一種耳機(jī)揚(yáng)聲器用新型振膜及具有該新型振膜的耳機(jī)揚(yáng)聲器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及耳機(jī)揚(yáng)聲器領(lǐng)域技術(shù)，尤其是指一種耳機(jī)揚(yáng)聲器用新型振膜及具 有該新型振膜的耳機(jī)揚(yáng)聲器。
【背景技術(shù)】
[0002] 長(zhǎng)久以來(lái)，音響工程師們一直期待一種既輕且富有剛性的振膜材料，而基于上述 特性，鉆石正好能同時(shí)符合需要。在頻率響應(yīng)曲線里，所謂的共振頻率通常指的是「共振最 強(qiáng)」，而非「共振開(kāi)始」的頻率位置。以厚度為50 μπι的鋁振膜為例，第一次共振頻率約為 28. 5kHz，看似已超過(guò)人耳的聽(tīng)力范圍（20Hz~20kHz)，但實(shí)際上在逼近此范圍的位置（如 20. 5kHz)，振膜可能已開(kāi)始輕微共振，使人聽(tīng)起來(lái)失真。有鑒于此，為了讓人聽(tīng)起來(lái)自然， 20kHz附近的共振行為成為選用振膜材料時(shí)的重要標(biāo)準(zhǔn)。大致說(shuō)來(lái)，頻率響應(yīng)曲線越平直， 第一次共振頻率越晚出現(xiàn)，高音單體的質(zhì)量越好。
[0003] 現(xiàn)有市場(chǎng)頭戴式耳機(jī)或入耳式耳機(jī)所用之動(dòng)圈式揚(yáng)聲器及動(dòng)鐵式皆采用它種音 膜材料，皆無(wú)法達(dá)到高傳真市場(chǎng)中頭戴式耳機(jī)或入耳式耳機(jī)所需求的音質(zhì)干凈、自然和達(dá) 到40KHZ前的無(wú)失真。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004] 有鑒于此，本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在之缺失，其主要目的是提供一種耳機(jī)揚(yáng) 聲器用新型振膜及具有該新型振膜的耳機(jī)揚(yáng)聲器，其能有效提高音樂(lè)的細(xì)節(jié)和清晰度及無(wú) 失真。
[0005] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下之技術(shù)方案：一種耳機(jī)揚(yáng)聲器用新型振膜， 包括有振膜基材以及鍍于該振膜基材上的類鉆碳膜（ADLC)層；該振膜基材厚度為6微米至 125微米；該類鉆碳膜（ADLC)層厚度為100納米至500納米。
[0006] 作為一種優(yōu)選方案，所述振膜基材包括有PET、PEN、PEEK、TPU或PEI中的一種。
[0007] 作為一種優(yōu)選方案，所述類鉆碳膜（ADLC)層為一個(gè)，該類鉆碳膜（ADLC)層鍍于 振膜基材上表面或下表面。
[0008] 作為一種優(yōu)選方案，所述類鉆碳膜（ADLC)層為兩個(gè)，該兩個(gè)類鉆碳膜（ADLC)層分 別鍍于振膜基材的上下表面。
[0009] 作為一種優(yōu)選方案，所述基材包括有折環(huán)部分和高音部分，所述類鉆碳膜（ADLC) 層鍍于折環(huán)部分、高音部分或整個(gè)基材面。
[0010] -種具有新型振膜的耳機(jī)揚(yáng)聲器，包括有U鐵、磁鐵、華司、支架、音圈、調(diào)音紙、 PCB板以及振膜，所述U鐵、調(diào)音紙與PCB板安裝于支架上，該U鐵設(shè)有一 U型槽，所述磁鐵 和華司安置于該U型槽中，所述磁鐵和華司周緣與U型槽內(nèi)側(cè)面之間設(shè)有間隙，所述音圈安 置于振膜上，該音圈有部分伸入間隙中；該振膜包括有振膜基材以及鍍于該振膜基材上的 類鉆碳膜（ADLC)層。
[0011] 作為一種優(yōu)選方案，所述振膜基材厚度為6微米至125微米；該類鉆碳膜（ADLC) 層厚度為100納米至500納米；所述支架直徑為5mm至85_。
[0012] 作為一種優(yōu)選方案，所述振膜基材包括有PET、PEN、PEEK、TPU或PEI中的一種。
[0013] 作為一種優(yōu)選方案，所述類鉆碳膜（ADLC)層為一個(gè)，該類鉆碳膜（ADLC)層鍍于振 膜基材上表面或下表面。
[0014] 作為一種優(yōu)選方案，所述類鉆碳膜（ADLC)層為兩個(gè)，該兩個(gè)類鉆碳膜（ADLC)層分 別鍍于振膜基材的上下表面。
[0015] 本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果，為達(dá)到高傳真市場(chǎng)中頭 戴式耳機(jī)及入耳式耳機(jī)聲音所需求的干凈、自然和達(dá)到40KHZ前的無(wú)失真；本實(shí)用新型應(yīng) 用一種新型的類鉆碳膜（ADLC)，利用鉆石的高硬度，優(yōu)秀的導(dǎo)熱性質(zhì)，以及可高達(dá)70KHz的 高音振動(dòng)頻率，從而提高了音樂(lè)的細(xì)節(jié)和清晰度及無(wú)失真，以滿足高端市場(chǎng)消費(fèi)者的需 求。
