移動設(shè)備中的從設(shè)備的連接性的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明總體上設(shè)及半導(dǎo)體設(shè)備，并且在具體實施例中，設(shè)及移動設(shè)備中的從設(shè)備 的連接性。
【背景技術(shù)】
[0002] 具有無線通信系統(tǒng)的電子設(shè)備，諸如蜂窩電話、GI^S接收器W及支持WiFi的筆記 本和平板計算機，通常包含具有到模擬世界的接口的信號處理系統(tǒng)。該樣的接口可W包括 有線和無線接收器，該些接收器接收傳輸?shù)墓β什⑶覍⒔邮盏降墓β兽D(zhuǎn)換為可W使用模擬 或者數(shù)字處理技術(shù)進行解調(diào)的模擬或者數(shù)字信號。
[0003] 除具有射頻（R巧收發(fā)器之外，很多現(xiàn)代移動通信平臺也使用另外的前端部件，諸 如功率放大器、有源天線調(diào)諧器、低噪聲放大器和天線開關(guān)。并且，在諸如多輸入多輸出 (MIMO)系統(tǒng)之類的多個天線系統(tǒng)和多個協(xié)議系統(tǒng)中，RF系統(tǒng)可W具有眾多的支持每個特 定信號路徑和/或協(xié)議的各種可選的和可配置的部件。該些多個射頻部件中的很多部件是 可由數(shù)字總線控制的，W便在各種操作模式中提供控制和配置。
[0004] 一個該樣的數(shù)字接口總線基于在"用于RF前端控制接口的MIPI⑧聯(lián)盟規(guī)范"版 本1. 10-2011年7月26日中所描述的由MIPI聯(lián)盟開發(fā)的稱作射頻前端（RF陽）控制接口的 標準化協(xié)議，其整體通過引用并入本文。MIPIRFFE控制接口總線包含其自身的電源電壓， 并且數(shù)據(jù)經(jīng)由CLK線和DATA線被傳輸。禪合到MIPIRF陽總線的每個RF陽從設(shè)備是可經(jīng) 由從標識符、制造商標識符和產(chǎn)品標識符標識的。26MHz的相對高的時鐘頻率用于RFFE總 線W便促進跨多個設(shè)備的定時關(guān)鍵（timing-critical)功能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一種用于移動設(shè)備的巧片集包括從設(shè)備巧片和接口電 路巧片，所述接口電路巧片包括用于通過模擬總線控制從設(shè)備巧片的從總線接口。從總線 接口經(jīng)由移動設(shè)備的數(shù)字總線被禪合到主總線接口。從總線接口被配置為由主總線接口驅(qū) 動。
[0006] 根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一種用于移動設(shè)備的接口電路巧片包括用于控制從設(shè) 備巧片的從總線接口和禪合到從總線接口的數(shù)字輸入。數(shù)字輸入被配置為經(jīng)由移動設(shè)備的 數(shù)字總線禪合到主總線接口。模擬輸出禪合到從總線接口。模擬輸出被配置為通過模擬總 線禪合到從設(shè)備巧片。從總線接口被配置為將在數(shù)字輸入處接收到的用于控制從設(shè)備巧片 的數(shù)字控制信號轉(zhuǎn)換為模擬輸出處的模擬信號。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一種控制移動設(shè)備中的從設(shè)備巧片的方法包括接收接 口電路巧片處的數(shù)字總線上的旨在用于從設(shè)備巧片的控制信號。接口電路巧片與從設(shè)備巧 片不同。該方法進一步包括將控制信號轉(zhuǎn)換為包括接口電路巧片處的控制信息的模擬信 號。包括控制信息的模擬信號被傳輸?shù)綇脑O(shè)備巧片。
【附圖說明】
[000引為了更完整地理解本發(fā)明及其優(yōu)點，現(xiàn)在參考W下結(jié)合附圖作出的描述，在附圖 中：
[0009] 圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明的實施例的移動手機巧片集的示意框圖；
[0010] 圖2圖示了根據(jù)本發(fā)明的實施例的巧片集的通用示意圖；
[0011] 圖3,其包括圖3A和圖3B，圖示了根據(jù)本發(fā)明的實施例的禪合到接口巧片的LNA 巧片的示意圖；
[0012] 圖4圖示了根據(jù)本發(fā)明的備選實施例的移動手機巧片集的示意框圖；
[0013] 圖5圖示了根據(jù)本發(fā)明的實施例的從設(shè)備；
[0014] 圖6,其包括圖6A和圖她，圖示了根據(jù)本發(fā)明的備選實施例的移動手機巧片集的 示意框圖。圖6A圖示了移動手機巧片集的實施例而圖6B圖示了巧片集；W及
[0015] 圖7,其包括圖7A和圖7B，圖示了根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于移動手機巧片集的 LNA巧片集的結(jié)構(gòu)實施例。
【具體實施方式】
[0016] 將在特定背景下（即用于在射頻前端（RFF巧控制接口中使用的從總線接口電路） 關(guān)于示例性實施例描述本發(fā)明。本發(fā)明的實施例也可W應(yīng)用于針對其他應(yīng)用的總線接口電 路。
