一種光模塊光眼圖er控制調(diào)節(jié)方法及系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及光模塊領(lǐng)域，特別涉及一種光模塊光眼圖ER控制調(diào)節(jié)方法及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002] 在光模塊中，激光器驅(qū)動芯片輸出調(diào)制電流和偏置電流到激光器二極管，驅(qū)動芯 片實(shí)際輸出到激光器的調(diào)制電流大小通常與激光器驅(qū)動芯片中的MOD寄存器相關(guān)，設(shè)置寄 存器的一個值，工作時就有相應(yīng)的調(diào)制電流輸出到激光器二極管。而調(diào)制電流的大小與眼 圖消光比（ER)呈正比關(guān)系，控制調(diào)節(jié)調(diào)制電流的大小即可控制調(diào)節(jié)眼圖消光比的大小。因 此，可通過設(shè)置激光器驅(qū)動芯片中的寄存器的值來控制調(diào)試眼圖消光比的大小。
[0003] 在光模塊實(shí)際生產(chǎn)中，調(diào)節(jié)眼圖消光比大小到目標(biāo)值的過程中，需要不斷根據(jù)實(shí) 際測得的眼圖消光比值來調(diào)整設(shè)置激光器驅(qū)動芯片中的所述寄存器的值。
[0004] 如圖1所示，由于激光器驅(qū)動芯片的寄存器的值（即頂0DSET)與激光器驅(qū)動芯 片實(shí)際輸出的調(diào)制電流ModulationCurrent的關(guān)系呈指數(shù)關(guān)系，當(dāng)頂0DSET在0-100范 圍內(nèi)時，調(diào)制電流ModulationCurrent幾乎沒有改變（即眼圖消光比大小改變很小，幾乎 可忽略），而在150-250范圍內(nèi)，調(diào)制電流ModulationCurrent的改變相對較大，寄存器值 越大，ModulationCurrent改變越大，因此在寄存器值數(shù)值較小的范圍內(nèi)，很大的改變幾乎 不會帶來ModulationCurrent的改變，也即幾乎不會帶來眼圖消光比大小的改變。而在 IM0DSET數(shù)值較大的范圍內(nèi)，很小的改變會帶來ModulationCurrent很大的改變，也即帶 來眼圖消光比值很大的改變。
[0005] 這樣導(dǎo)致的問題是在光模塊實(shí)際生產(chǎn)中，調(diào)試眼圖ER值大小到目標(biāo)值的過程不 容易控制，要花費(fèi)大量時間來完成眼圖大小的調(diào)節(jié)，浪費(fèi)時間且生產(chǎn)效率低下。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中調(diào)試眼圖ER值大小到目標(biāo)值的過程不易控制 的問題，提供一種通過測量激光器二極管發(fā)端功率及偏置電流來計算寄存器值，從而將光 模塊光眼圖ER值調(diào)節(jié)控制到目標(biāo)值的方法，以節(jié)省調(diào)試時間，提高光模塊生產(chǎn)效率。
[0007] 為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是： 一種光模塊光眼圖ER控制調(diào)節(jié)方法，包括： 檢測光模塊的激光器二極管發(fā)端功率（激光器二極管的發(fā)光功率）為PA、PJt所對應(yīng) 的偏置電流BiasA、BiasBJ/f述PA、？13大小互不相同。
[0008] 根據(jù)式
計算光模 塊眼圖ER目標(biāo)值對應(yīng)的調(diào)制電流值IMd;式中Pi、P。分別為所述激光器二極管在發(fā)送數(shù)字 信號" 1"和"〇"時所對應(yīng)的發(fā)端功率；所述Tran為電流轉(zhuǎn)換系數(shù)，其為與激光器驅(qū)動芯片 相關(guān)的固定值。
[0009] 根據(jù)調(diào)制電流值1_計算得出其所對應(yīng)的寄存器值MODDAe;調(diào)制電流值IMd與寄存 器值MODDAe的換算公式由激光器驅(qū)動芯片型號決定。
[0010] 將所述寄存器值M0DDAe寫入所述激光器驅(qū)動芯片的MOD寄存器。
[0011] 在某些實(shí)施例中，直接檢測光模塊的激光器二極管發(fā)端功率為PpP。時 所對應(yīng)的偏置電流BiaSl、Bias。，則此時，光模塊眼圖ER目標(biāo)值對應(yīng)的調(diào)制電流值
[0012] 進(jìn)一步的，分別在溫度為80度、25度及0度時測量計算所述寄存器值M0DDAe，并分 別得出80度時的寄存器值M0DDAejffl、25度時的寄存器值M0DDAe_25、0度時的寄存器值M0Ddac_。。
