電磁振膜耳機(jī)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電磁振膜耳機(jī)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，市場(chǎng)上有相當(dāng)數(shù)量的耳機(jī)產(chǎn)品采用了平面電磁振膜技術(shù)(Planar MagneticTechnology)。下文中將對(duì)于該技術(shù)進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。
[0003]眾所周知，在一塊磁鐵中，磁力線(xiàn)在磁鐵外部由北極(N極)引向南極(S極)，在磁鐵內(nèi)部由南極引向北極，構(gòu)成了磁鐵的磁場(chǎng)，如圖la所示。
[0004]而當(dāng)兩塊磁鐵相互間同級(jí)面對(duì)地放置時(shí)(例如，一磁鐵的南極面向另一磁鐵的南極)，兩塊磁鐵的各自磁場(chǎng)將發(fā)生相互擠壓，如圖lb所示。
[0005]而當(dāng)四塊磁鐵如圖lc所示放置時(shí)，兩塊并排的磁鐵中，其中一塊的南極面向?qū)γ娲盆F的北極，而另一塊磁鐵的北極面向?qū)γ娲盆F的南極，則在這四塊磁鐵之間的中心位置將出現(xiàn)一個(gè)等磁場(chǎng)區(qū)域。
[0006]如若大幅度增加并排磁鐵的數(shù)量，如圖1d所示，則在兩排磁鐵之間將出現(xiàn)多個(gè)共線(xiàn)的等磁場(chǎng)區(qū)域。
[0007]在兩排磁鐵之間插入一層膜片，如圖le所示，則該膜片就將置身于多個(gè)共線(xiàn)的等磁場(chǎng)區(qū)域中。該膜片上設(shè)有導(dǎo)電跡線(xiàn)。在導(dǎo)電跡線(xiàn)通電流的情況下，圍繞導(dǎo)電跡線(xiàn)的電流將產(chǎn)生感生磁場(chǎng)，該感生磁場(chǎng)與上述共線(xiàn)的等磁場(chǎng)相互作用，推動(dòng)或拉動(dòng)膜片運(yùn)動(dòng)。此即為平面電磁振膜技術(shù)。
[0008]然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，在耳機(jī)中采用平面電磁振膜技術(shù)，電磁感應(yīng)所引發(fā)的推力或拉力往往過(guò)于集中在膜片的特定區(qū)域，例如集中在錐形表面中心，致使膜片表面受力不均，將引發(fā)高度的音效失真。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明提供了一種電磁振膜耳機(jī)，旨在解決上述問(wèn)題，力求在不增加成本的情況下大幅度改進(jìn)耳機(jī)音效。
[0010]具體而言，本發(fā)明提供一種電磁振膜耳機(jī)，包括第一磁體陣列、膜片、以及粘附于該膜片上的導(dǎo)電鏈路，第一磁體陣列形狀為由多個(gè)磁體構(gòu)成的矩陣，膜片在其一側(cè)上面向第一磁體陣列，第一磁體陣列包括構(gòu)成矩陣的多個(gè)磁體，每個(gè)磁體面向膜片的磁極與矩陣中該磁體所直接相鄰的各磁體面向膜片的磁極在極性上相反，所述導(dǎo)電鏈路包括由一條直線(xiàn)電線(xiàn)彎折而成的多段首尾依次相接的折線(xiàn)段，從膜片朝向第一磁體陣列的視角觀察，導(dǎo)電鏈路的延伸路徑為:導(dǎo)電鏈路首先沿著所述矩陣的第一局部對(duì)角線(xiàn)延伸，在延伸至矩陣邊緣的情況下，反向折回沿著下一條局部對(duì)角線(xiàn)延伸，以此類(lèi)推，直至從最后一條局部對(duì)角線(xiàn)延伸離開(kāi)矩陣，在導(dǎo)電鏈路的延伸路徑上，每經(jīng)過(guò)一個(gè)磁體，則針對(duì)該磁體形成由兩個(gè)折線(xiàn)段構(gòu)成的彎折部，該彎折部半包圍住所經(jīng)過(guò)的磁體。
[0011]優(yōu)選地，所述膜片是軟性線(xiàn)路板，導(dǎo)電鏈路依附固定于該軟性線(xiàn)路板上。
[0012]優(yōu)選地，在膜片的另一側(cè)再設(shè)置第二磁體陣列，第一和第二磁體陣列中各自的每一個(gè)磁體一一對(duì)準(zhǔn)，對(duì)準(zhǔn)的兩個(gè)磁體其各自相面對(duì)的磁極極性相同。
[0013]優(yōu)選地，膜片的外邊緣直接固定于一剛性環(huán)的內(nèi)邊緣。
