體為:在第一絕緣層2上形成覆蓋整個(gè)硅晶圓的第一膜層，在第一膜層上形成第一光刻膠層，利用曝光機(jī)臺(tái)以及具有第二標(biāo)識(shí)圖形的第一掩膜板對(duì)每個(gè)曝光區(qū)域內(nèi)的第一光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，形成具有振膜層圖形和第二標(biāo)識(shí)圖形的第一光刻膠層，具有第二標(biāo)識(shí)圖形的第一掩膜板請(qǐng)參考圖4 ;之后以曝光顯影后的第一光刻膠層為掩膜對(duì)整個(gè)第一膜層進(jìn)行刻蝕，形成位于每個(gè)芯片內(nèi)的具有第二標(biāo)識(shí)的振膜層3，所述第二標(biāo)識(shí)位于振膜層3的無(wú)效振動(dòng)區(qū)31上。
[0072]其中，同一曝光區(qū)域的掩膜板上的第二標(biāo)識(shí)圖形不同，不同曝光區(qū)域的掩膜板上的第二標(biāo)識(shí)圖形可以相同，也可以不同，需要根據(jù)具體情況進(jìn)行設(shè)定。當(dāng)每個(gè)曝光區(qū)域的掩膜板上的第二標(biāo)識(shí)圖形相同時(shí)，可以采用一個(gè)掩膜板對(duì)硅晶圓進(jìn)行多次曝光來(lái)形成第二標(biāo)識(shí)B，即采用同一個(gè)掩膜板對(duì)硅晶圓上的多個(gè)曝光區(qū)域依次進(jìn)行曝光顯影。
[0073]進(jìn)一步地，參考圖8，在所述芯片上形成第一標(biāo)識(shí)的過(guò)程包括:
[0074]S801:在所述芯片上形成第二絕緣層，并在所述第二絕緣層上形成覆蓋整個(gè)硅晶圓的第二膜層；
[0075]S802:在所述第二膜層的表面形成第二光刻膠層，并以具有第一標(biāo)識(shí)圖形的第二掩膜板為掩膜對(duì)所述第二光刻膠層進(jìn)行曝光；
[0076]S803:以所述曝光后的第二光刻膠層為掩膜對(duì)所述第二膜層進(jìn)行刻蝕，形成具有第一標(biāo)識(shí)的背極層，其中，所述第一標(biāo)識(shí)位于所述背極層的背極固定區(qū)上，且在垂直于所述基底層的方向上，所述第一標(biāo)識(shí)和所述第二標(biāo)識(shí)的投影無(wú)交疊。
[0077]參考圖2和圖5，形成背極層5以及第一標(biāo)識(shí)A的過(guò)程具體為:在第二絕緣層4上形成覆蓋整個(gè)硅晶圓的第二膜層，在第二膜層上形成第二光刻膠層，利用曝光機(jī)臺(tái)以及具有第一標(biāo)識(shí)圖形的第二掩膜板對(duì)每個(gè)曝光區(qū)域內(nèi)的第二光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，形成具有背極層圖形和第一標(biāo)識(shí)圖形的第二光刻膠層，具有第一標(biāo)識(shí)圖形的第二掩膜板對(duì)應(yīng)第1個(gè)曝光區(qū)域的部分結(jié)構(gòu)請(qǐng)參考圖5 ;然后以曝光顯影后的第二光刻膠層為掩膜對(duì)整個(gè)第二膜層進(jìn)行刻蝕，形成位于每個(gè)芯片內(nèi)的具有第一標(biāo)識(shí)的背極層5，所述第一標(biāo)識(shí)位于背極層5的背極固定區(qū)51上。
[0078]其中，同一曝光區(qū)域?qū)?yīng)的掩膜板上的第一標(biāo)識(shí)圖形相同，不同曝光區(qū)域?qū)?yīng)的掩膜板上的第一標(biāo)識(shí)圖形不同。本實(shí)施例中，可以將多個(gè)曝光區(qū)域的第一標(biāo)識(shí)圖形制作在一個(gè)掩膜板上，這樣只需采用該掩膜板對(duì)硅晶圓進(jìn)行一次曝光即可在不同的曝光區(qū)域上形成相應(yīng)的第一標(biāo)識(shí)A。
[0079]本實(shí)施例提供的可追蹤芯片制作方法，先在MEMS麥克風(fēng)芯片上形成第二標(biāo)識(shí)，然后在芯片上形成第一標(biāo)識(shí)，從而可以根據(jù)第一標(biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)確定該芯片在硅晶圓上的位置，進(jìn)而可以根據(jù)封裝后的芯片的性能參數(shù)獲知硅晶圓上與該芯片對(duì)應(yīng)的區(qū)域的缺陷信息，這樣可以在后續(xù)的制作過(guò)程中對(duì)制作工藝進(jìn)行改進(jìn)，例如，避開有缺陷的區(qū)域進(jìn)行芯片的制作或者采用其他工藝手段消除該區(qū)域的缺陷，以避免由于硅晶圓自身的缺陷而影響MEMS麥克風(fēng)芯片性能的問(wèn)題。