[0013] 根據(jù)式
得出溫度為x時的寄存 器值M0Ddacx，式中 25〈x〈80。
[0014] 根據(jù)式
辱出溫度為y時的寄存器 值MOD^y式中 0〈y〈25。
[0015] 進(jìn)一步的，還包括對寄存器值進(jìn)行修正的步驟，所述修正的步驟具體為： 在將所述寄存器值M0DDAe寫入所述激光器驅(qū)動芯片的MOD寄存器之前，檢測激光器二 極管在發(fā)射平均光功率Pta_t時所對應(yīng)的偏置電流Biast。
[0016] 在將所述寄存器值M0DDAe寫入所述激光器驅(qū)動芯片的MOD寄存器之后，檢測激光 器二極管在發(fā)射平均光功率Pta_t時所對應(yīng)的偏置電流Bias"。
[0017]比較Biast-BiaSnr^IMd/2 的大小， 如BiaSt-Bias^U/2,則將代入所述調(diào)制電流值IMd與寄存 器值M0DDAe的換算公式求出所述寄存器值MODDAC; 如Biast-Bias^l^/%則將I^ra^/^-BiaSt+BiasJ代入所述調(diào)制電流值IMd與寄存 器值M0DDAe的換算公式求出所述寄存器值MODDAC。
[0018] 本發(fā)明同時提供一種通過測量激光器二極管發(fā)端功率及偏置電流來計算寄存器 值，從而將光模塊光眼圖ER調(diào)試控制至目標(biāo)值的系統(tǒng)，包括： 驅(qū)動芯片，包含有MOD寄存器，所述驅(qū)動芯片用于根據(jù)MOD寄存器中的寄存器值M0Ddac 向激光器二極管發(fā)出偏置電流及調(diào)制電流，所述偏置電流及調(diào)制電流用于驅(qū)動所述激光器 二極管發(fā)光； 檢測裝置，用于檢測所述激光器二極管的發(fā)端功率和/或所述激光器二極管接收到的 實(shí)時偏置電流； 上位機(jī)，用于接收所述檢測裝置檢測到的發(fā)端功率及偏置電流，并根據(jù)所述發(fā)端功率 及偏置電流計算得到光模塊眼圖ER目標(biāo)值對應(yīng)的目標(biāo)調(diào)制電流值，再根據(jù)目標(biāo)調(diào)制電 流值與寄存器值MODDAe的關(guān)系式求出所述寄存器值MODDAe，最后將所述寄存器值M0Ddac 寫入所述驅(qū)動芯片中的MOD寄存器。
[0019] 一些實(shí)施例中，所述上位機(jī)根據(jù)所述檢測裝置檢測到的所述激光器二極管的任意 兩個發(fā)端功率PA、PB及所述發(fā)端功率PA、PB所對應(yīng)的偏置電流BiasA、BiasB，計算所述目標(biāo)調(diào) 制電流值Imcld，計算公式為
[0020] 另外一些實(shí)施例中，所述上位機(jī)根據(jù)所述檢測裝置檢測到的所述激光器二極管的 發(fā)端功率為Pi、P。時所對應(yīng)的偏置電流Biasi、Bias。計算所述目標(biāo)調(diào)制電流值IMd，計算公 式為i"雌j. = 通T(說叫).-HEJf 2細(xì)G(跑％))米麻w.
[0021] 進(jìn)一步的，所述上位機(jī)根據(jù)目標(biāo)調(diào)制電流值與寄存器值MODDAe計算所述寄存 器值M0DDAe的換算公式由激光器驅(qū)動芯片型號決定。
[0022] 進(jìn)一步的，所述上位機(jī)及所述檢測裝置分別在溫度為80度、25度及0度時測量 計算所述寄存器值M0DDAe，并分別得出80度時的寄存器值M0DDAes。、25度時的寄存器值 M0DDAe_25、0度時的寄存器值M0Ddac_。；
[0023] 根據(jù)式
得出溫度為x時的寄存 器值M0Ddacx，式中 25〈x〈80 ;
[0024] 根據(jù)式
得出溫度為y時的寄存器 值MOD^y式中 0〈y〈25。
[0025] 進(jìn)一步的，所述檢測裝置在將所述寄存器值M0DDAe寫入所述激光器驅(qū)動芯片的 MOD寄存器之前，檢測激光器二極管在發(fā)射平均光功率Pta_t時所對應(yīng)的偏置電流Biast; 在將所述寄存器值M0DDAe寫入所述激光器驅(qū)動芯片的MOD寄存器之后，檢測激光器二 極管在發(fā)射平均光功率Pta_t時所對應(yīng)的偏置電流Bias"。
[0026] 所述上位機(jī)比較Biast_Biasnr^Imcid/2的大小， 如Biast-Biasm>Imod/2,則將I_-(Biast-Biasm-Imcid/2)代入所述調(diào)制電流值Imod與 寄存器值M0DDAC的換算公式求出所述寄存器值M0DDAC; 如Biast-Biasm〈Imod/2,則將I_-(Imcid/2-Biast+Biasm)代入所述調(diào)制電流值Imod與 寄存器值M0DDAC的換算公式求出所述寄存器值M0DDAC。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果：
