抑制偏振的揚(yáng)聲器裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種抑制偏振的揚(yáng)聲器裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 對(duì)于微型揚(yáng)聲器模組而言，模組的裝置通常是不對(duì)稱的，同時(shí)由于在微型揚(yáng)聲器 組裝過(guò)程中存在的難以避免的工藝公差，往往導(dǎo)致微型揚(yáng)聲器的振膜在大位移情況下產(chǎn)生 偏振，主要表現(xiàn)為補(bǔ)強(qiáng)部的四個(gè)邊角位置的位移不等，即在振動(dòng)方向上振膜平面的位移大 小不一致。
[0003] 而市場(chǎng)上對(duì)內(nèi)磁間隙和外磁間隙的要求越來(lái)越高，日益減小的磁間隙對(duì)振膜的偏 振也會(huì)越來(lái)越敏感。
[0004] 振膜偏振會(huì)帶來(lái)以下問(wèn)題：
[0005] 1)這種振動(dòng)方向上的位移不一致會(huì)導(dǎo)致振膜平面的應(yīng)力不集中，從而容易造成局 部區(qū)塊的應(yīng)力過(guò)大而導(dǎo)致振膜過(guò)度疲勞甚至膜裂。
[0006] 2)振動(dòng)方向上振動(dòng)位移不一致還會(huì)導(dǎo)致音圈在磁間隙內(nèi)發(fā)生偏斜，從而與磁路發(fā) 生擦碰。
[0007] 當(dāng)前，在微型揚(yáng)聲器中有通過(guò)使用定心支片來(lái)緩解產(chǎn)品的偏振，定心支片主要通 過(guò)機(jī)械回復(fù)力來(lái)抑制偏振，但定心支片會(huì)占據(jù)一定的空間，同時(shí)應(yīng)用在微型揚(yáng)聲器中對(duì)工 藝的挑戰(zhàn)也比較大。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0008] 本實(shí)用新型的目的是提供一種抑制揚(yáng)聲器偏振的新的技術(shù)方案。
[0009] 本實(shí)用新型提供了一種抑制偏振的揚(yáng)聲器裝置，包括：
[0010] 振動(dòng)系統(tǒng)、磁路系統(tǒng)、容納所述振動(dòng)系統(tǒng)和所述磁路系統(tǒng)的外殼，以及電荷極性一 致的第一駐極體層、第二駐極體層和第三駐極體層；
[0011] 所述第一駐極體層依附于所述振動(dòng)系統(tǒng)，所述第二駐極體層依附于所述振動(dòng)系統(tǒng) 之上的第一固定部件并且與所述第一駐極體層相對(duì)，所述第三駐極體層依附于所述振動(dòng)系 統(tǒng)之下的第二固定部件并且與所述第一駐極體層相對(duì)；并且所述第一駐極體層、第二駐極 體層和所述第三駐極體層相互平行。
[0012] 優(yōu)選的，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜和位于所述振膜下方的音圈，所述第一駐極體層 依附于所述振膜。
[0013] 優(yōu)選的，還包括設(shè)置在所述振膜和所述音圈之間并且隔離所述第一駐極體層和所 述音圈的第一阻熱材料層。
[0014] 優(yōu)選的，所述第一阻熱材料層覆蓋所述振膜的全部區(qū)域，或者僅設(shè)置于所述振膜 與所述音圈連接的區(qū)域。
[0015] 優(yōu)選的，所述振膜包括振膜本體部和補(bǔ)強(qiáng)部，所述振膜本體部包括位于中間的平 面部和位于平面部邊緣的折環(huán)部，所述補(bǔ)強(qiáng)部設(shè)置在所述平面部的上方；所述第一駐極體 層設(shè)置在所述平面部靠近所述音圈的一側(cè)、或者設(shè)置在所述平面部靠近所述補(bǔ)強(qiáng)部的一 偵U，或者設(shè)置在所述補(bǔ)強(qiáng)部的上方。
[0016] 優(yōu)選的，還包括設(shè)置在所述振膜和所述音圈之間并且隔離所述第一駐極體層和所 述音圈的第一阻熱材料層；
[0017] 優(yōu)選的，所述第一阻熱材料層覆蓋所述振膜本體部的全部區(qū)域，或者僅覆蓋所述 平面部的全部區(qū)域，或者僅設(shè)置于所述振膜與所述音圈連接的區(qū)域。
[0018] 優(yōu)選的，所述第一駐極體層、第二駐極體層以及第三駐極體層均包括同樣數(shù)量的 獨(dú)立區(qū)域，全部所述獨(dú)立區(qū)域的形狀和大小相同；所述第一駐極體層的各個(gè)獨(dú)立區(qū)域帶有 相等的電荷量并且關(guān)于振膜中心點(diǎn)對(duì)稱布置；所述第二駐極體層的各個(gè)獨(dú)立區(qū)域帶有相等 的電荷量并且與所述第一駐極體層的各個(gè)獨(dú)立區(qū)域-對(duì)應(yīng)布置；所述第三駐極體層的各 個(gè)獨(dú)立區(qū)域帶有相等的電荷量并且與所述第一駐極體層的各個(gè)獨(dú)立區(qū)域一一對(duì)應(yīng)布置。