[0014]優(yōu)選地，電磁振膜耳機(jī)進(jìn)一步包括多個(gè)彎臂，膜片的外邊緣固定于每個(gè)彎臂的一端，每個(gè)彎臂的另一端可轉(zhuǎn)動(dòng)地連接于一剛性環(huán)的內(nèi)邊緣。
[0015]優(yōu)選地，所述磁體是藥丸狀磁鐵或磁盤(pán)。
[0016]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電鏈路是銅線(xiàn)。
[0017]更優(yōu)選地，在所述銅線(xiàn)上電鍍一層鎳電鍍層。
[0018]更優(yōu)選地，在所述鎳電鍍層上電鍍一層金電鍍層。
[0019]本發(fā)明所提供的電磁振膜耳機(jī)通過(guò)對(duì)膜片上所依附的導(dǎo)電鏈路的巧妙布局，可以確保在磁場(chǎng)中感應(yīng)出的推力/吸力最大限度地均勻分布在膜片的整體表面上，由此確保了耳機(jī)音效的高保真。另外，在用于固定膜片邊緣的剛性環(huán)內(nèi)側(cè)邊緣加裝彎臂機(jī)構(gòu)，可以使膜片“自由浮動(dòng)”地豎直運(yùn)動(dòng)，由此大幅度減小膜片的邊緣變形，有助于進(jìn)一步優(yōu)化音質(zhì)。進(jìn)一步，在導(dǎo)電鏈路上考慮進(jìn)行金電鍍和/或鎳電鍍，也能在不降低驅(qū)動(dòng)電流強(qiáng)度的情況下進(jìn)一步提聞首頻進(jìn)度。
【附圖說(shuō)明】
[0020]圖la-le圖示介紹了現(xiàn)有技術(shù)中的平面電磁振膜技術(shù)；
[0021]圖2圖示出根據(jù)本發(fā)明的電磁振膜耳機(jī)的磁體陣列的布局；
[0022]圖3-5圖示出根據(jù)本發(fā)明的電磁振膜耳機(jī)的導(dǎo)電鏈路的布局；
[0023]圖6a_6d圖示出在本發(fā)明的電磁振膜耳機(jī)中膜片的一種安裝方式；
[0024]圖7a_7c圖示出在本發(fā)明的電磁振膜耳機(jī)中膜片的另一種更優(yōu)選的安裝方式。
【具體實(shí)施方式】
[0025]在下文中，相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。
[0026]如上文所述，本發(fā)明旨在提供一種電磁振膜耳機(jī)，力求在不增加成本的情況下大幅度改進(jìn)耳機(jī)音效。
[0027]本發(fā)明所提供的電磁振膜耳機(jī)，包含磁體陣列、導(dǎo)電鏈路、以及該導(dǎo)電鏈路所依附的膜片。通過(guò)導(dǎo)電鏈路與磁體陣列之間的感應(yīng)作用，推動(dòng)/拉動(dòng)膜片移動(dòng)。
[0028]磁體陣列可以是單陣列，也可以是相互面對(duì)面的雙陣列。為描述方便起見(jiàn)，首先介紹單陣列的磁體陣列。
[0029]如圖2所示，磁體陣列100形成矩陣形式，即，每個(gè)磁體在矩陣的橫向和縱向上分別有兩個(gè)直接相鄰的磁體，因此該磁體陣列中，除了陣列邊角的磁體之外，其余每個(gè)磁體均有四個(gè)磁體與其直接相鄰。
[0030]磁體陣列100中，每個(gè)磁體面向?qū)щ婃溌?下文將闡述)的磁極與矩陣中直接相鄰的四個(gè)磁體的面向?qū)щ婃溌返拇艠O在極性上相反。例如，如果一個(gè)磁體面向?qū)щ婃溌返拇艠O為南極，則與該磁體直接相鄰的四個(gè)磁體面向?qū)щ婃溌返拇艠O則為北極，在此情況下，四個(gè)相鄰磁體的北極將發(fā)出磁力線(xiàn)匯聚于所提磁體的南極，磁力線(xiàn)呈現(xiàn)四方聚攏的態(tài)勢(shì)。反之，如果一個(gè)磁體面向?qū)щ婃溌返拇艠O為北極，則與該磁體直接相鄰的四個(gè)磁體面向?qū)щ婃溌返拇艠O則為南極，在此情況下，所提磁體的北極將向四個(gè)相鄰磁體的南極發(fā)出磁力線(xiàn)，磁力線(xiàn)呈現(xiàn)四散開(kāi)花的態(tài)勢(shì)。這在圖2中清晰可見(jiàn)。
[0031]與磁體陣列100直接面對(duì)的是導(dǎo)電鏈路200，如圖3所示。而導(dǎo)電鏈路200的自身排布也是本發(fā)明的發(fā)明重點(diǎn)所在。
