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用于檢測揚(yáng)聲器振動位移的結(jié)構(gòu)和聲電互轉(zhuǎn)的雙效裝置的制造方法

文檔序號:8808637閱讀:420來源:國知局
用于檢測揚(yáng)聲器振動位移的結(jié)構(gòu)和聲電互轉(zhuǎn)的雙效裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種用于檢測揚(yáng)聲器振動位移的結(jié)構(gòu)和一種聲電互轉(zhuǎn)的雙效裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中,無論是對于微型揚(yáng)聲器還是大型喇叭,在工作于低頻條件下時,限制廣品最大功率應(yīng)用的冋題主要在于:
[0003]大功率下,工作于低頻條件下的音圈產(chǎn)生過大的位移,而過大的位移會導(dǎo)致失真急劇升高,甚至出現(xiàn)明顯的音圈與磁路系統(tǒng)的擦碰問題,這些都會造成產(chǎn)品系統(tǒng)的機(jī)械損傷。
[0004]對于這一問題,目前的解決方案是采用智能功放控制單元控制揚(yáng)聲器產(chǎn)品的功率,根據(jù)輸入的信息(如電壓)和監(jiān)控的信息(如電流)以及揚(yáng)聲器的物理參數(shù)“推算”出揚(yáng)聲器振動系統(tǒng)的實(shí)際位移,在實(shí)際位移超出預(yù)定程度時降低揚(yáng)聲器產(chǎn)品的功率。
[0005]但是,智能功放控制單元對于實(shí)際位移的推算仍然是建在在假設(shè)的理論模型上進(jìn)行的,這種理論模型與實(shí)際的產(chǎn)品仍然具有一定的差異。另外,對于批量生產(chǎn)的微型揚(yáng)聲器,揚(yáng)聲器的物理參數(shù)總是存在著一些偏差,不能做到100%的一致。上述原因就決定了智能功放控制單元對實(shí)際位移的推算很難做到精確實(shí)時反應(yīng)每一個揚(yáng)聲器產(chǎn)品的真實(shí)位移。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]本實(shí)用新型的目的是提供一種檢測揚(yáng)聲器裝置振動位移的新技術(shù)方案。
[0007]根據(jù)本實(shí)用新型的第一方面,提供了一種用于檢測揚(yáng)聲器振動位移的結(jié)構(gòu),包括:具有可動極板的振動系統(tǒng);磁路系統(tǒng);設(shè)置于所述振動系統(tǒng)之下并且與所述可動極板相對的固定極板,所述可動極板和所述固定極板組成電容。
[0008]優(yōu)選的,所述振動系統(tǒng)包括振膜(I)和位于振膜(I)下方的音圈(2),所述振膜(I)包括駐極體層(101)和依附于所述駐極體層(101)的金屬層(102),所述駐極體層
(101)和金屬層(102)組成所述可動極板。
[0009]優(yōu)選的,所述振膜(I)還包括與所述可動極板復(fù)合在一起的塑料薄膜層(103),所述塑料薄膜層(103)為單層薄膜或多層復(fù)合薄膜。
[0010]優(yōu)選的,所述振動系統(tǒng)包括振膜⑴和位于振膜⑴下方的音圈(2),所述振膜
(I)包括振膜本體部和補(bǔ)強(qiáng)部,所述振膜本體部包括位于中間的平面部(11)、位于平面部
[11]邊緣的折環(huán)部(12)、以及位于最外圍的固定部(13),所述補(bǔ)強(qiáng)部設(shè)置在所述平面部
(II)的上方;所述振膜本體部包括駐極體層(101)和依附于所述駐極體層(101)的金屬層
(102),所述駐極體層(101)和金屬層(102)組成所述可動極板。
[0011]優(yōu)選的,所述振膜本體部還包括與所述可動極板復(fù)合在一起的塑料薄膜層(103),所述塑料薄膜層(103)為單層薄膜或多層復(fù)合薄膜。
[0012]優(yōu)選的,所述駐極體層(101)覆蓋所述振膜本體部的全部區(qū)域,或者僅覆蓋所述平面部(11)的區(qū)域。
[0013]優(yōu)選的,所述金屬層(102)覆蓋所述振膜本體部的全部區(qū)域;或者,所述金屬層(102)包括全部覆蓋所述平面部(11)的第一區(qū)域(1021)、全部覆蓋所述固定部(13)的第二區(qū)域(1021)、以及部分覆蓋所述折環(huán)部(12)的第三區(qū)域(1023),其中所述第三區(qū)域(1023)連通第一區(qū)域(1021)和第二區(qū)域(1022) ο
[0014]優(yōu)選的,所述金屬層(102)位于所述振膜本體部的最上層,其中所述固定部(13)上方的金屬層(102)上設(shè)置有電連接件。
