電路11的另一個(gè)實(shí)施方案，結(jié)點(diǎn)42與電阻器50的結(jié)點(diǎn)49相連，該電阻器的另一個(gè)結(jié)點(diǎn)與結(jié)點(diǎn)35相連，結(jié)點(diǎn)42還與由至少一個(gè)正向偏置的二極管51構(gòu)成的串聯(lián)結(jié)構(gòu)相連，該結(jié)構(gòu)的另一端與晶體管32和38的主電極結(jié)點(diǎn)相連。圖中所示的還包括一個(gè)二極管52。與結(jié)點(diǎn)42直接與該主電極結(jié)點(diǎn)相連的實(shí)施方案相比，如果使用硅二極管，晶體管38的主電極上的電壓一般會(huì)降低1.2V。
圖5示例了根據(jù)本發(fā)明的電子阻抗電路11的另一個(gè)實(shí)施方案。在該實(shí)施方案中，結(jié)點(diǎn)42是兩個(gè)正向偏置的二極管55和56之間的結(jié)點(diǎn)，二極管56的另一端與端子35相連，二極管55的另一端通過(guò)電阻器58與參考端子57相連。端子57上的參考電平比端子35上的參考端子高。如果晶體管32和38是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，例如柵-源電壓均為2伏特，在特定的實(shí)施方案中，這種相對(duì)較大的柵-源電壓可以得到部分地補(bǔ)償。電阻器34和40具有較大的阻值，這樣，如果端子35處于地電平，晶體管32的柵極電壓為1.2伏特，晶體管38的柵極電壓為0.6伏特。在給定的例子中，假設(shè)電阻器33的阻值為1歐姆、電流為200mA，與基本電子阻抗電路相比較，耗散功率一般由2W降為0.3W。
圖6示例了根據(jù)本發(fā)明的電子阻抗電路11的另一個(gè)實(shí)施方案。該實(shí)施方案與上述實(shí)施方案的不同之處在于實(shí)施方案中所使用的、用于調(diào)節(jié)晶體管38的主電極電壓的補(bǔ)償方法。在給定的實(shí)施方案中，可以采用閉環(huán)控制實(shí)現(xiàn)這種調(diào)節(jié)，不管參數(shù)如何變化，它可以給出精確的、預(yù)期的電壓調(diào)節(jié)。電子阻抗電路包括通過(guò)控制電路60來(lái)控制電壓的控制回路?？刂齐娐?0包括第一雙極型控制晶體管61，其發(fā)射極通過(guò)電阻器62與晶體管38的源極相連，其基極通過(guò)電阻器63與晶體管38的漏極相連。晶體管61的集電極與第二控制晶體管64的基極相連。晶體管64的集電極通過(guò)電阻器65與晶體管38的源極以及結(jié)點(diǎn)42相連。晶體管64的發(fā)射極通過(guò)電阻器67與結(jié)點(diǎn)66相連。晶體管64的基極通過(guò)電阻器68與結(jié)點(diǎn)66相連。這樣，可以控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管使其主電極上的電壓較低，這樣，因?yàn)楹纳⒐β屎苄?，該晶體管可以很小。工作過(guò)程如下。如果晶體管38的漏-源電壓高于晶體管61的基極-發(fā)射極電壓，對(duì)于硅晶體管該電壓為0.6伏特，則晶體管61導(dǎo)通。然后，流過(guò)晶體管61的電流使晶體管64導(dǎo)通。由于晶體管64的集電極與結(jié)點(diǎn)42相連，控制環(huán)路是閉環(huán)的。這樣，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏-源電壓可以控制在等于晶體管的基極-發(fā)射極電壓與一個(gè)大約為零點(diǎn)幾伏特的、較小的電壓之和的電壓值上，這個(gè)較小的電壓值決定于環(huán)路增益。為了穩(wěn)定，環(huán)路增益相對(duì)較低。通過(guò)將電阻器69連接在晶體管61的基極和晶體管38的源極之間，可以增大漏-源電壓，即0.6伏特加上一個(gè)等于0.6伏特乘以電阻器63的阻值與電阻器69的阻值之比的部分電壓?？梢圆捎梅謮浩?未示出細(xì)節(jié))來(lái)代替電阻器63和69，分壓器連接在晶體管38的漏極和源極之間，其滑動(dòng)觸點(diǎn)與晶體管61的基極相連。這樣，可以很容易地將晶體管的漏-源電壓調(diào)節(jié)到0.6伏特與更高電壓值之間的任何所需的電壓值。