[0032]導(dǎo)電鏈路200由一條直線(xiàn)電線(xiàn)彎折而成，由此形成多段首尾依次相連的折線(xiàn)段。彎折形成的圖案，從導(dǎo)電鏈路200朝向磁體陣列矩陣100的角度看，對(duì)于大部分磁體而言，兩段首尾相連的折線(xiàn)段半包圍一個(gè)磁體，而另兩段首尾相連的折線(xiàn)段也半包圍該磁體，由此，每個(gè)磁體均由四條折線(xiàn)段全包圍。這種全包圍形態(tài)在圖4中清晰可見(jiàn)，在圖5中則可以更為清晰地看出。
[0033]在文字解釋導(dǎo)電鏈路200的具體延伸情況之前，首先在本申請(qǐng)文件中引入矩陣的“局部對(duì)角線(xiàn)”這一概念。在矩陣的邊角外畫(huà)出的第一條直線(xiàn)為第一局部對(duì)角線(xiàn)，隨后，與該第一局部對(duì)角線(xiàn)平行但與第一局部對(duì)角線(xiàn)相隔一斜線(xiàn)行畫(huà)出第二條直線(xiàn)，該條直線(xiàn)為第二局部對(duì)角線(xiàn)，以此類(lèi)推，可以畫(huà)出多條局部對(duì)角線(xiàn)。
[0034]例如，圖4示出的磁體陣列為5*5的矩陣，第一局部對(duì)角線(xiàn)為直線(xiàn)A1，與第一局部對(duì)角線(xiàn)A1平行且與之相隔“一斜線(xiàn)行”的對(duì)角線(xiàn)為第二局部對(duì)角線(xiàn)A2，以此類(lèi)推，在5*5的陣列中，一共可以作出10條局部對(duì)角線(xiàn)，A1、A2…A9、A10。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明所定義的局部對(duì)角線(xiàn)可以如圖4所示從左上角開(kāi)始畫(huà)線(xiàn)，也可以從矩陣的其他三個(gè)角落(右上、左下、右下)開(kāi)始畫(huà)線(xiàn)。
[0035]導(dǎo)電鏈路200首先沿著第一局部對(duì)角線(xiàn)A1的方向延伸，在經(jīng)過(guò)相應(yīng)磁體時(shí)，針對(duì)該磁體形成彎折折線(xiàn)，如上文所述，兩段首尾相接的折線(xiàn)段半包圍住所經(jīng)過(guò)的磁體。由于第一和第二局部對(duì)角線(xiàn)之間只有一個(gè)磁體，因此，經(jīng)過(guò)該磁體后，導(dǎo)電鏈路200在第一局部對(duì)角線(xiàn)的延伸結(jié)束。
[0036]接著，導(dǎo)電鏈路200反方向沿著第二局部對(duì)角線(xiàn)A2延伸。類(lèi)似地，此時(shí)導(dǎo)電鏈路所經(jīng)過(guò)的磁體仍然是第一和第二局部對(duì)角線(xiàn)之間的唯一的磁體，因此，半包圍該磁體彎折一次。此時(shí)，導(dǎo)電鏈路200到達(dá)矩陣邊緣，又將反方向折回沿著第三局部對(duì)角線(xiàn)A3。
[0037]接著，導(dǎo)電鏈路200沿著第三局部對(duì)角線(xiàn)A3延伸，將經(jīng)過(guò)三個(gè)磁體，每經(jīng)過(guò)一個(gè)磁體，均彎折一次，彎折線(xiàn)將相應(yīng)磁體半包圍。
[0038]以此類(lèi)推，導(dǎo)電鏈路200從第一局部對(duì)角線(xiàn)起延伸，每經(jīng)過(guò)一個(gè)磁體均彎折一次，彎折部分對(duì)所經(jīng)過(guò)的磁體形成半包圍。在導(dǎo)電鏈路200沿著該條局部對(duì)角線(xiàn)延伸到矩陣邊沿時(shí)，將反方向彎折到下一條局部對(duì)角線(xiàn)，采用與之前對(duì)應(yīng)的彎折延伸行進(jìn)，直至完成所有局部對(duì)角線(xiàn)的彎折行進(jìn)。
[0039]由此，如圖4所示，除了矩陣邊角的個(gè)別磁體之外，大部分磁體均由四個(gè)折線(xiàn)段所全包圍。
[0040]一旦對(duì)導(dǎo)電鏈路200進(jìn)行通電，則電流將依次流過(guò)每條折線(xiàn)段，由此，對(duì)大部分磁體實(shí)現(xiàn)全包圍的四條通電的折線(xiàn)段就合作形成了一個(gè)等效的電流環(huán)，該電流環(huán)可以感應(yīng)出磁偶極矩。在圖4所示的電流通電方向的情況中，磁偶極矩的矢量方向與每個(gè)磁體的磁極方向一致，因此，磁體陣列100將對(duì)導(dǎo)電鏈路200產(chǎn)生吸力，將導(dǎo)電鏈路200朝向磁體陣列100拉動(dòng)。反之，若對(duì)導(dǎo)電鏈路200進(jìn)行方向相反的通電，磁偶極矩