[0015]優(yōu)選的,所述電連接件為金屬連接件(6)或者為涂布于所述金屬層(102)上的導(dǎo)電膠。
[0016]優(yōu)選的,還包括設(shè)置于所述振膜⑴和所述音圈(2)之間的阻熱材料層(104),所述阻熱材料層(104)覆蓋所述振膜(I)靠近所述音圈(2) —側(cè)的全部區(qū)域或者僅覆蓋所述振膜⑴與所述音圈⑵連接的區(qū)域。
[0017]優(yōu)選的,所述磁路系統(tǒng)位于所述振動系統(tǒng)的下方,所述磁路系統(tǒng)包括華司(3),所述華司(3)為所述固定極板。
[0018]優(yōu)選的,所述磁路系統(tǒng)還包括位于所述華司(3)下方的磁鐵(4)和盆架(5),所述華司(3)、所述磁鐵(4)、以及所述盆架(5)在中心位置處設(shè)置開孔(7)。
[0019]優(yōu)選的,所述駐極體層(101)的材質(zhì)包括下列任一或組合:聚四氟乙烯、聚二氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚醚酰亞胺、聚乙烯對苯二甲酯。
[0020]根據(jù)本實(shí)用新型的第二方面,提供了一種聲電互轉(zhuǎn)的雙效裝置,包括如前所述的結(jié)構(gòu),以及與所述電容連接的阻抗變換器,所述阻抗變換器包括場效應(yīng)管(8)和二極管。
[0021]本實(shí)用新型的發(fā)明人發(fā)現(xiàn),在現(xiàn)有技術(shù)中還沒有通過檢測電容的變化來檢測振動系統(tǒng)的實(shí)際位移的技術(shù)方案,因此,這種解決問題的方向是本領(lǐng)域技術(shù)人員從未想到的或者沒有預(yù)期到的,故本實(shí)用新型是一種新的技術(shù)方案。
[0022]本實(shí)用新型設(shè)計(jì)了用于檢測振動系統(tǒng)實(shí)際位移的電容結(jié)構(gòu),將電容的可動極板設(shè)置在振動系統(tǒng)上,固定極板設(shè)置在振動系統(tǒng)之下并且位置固定,當(dāng)振動系統(tǒng)振動時檢測電容的變化即可計(jì)算出振動系統(tǒng)的實(shí)際位移,這樣就可以在振動系統(tǒng)的實(shí)際位移超出安全閾值時降低揚(yáng)聲器裝置的功率。對于采用這種揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)的電子設(shè)備,可以在電子設(shè)備系統(tǒng)端實(shí)現(xiàn)對每一只揚(yáng)聲器產(chǎn)品的位移進(jìn)行實(shí)時檢測。
[0023]通過以下參照附圖對本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述,本實(shí)用新型的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會變得清楚。
【附圖說明】
[0024]被結(jié)合在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本實(shí)用新型的實(shí)施例,并且連同其說明一起用于解釋本實(shí)用新型的原理。
[0025]圖1是本實(shí)用新型用于檢測揚(yáng)聲器振動位移的結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的示意圖。
[0026]圖2是本實(shí)用新型的振膜本體部的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖3是本實(shí)用新型的振膜本體部的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖4是本實(shí)用新型的振膜本體部的第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖5是本實(shí)用新型的振膜本體部的第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖6是本實(shí)用新型添加阻熱材料層的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖7是本實(shí)用新型添加阻熱材料層的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]附圖標(biāo)記說明
[0033]I振膜、2音圈、3華司、4磁鐵、5盆架、6金屬連接件、7開孔、8場效應(yīng)管、9內(nèi)磁間隙;
