專利名稱：監(jiān)視器的地磁場自動校正裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及計算機監(jiān)視器的地磁場校正，特別涉及監(jiān)視器的地磁場自動校正裝置，用該裝置可自動進行地磁場校正，由此獲得色彩清晰和屏幕對中良好的高質量圖象。
通常，用三維矢量表示空間中的磁場，該磁場影響計算機監(jiān)視器的偏轉。
因此，如果改變監(jiān)視器的方向或將監(jiān)視器移動到其它區(qū)域，那么周圍的磁場改變，導致監(jiān)視器的圖象質量下降。
為了解決該問題，已經提出了校正地磁場的一些技術，以保證監(jiān)視器良好的圖象質量。
其中包括韓國專利公開No.96-16849和韓國專利申請公開No.95-24598。
首先，作為現有技術之一的專利公開No.96-16849披露了一種校正地磁場的裝置，該裝置包括備用電源單元11，在被提供電源時輸出恒定電壓Vcc；遙控器20，設置TV系統(tǒng)的操作狀態(tài)和選擇地磁場校正模式；遙控器接收單元19，接收遙控器20的發(fā)射信號；前置放大器18，將遙控器接收單元19的輸出信號放大到預定電平；微處理器15，對從前置放大器18輸出的信號進行解碼并輸出屏幕顯示，該屏幕顯示指示當根據接收的來自備用電源單元11的輸出Vcc選擇地磁場校正功能時，用于設定校正模式的相應模式的羅盤方向和用于控制相應模式的信號；色度單元16，一旦接收來自微處理器15的輸出信號，就按照設定的CPT(彩色顯象管)的校正模式指示羅盤方向；電流開關單元14，按照微處理器15的繼電器驅動信號S1接通和關斷裝置線圈12的電流；和地磁場校正單元17，根據微處理器15的模式信號S3-S5，控制電流的方向和強度，使地磁場的影響最小。
電流開關單元14包括晶體管Q1和繼電器RY1。
地磁場校正單元17包括晶體管Q7和Q8、晶體管Q2、晶體管Q3、Q4、Q5和Q6，晶體管Q7和Q8的發(fā)射極通過電阻R10和R13接地，而基極通過電阻R11和R14與微處理器15的輸出端子S3和S5連接，晶體管Q2的發(fā)射極接地，而基極通過電阻R2與微處理器15的輸出端子S4連接，晶體管Q3和Q4、Q5和Q6的各基極共同與各電阻R3和R4的一端連接，而各發(fā)射極連接在一起，地磁場校正線圈L2和電容器C1分別連接在接觸點之間，晶體管Q3和Q5的集電極連接在一起，其接觸點通過電阻R7連接到電壓B+，晶體管Q7的集電極和電阻R3的另一端通過電阻R9連接在一起，晶體管Q8的集電極與電阻R4的另一端連接，而其接觸點通過電阻R12連接到電壓B+，晶體管Q4和Q6的集電極連接在一起，其接觸點通過電阻R5接地，通過電阻R6與晶體管Q2的集電極連接。
遙控器20包括鑒別電視機位置方向的羅盤，用于校正地磁場。
下面，參照圖2至圖4說明常規(guī)技術的校正地磁場裝置的操作過程。
首先，當電源接通時，備用電源單元11將恒定電壓Vcc輸出給微處理器15的輸入端子S2，因此，備用狀態(tài)下的微處理器15檢查前置放大器18的輸出信號。
此時，當電源鍵處于關斷狀態(tài)時，微處理器15將繼電器驅動信號S1輸出給電流開關單元14，截止晶體管Q1，從而斷開繼電器RY1，并輸出低電壓的地磁場校正信號S3-S5，以保持系統(tǒng)的關斷狀態(tài)。