圖7示例了在電子阻抗電路11中的、根據(jù)本發(fā)明的供電電路內(nèi)部的、至少兩個(gè)電子阻抗倍增電路75和76構(gòu)成的共陰共柵結(jié)構(gòu)。倍增電路75和76的結(jié)構(gòu)類(lèi)似于上述的電路結(jié)構(gòu)。這樣，可以在保證電路穩(wěn)定的前提下，大大地提高AC阻抗。這是因?yàn)榄h(huán)路增益均未超過(guò)單級(jí)增益，同時(shí)阻抗倍增因子隨倍增級(jí)數(shù)的增加而增加。
權(quán)利要求
1.一種電信系統(tǒng)，包括為具有第一和第二導(dǎo)線(xiàn)的電信線(xiàn)路供電的供電電路，其中供電電路包括具有第一晶體管的第一電子阻抗電路和具有第二晶體管的第二電子阻抗電路，電子阻抗電路分別連接在第一參考電壓端和第一導(dǎo)線(xiàn)之間以及連接在第二參考電壓端和第二導(dǎo)線(xiàn)之間，其特征是供電電路包括具有第三晶體管的第一電子阻抗倍增電路和具有第四晶體管的第二電子阻抗倍增電路，第一晶體管的主電流通路與在第一參考電壓端和第一導(dǎo)線(xiàn)之間的第三晶體管的主電流通路串聯(lián)，第二晶體管的主電流通路與在第二參考電壓端和第二導(dǎo)線(xiàn)之間的第四晶體管的主電流通路串聯(lián)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電信系統(tǒng)，其中供電電路包括至少一個(gè)具有與第一電子阻抗倍增電路成共陰共柵配置的晶體管的第三電子阻抗倍增電路和至少一個(gè)具有與第二電子阻抗倍增電路成共陰共柵配置的晶體管的第四電子阻抗倍增電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的電信系統(tǒng)，其中供電電路包括至少一個(gè)反向偏置二極管或反向偏置二極管的串聯(lián)配置，以及分別連接到電子阻抗電路或電子阻抗倍增電路中的至少一個(gè)晶體管的控制電極和一個(gè)電壓參考端或一條導(dǎo)線(xiàn)的電阻器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3的電信系統(tǒng)，其中第一和/或第二晶體管的主電極分別通過(guò)串聯(lián)配置的至少一個(gè)正向偏置二極管和電阻器連接到第一電壓參考端和/或第二導(dǎo)線(xiàn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3的電信系統(tǒng)，其中第三和/或第四晶體管的主電極分別連接到第一電壓參考端和/或第二導(dǎo)線(xiàn)，其中第三和/或第四晶體管的控制電極通過(guò)串聯(lián)配置的第一電阻器、第一正向偏置二極管和第二正向偏置二極管連接到主電極，第一電阻器和第一二極管的結(jié)點(diǎn)通過(guò)第二電阻器連接到第三電壓參考端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3的電信系統(tǒng)，其中第一電子阻抗電路和/或第二電子阻抗電路包括將第一和/或第二晶體管的主電極之間的電壓控制在預(yù)定電壓值的控制環(huán)路。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的電信系統(tǒng)，其中控制環(huán)路包括第一控制晶體管，其第一主電極連接到電子阻抗電路中的一個(gè)晶體管的主電極，其控制電極連接到上述電子阻抗電路中的晶體管的其它主電極，其第二主電極連接到第二控制晶體管的控制電極，其中第二控制晶體管的一個(gè)主電極連接到上述電子阻抗電路中的晶體管的一個(gè)主電極和電子電路中的晶體管的控制電極，第二控制晶體管的另一個(gè)主電極連接到第四電壓參考端。