[0019] 優(yōu)選的，所述振膜包括振膜本體部和與所述振膜本體部連接的補(bǔ)強(qiáng)部，所述第一 駐極體層的各個(gè)獨(dú)立區(qū)域分布于所述振膜本體部和所述補(bǔ)強(qiáng)部的連接區(qū)域的邊緣。
[0020] 優(yōu)選的，所述外殼包括設(shè)置在所述振動(dòng)系統(tǒng)上方的前蓋，所述第二駐極體層依附 于所述前蓋并且設(shè)置在所述前蓋朝向所述振動(dòng)系統(tǒng)的一側(cè)。
[0021] 優(yōu)選的，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜和位于所述振膜下方的音圈，所述磁路系統(tǒng)位于 所述振動(dòng)系統(tǒng)的下方，所述磁路系統(tǒng)包括華司，所述第三駐極體層依附于所述華司并且設(shè) 置在所述華司靠近所述振膜的一側(cè)。
[0022] 優(yōu)選的，還包括設(shè)置在所述第三駐極體層和所述華司之間的第二阻熱材料層。
[0023] 優(yōu)選的，所述第一駐極體層、第二駐極體層和第三駐極體層為駐極體薄膜或駐極 體極板。
[0024] 優(yōu)選的，所述第一駐極體層、第二駐極體層和第三駐極體層的厚度為um~mm級(jí) 別。
[0025] 優(yōu)選的，所述第一駐極體層、第二駐極體層和第三駐極體層的材質(zhì)包括下列任一 或組合：氟化乙烯丙烯共聚物、聚四氟乙烯、聚二氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚醚酰亞胺、聚乙 烯對(duì)苯二甲酸酯、膨體聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯。
[0026] 本實(shí)用新型的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有技術(shù)中，只能使用定心支片來(lái)緩解揚(yáng)聲器產(chǎn)品 的偏振，這種方法又帶有自身的局限性。為了解決揚(yáng)聲器產(chǎn)品的偏振現(xiàn)象，本實(shí)用新型提出 了利用靜電場(chǎng)作用力抑制揚(yáng)聲器偏振的技術(shù)方案，這種解決問(wèn)題的方向是本領(lǐng)域技術(shù)人員 從未想到的或者沒(méi)有預(yù)期到的，故本實(shí)用新型是一種新的技術(shù)方案。
[0027] 本實(shí)用新型采用靜電場(chǎng)作用力抑制振膜在振動(dòng)方向上的偏振，靜電場(chǎng)力依靠駐極 體層來(lái)提供，不需要外加激勵(lì)信號(hào)并且組裝工藝簡(jiǎn)單、抑制效果好。
[0028] 通過(guò)以下參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它 特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。
【附圖說(shuō)明】
[0029] 被結(jié)合在說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分的附圖示出了本實(shí)用新型的實(shí)施例，并 且連同其說(shuō)明一起用于解釋本實(shí)用新型的原理。
[0030]圖1是本實(shí)用新型抑制偏振的揚(yáng)聲器裝置的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031] 圖2-3是本實(shí)用新型抑制偏振的揚(yáng)聲器裝置的原理示意圖。
[0032] 圖4是本實(shí)用新型抑制偏振的揚(yáng)聲器裝置的第二實(shí)施例的局部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033] 圖5是本實(shí)用新型抑制偏振的揚(yáng)聲器裝置的第三實(shí)施例的局部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034] 圖6是本實(shí)用新型抑制偏振的揚(yáng)聲器裝置的第四實(shí)施例的局部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0035] 圖7a_7c是本實(shí)用新型抑制偏振的揚(yáng)聲器裝置的第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0036] 