而且，當用戶從遙控器輸入電源鍵時，由遙控器接收單元19接收遙控器20的發(fā)射信號，該接收信號由前置放大器18放大至預定的電平，然后輸出給微處理器15。
一旦收到來自前置放大器18的輸出信號，那么當微處理器15通過解碼鑒別電源鍵的輸入并將繼電器驅動信號S1輸出給電流開關單元14時，晶體管Q1就導通，驅動繼電器RY1，由此，接觸點‘a’和‘b’被連接，電源就提供給電源單元13，以便裝置線圈12控制電流。
換句話說，當電源接通時，電流流過裝置線圈12的熱敏電阻TH和線圈L1，隨著時間的推移，由于電阻值根據熱敏電阻TH的溫度特性增加，所以少量電流流過線圈L1，使監(jiān)視器的磁場消磁。
同時，當電源接通時，微處理器15鑒別是否選擇了地磁場校正鍵。在這種情況下，如果未選擇鍵，那么返回到操作的初始步驟，而如果用戶通過遙控器20選擇了地磁場校正鍵，那么微處理器15通過遙控接收單元19和前置放大器18檢測鍵輸入，并進行解碼。微處理器通過該解碼鑒別地磁場校正功能的選擇。
當微處理器15通過解碼來自前置放大器18的輸出信號來鑒別地磁場校正功能的選擇之時，微處理器將羅盤方向指示信號OSD輸出給色度單元16。然后，在CPT(彩色顯象管)屏幕上進行屏幕顯示，在利用附帶于遙控器20上的羅盤確定電視機位置的方向后，用戶選擇遙控器20的相應鍵，以便通過一步一步變換地磁場校正模式來設定與電視機位置方向對應的模式。
就是說，在確定電視機位置的方向后，當用戶按壓遙控器20的地磁場校正模式設定鍵之時，微處理器15將對應模式的屏幕顯示信號OSD輸出給色度單元16，于是根據各模式的屏幕顯示順序地顯示在CPT的屏幕上。在這方面，當顯示到與電視機位置的(用附加于遙控器20上的羅盤鑒別的)方向相同的屏幕顯示時，用戶便可以選擇設定相應模式的設定鍵。
例如，如果電視機從標準方向轉動30°(‘A’方向)，那么在選擇地磁場校正模式后，將設定屏幕顯示方向的地磁場設定為‘A’方向。
當完成地磁場校正模式的設定時，微處理器15根據對應的設定模式將地磁場校正信號S3、S4和S5輸出給地磁場校正單元17。
詳細地說，在電視機位置的方向被識別為標準方向和選擇‘模式0’的情況下，由于微處理器15僅將高電壓的地磁場校正信號S3和S5輸出給地磁場校正單元17，所以晶體管Q7和Q8導通，而晶體管Q3和Q5截止。因此，由于電流不流過地磁場校正線圈L2，所以不進行地磁場校正。
同時，在電視機位置的方向被識別為‘A’方向和選擇‘模式1’的情況下，由于微處理器15僅輸出高電壓的地磁場校正信號S3，所以地磁場校正單元17的晶體管Q4、Q5和Q7導通，小電流在‘A’方向(即B+→R7→Q5→L2→Q3→R5)上流動，從而校正消磁狀態(tài)。
如果將地磁場校正模式設定為從‘模式1’變?yōu)椤Ｊ?’，那么電視機位置的方向就被識別為‘C’方向，微處理器15輸出高電壓的地磁場校正信號S3和S4。接著，地磁場校正單元17的晶體管Q2、Q4、Q5和Q7導通，流過電阻R5的電流也流過電阻R6和晶體管Q2，從而增加電流量(電流的流動B+→R7→Q5→L2→Q4→R6→Q2)。
如果將地磁場校正模式設定為‘模式3’，那么電視機位置的方向就被識別為‘C’方向，微處理器15輸出高電壓的地磁場校正信號S4和S5。接著，晶體管Q2和Q8導通，并因此晶體管Q3和Q6導通，由此，大電流在‘B’方向(B+→R7→Q3→L2→Q6→R6→Q2)上流動，從而校正消磁狀態(tài)。