[0017] 圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明的實施例的手機的RF系統(tǒng)的框圖。圖1是用于說明目的 的通過單個天線禪合的發(fā)射器/接收器的示意圖。各個實施方式可W包括附加的復(fù)雜性， 例如，增加的多樣性、多輸入多輸出路徑等。
[0018] 針對移動手機日益增加的數(shù)據(jù)速率的需求增加了操作在單個移動手機內(nèi)的波段 的數(shù)目。載波聚合幫助結(jié)合不同的波段W容納高數(shù)據(jù)速率。然而，日益增加的波段數(shù)目增 加了RF前端模塊的技術(shù)復(fù)雜性。例如，前端包括天線100、天線開關(guān)巧片30、諸如濾波器組 20之類的濾波器W及低噪聲放大器巧片10。
[0019]RF信號在天線100處被接收并且由開關(guān)或者雙工器路由到期望的接收路徑。在一 個實施例中，天線開關(guān)巧片30可W在多個接收輸入路徑RX1、RX2'''RXn與多個發(fā)射輸出路 徑TX1、TX2'''TXn之間進行選擇。
[0020] 來自天線100的信號通過波段濾波器組20而被濾波，波段濾波器組20例如包括 一個或多個帶通濾波器或者多個帶通濾波器。例如，每個波段可W通過分立的濾波器而被 濾波。濾波器相對于低噪聲放大器（LNA)巧片10的位置可W是設(shè)計選擇并且可W被改變。 另外，一個W上的濾波器可W被添加到每個接收路徑或者發(fā)射路徑。
[0021] 接收輸入路徑中的每個接收輸入路徑通過LNA巧片10而被禪合W便放大進入的 信號。LNA巧片10可W包括一個或者多個低噪聲放大器。LNA巧片10可W包括多個低噪 聲放大器。例如，每個波段可W具有分立的低噪聲放大器。LNA巧片10放大可W由天線接 收的非常小的信號、對該些小信號提供增益并且將放大的信號傳遞到后面的放大和/或信 號處理階段。通過在LNA處提供增益，使得后續(xù)的增益處理階段對噪聲不敏感，由此能夠得 到更低的系統(tǒng)噪聲系數(shù)。
[002引例如，接收輸入路徑RX1可W通過LNA巧片10中的低噪聲放大器（LNA)和RX濾 波器組20中的帶通濾波器而被禪合。LNA巧片10中的低噪聲放大器中的每個低噪聲放大 器必須例如用不同的增益、電流水平和激活而被不同地控制。該使諸如LNA巧片10之類的 LNA產(chǎn)品上的接口電路的實施方式復(fù)雜化。另外，與MIPI接口兼容的接口電路增加了進一 步的約束和復(fù)雜性。
[0023] 來自LNA巧片10的輸出在射頻集成電路（RFIO40處被接收。同樣地，發(fā)射路徑通 過RFIC40前進到功率放大器，功率放大器放大將被發(fā)射的信號。例如，發(fā)射輸出路徑TX1 被禪合到PA巧片70中的功率放大器和TX濾波器組80中的帶通濾波器。在一個或者多個實 施例中，PA巧片70可W包括一個或多個功率放大器或者多個功率放大器。RFIC40可W包 括收發(fā)器巧片或巧片組W將RF信號上變頻或下變頻到基帶。RFIC40可W實現(xiàn)諸如全球移 動通信系統(tǒng)佑SM)、通用移動通信系統(tǒng)（UMTS)、長期演進（LTE)、碼分多址2000(CDMA2000) 和全球微波接入互操作性（WiMA幻之類的很多標準射頻協(xié)議中的任何一個。RFIC40也可 W被包括有移動處理器。
[0024] 如圖1所示，RFIC40可W包括用W驅(qū)動總線60上的從設(shè)備的主總線接口。在各 個實施例中，總線60可W是RFFE總線并且可W是不W與受控制的前端設(shè)備相關(guān)聯(lián)的信號 路徑為目標的純控制接口?？偩€60上的設(shè)備中的每個設(shè)備可W是包括用W接收總線60上 的信號的從接口總線的從單元。在一個或者多個實施例中，主總線接口實現(xiàn)MIPIRF前端 (RFF巧控制接口協(xié)議。MIPI協(xié)議使用兩個信號線，由主接口總線控制的時鐘信號（SCLK)、 單向/雙向數(shù)據(jù)信號（SDATA)，W及I/O電源/參考電壓（VIO)。
[0025] 在各個實施例中，由于它們更好的性能而使用SiGe或者GaAs技術(shù)形成LNA巧片 10。然而，SiGe或者GaAs技術(shù)上的邏輯電路是昂貴的并且占據(jù)相當大的面積（相對于可 比的娃技術(shù)或者體娃CMOS技術(shù)）。另一個缺點是SiGe技術(shù)中的該種邏輯塊的高功率消耗。 與此相反，基于娃的技術(shù)不具有利用SiGe或者GaAs技術(shù)可獲得的低噪聲特性。熱噪聲（也 稱為約翰遜噪聲或者白噪聲）和散列噪聲（也稱為肖特基噪聲）是低噪聲放大器設(shè)計中的 主要噪聲類型之一。使用SiGe異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管幫助降低該些噪聲源。因此，SiGe雙 極型晶體管與娃技術(shù)相比呈現(xiàn)高增益和低噪聲。
[0026] 如上所述，由諸如來自RFIC40上的主總線接口的數(shù)字總線接口控制的系統(tǒng)需要 在諸如LNA巧片10之類的從設(shè)備中的每個從設(shè)備上添加從總線接口。然而，由于在基于 SiGe或者GaAs