Mems麥克風(fēng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及聲電產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種MEMS麥克風(fēng)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著社會(huì)的進(jìn)步和技術(shù)的發(fā)展，近年來(lái)，手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等電子產(chǎn)品的體積越來(lái)越小，人們對(duì)這些電子產(chǎn)品的性能要求也越來(lái)越高，從而也要求與之配套的電子零件的體積的性能不斷提高。MEMS(Micro-Electro-Mechanical System,微型機(jī)電系統(tǒng))麥克風(fēng)是將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)的能量轉(zhuǎn)換器，是基于MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)，可以采用表貼工藝進(jìn)行制造，并具有很好的噪聲消除性能與良好的射頻及電磁干擾抑制能力，MEMS麥克風(fēng)正是以其上述優(yōu)點(diǎn)在便攜式電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。
[0003]MEMS麥克風(fēng)的封裝結(jié)構(gòu)一般包括外殼和線路板，如圖1所不。外殼I可以為一體成型的結(jié)構(gòu)，也可以為線路板結(jié)構(gòu)壓合或焊接而成，外殼I和線路板2上都對(duì)應(yīng)設(shè)置有焊點(diǎn)，一般通過(guò)回流焊等工藝焊接在一起，構(gòu)成了容納MEMS聲學(xué)芯片3和ASIC芯片4的封裝結(jié)構(gòu)，外殼I上設(shè)置有聲孔6，聲音信號(hào)通過(guò)聲孔6作用到MEMS聲學(xué)芯片3上，MEMS聲學(xué)芯片3和線路板2包圍形成后聲腔8的空間有限，對(duì)產(chǎn)品能得到更好的靈敏度和信噪比等電聲性能有很大的影響。
[0004]因此，有必要提出一種改進(jìn)，以克服傳統(tǒng)MEMS麥克風(fēng)的缺陷。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種性能優(yōu)良的MEMS麥克風(fēng)。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:
[0007]一種MEMS麥克風(fēng)，包括外殼和線路板組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)設(shè)置有MEMS聲學(xué)芯片和ASIC芯片，所述外殼設(shè)置有凹槽，形成容納所述MEMS聲學(xué)芯片和ASIC芯片的空腔，所述外殼上還設(shè)置有聲孔，并且:所述聲孔靠近所述ASIC芯片，且所述線路板上設(shè)置有支撐所述MEMS聲學(xué)芯片和所述ASIC芯片的殼體，所述殼體與所述線路板形成一個(gè)空腔，且所述殼體上設(shè)置有通孔，所述MEMS聲學(xué)芯片通過(guò)所述通孔與所述空腔連通。
[0008]作為一種優(yōu)良的技術(shù)方案，所述封裝結(jié)構(gòu)的所述聲孔處設(shè)置有防塵網(wǎng)。
[0009]作為一種優(yōu)良的技術(shù)方案，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的所述外殼上設(shè)置有遮擋部，所述遮擋部與所述外殼一體設(shè)置。
[0010]作為一種優(yōu)良的技術(shù)方案，所述線路板上設(shè)置有凹槽，所述凹槽位于所述殼體與所述線路板形成的空腔內(nèi)。
[0011]作為一種優(yōu)良的技術(shù)方案，所述殼體為金屬或者耐高溫塑料材料。
[0012]本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)，在MEMS封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的線路板上設(shè)置有支撐MEMS聲學(xué)芯片和ASIC芯片的殼體，殼體與線路板形成空腔，殼體上設(shè)置有通孔，MEMS聲學(xué)芯片通過(guò)通孔與空腔連通，因此有效地增大了 MEMS麥克風(fēng)的后腔體積，可以使MEMS麥克風(fēng)產(chǎn)品得到更尚的靈敏度和更尚的?目噪比，提尚了廣品的性能。