發(fā)聲器模組的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電聲產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)聲器模組。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)聲器模組是便攜式電子設(shè)備的重要聲學(xué)部件，用于完成電信號(hào)與聲音信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換，是一種能量轉(zhuǎn)換器件?，F(xiàn)有的發(fā)聲器模組通常包括外殼，外殼內(nèi)收容有振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)，外殼上對(duì)應(yīng)振動(dòng)系統(tǒng)的位置設(shè)有發(fā)聲器模組的出聲口，通常出聲口會(huì)對(duì)應(yīng)振動(dòng)系統(tǒng)的中心位置設(shè)置，且出聲口的端口會(huì)與外殼的外表面齊平。但是有的發(fā)聲器模組為了滿(mǎn)足整體系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，常常具有凸起的上聲口設(shè)計(jì)，即出聲口的通道較長(zhǎng)，其端口高出外殼的外表面；同時(shí)該出聲口為了滿(mǎn)足系統(tǒng)裝配的需求，往往不能使其位于振動(dòng)系統(tǒng)的中心位置。此種不對(duì)稱(chēng)的上升口式出聲口將導(dǎo)致發(fā)聲器模組的前聲腔聲場(chǎng)非對(duì)稱(chēng)分布，出聲口處的聲壓釋放較大，出聲口處聲場(chǎng)能量較為集中，聲能量相對(duì)集中的區(qū)域?qū)φ駝?dòng)系統(tǒng)的反作用力更大，從而導(dǎo)致振膜表面聲壓非對(duì)稱(chēng)分布。非對(duì)稱(chēng)設(shè)置的出聲口將導(dǎo)致振膜表面的聲載荷力分布非對(duì)稱(chēng)，將直接導(dǎo)致振動(dòng)系統(tǒng)偏振加劇，諧波失真升高。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]針對(duì)以上缺陷，本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種發(fā)聲器模組，此發(fā)聲器模組能夠平衡前聲腔內(nèi)聲場(chǎng)分布的非對(duì)稱(chēng)，局部增加振膜表面的聲壓分布，使其與其余部分相平衡，降低系統(tǒng)偏振，減小諧波失真。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:
[0005]一種發(fā)聲器模組，包括外殼，所述外殼內(nèi)收容有振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)，所述外殼上對(duì)應(yīng)所述振動(dòng)系統(tǒng)的位置設(shè)有出聲口，所述出聲口偏離所述振動(dòng)系統(tǒng)的中心位置設(shè)置，且所述出聲口為端口高出所述外殼表面的上升口 ；所述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜，所述振膜靠近所述出聲口側(cè)的中部設(shè)有球頂，所述球頂上對(duì)應(yīng)所述出聲口的正投影區(qū)域設(shè)有調(diào)壓部，所述調(diào)壓部高出所述球頂?shù)钠渌课徊⑾蛩龀雎暱诘姆较蛲蛊稹?br>[0006]其中，所述外殼包括結(jié)合在一起的上殼和下殼，所述出聲口設(shè)置在所上殼上。
[0007]其中，所述調(diào)壓部為周邊低中心高的弧面結(jié)構(gòu)。
[0008]其中，所述調(diào)壓部為周邊通過(guò)斜面與所述球頂?shù)钠渌课幌嚆暯拥钠矫娼Y(jié)構(gòu)。
[0009]其中，所述調(diào)壓部為波浪面結(jié)構(gòu)。
[0010]其中，所述出聲口靠近所述球頂?shù)囊粋?cè)邊緣設(shè)置。
[0011]其中，所述出聲口的端口處覆蓋有防塵網(wǎng)。
[0012]其中，所述調(diào)壓部的形狀和尺寸與所述出聲口的正投影區(qū)域相適配。
[0013]其中，所述球頂上的所述調(diào)壓部通過(guò)熱壓工藝成型。
[0014]采用了上述技術(shù)方案后，本實(shí)用新型的有益效果是:
[0015]由于本實(shí)用新型發(fā)聲器模組包括外殼，外殼上對(duì)應(yīng)振動(dòng)系統(tǒng)的位置設(shè)有出聲口，出聲口偏離振動(dòng)系統(tǒng)的中心位置設(shè)置，且出聲口為端口高出外殼表面的上升口 ；振動(dòng)系統(tǒng)的振膜靠近出聲口側(cè)的中部設(shè)有球頂，球頂上對(duì)應(yīng)出聲口的正投影區(qū)域設(shè)有調(diào)壓部，調(diào)壓部高出球頂?shù)钠渌课徊⑾虺雎暱诘姆较蛲蛊?。在球頂上位于出聲口的正投影區(qū)域的部位設(shè)計(jì)向出聲口方向凸起的調(diào)壓部，通過(guò)該調(diào)壓部可重新調(diào)整前聲腔的出聲口區(qū)域與非出聲口區(qū)域的聲容積的比例，在振動(dòng)系統(tǒng)開(kāi)始輻射聲壓時(shí)，重新調(diào)整的聲容積可平衡前聲腔內(nèi)聲場(chǎng)分布的非對(duì)稱(chēng)性，局部增加振膜表面的聲壓分布，使得振膜表面位于出聲口區(qū)的聲壓與其它部位的聲壓相平衡，從而，可有效降低系統(tǒng)偏振的大小，改善發(fā)聲器模組的諧波失真。
[0016]綜上所述，本實(shí)用新型發(fā)聲器模組解決了現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)聲器模組前聲腔聲場(chǎng)分布不對(duì)稱(chēng)的技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型發(fā)聲器模組能夠平衡前聲腔聲場(chǎng)分布的非對(duì)稱(chēng)，局部增加振膜表面的聲壓分布，使其與其余部分相平衡，有效的降低系統(tǒng)偏振，減小諧波失真。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1是本實(shí)用新型發(fā)聲器模組實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2是圖1的A-A線(xiàn)剖視圖；
[0019]圖3是本實(shí)用新型發(fā)聲器模組實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖4是圖3的B-B線(xiàn)剖視圖；
[0021]圖中:10、上殼，12、出聲口，20、下殼，30、振膜，32a、球頂，32b、球頂，320a、調(diào)壓部，320b、調(diào)壓部，322、中心部，324、連接部，34、音圈，40、盆架，42、磁鐵，44、華司，50、防塵網(wǎng)。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
[0023]本說(shuō)明書(shū)中涉及到的方位上均指振動(dòng)系統(tǒng)的方向，方位下均指與磁路系統(tǒng)的方向；本說(shuō)明書(shū)中涉及到的內(nèi)側(cè)均指位于模組內(nèi)腔內(nèi)的一側(cè)，外側(cè)均指位于模組內(nèi)腔外的一側(cè)。
[0024]實(shí)施例一:
[0025]如圖1所不，一種發(fā)聲器模組，包括外殼，外殼由結(jié)合在一起的上殼10和下殼20構(gòu)成，上殼10和下殼20圍成的空間內(nèi)收容有振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)。振動(dòng)系統(tǒng)包括邊緣部固定在上殼10與下殼20之間的振膜30，振膜30靠近上殼10的一側(cè)的中部固定有球頂32a，振膜30的另一側(cè)固定有音圈34。磁路系統(tǒng)包括固定在下殼20內(nèi)側(cè)的盆架40，盆架40的內(nèi)側(cè)中心位置依次固定有磁鐵42和華司44，磁鐵42和華司44與盆架40的側(cè)壁之間設(shè)有磁間隙，音圈34的端部位于磁間隙內(nèi)。音圈34根據(jù)通過(guò)其繞線(xiàn)內(nèi)的音波電信號(hào)的大小和方向在磁間隙內(nèi)做往復(fù)上下運(yùn)動(dòng)，振膜30和球頂32a隨著音圈34的上下運(yùn)動(dòng)而振動(dòng)，策動(dòng)空氣發(fā)聲，從而完成電聲之間的能量轉(zhuǎn)換。
[0026]如圖1和圖2共同所示，上殼10上對(duì)應(yīng)振動(dòng)系統(tǒng)的位置設(shè)有出聲口 12，出聲口 12靠近球頂32a的一側(cè)邊緣設(shè)置，偏離振動(dòng)系統(tǒng)的中心位置，且出聲口 12為端口高出上殼10表面的上升口。球頂32a上對(duì)應(yīng)出聲口 12的正投影區(qū)域的位置設(shè)有調(diào)壓部320a，調(diào)壓部320a高出球