傳聲器及制造傳聲器的方法
【專利說明】傳聲器及制造傳聲器的方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2014年10月17日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2014-0141165號的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，將該申請的全部內(nèi)容通過弓I用結(jié)合于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本公開涉及一種傳聲器及制造傳聲器的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]傳聲器將聲音轉(zhuǎn)換為電信號，并且傳聲器已變得越來越小。因此，已開發(fā)出使用微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的傳聲器。
[0005]相比于傳統(tǒng)的駐極體電容傳聲器(ECM)，這樣的MEMS傳聲器更耐濕熱，并且該傳聲器可以較小尺寸制造并與信號處理電路集成。
[0006]通常，MEMS傳聲器可以分為電容式MEMS傳聲器和壓電式MEMS傳聲器。
[0007]電容式MEMS傳聲器包括固定電極和振動膜。當外部聲壓施加于振動膜時，電容值由于固定電極與振動膜之間的距離變化而改變?；诖丝坍a(chǎn)生的電信號測量該聲壓。
[0008]壓電式MEMS傳聲器僅包括振動膜。當振動膜由于外部聲壓而變形時，由于壓電效應(yīng)產(chǎn)生電信號?；谠撾娦盘枩y量聲壓。
[0009]通常，在電容式MEMS傳聲器的情況下，固定電極和振動膜使用表面微加工和體微加工形成。由于工序復雜以及工序數(shù)量增多，難以制造MEMS傳聲器。
[0010]在該【背景技術(shù)】部分中公開的以上信息僅僅用于加強對本發(fā)明背景的理解，因此，其可包含未構(gòu)成在該國家為本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本公開已致力于提供這樣一種傳聲器及制造傳聲器的方法，其具有當制造輸入傳聲器時減少制造工序數(shù)量的優(yōu)點。
[0012]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實施方式，一種制造傳聲器的方法包括:制備襯底以及在襯底上形成氧化層圖案并且在襯底的背面上形成氧化層。通過將氧化層圖案用作掩模將導電離子注入到襯底中而在襯底上形成振動膜。通過去除氧化層圖案在襯底和振動膜上相繼形成犧牲層和固定電極。在固定電極上形成第一光刻膠層圖案，并且通過將第一光刻膠層圖案用作掩模使固定電極圖案化而形成進氣口。在氧化層的背面上形成第二光刻膠層圖案，并且通過蝕刻氧化層以及襯底的背面來形成穿孔，振動膜的一部分通過該穿孔露出。通過去除犧牲層的一部分在固定電極和振動膜之間形成空氣層。
[0013]形成穿孔的步驟可包括在振動膜中形成多個溝槽。
[0014]溝槽可形成于穿孔之上。
[0015]該離子可包括硼離子或磷離子。
[0016]該方法還可包括在形成穿孔之后形成連接至固定電極的第一襯墊以及連接至振動膜的第二襯墊。
[0017]形成第一襯墊和第二襯墊可包括在固定電極和振動膜上形成光刻膠層，固定電極的一部分和振動膜的該部分通過該光刻膠層露出。在光刻膠層上在固定電極的該部分和振動膜的該部分形成金屬層。去除光刻膠層以及形成在光刻膠層上的金屬層。
[0018]固定電極可由多晶硅或金屬構(gòu)成。
[0019]襯底可包含娃。
[0020]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例性實施方式，一種傳聲器包括具有穿孔的襯底。振動膜設(shè)置在襯底之上并且覆蓋穿孔。固定電極包括多個進氣口，該固定電極設(shè)置于振動膜之上并且與振動膜隔開。振動膜可由導電離子注入其中的硅制成。
[0021]振動膜可包括多個溝槽。
[0022]傳聲器還可包括設(shè)置于振動膜的邊緣并支撐固定電極的支撐層。
[0023]如上所述，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的該示例性實施例，由于該傳聲器使用四個掩模制成，能減少工序數(shù)量，從而能降低工序成本。
【附圖說明】
[0024]圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實施例的傳聲器的示意性剖視圖。
[0025]圖2是示意性示出圖1的傳聲器的振動膜的俯視平面圖。
[0026]圖3至圖7是說明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實施例的制造傳聲器的方法的圖不O
【具體實施方式】
[0027]在下文中，參照附圖詳細地描述本發(fā)明構(gòu)思的一些示例性實施例。然而，本公開不限于在本文中描述的實施方式，而是可以其他形式實現(xiàn)。相反，提供所介紹的實施方式，以使所公開的內(nèi)容透徹且完整，并且將本發(fā)明構(gòu)思的精神充分地傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0028]附圖中，為了描述清楚，層或區(qū)域的厚度已被放大。此外，當一層被稱為在另一層或襯底“上”時，該層可直接地形成于另一層或襯底上，或者第三層可介于其間。
[0029]在下文中，參照圖1和2描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實施方式的傳聲器。
[0030]圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實施例的傳聲器的示意性剖視圖。圖2是示意性示出圖1的傳聲器的振動膜的俯視平面圖。
[0031]參照圖1，根據(jù)本公開的傳聲器包括:襯底100、振動膜120、以及固定電極130。
[0032]襯底100可由硅制成并且具有形成于其中的穿孔110。
[0033]振動膜120設(shè)置在襯底100上。振動膜120覆蓋穿孔110。振動膜120的一部分相對于穿孔110露出并且響應(yīng)于外部聲音而振動。
[0034]振動膜120具有圓形形狀并且包括多個溝槽121，這些溝槽形成于穿孔110之上。在本公開中，振動膜120被圖解為具有四個溝槽121，但并不限于此，溝槽121的數(shù)量可多于四個。溝槽121可具有相同尺寸或者不同尺寸。
[0035]振動膜120可由導電離子注入其中的硅制成。在該情況下，離子可包括硼離子或磷咼子。
[0036]與振動膜120隔開的固定電極130設(shè)置在振動膜120上。固定電極130包括多個進氣口 131。
[0037]固定電極130設(shè)置在支撐層31上并固定于此。支撐層31設(shè)置于振動膜120的邊緣部分，并且支撐固定電極130。在此，固定電極130可由多晶硅或金屬制成。
[0038]空氣層32形成于固定電極130與振動膜120之間，并且固定電極130與振動膜120以預定間隔彼此隔開。
[0039]外部聲音通過形成于固定電極130中的進氣口 131引入，因此刺激振動膜120，并且振動膜120響應(yīng)于此而振動。
[0040]當振動膜120響應(yīng)于外部聲音而振動時，振動膜120與固定電極130之間的距離變化。因此，振動膜120與固定電極130之間的電容變化。通過連接至固定電極130的第一襯墊140以及連接至振動膜120的第二襯墊145，信號處理電路(未圖示)將變化的電容轉(zhuǎn)換為電信號，從而檢測外部聲音。
[0041]以下參照圖1以及圖3至7描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實施方式的制造傳聲器的方法。
[0042]圖3至圖7是說明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一示例性實施例的制造傳聲器的方法的圖不O
[0043]參照圖3，在制備