如果將地磁場校正模式設定為‘模式4’，那么電視機位置的方向就被識別為‘D’方向，微處理器15僅輸出高電壓的地磁場校正信號S5。接著，地磁場校正單元17的晶體管Q8導通，并因此使晶體管Q3和Q6導通，于是小電流在‘B’方向(B+→R7→Q3→L2→Q6→R5)上流動。
圖3表示根據設定的地磁場校正模式，在微處理器15輸出地磁場校正信號S3-S5時的地磁場校正單元17的狀態(tài)。
就是說，在常規(guī)技術的該實例中，根據電視機位置的方向選擇地磁場校正模式，由此當設定了相應模式時，可自動校正地磁場，從而提供清晰的彩色圖象。
同時，作為圖5所示的常規(guī)技術的另一個實例，韓國專利申請公開No.95-24598披露了陰極射線管的偏轉校正裝置，該裝置包括校正量確定單元110，具有對應于各方向的校正量信號并輸出各校正量信號；方向檢測和選擇單元120，檢測陰極射線管的方向，并根據檢測結果，有選擇地輸出從校正量確定單元110輸入的其中一個校正量信號；和偏轉校正單元130，根據方向檢測和選擇單元120輸出的校正量信號，校正陰極射線管的偏轉。
方向檢測和選擇單元120包括方向傳感器和輸出選擇開關，方向傳感器輸出檢測結果信號，而輸出選擇開關根據檢測結果信號有選擇地輸出校正量確定單元110的校正量信號。
下面，說明按照常規(guī)技術的陰極射線管的偏轉校正裝置的操作。
首先，在制造監(jiān)視器時將各方向的校正量信號存儲在校正量確定單元110中。
當放置監(jiān)視器時設定地磁場校正模式，此時，方向檢測和選擇單元120的方向傳感器檢測陰極射線管的方向，輸出選擇開關選擇從校正量確定單元110輸出與檢測結果信號對應的校正量信號，接著將該信號輸出給偏轉校正單元130。
然后，按照從方向檢測和選擇單元120中有選擇地輸出的校正量信號，偏轉校正單元130校正陰極射線管的偏轉，從而提供高質量的清晰的彩色圖象。
但是，就如上所述的前一常規(guī)技術而言，由于首先要用羅盤來識別監(jiān)視器放置區(qū)域的方向，然后按照識別的方向選擇地磁場校正模式，所以為了精確地校正地磁場，需要存儲許多校正模式數據，這導致需要大的存儲器，由此不可避免地要造成產品單位成本的增加。
再有，就如上所述的后一常規(guī)技術來說，由于地磁場在各個區(qū)域是不同的，所以為校正各區(qū)域地磁場存在與前一常規(guī)技術相同的問題。
因此，本發(fā)明的目的在于提供用于監(jiān)視器的自動校正地磁場的裝置，在該裝置中，利用小的存儲容量，通過檢測周邊磁場來自動地校正屏幕，從而在校正地磁場上給用戶提供了方便，并保持最佳的圖象質量。
為了實現這些和其它優(yōu)點以及按照本發(fā)明的目的，此處概括地說明如下，本發(fā)明提供一種監(jiān)視器的地磁場自動校正裝置，該裝置包括周邊磁場檢測單元，用于檢測磁場的變化和產生相應的頻率；頻率產生單元，用于算術運算由周邊磁場檢測單元產生的頻率，并產生對應各個方向的頻率；校正量計算單元，相對于由頻率產生單元產生的各個方向的頻率，計算各校正量；和偏轉校正單元，按校正量計算單元輸出的校正量校正監(jiān)視器的偏轉誤差。
校正量計算單元根據預先存儲的頻率-磁場關聯(lián)公式將頻率產生單元的頻率轉換成磁場值，將它與預先設定的基準磁場值進行比較，從而計算與其差值對應的校正量。