圖8-9是本實(shí)用新型抑制偏振的揚(yáng)聲器裝置的第五實(shí)施例的爆炸示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037] 現(xiàn)在將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本實(shí)用新型的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到：除非另 外具體說(shuō)明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對(duì)布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限 制本實(shí)用新型的范圍。
[0038] 以下對(duì)至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說(shuō)明性的，決不作為對(duì)本實(shí)用 新型及其應(yīng)用或使用的任何限制。
[0039] 對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況 下，所述技術(shù)和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說(shuō)明書(shū)的一部分。
[0040] 在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不 是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它例子可以具有不同的值。
[0041] 應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一 個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。
[0042] 本實(shí)用新型抑制偏振的揚(yáng)聲器裝置包括振動(dòng)系統(tǒng)、磁路系統(tǒng)、容納振動(dòng)系統(tǒng)和磁 路系統(tǒng)的外殼，以及電荷極性一致的第一駐極體層、第二駐極體層和第三駐極體層；第一 駐極體層依附于振動(dòng)系統(tǒng)，第二駐極體層依附于振動(dòng)系統(tǒng)之上的第一固定部件并且與第一 駐極體層相對(duì)，第三駐極體層依附于振動(dòng)系統(tǒng)之下的第二固定部件并且與第一駐極體層相 對(duì)，第一駐極體層、第二駐極體層和第三駐極體層相互平行。本實(shí)用新型利用駐極體層之間 的靜電場(chǎng)作用力來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)振動(dòng)系統(tǒng)在振動(dòng)方向上的偏振的抑制，靜電場(chǎng)力依靠駐極體層之 間的斥力來(lái)提供，由于駐極體材料可以獨(dú)立于外部電源而長(zhǎng)久攜帶穩(wěn)定電荷，所以靜電場(chǎng) 的建立非常簡(jiǎn)單。
[0043] 其中，振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜和位于振膜下方的音圈，第一駐極體層依附于振膜。揚(yáng)聲 器裝置還包括設(shè)置在振膜和音圈之間并且隔離第一駐極體層和音圈的第一阻熱材料層，第 一阻熱材料層可以覆蓋振膜的全部區(qū)域或者僅設(shè)置于振膜與音圈連接的區(qū)域。
[0044] 參考圖1所示為抑制偏振的揚(yáng)聲器裝置的第一實(shí)施例，揚(yáng)聲器包括振動(dòng)系統(tǒng)、磁 路系統(tǒng)、以及容納振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)的外殼。揚(yáng)聲器的振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜和位于振膜下 方的音圈22,振膜包括振膜本體部212和補(bǔ)強(qiáng)部211，振膜本體部212包括位于中間的平面 部、位于平面部邊緣的折環(huán)部、以及位于最外圍的與外殼固定的固定部，補(bǔ)強(qiáng)部211設(shè)置在 平面部的上方。揚(yáng)聲器的磁路系統(tǒng)位于振動(dòng)系統(tǒng)的下方，從上至下依次包括華司31、磁鐵 32和盆架33。外殼包括設(shè)置于振膜上方的前蓋1。
[0045] 參考圖1所示，第一駐極體層100依附于振膜，設(shè)置在平面部靠近音圈22的