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的MEMS麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖2示出了本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)實(shí)施例一結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖3示出了本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)實(shí)施例一結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0016]圖4示出了本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖5示出了本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)實(shí)施例三的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]為了使本實(shí)用新型解決的技術(shù)問(wèn)題、采用的技術(shù)方案、取得的技術(shù)效果易于理解，下面結(jié)合具體的附圖，對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做進(jìn)一步說(shuō)明。
[0019]實(shí)施例一
[0020]如圖2和圖3所示，本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)包括外殼I和線路板2組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)設(shè)置有MEMS聲學(xué)芯片3和ASIC芯片4，MEMS聲學(xué)芯片3和ASIC芯片4之間通過(guò)金屬引線5通過(guò)打線的方式電連接，所述外殼I設(shè)置有凹槽，形成容納所述MEMS聲學(xué)芯片3和ASIC芯片4的空腔，所述封裝結(jié)構(gòu)的所述外殼I上還設(shè)置有聲孔6，聲音信號(hào)通過(guò)聲孔6進(jìn)入MEMS麥克風(fēng)內(nèi)部，所述聲孔6靠近所述ASIC芯片4，且所述線路板2上設(shè)置有支撐所述MEMS聲學(xué)芯片3和所述ASIC芯片4的殼體7，述殼體7與所述線路板2形成一個(gè)空腔8，且所述殼體上設(shè)置有通孔71，所述MEMS聲學(xué)芯片3通過(guò)所述通孔71與所述空腔81連通。
[0021]采用了上述的技術(shù)方案，通過(guò)在線路板上設(shè)置殼體7，殼體7可以為金屬或者耐高溫塑料材料，殼體7與所述線路板形成空腔81，所述MEMS聲學(xué)芯片3通過(guò)通孔71與所述空腔81連通，從而增大了后腔8的體積，解決了因后腔8的體積受限制導(dǎo)致的MEMS麥克風(fēng)的靈敏度低以及信噪比差的問(wèn)題。因此，本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)具有靈敏度高，聲學(xué)性能好的優(yōu)點(diǎn)。
[0022]實(shí)施例二
[0023]如圖4所示，與實(shí)施例一相同，實(shí)施例二的MEMS麥克風(fēng)同樣在線路板2上設(shè)置有支撐所述MEMS聲學(xué)芯片3和所述ASIC芯片4的殼體7，殼體7可以為金屬或者耐高溫塑料材料，所述殼體7與所述線路板2形成一個(gè)空腔8，且所述殼體上設(shè)置有通孔71，所述MEMS聲學(xué)芯片3通過(guò)所述通孔71與所述空腔81連通，從而增大了后腔8的體積，解決了因后腔8的體積受限制導(dǎo)致的MEMS麥克風(fēng)的靈敏度低以及信噪比差的問(wèn)題。
[0024]與實(shí)施例一不同的是:因麥克風(fēng)內(nèi)部的芯片離聲孔較近，為了防止外界氣流較大時(shí)，氣流通過(guò)聲孔6進(jìn)入到麥克風(fēng)內(nèi)部，作用到MEMS聲學(xué)芯片，對(duì)芯片造成影響，在MEMS麥克風(fēng)的聲孔處加上防風(fēng)裝置，以避免氣流對(duì)芯片的影響。如圖4所示，在所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的所述外殼I上設(shè)置有遮擋部11，所述遮擋部11與所述外殼I 一體設(shè)置，遮擋物11可以對(duì)麥克風(fēng)內(nèi)部的芯片起到保護(hù)作用，提高產(chǎn)品的可靠性。另外，也可以在聲孔6處設(shè)置防塵網(wǎng)，防塵網(wǎng)可以位于封裝結(jié)構(gòu)的內(nèi)部，也可以位于封裝結(jié)構(gòu)的外部，同樣可以起到保護(hù)芯片不受外界氣流而影響性能的作用。
[0025]實(shí)施例三
[0026]如圖5所示，本實(shí)施例的MEMS麥克風(fēng)在線路板2上設(shè)置有支撐所述MEMS聲學(xué)芯片3和所述ASIC芯片4的殼體7，殼體7可以為金屬或者耐高溫塑料材料，所述殼體7與所述線路板2形成一個(gè)空腔8，且所述殼體上設(shè)置有通孔71，所述MEMS聲學(xué)芯片3通過(guò)所述通孔71與所述空腔81連通，從而增大了后腔8的體積，解決了因后腔8的體積受限制導(dǎo)致的MEMS麥克風(fēng)的靈敏度低以及信噪比差的問(wèn)題。