校正量計算單元包括帶有可編程存儲器的微處理器和存儲單元(EEPROM)，在該可編程存儲器中，存儲頻率-磁場關聯(lián)公式和磁場-屏幕變化關聯(lián)公式，以校正著屏的傾角(tilt)、垂直位置、水平位置和色純度，該存儲單元存儲初始屏幕數據和各方向的基準磁場值。
本發(fā)明還提供監(jiān)視器的自動地磁場校正方法，該方法包括以下步驟設定相對于X、Y和Z三個軸的基準磁場值；測量三個軸方向的磁場；鑒別在基準磁場值設定步驟中的基準磁場值與在磁場測量步驟中測量的磁場值是否彼此相等；如果在鑒別步驟中基準磁場值和測量的磁場值相等，那么就保持傾角、垂直位置、水平位置和色純度；和如果在鑒別步驟中基準磁場值和測量的磁場值不相等，那么按預定的公式確定校正量，并校正傾角、垂直位置、水平位置和色純度。
提供對本發(fā)明進行深入理解且包括在本說明書中并構成說明書一部分的附圖展示了本發(fā)明的實施例，其與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中

圖1是按照常規(guī)技術一個實例的校正地磁場裝置的電路圖2是按照常規(guī)技術一個實例的圖1所示校正地磁場的屏幕顯示的示意圖；圖3表示按照常規(guī)技術一個實例的圖1所示校正地磁場的表；圖4是按照常規(guī)技術一個實例的圖1所示的校正地磁場操作的流程圖；圖5是按照常規(guī)技術另一個實例的陰極射線管的偏轉校正裝置的示意性方框圖；圖6是按照常規(guī)技術另一實例的磁場的一般方向的示意圖；圖7是本發(fā)明的監(jiān)視器的自動校正地磁場裝置的示意性方框圖；圖8表示本發(fā)明的圖7所示的頻率產生單元的內部結構；圖9是本發(fā)明的圖7所示的頻率產生單元的操作示意圖；圖10是本發(fā)明的圖7所示的將頻率轉換成磁場的示意圖；和圖11a、11b和11c是本發(fā)明的圖7所示的檢測磁場變化和其校正操作的流程圖。
下面將詳述本發(fā)明的最佳實施例，這些實施例展示于附圖中。
參照圖7-11c說明按照本發(fā)明的監(jiān)視器的地磁場自動校正裝置的操作。
圖7是按照本發(fā)明的監(jiān)視器的地磁場自動校正裝置的示意性方框圖，該裝置包括周邊磁場檢測單元210，按磁場感應模式組合磁場傳感器和電阻器兩者，以提供正方向電流和反方向電流，并根據當時產生的磁場變化產生頻率；頻率產生單元220，算術運算正方向頻率(X_for、Y_for和Z_for)和反方向頻率(X_rev、Y_rev和Z_rev)之間的差值(X_for-X_rev、Y_for-Y_rev和Z_for-Z_rev)，產生各方向的頻率(fx、fy和fz)；微處理器230，運算頻率產生單元220的各方向頻率(fx、fy和fz)，以便當屏幕顯示鍵260輸入和設定地磁場校正模式時將該頻率轉換成各方向的磁場值(Gx、Gy和Gz)，并將各方向的磁場值(Gx、Gy和Gz)與基準磁場值(G_Xref、G_Yref和G_Zref)進行比較，計算與差值對應的校正量；偏轉校正單元240，按微處理器230中的校正量校正監(jiān)視器250的偏轉；和存儲單元270，在制造監(jiān)視器時預先存儲計算校正量的基準磁場值(G_Xref、G_Yref和G_Zref)和預先設定的屏幕的初始屏幕數據(例如，傾角，Vpos、Hpos和色純度等)，以便將它們提供給微處理器230。