[0080]針對(duì)于本申請(qǐng)上述任一實(shí)施例公開的可追蹤芯片，本申請(qǐng)還公開了一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括如上任一實(shí)施例公開的可追蹤芯片?？蛇x的，該電子設(shè)備可以為包括具有第一標(biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)的可追蹤MEMS麥克風(fēng)芯片的傳聲器。此外，本申請(qǐng)中的電子設(shè)備還可以為應(yīng)用上述可追蹤芯片的手機(jī)、平板電腦、筆記本、音箱等設(shè)備。
[0081]本說(shuō)明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見(jiàn)即可。對(duì)于實(shí)施例公開的裝置而言，由于其與實(shí)施例公開的方法相對(duì)應(yīng)，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見(jiàn)方法部分說(shuō)明即可。
[0082]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種可追蹤芯片，其特征在于，所述芯片的結(jié)構(gòu)層上具有第一標(biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)； 所述第一標(biāo)識(shí)用于標(biāo)識(shí)所述芯片在硅晶圓上的曝光區(qū)域，所述硅晶圓具有多個(gè)曝光區(qū)域，且同一曝光區(qū)域內(nèi)的芯片的第一標(biāo)識(shí)相同，不同曝光區(qū)域內(nèi)的芯片的第一標(biāo)識(shí)不同； 所述第二標(biāo)識(shí)用于標(biāo)識(shí)所述芯片在對(duì)應(yīng)曝光區(qū)域內(nèi)的位置信息，其中，同一曝光區(qū)域內(nèi)的不同芯片的第二標(biāo)識(shí)不同。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一標(biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)位于所述芯片的同一結(jié)構(gòu)層的不同區(qū)域。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一標(biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)分別位于所述芯片的不同結(jié)構(gòu)層上，在垂直于所述芯片基底的方向上，所述第一標(biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)的投影無(wú)交疊。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片，其特征在于，所述芯片為MEMS麥克風(fēng)芯片，所述MEMS麥克風(fēng)芯片包括基底層以及依次位于所述基底層頂部的第一絕緣層、振膜層、第二絕緣層和背極層； 所述基底層上具有聲腔通孔； 所述第一絕緣層上對(duì)應(yīng)所述聲腔通孔的部位為貫穿所述第一絕緣層上下表面的第一通孔； 所述振膜層包括有效振動(dòng)區(qū)和無(wú)效振動(dòng)區(qū)，所述有效振動(dòng)區(qū)覆蓋所述聲腔通孔，所述無(wú)效振動(dòng)區(qū)位于所述有效振動(dòng)區(qū)的周邊； 所述第二絕緣層上對(duì)應(yīng)所述聲腔通孔的部位為貫穿所述第二絕緣層上下表面的第二通孔； 所述背極層包括背極區(qū)和背極固定區(qū)，所述背極區(qū)覆蓋所述聲腔通孔，所述背極固定區(qū)位于所述背極區(qū)的周邊； 其中，所述第一標(biāo)識(shí)位于所述背極層的背極固定區(qū)上，所述第二標(biāo)識(shí)位于所述無(wú)效振動(dòng)區(qū)上。5.根據(jù)權(quán)利要求1?4所述的芯片，其特征在于，所述第一標(biāo)識(shí)包括阿拉伯?dāng)?shù)字、英文字母或阿拉伯?dāng)?shù)字和英文字母的組合；所述第二標(biāo)識(shí)包括阿拉伯?dāng)?shù)字、英文字母或阿拉伯?dāng)?shù)字和英文字母的組合。6.一種可追蹤芯片的制作方法，其特征在于，應(yīng)用于權(quán)利要求1?5任一項(xiàng)所述的芯片，包括: 在硅晶圓的曝光區(qū)域內(nèi)的芯片上形成第二標(biāo)識(shí)，以標(biāo)識(shí)所述芯片在對(duì)應(yīng)曝光區(qū)域內(nèi)的位置信息，其中，同一曝光區(qū)域內(nèi)的芯片的第二標(biāo)識(shí)不同； 在所述芯片上形成第一標(biāo)識(shí)，以標(biāo)識(shí)所述芯片在所述硅晶圓上的曝光區(qū)域，其中，所述硅晶圓上具有多個(gè)曝光區(qū)域，同一曝光區(qū)域內(nèi)的芯片的第一標(biāo)識(shí)相同，不同曝光區(qū)域內(nèi)的芯片的第一標(biāo)識(shí)不同。