[0027]與實(shí)施例一不同的是:本實(shí)施例的MEMS麥克風(fēng)在線路板2上設(shè)置有凹槽21，所述凹槽21位于殼體7與線路板2形成的空腔81內(nèi)，凹槽21的設(shè)置進(jìn)一步增大了 MEMS麥克風(fēng)后腔8的體積，更好的提高了 MEMS麥克風(fēng)產(chǎn)品的靈敏度和信噪比，提高了 MEMS麥克風(fēng)的廣& Ij^f生會(huì)K O
[0028]綜上，在本實(shí)用新型中，為了提尚MEMS麥克風(fēng)的廣品性能，提尚麥克風(fēng)的廣品靈敏度和信噪比，增加MEMS麥克風(fēng)的可靠性能，在MEMS麥克風(fēng)的線路板2上設(shè)置支撐MEMS聲學(xué)芯片和ASIC芯片的殼體，殼體與線路板形成空腔，空腔通過(guò)殼體上的通孔與MEMS聲學(xué)芯片連通，因此有效地增大了 MEMS麥克風(fēng)的后腔體積，可以使MEMS麥克風(fēng)產(chǎn)品得到更高的靈敏度和更高的信噪比，提高了麥克風(fēng)產(chǎn)品的性能。
[0029]本實(shí)用新型的應(yīng)用范圍不局限于以上描述的特定實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用對(duì)殼體的的尺寸以及形狀進(jìn)行調(diào)整，同樣也可以對(duì)線路板上的凹槽的尺寸、深度以及形狀進(jìn)行調(diào)整。
[0030]本實(shí)用新型已通過(guò)優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行了詳盡的說(shuō)明。然而，通過(guò)對(duì)前文的研讀，對(duì)各實(shí)施方式的變化和增加對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。申請(qǐng)人的意圖是所有的這些變化和增加都落在了本實(shí)用新型權(quán)利要求所保護(hù)的范圍中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種MEMS麥克風(fēng)，包括外殼和線路板組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)設(shè)置有MEMS聲學(xué)芯片和ASIC芯片，所述外殼設(shè)置有凹槽，形成容納所述MEMS聲學(xué)芯片和ASIC芯片的空腔，所述外殼上還設(shè)置有聲孔，其特征在于:所述聲孔靠近所述ASIC芯片，且所述線路板上設(shè)置有支撐所述MEMS聲學(xué)芯片和所述ASIC芯片的殼體，所述殼體與所述線路板形成空腔，且所述殼體上設(shè)置有通孔，所述MEMS聲學(xué)芯片通過(guò)所述通孔與所述空腔連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于:所述封裝結(jié)構(gòu)的所述聲孔處設(shè)置有防塵網(wǎng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于:所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的所述外殼上設(shè)置有遮擋部，所述遮擋部與所述外殼一體設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于:所述線路板上設(shè)置有凹槽，所述凹槽位于所述殼體與所述線路板形成的空腔內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一權(quán)利要求所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于:所述殼體為金屬或者耐高溫塑料材料。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種MEMS麥克風(fēng)，包括外殼和線路板組成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)設(shè)置有MEMS聲學(xué)芯片和ASIC芯片，所述外殼設(shè)置有凹槽，形成容納所述MEMS聲學(xué)芯片和ASIC芯片的空腔，所述外殼上還設(shè)置有聲孔，所述聲孔靠近所述ASIC芯片，所述線路板上設(shè)置有支撐所述MEMS聲學(xué)芯片和所述ASIC芯片的殼體，所述殼體與所述線路板形成空腔，且所述殼體上設(shè)置有通孔，所述MEMS聲學(xué)芯片通過(guò)所述通孔與所述空腔連通，有效地增大MEMS麥克風(fēng)的后腔體積，可以使MEMS麥克風(fēng)產(chǎn)品得到更高的靈敏度和更高的信噪比，提高了產(chǎn)品的性能。
【IPC分類(lèi)】H04R19-04
【公開(kāi)號(hào)】CN204442688
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520053630
【發(fā)明人】王顯彬, 解士翔
【申請(qǐng)人】歌爾聲學(xué)股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年7月1日
【申請(qǐng)日】2015年1月26日