圖8表示按照本發(fā)明圖7所示的頻率產生單元的內部結構，該頻率產生單元包括順序計數正方向頻率和反方向頻率的計數器300；暫時存儲計數器的計數值的寄存器310；和計算正方向頻率與反方向頻率之間的差值并利用該差值產生各方向頻率的運算單元320。
在周邊磁場檢測單元210中設置的磁場傳感器與各軸方向的磁場平行安裝。
微處理器230包括存儲頻率-磁場關聯(lián)公式(EQ1x、EQ1y和EQ1z)和磁場-屏幕變化關聯(lián)公式的可編程存儲器。
存儲單元270包括EEPROM。
下面，說明如上述那樣構成的監(jiān)視器的自動校正地磁場裝置的操作。
空間中的磁場可以用具有X、Y和Z三個方向和大小的三維矢量來表示。
如圖6所示，在本發(fā)明中，將監(jiān)視器的各屏幕方向(X、Y和Z)的磁場定義為X軸方向磁場Gx、Y軸方向磁場Gy和Z軸方向磁場Gz。
首先，通過依靠周邊磁場的變化使電感發(fā)生變化的磁感應模式，將電阻器和傳感器兩者組合，使周邊磁場檢測單元210振蕩。
此時，在周邊磁場檢測單元210中，為了防止因溫度變化引起的偏移所能造成的任何故障，正方向電流和反方向電流依次流入各軸方向上的傳感器中，使周邊磁場檢測單元210共振，產生正方向頻率(X_for、Y_for和Z_for)和反方向頻率(X_rev、Y_rev和Z_rev)。
因此，頻率產生單元220計數在周邊磁場檢測單元210中產生的正方向頻率(X_for、Y_for和Z_for)和反方向頻率(X_rev、Y_rev和Z_rev)，將其存儲在它的內部寄存器中，然后計算正方向頻率和反方向頻率之間的差值(X_for-X_rev、Y_for-Y_rev和Z_for-Z_rev)，利用該差值產生最終頻率(fx、fy和fz)，并將該最終頻率傳送給微處理器230。
按照圖9所示的處理，頻率產生單元220產生各方向的頻率(fx、fy和fz)，如圖8所示，該單元包括計數器300，順序計數各方向(X、Y和Z)的正方向頻率(X_for、Y_for和Z_for)和反方向頻率(X_rev、Y_rev和Z_rev)；寄存器310，存儲所計數的正方向頻率(X_for、Y_for和Z_for)和反方向頻率(X_rev、Y_rev和Z_rev)；和控制單元320，計算正方向頻率與反方向頻率之間的差值(X_for-X_rev、Y_for-Y_rev和Z_for-Z_rev)并利用該差值產生各方向頻率(fx、fy和fz)。
此時，如圖10所示，當在屏幕顯示鍵260輸入后設定了地磁場校正模式時，微處理器230根據各頻率(f)-磁場(G)關聯(lián)公式(EQ1x、EQ1y和EQ1z)將頻率產生單元220傳送的各軸向頻率(fx、fy和fz)轉換成磁場(Gx、Gy和Gz)。
頻率(f)-磁場(G)關聯(lián)公式(EQ1x、EQ1y和EQ1z)被預先設置在微處理器230中，各公式可如下獲得以X軸磁場關聯(lián)公式(EQ1x)的頻率為例，在將‘0.5G’配置在X軸方向上后，測量其輸出頻率，并得到‘-0.5G’時的輸出頻率。然后，利用獲得的兩個輸出頻率值，可以在頻率(f)和磁場(Gx)之間形成直線，通過該直線可以獲得直線的第一公式。
頻率-磁場關聯(lián)公式(EQ1x、EQ1y和EQ1z)可以如下表示EQ1x＝Afx+B，EQ1y＝Cfy+D，EQ1z＝Efz+F，其中，EQ1x、EQ1y和EQ1z分別表示各X、Y和Z方向的磁場(Gx、Gy和Gz)(Gauss)，A～F為常數。