[0027] 本發(fā)明提供的調(diào)試光眼圖ER大小的方法及系統(tǒng)通過測量激光器二極管發(fā)端功率 及偏置電流來計算寄存器值，從而控制驅(qū)動芯片的輸出調(diào)制電流，進(jìn)而控制激光器二極管 的的光眼圖ER大小，本方法相對于現(xiàn)有技術(shù)中直接根據(jù)光眼圖ER值逐步調(diào)節(jié)寄存器值的 方式可大幅度節(jié)省調(diào)試時間，提高光模塊生產(chǎn)效率。
【附圖說明】： 圖1是激光器驅(qū)動芯片寄存器的值與激光器驅(qū)動芯片實(shí)際輸出的調(diào)制電流的關(guān)系圖。
[0029] 圖2是調(diào)試光眼圖ER大小的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖。
[0030] 圖3為眼圖調(diào)節(jié)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031] 下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。但不應(yīng)將此理解為本發(fā)明 上述主題的范圍僅限于以下的實(shí)施例，凡基于本
【發(fā)明內(nèi)容】
所實(shí)現(xiàn)的技術(shù)均屬于本發(fā)明的范 圍。
[0032] 實(shí)施例1 :本實(shí)施例提供一種光模塊光眼圖ER控制調(diào)節(jié)方法包括： 調(diào)節(jié)ER的寄存器初始值為0,以保證初始時激光器的輸出完全由偏置電流來驅(qū)動。 檢測光模塊的激光器二極管發(fā)端功率為PA、PB時所對應(yīng)的偏置電流BiasA、BiasB，所述 PA、P#小互不相同； 根據(jù)式
汁算光模塊 眼圖ER目標(biāo)值對應(yīng)的調(diào)制電流值IMd;式中P^P。分別為所述激光器二極管在發(fā)送數(shù)字 信號"1"和"〇"時所對應(yīng)的發(fā)端功率；所述Tran為電流轉(zhuǎn)換系數(shù)，其為與激光器驅(qū)動 芯片相關(guān)的固定值，本實(shí)施例中所述激光驅(qū)動芯片采用Nanotech的NT25L90芯片，因 此Tran= 1.6/512(由芯片使用說明書給出）；眾所周知，所述PpP。的值由下式得出；
式中Pta_激光器二極管目標(biāo)發(fā)端功率，ERta_ 指光眼圖目標(biāo)消光比（ER)值；式
1于將功率單位由dbm轉(zhuǎn)化 為mw;targetpower同樣用于表示目標(biāo)功率。
[0033] 由于本實(shí)施例中激光驅(qū)動芯片采用Nanotech的NT25L90芯片，則寄存器值M0Ddac 和調(diào)制電流值Imcid的計算公式為
[0034] 需要指出的是，在另外一些實(shí)施例中，所述激光驅(qū)動芯片可采用不同的產(chǎn)品； 當(dāng)激光驅(qū)動芯片采用maxin公司的MAX3948時，則寄存器值M0DDAe和調(diào)制電流值I^的 計算公式為M0Ddac= 4. 05*1 _-3. 952。 當(dāng)激光驅(qū)動芯片采用GN1157IC時
1式中，&表示激光器 的負(fù)載阻抗。 當(dāng)激光驅(qū)動芯片采用其他Nanotech系列芯片時，寄存器值M0DDAe和調(diào)制電流值Imod的 計算公式還可以配置為
式中T表示當(dāng)前 工作溫度；表示最大溫度系數(shù)。
[0035] 以上對應(yīng)公式均可由相應(yīng)芯片的說明書中得出。
[0036] 將所述寄存器值M0DDAe寫入所述激光器驅(qū)動芯片的MOD寄存器。
[0037] 在某些實(shí)施例中，直接檢測光模塊的激光器二極管發(fā)端功率為Pi、P。時 所對應(yīng)的偏置電流BiaSl、Bias。，則此時，光模塊眼圖ER目標(biāo)值對應(yīng)的調(diào)制電流值 /ni(l, ={llEX2DEC{Bias,)-HEXlDECXBias,,))x1,6/5! 2
[0038] 進(jìn)一步的，分別在溫度為80度、25度及0度時測量計算所述寄存器值M0DDAe，并分 別得出80度時的寄存器值M0DDAejffl、25度時的寄存器值M0DDAe_25、0度時的寄存器值M0Ddac_。；
[0039] 根據(jù)式
辱出溫度為x時的寄存器 值M0Ddacx，式中 25〈x〈80 ; 根據(jù)式
得出溫度為y時的寄存器值 M〇DDAC_y，式中0〈y〈25。
[0040] 進(jìn)一步的，還包括對寄存器值進(jìn)行修正的步驟，所述修正的步驟具體為： 在將所述寄