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在硅晶圓的曝光區(qū)域內(nèi)的芯片上形成第二標(biāo)識(shí)的過(guò)程為:對(duì)所述硅晶圓上的多個(gè)曝光區(qū)域依次進(jìn)行曝光，以在所述硅晶圓的每個(gè)曝光區(qū)域內(nèi)的芯片上形成第二標(biāo)識(shí)； 在所述芯片上形成第一標(biāo)識(shí)的過(guò)程為:對(duì)所述硅晶圓進(jìn)行一次曝光，以在所述硅晶圓的每個(gè)曝光區(qū)域內(nèi)的芯片上形成第一標(biāo)識(shí)。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述芯片為MEMS麥克風(fēng)芯片，則在硅晶圓的曝光區(qū)域內(nèi)的芯片上形成第二標(biāo)識(shí)的過(guò)程包括: 在硅晶圓的曝光區(qū)域內(nèi)的芯片表面形成第一膜層，所述芯片包括基底層和位于所述基底層表面的第一絕緣層； 在所述第一膜層上形成第一光刻膠層，并以具有第二標(biāo)識(shí)圖形的第一掩膜板為掩膜對(duì)所述第一光刻膠層進(jìn)行曝光顯影； 以所述曝光顯影后的第一光刻膠層為掩膜對(duì)所述第一膜層進(jìn)行刻蝕，形成具有第二標(biāo)識(shí)的振膜層，所述第二標(biāo)識(shí)位于所述振膜層的無(wú)效振動(dòng)區(qū)。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述芯片為MEMS麥克風(fēng)芯片，則在所述芯片上形成第一標(biāo)識(shí)的過(guò)程包括: 在所述芯片上形成第二絕緣層，并在所述第二絕緣層上形成覆蓋整個(gè)硅晶圓的第二膜層； 在所述第二膜層的表面形成第二光刻膠層，并以具有第一標(biāo)識(shí)圖形的第二掩膜板為掩膜對(duì)所述第二光刻膠層進(jìn)行曝光顯影； 以所述曝光顯影后的第二光刻膠層為掩膜對(duì)所述第二膜層進(jìn)行刻蝕，形成具有第一標(biāo)識(shí)的背極層，其中，所述第一標(biāo)識(shí)位于所述背極層的背極固定區(qū)上，且在垂直于所述基底層的方向上，所述第一標(biāo)識(shí)和所述第二標(biāo)識(shí)的投影無(wú)交疊。10.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1?5任一項(xiàng)所述的可追蹤芯片。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種可追蹤芯片及其制作方法和電子設(shè)備，所述芯片具有第一標(biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)；所述第一標(biāo)識(shí)用于標(biāo)識(shí)所述芯片在硅晶圓上的曝光區(qū)域，所述硅晶圓具有多個(gè)曝光區(qū)域，且同一曝光區(qū)域內(nèi)的芯片的第一標(biāo)識(shí)相同，不同曝光區(qū)域內(nèi)的芯片的第一標(biāo)識(shí)不同；所述第二標(biāo)識(shí)用于標(biāo)識(shí)所述芯片在對(duì)應(yīng)曝光區(qū)域內(nèi)的位置信息，其中，同一曝光區(qū)域內(nèi)的不同芯片的第二標(biāo)識(shí)不同，從而可以根據(jù)第一標(biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)確定該芯片在硅晶圓上的位置，進(jìn)而可以根據(jù)封裝后的芯片的性能參數(shù)獲知硅晶圓上與該芯片對(duì)應(yīng)的區(qū)域的缺陷信息，這樣就可以在后續(xù)的制作過(guò)程中對(duì)制作工藝進(jìn)行改進(jìn)，避免由于硅晶圓自身的缺陷而影響芯片性能的問(wèn)題。
【IPC分類】H04R19/04, H04R31/00
【公開號(hào)】CN105430585
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510861779
【發(fā)明人】蔡孟錦, 田昕, 鄭成龍, 王景雪, 李江龍
【申請(qǐng)人】歌爾聲學(xué)股份有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請(qǐng)日】2015年11月30日