此時，如圖10所示，微處理器230持續(xù)不斷地比較在監(jiān)視器制造階段的EEPROM中預先設定的基準磁場(G_Xref、G_Yref和G_Zref)與當前檢測的磁場(Gx、Gy和Gz)是否相等，以便判斷是否校正屏幕狀態(tài)。
如果基準磁場和當前檢測的磁場相等，那么微處理器230控制偏轉校正單元240保持監(jiān)視器250的當前屏幕狀態(tài)。
另一方面，如果基準磁場與當前檢測的磁場不相等，那么微處理器230判別其磁場改變的軸方向，以便根據對應該軸方向的預先設定的磁場-屏幕變化關聯(lián)公式(EQ2_Tilt、EQ2_Vpos和EQ2_Hpos)確定校正量。
由針對磁場的屏幕方向改變的第一公式可獲得各軸方向的預先設定的磁場-屏幕變化關聯(lián)公式。
例如，在傾角情況下，可獲得以下公式。
EQ2_Tilt＝AGx+B，其中，EQ2_Tilt是傾角校正量[mm]，Gx是X軸方向磁場[Gauss]，而‘A’和‘B’為常數。
在傾角校正的情況下，當按屏幕-磁場變化關聯(lián)公式確定校正量時，微處理器230調整PWM脈沖的占空寬度，以便按校正量調整傾角，并將該占空寬度的PWM脈沖傳送給偏轉校正單元240，改變傾斜線圈(tilt coil)的電流，從而校正傾角。
同樣，校正垂直位置和水平位置的屏幕-磁場變化關聯(lián)公式(EQ2_Vpos和EQ2_Hpos)可以按下式獲得EQ2_Vpos＝CGy+D，EQ2_Hpos＝EGz+F，其中，EQ2_Vpos是垂直位置校正量，EQ2_Hpos是水平位置校正量，而C～F為常數。
因此，在垂直位置和水平位置校正的情況下，象傾角校正過程那樣，微處理器230計算校正量，調整PWM脈沖的占空寬度，以便按校正量調整垂直位置和水平位置，并將該占空寬度的PWM脈沖傳送給偏轉校正單元240，改變垂直位置線圈和水平位置線圈的電流，從而校正垂直位置和水平位置。
在按如上所述的水平位置、垂直位置和傾角的校正量進行校正后，通過控制監(jiān)視器250屏幕四角上的電子束著屏來完成色純度校正。
圖11a、11b和11c是按照本發(fā)明檢測圖7所示的磁場變化和其校正的操作流程圖。
圖11a是檢測和校正X方向磁場變化的操作流程圖。首先，在步驟S1中設定X方向的傾角基準磁場值(G_Xref)，在步驟S2中設定X方向的磁場(Gx)。接著，判斷傾角基準磁場值(G_Xref)與X方向的磁場值(Gx)是否相等，如果兩個值相等，那么在步驟S4中保持傾角和色純度，而如果兩個值不相等，那么在步驟S5中按EQ2_tilt的公式確定校正量，從而在步驟S6中校正傾角和色純度。
圖11b是檢測和校正Y方向磁場變化的操作流程圖。首先，在步驟S1中設定Y方向的垂直位置基準磁場值(G_Yref)，在步驟S2中測量Y方向的磁場(Gy)。接著，判斷垂直位置基準磁場值(G_Yref)與磁場值(Gy)是否相等，如果兩個值相等，那么在步驟S4中保持Vpos和色純度，而如果兩個值不相等，那么在步驟S5中按EQ2_Vpos的公式確定校正量，從而在步驟S6中校正Vpos和色純度。