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2的電信系統(tǒng)，包括與電信線(xiàn)路相連的電信用戶(hù)裝置，用戶(hù)裝置包括向電信用戶(hù)裝置的內(nèi)部電路供電的電源，其中用戶(hù)裝置包括至少一個(gè)具有晶體管的電子阻抗電路，電子阻抗電路連接在一條導(dǎo)線(xiàn)和兩個(gè)功率供電端子中的一個(gè)之間，其中用戶(hù)裝置還包括至少一個(gè)具有晶體管的電子阻抗倍增電路，晶體管的主電流通路串聯(lián)在至少一條導(dǎo)線(xiàn)和至少一個(gè)功率供電端子之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求3的電信系統(tǒng)，其中電信用戶(hù)裝置包括如權(quán)利要求3所聲明的、相對(duì)于功率源和導(dǎo)線(xiàn)對(duì)稱(chēng)配置的電子阻抗電路和電子阻抗倍增電路。
10.一種自動(dòng)分支交換機(jī)，包括為具有第一和第二導(dǎo)線(xiàn)的電信線(xiàn)路供電的供電電路，供電電路包括具有第一晶體管的第一電子阻抗電路和具有第二晶體管的第二電子阻抗電路，電子阻抗電路分別連接在第一電壓參考端和用于連接第一導(dǎo)線(xiàn)的第一導(dǎo)線(xiàn)端子之間，以及第二電壓參考端和用于連接第二導(dǎo)線(xiàn)的第二導(dǎo)線(xiàn)端子之間，其特征是供電電路包括具有第三晶體管的第一電子阻抗倍增電路和具有第四晶體管的第二電子阻抗倍增電路，第一晶體管的主電流通路在第一參考電壓端和第一導(dǎo)線(xiàn)端子之間的和第三晶體管的主電流通路串聯(lián)，第二晶體管的主電流通路和在第二參考電壓端和第二導(dǎo)線(xiàn)端子之間的第四晶體管的主電流通路串聯(lián)。
11.一種自動(dòng)分支交換機(jī)的線(xiàn)路插板，包括權(quán)利要求5聲明的供電電路。
12.一種為具有第一和第二導(dǎo)線(xiàn)的電信線(xiàn)路供電的供電電路，該供電電路包括具有第一晶體管的第一電子阻抗電路和具有第二晶體管的第二電子阻抗電路，電子阻抗電路分別連接在第一電壓參考端和用于連接第一導(dǎo)線(xiàn)的第一導(dǎo)線(xiàn)端子之間，以及第二電壓參考端和用于連接第二導(dǎo)線(xiàn)的第二導(dǎo)線(xiàn)端子之間，其特征是供電電路包括具有第三晶體管的第一電子阻抗倍增電路和具有第四晶體管的第二電子阻抗倍增電路，第一晶體管的主電流通路和在第一參考電壓端和第一導(dǎo)線(xiàn)端子之間的第三晶體管的主電流通路串聯(lián)，第二晶體管的主電流通路和在第二參考電壓端和第二導(dǎo)線(xiàn)端子之間的第四晶體管的主電流通路串聯(lián)。
13.一種與具有第一和第二導(dǎo)線(xiàn)的電信線(xiàn)路相連的電信用戶(hù)裝置，該用戶(hù)裝置包括為電信用戶(hù)裝置的內(nèi)部電路供電的電源，其中用戶(hù)裝置包括至少一個(gè)具有晶體管的電子阻抗電路，電子阻抗電路連接在一條導(dǎo)線(xiàn)和兩個(gè)功率供應(yīng)端子中的一個(gè)之間，其中用戶(hù)裝置還包括至少一個(gè)具有晶體管的電子阻抗倍增電路，該晶體管的主電流通路串聯(lián)在至少一條導(dǎo)線(xiàn)和至少一個(gè)功率供應(yīng)端子之間。
全文摘要
已知的電信系統(tǒng)包括為電信線(xiàn)路供電的供電電路,其中電信線(xiàn)路包括模擬集總單元線(xiàn)圈的電子阻抗。這些線(xiàn)圈用于防止AC信號(hào)饋入DC功率供電端子。供電電路向電信線(xiàn)路供應(yīng)DC電流,以便為線(xiàn)路另一端的電信用戶(hù)裝置供電。已知的電路不適于當(dāng)供給多功能用戶(hù)裝置時(shí)相對(duì)大的DC線(xiàn)電流。這里提出的供電電路應(yīng)當(dāng)適合于通過(guò)不同長(zhǎng)度的電信線(xiàn)路向需要大量供電功率的電信用戶(hù)裝置供電。供電電路包括具有晶體管的電子阻抗,該晶體管的主電流通路與阻抗倍增電路晶體管的主電流通路串聯(lián)。優(yōu)選的是,電子阻抗電路的主電極之間的電壓由閉環(huán)控制裝置控制。
文檔編號(hào)H04Q3/42GK1200218SQ97191182
公開(kāi)日1998年11月25日 申請(qǐng)日期1997年7月17日 優(yōu)先權(quán)日1996年9月3日
發(fā)明者G·拉德馬克 申請(qǐng)人:菲利浦電子有限公司