[0034]11平面部、12折環(huán)部、13固定部;
[0035]101駐極體層、102金屬層、103塑料薄膜層、104阻熱材料層;
[0036]1021第一區(qū)域、1022第二區(qū)域、1023第三區(qū)域。
【具體實(shí)施方式】
[0037]現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本實(shí)用新型的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到:除非另外具體說明,否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本實(shí)用新型的范圍。
[0038]以下對至少一個示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說明性的,決不作為對本實(shí)用新型及其應(yīng)用或使用的任何限制。
[0039]對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論,但在適當(dāng)情況下,所述技術(shù)和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說明書的一部分。
[0040]在這里示出和討論的所有例子中,任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的,而不是作為限制。因此,示例性實(shí)施例的其它例子可以具有不同的值。
[0041]應(yīng)注意到:相似的標(biāo)號和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng),因此,一旦某一項(xiàng)在一個附圖中被定義,則在隨后的附圖中不需要對其進(jìn)行進(jìn)一步討論。
[0042]本實(shí)用新型設(shè)計(jì)了用于檢測揚(yáng)聲器振動系統(tǒng)實(shí)際振動位移的電容結(jié)構(gòu),電容由可動極板和與可動極板相對的固定極板組成,其中,可動極板為振動系統(tǒng)的一部分隨振動系統(tǒng)一起振動,固定極板設(shè)置于振動系統(tǒng)之下并且相對于揚(yáng)聲器的外殼位置固定。當(dāng)振動系統(tǒng)振動時可動極板隨之振動,兩個極板的距離產(chǎn)生變化導(dǎo)致電容發(fā)生變化,直接監(jiān)控該電容的數(shù)值變化或者間接監(jiān)控與該電容相連的電路的電流變化即可計(jì)算出振動系統(tǒng)的實(shí)際位移。
[0043]揚(yáng)聲器的振動系統(tǒng)包括振膜和位于振膜下方的音圈,本實(shí)用新型可以利用振膜形成可動極板,具體來說,振膜至少應(yīng)當(dāng)包括駐極體層和依附于駐極體層的金屬層,由駐極體層和金屬層構(gòu)成可動極板。當(dāng)通電的音圈在磁路系統(tǒng)的作用下振動時,音圈帶動振膜振動,振膜的振動會導(dǎo)致可動極板和固定極板組成的電容發(fā)生變化,由于駐極體層帶有穩(wěn)定的電荷,通過監(jiān)控該電容的變化數(shù)值就可以計(jì)算出振動系統(tǒng)的實(shí)際位移,也可以間接監(jiān)控與該電容相連的電路的電流變化計(jì)算出振動系統(tǒng)的實(shí)際位移。
[0044]在本實(shí)用新型的應(yīng)用中,可以監(jiān)控振動系統(tǒng)的實(shí)際位移是否超出預(yù)設(shè)的安全閾值,如果超出就降低揚(yáng)聲器的輸入功率。也可以監(jiān)控該電容的變化數(shù)值是否超出預(yù)設(shè)的安全閾值,如果超出就降低揚(yáng)聲器的輸入功率。也可以監(jiān)控與該電容相連的電路的電流變化是否超出預(yù)設(shè)的安全閾值,如果超出就降低揚(yáng)聲器的輸入功率。
[0045]本實(shí)用新型可以利用智能功放控制單元與該電容相連,以監(jiān)控振動系統(tǒng)的實(shí)際位移并在需要時減小揚(yáng)聲器的輸入功率,保護(hù)揚(yáng)聲器不會過于失真或者受到物理損傷。
[0046]參考圖1所示,揚(yáng)聲器的振動系統(tǒng)包括振膜I和位于振膜I下方的音圈2,振膜I包括振膜本體部和補(bǔ)強(qiáng)部(圖中沒有示出),振膜本體部包括位于中間的平面部11、位于平面部11邊緣的折環(huán)部12、以及位于最外圍的固定部13,固定部13
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