一種二階微分平方復(fù)雜度的混沌電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請(qǐng)涉及電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種二階微分平方復(fù)雜度的混沌電路。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，隨著智能測(cè)控探頭的急需，高階混沌信號(hào)產(chǎn)生電路備受青睞。2010年蔡紹堂教授與合作者報(bào)道了最簡(jiǎn)單的蔡氏電路，其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括一個(gè)電感、一個(gè)電容、兩個(gè)乘法器芯片和兩個(gè)運(yùn)算放大器芯片以及多只電阻，在計(jì)算復(fù)雜性上引入了三因子乘積項(xiàng)，其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)顯得仍然復(fù)雜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N二階微分平方復(fù)雜度的混沌電路，該電路只需要一個(gè)電感、一個(gè)電容、一個(gè)乘法器芯片和一個(gè)運(yùn)算放大器芯片以及五個(gè)電阻即可實(shí)現(xiàn)高級(jí)混沌信號(hào)的輸出或二階混沌信號(hào)的輸出，拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，現(xiàn)提出的方案如下:
[0005]—種二階微分平方復(fù)雜度的混沌電路，包括:電感、電容和憶阻器，其中所述電感、所述電容以及所述憶阻器串聯(lián)，所述電感的一端與所述電容相連，另一端接地；
[0006]所述憶阻器包括:乘法器芯片、運(yùn)算放大器、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻以及第五電阻；
[0007]其中，所述第一電阻的一端與所述電容相連，另一端與所述乘法器芯片的輸出端相連；
[0008]所述第一電阻與所述乘法器芯片的公共端與所述第二電阻的一端相連，所述第二電阻的另一端與所述運(yùn)算放大器的同相輸入端相連；
[0009]所述第一電阻與所述電容的公共端與所述第三電阻的一端相連，所述第三電阻的另一端與所述運(yùn)算放大器的反相輸入端相連；
[0010]所述第二電阻與所述運(yùn)算放大器的公共端與所述第四電阻的一端相連，所述第四電阻的另一端接地；
[0011]所述第三電阻與所述運(yùn)算放大器的公共端與所述第五電阻的一端相連，所述第五電阻的另一端與所述運(yùn)算放大器的輸出端以及所述乘法器芯片的和項(xiàng)輸入端均相連；
[0012]所述電感與所述電容的公共端與所述乘法器芯片的第一反相差動(dòng)輸入端相連；
[0013]所述乘法器芯片的第一同相差分輸入端以及第二通項(xiàng)差分輸入端接地，第二反相差分輸入端作為第一接線(xiàn)端子；
[0014]所述電感和所述電容的公共端作為第二接線(xiàn)端子，所述電容與所述第一電阻的公共端作為第三接線(xiàn)端子，所述第一電阻與所述乘法器芯片的公共端作為第四端子接線(xiàn)；
[0015]其中，當(dāng)所述第一接線(xiàn)端子分別與所述第二接線(xiàn)端子、所述第三接線(xiàn)端子以及所述第四接線(xiàn)端子相連時(shí)，所述混沌電路輸出三種不同的高階混沌信息，當(dāng)所述第一接線(xiàn)端子接地時(shí)，所述混沌電路輸出二階混沌信號(hào)。
[0016]優(yōu)選的，所述電路的供電電壓為正負(fù)5V至正負(fù)10V。
[0017]優(yōu)選的，所述電感的電感值為ImH?1 OmH，所述電容的電容值為0.0lyF?0.lyF，所述第一電阻的電阻值為200Ω，所述第二電阻和所述第三電阻的電阻值均為lkQ，所述第四電阻以及所述第五電阻的電阻值為電阻100kΩ。
[0018]經(jīng)由上述技術(shù)方案可知，本申請(qǐng)公開(kāi)了一種二階微分平方復(fù)雜度的混沌電路。本發(fā)明對(duì)憶阻器的結(jié)構(gòu)進(jìn)行簡(jiǎn)化，所述憶阻器包括:乘法器芯片、運(yùn)算放大器、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻以及第五電阻。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明較大地簡(jiǎn)化了憶阻器網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)的結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)原理充分利用了乘積項(xiàng)中的差動(dòng)輸入對(duì)的反相輸入端，也合理組合了乘法器的乘積結(jié)果中的和項(xiàng)式端子，通過(guò)僅僅改動(dòng)拓?fù)鋬?nèi)部的一根連線(xiàn)，就能達(dá)到分別實(shí)現(xiàn)三種高階混沌或一種二階混沌的新信號(hào)產(chǎn)生效果。
【附圖說(shuō)明】
[0019]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1示出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例公開(kāi)的一種二階微分平方復(fù)雜度的混沌電路；
[0021]圖2?圖5示出了本發(fā)明公開(kāi)的一種二階微分平方復(fù)雜度的混沌電路輸出的信號(hào)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0023]在混沌產(chǎn)生電路中，以1983年提出的蔡氏電路為例，其設(shè)計(jì)的基本理念是至少包括三個(gè)儲(chǔ)能元件和一個(gè)非線(xiàn)性負(fù)阻；簡(jiǎn)化蔡氏電路的最近的成功例證是由三個(gè)元件構(gòu)造單環(huán)串聯(lián)回路，包括一個(gè)電感、一個(gè)電容和一個(gè)憶阻器網(wǎng)絡(luò)。已知的2010年的報(bào)道提示，實(shí)現(xiàn)憶阻器網(wǎng)絡(luò)將耗費(fèi)二個(gè)乘法器芯片、四個(gè)運(yùn)放和較多的電阻，同時(shí)乘法器芯片內(nèi)部的積和運(yùn)算的相關(guān)端子例如差動(dòng)輸入或和項(xiàng)端輸入的利用，并不充分。
[0024]綜上，為了推動(dòng)高階混沌信號(hào)產(chǎn)生電路的最簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)的發(fā)展，滿(mǎn)足主動(dòng)測(cè)量等技術(shù)環(huán)節(jié)中的新混沌信號(hào)產(chǎn)生的急迫需求，具體指導(dǎo)M0S管集成水平的高階混沌信號(hào)產(chǎn)生專(zhuān)用集成電路的創(chuàng)新設(shè)計(jì)參考，就具備了深遠(yuǎn)的現(xiàn)實(shí)的工程意義。
[0025]參見(jiàn)圖1示出了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例公開(kāi)的一種二階微分平方復(fù)雜度的混沌電路。
[0026]該電路包括電感L1、電容C1和憶阻器。其中電感L1、電容C1以及憶阻器串聯(lián)，且電感L1的一端與電容C1相連，另一端接地。
[0027]該憶阻器具體包括:乘法器芯片U1、運(yùn)算放大器U2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4以及第五電阻R5。
[0028]下面具體介紹各個(gè)元器件的連接方式。
[0029 ]所述第一電阻的一端與所述電容相連，另一端與所述乘法器芯片的輸出端W相連。
[0030]所述第一電阻與所述乘法器芯片的公共端與所述第二電阻的一端相連，所述第二電阻的另一端與所述運(yùn)算放大器的同相輸入端相連。
[0031]所述第一電阻與所述電容的公共端與所述第三電阻的一端相連，所述第三電阻的另一端與所述運(yùn)算放大器的反相輸入端相連。
[0032]所述第二電阻與所述運(yùn)算放大器的公共端與所述