【附圖說(shuō)明】
[0016] 圖1是本實(shí)用新型之實(shí)施例中耳機(jī)揚(yáng)聲器的立體示意圖；
[0017] 圖2是本實(shí)用新型之實(shí)施例中耳機(jī)揚(yáng)聲器的剖視圖；
[0018] 圖3是本實(shí)用新型之實(shí)施例中耳機(jī)揚(yáng)聲器的分解圖；
[0019] 圖4是本實(shí)用新型之實(shí)施例中振膜的剖面圖；
[0020] 圖5是本實(shí)用新型之實(shí)施例中振膜的分解圖；
[0021] 圖6鉆石振膜之頻率響應(yīng)曲線圖。
[0022] 附圖標(biāo)識(shí)說(shuō)明：
[0023] 11、U 鐵 12、磁鐵
[0024] 13、華司 14、調(diào)音紙
[0025] 15、PCB 板 16、支架
[0026] 17、音圈 18、振膜
[0027] 18-1、振膜基材 18-2、類鉆碳膜。
【具體實(shí)施方式】
[0028] 請(qǐng)參照?qǐng)D1至圖5所示，其顯示了本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)，一種具有 新型振膜的耳機(jī)揚(yáng)聲器，包括有U鐵11、磁鐵12、華司13、調(diào)音紙14、PCB板15、支架16、音 圈17、以及振膜18。
[0029] 其中，該U鐵11、調(diào)音紙14與PCB板15安裝于支架16上，該U鐵11設(shè)有一 U型 槽，該磁鐵12和華司13安置于該U型槽中，該磁鐵12和華司13周緣與U型槽內(nèi)側(cè)面之間 設(shè)有間隙，音圈安置于振膜上，該音圈有部分伸入間隙中。
[0030] 該振膜18包括有振膜基材18-1以及鍍于該振膜基材18-1上的類鉆碳膜（ADLC) 層18-2,該類鉆碳膜（ADLC) 18-2由鉆石材料制成，該類鉆碳膜（ADLC) 18-2是sp3結(jié)構(gòu)的鉆 石及sp2結(jié)構(gòu)的石墨碳之混合物。
[0031] 該振膜基材18-1厚度為6微米至125微米；該振膜基材包括有PET、PEN、PEEK、 TPU或PEI中的一種。該類鉆碳膜（ADLC)層18-2厚度為100納米至500納米；該支架16 直徑為5mm至85mm。
[0032] 實(shí)施例1
[0033] 該類鉆碳膜（ADLC)層18-2為兩個(gè)，該兩個(gè)類鉆碳膜（ADLC)層18-2分別鍍于振 膜基材18-1上下兩面。
[0034] 實(shí)施例2
[0035] 該類鉆碳膜（ADLC)層18-2為一個(gè)，該類鉆碳膜（ADLC)層18-2鍍于振膜基材18-1 上表面或下表面中的一面。
[0036] 實(shí)施例3
[0037] 該振膜基材18-1包括有折環(huán)部分18-1-1和高音部分18-1-2,該類鉆碳膜（ADLC) 層18-2鍍于折環(huán)部分18-1-1、高音部分18-1-2或整個(gè)基材面。
[0038] 本實(shí)用新型的振膜及其所制成的耳機(jī)揚(yáng)聲器相關(guān)測(cè)試數(shù)據(jù)分析如下：
[0039] 1、本實(shí)用新型所制得的振膜的共振頻率與材料的「楊氏系數(shù)（Young's Modulus)」 與「密度」息息相關(guān)，由表一的共振頻率系數(shù)可推算出，若鉆石振膜厚度為40 μm，第一次共 振頻率可高達(dá)80. 8kHz ;根據(jù)測(cè)試，鉆石高音單體仍在40kHz之前保持平直，沒(méi)有共振現(xiàn)象， 這是其他常見(jiàn)的高音單體振膜材料（如鋁、鈹或鈦）所比不上的。
[0041] 2、本實(shí)用新型所制得的振膜400Hz至20kHz之頻率響應(yīng)曲線。在20kHz處，曲線 大體上仍保持平直，沒(méi)有嚴(yán)重的共振，（如圖6所示）。
[0042] 本實(shí)用新型的重點(diǎn)在于：為達(dá)到高傳真市場(chǎng)中頭戴式耳機(jī)及入耳式耳機(jī)聲音所需 求的干凈、自然和達(dá)到40KHZ前的無(wú)失真；本實(shí)用新型應(yīng)用一種新型的類鉆碳膜（ADLC)，利 用鉆石的尚硬度，優(yōu)秀的導(dǎo)熱性質(zhì)，以及可尚達(dá)70KHz的尚首振動(dòng)頻率，從而提尚了首樂(lè)的 細(xì)節(jié)和清晰度及無(wú)失真，以滿足高端市場(chǎng)消費(fèi)者的需求。