圖11c是檢測和校正Z方向磁場變化的操作流程圖。首先，在步驟S1中設定Z方向的垂直位置基準磁場值(G_Zref)，在步驟S2中測量Z方向的磁場(Gz)。接著，在步驟S3中判斷垂直位置基準磁場值(G_Zref)與Z方向的磁場值(Gz)是否相等，如果兩個值相等，那么在步驟S4中保持Hpos和色純度，而如果兩個值不相等，那么按EQ2_Hpos的公式確定校正量，從而校正Hpos和色純度。
如上所述，按照本發(fā)明的監(jiān)視器的自動校正地磁場裝置，在設定地磁場校正模式時，檢測周邊磁場和自動地計算各方向的磁場校正量，以便按校正量校正磁場，從而為用戶提供方便，并改善產品的可靠性。
再有，由于存儲器的尺寸可以減小，所以可由此更多地降低產品的單位成本。
由于在不脫離本發(fā)明的精神和基本特征的情況下，可以將本發(fā)明按幾種形式實施，還應該指出，除非另有說明，上述說明的任何細節(jié)都不構成對上述實施例的限制，本發(fā)明完全建立在所附權利要求所定義的精神和范圍內，因此，由所附的權利要求來界定落入權利要求的規(guī)定和范圍內的所有變更和改進或這些規(guī)定和范圍的等價物。
權利要求
1.監(jiān)視器的地磁場自動校正裝置，包括周邊磁場檢測單元，用于檢測磁場的變化和產生相應的頻率；頻率產生單元，用于算術運算由周邊磁場檢測單元產生的頻率，并產生對應各方向的頻率；校正量計算單元，按照由頻率產生單元產生的各方向的頻率，計算各校正量；和偏轉校正單元，按校正量計算單元的校正量校正監(jiān)視器的偏轉誤差。
2.如權利要求1的裝置，其特征在于，頻率產生單元包括計數器，用于順序地計數正方向頻率和反方向頻率；寄存器，用于暫時儲存在計數器中計數的值；和運算單元，用于計算正方向頻率和反方向頻率之間的差，并利用該差值產生各方向的頻率。
3.如權利要求1的裝置，其特征在于，校正量計算單元包括微處理器，用于運算由頻率產生單元產生的各方向頻率，將這些頻率轉換成各方向的磁場值，把各方向的磁場值與基準磁場值比較，計算與其差值對應的校正量；和存儲單元，用于預先儲存用于校正量計算的基準磁場值，并將它提供給微處理器。
4.如權利要求1或3的裝置，其特征在于，校正量計算單元根據水平位置或垂直位置的磁場變化計算電子束著屏校正量。
5.監(jiān)視器的地磁場自動校正方法，該方法包括以下步驟設定相對于X、Y和Z三個軸的基準磁場值；測量三個軸方向的磁場；鑒別在基準磁場值設定步驟中的基準磁場值與在磁場測量步驟中測量的磁場值是否彼此相等；如果在鑒別步驟中基準磁場值和測量的磁場值相等，那么就保持傾角、垂直位置、水平位置和色純度；和如果在鑒別步驟中基準磁場值和測量的磁場值不相等，那么按預定的公式確定校正量，并校正傾角、垂直位置、水平位置和色純度。
6.如權利要求5的方法，其中，預定的公式為AGx+B和/或CGy+D和/或EGz+F。
全文摘要
監(jiān)視器的地磁場自動校正裝置,該裝置包括:周邊磁場檢測單元,用于檢測磁場的變化和產生相應的頻率;頻率產生單元,用于算術運算由周邊磁場檢測單元產生的頻率,并產生對應各個方向的頻率;校正量計算單元,按照由頻率產生單元產生的各個方向的頻率,計算各校正量;和偏轉校正單元,按校正量計算單元的校正量校正監(jiān)視器的偏轉誤差。由此可利用小存儲容量,通過檢測周邊磁場來自動地校正屏幕。
文檔編號H04N9/29GK1254880SQ9912396
公開日2000年5月31日 申請日期1999年11月19日 優(yōu)先權日1998年11月19日
發(fā)明者金倞植, 金鎮(zhèn)植 申請人:Lg電子株式會社