[0043] 以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)范圍作 任何限制，故凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何細(xì)微修改、等同變 化和修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種耳機(jī)揚(yáng)聲器用新型振膜，其特征在于：包括有振膜基材以及鍍于該振膜基材上 的類鉆碳膜層；該振膜基材厚度為6微米至125微米；該類鉆碳膜層厚度為100納米至500 納米。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種耳機(jī)揚(yáng)聲器用新型振膜，其特征在于：所述振膜基材包括 有PET、PEN、PEEK、TPU或PEI中的一種。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種耳機(jī)揚(yáng)聲器用新型振膜，其特征在于：所述類鉆碳膜層為 一個(gè)，該類鉆碳膜層鍍于振膜基材上表面或下表面。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種耳機(jī)揚(yáng)聲器用新型振膜，其特征在于：所述類鉆碳膜層為 兩個(gè)，該兩個(gè)類鉆碳膜層分別鍍于振膜基材的上下表面。5.-種具有如權(quán)利要求1所述新型振膜的耳機(jī)揚(yáng)聲器，其特征在于：包括有U鐵、磁 鐵、華司、支架、音圈、調(diào)音紙、PCB板以及振膜，所述U鐵、調(diào)音紙與PCB板安裝于支架上，該 U鐵設(shè)有一U型槽，所述磁鐵和華司安置于該U型槽中，所述磁鐵和華司周緣與U型槽內(nèi)側(cè) 面之間設(shè)有間隙，所述音圈安置于振膜上，該音圈有部分伸入間隙中；該振膜包括有振膜基 材以及鍍于該振膜基材上的類鉆碳膜層。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述一種具有新型振膜的耳機(jī)揚(yáng)聲器，其特征在于：所述振膜基材 厚度為6微米至125微米；該類鉆碳膜層厚度為100納米至500納米；所述支架直徑為5_ 至 85mm〇7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述一種具有新型振膜的耳機(jī)揚(yáng)聲器，其特征在于：所述振膜基材 包括有PET、PEN、PEEK、TPU或PEI中的一種。8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述一種具有新型振膜的耳機(jī)揚(yáng)聲器，其特征在于：所述類鉆碳膜 層為一個(gè)，該類鉆碳膜層鍍于振膜基材上表面或下表面。9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述一種具有新型振膜的耳機(jī)揚(yáng)聲器，其特征在于：所述類鉆碳膜 層為兩個(gè)，該兩個(gè)類鉆碳膜層分別鍍于振膜基材的上下表面。10. 根據(jù)權(quán)利要求5所述一種具有新型振膜的耳機(jī)揚(yáng)聲器，其特征在于：所述基材包括 有折環(huán)部分和高音部分，所述類鉆碳膜層鍍于折環(huán)部分、高音部分或整個(gè)基材面。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)一種耳機(jī)揚(yáng)聲器用新型振膜及具有該新型振膜的耳機(jī)揚(yáng)聲器，包括有U鐵、磁鐵、華司、支架、音圈、調(diào)音紙、PCB板以及振膜，所述U鐵、調(diào)音紙與PCB板安裝于支架上，該U鐵設(shè)有一U型槽，所述磁鐵和華司安置于該U型槽中，所述磁鐵和華司周緣與U型槽內(nèi)側(cè)面之間設(shè)有間隙，所述音圈安置于振膜上，該音圈有部分伸入間隙中；該振膜包括有振膜基材以及鍍于該振膜基材上的類鉆碳膜層。所述振膜基材厚度為6微米至125微米；該類鉆碳膜層厚度為100納米至500納米；所述支架直徑為5mm至85mm。為達(dá)到高傳真市場(chǎng)中頭戴式耳機(jī)及入耳式耳機(jī)聲音所需求的干凈、自然和達(dá)到40KHZ前的無(wú)失真；本實(shí)用新型應(yīng)用一種新型的類鉆碳膜，利用鉆石的高硬度，優(yōu)秀的導(dǎo)熱性質(zhì)，以及可高達(dá)70KHz的高音振動(dòng)頻率，從而提高了音樂(lè)的細(xì)節(jié)和清晰度及無(wú)失真,以滿足高端市場(chǎng)消費(fèi)者的需求。
【IPC分類】H04R7/06, H04R1/10
【公開(kāi)號(hào)】CN204929219
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520448523
【發(fā)明人】姜禮元
【申請(qǐng)人】東莞正任電子有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月30日
【申請(qǐng)日】2015年6月25日