專利名稱：高頻加熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及諸如微波爐等的、可通過(guò)諸如磁控管等高頻加熱組件對(duì)放置在所述加熱用腔室內(nèi)部處的被加熱物實(shí)施加熱用的高頻加熱裝置。
一般說(shuō)來(lái)，高頻加熱裝置通常指的是微波爐。
圖13示出了現(xiàn)有技術(shù)中第一種類型的微波爐。由圖13所示的微波爐100具有磁控管101、波導(dǎo)管102和加熱用腔室103。磁控管101還具有磁控管輻射用天線101A。該磁控管輻射用天線101A由波導(dǎo)管102處突出出來(lái)。波導(dǎo)管102與磁控管101和加熱用腔室103相連接。而且由磁控管101產(chǎn)生的微波可通過(guò)波導(dǎo)管102，被引導(dǎo)至加熱用腔室103。
波導(dǎo)管102的形狀呈沿著水平方向上的尺寸基本上無(wú)變化的框體形狀。由于采用著這種結(jié)構(gòu)構(gòu)成形式，所以在磁控管101與加熱用腔室103之間難以形成阻抗匹配。換句話說(shuō)就是，如圖13所示的微波爐難以實(shí)現(xiàn)所述的阻抗匹配，所以存在有被磁控管側(cè)反射的微波占由磁控管側(cè)產(chǎn)生出的微波總量中的比例比較高，從而使磁控管的加熱效率不良等問(wèn)題。
圖14示出了現(xiàn)有技術(shù)中第二種類型的微波爐。由圖14所示的微波爐200具有磁控管201、波導(dǎo)管202和加熱用腔室203。磁控管201還具有磁控管輻射用天線201A。磁控管輻射用天線201A由波導(dǎo)管202處突出出來(lái)。在波導(dǎo)管202還配置有金屬板210，該金屬板210用于將磁控管201產(chǎn)生的微波發(fā)射方向限制在所需要的方向上。金屬板210可以通過(guò)圖中未示出的、諸如電動(dòng)機(jī)等可動(dòng)組件的驅(qū)動(dòng)，而產(chǎn)生轉(zhuǎn)動(dòng)。
波導(dǎo)管202的右下側(cè)面呈傾斜形狀。采用這種構(gòu)成方式，則可以在與微波的傳送方向，即與由磁控管201朝向加熱用腔室203的方向相垂直的方向上，使其剖面面積緩緩增大。因此，如圖14所示的微波爐和如圖13所示的微波爐相比，可以使磁控管與加熱用腔室之間的阻抗匹配更容易實(shí)現(xiàn)，從而可以提高加熱效率。
然而如圖14所示的微波爐，是使整個(gè)波導(dǎo)管202沿著所述方向產(chǎn)生有剖面面積的變化。因此磁控管201與波導(dǎo)管202之間的位置關(guān)系，對(duì)所述的阻抗匹配產(chǎn)生有比較大的影響。換句話說(shuō)就是，如圖14所示的微波爐當(dāng)磁控管201的安裝位置有誤差時(shí)，微波爐的加熱性能就有可能受到影響，從而存在有加熱性能不穩(wěn)定的問(wèn)題。
而且，如圖14所示的微波爐中還設(shè)置有可以由可動(dòng)組件實(shí)施驅(qū)動(dòng)的金屬板210。在微波爐中設(shè)置諸如金屬板210等的可移動(dòng)組件，并且使該可移動(dòng)部件可以做適當(dāng)?shù)囊苿?dòng)，是為了在磁控管與加熱用腔室間可以實(shí)現(xiàn)更好的阻抗匹配。
然而可移動(dòng)部件與不可移動(dòng)的、僅僅搭載著的部件相比，其結(jié)構(gòu)構(gòu)成復(fù)雜，出現(xiàn)故障的可能性高。因此在微波爐中設(shè)置有為實(shí)現(xiàn)阻抗匹配而移動(dòng)的部件時(shí)，會(huì)出現(xiàn)由于該部件所產(chǎn)生的故障，而導(dǎo)致微波爐加熱性能不穩(wěn)定的新問(wèn)題。
而且在另一方面，現(xiàn)有的微波爐可以如圖13和圖14所示，由加熱用腔室的一個(gè)側(cè)面處朝向加熱用腔室內(nèi)供給微波，然而也可以由加熱用腔室的上側(cè)面和下側(cè)面處朝向加熱用腔室內(nèi)供給微波。在圖15中即示出了一個(gè)呈這種微波爐形式的、屬于現(xiàn)有技術(shù)中第三種類型的微波爐。
微波爐300具有加熱用腔室303，通過(guò)產(chǎn)生微波的方式對(duì)位于加熱用腔室303內(nèi)部處的被加熱物316實(shí)施加熱用的磁控管301、304，以及將由磁控管301、304產(chǎn)生的微波分別引導(dǎo)至加熱用腔室303處用的波導(dǎo)管302、305。在加熱用腔室303的上下位置處分別設(shè)置有輻射用開(kāi)口313、309，被引導(dǎo)至波導(dǎo)管302、305處的微波可通過(guò)該輻射用開(kāi)口313、309，供給至加熱用腔室303。而且在圖中的參考編號(hào)314，表示的是放置被加熱物用的轉(zhuǎn)盤(pán)，參考編號(hào)315表示的是驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)用的轉(zhuǎn)盤(pán)電動(dòng)機(jī)。
轉(zhuǎn)盤(pán)314最好僅僅由可透射過(guò)微波的、諸如玻璃等的材料制作。然而通常由于機(jī)械強(qiáng)度的問(wèn)題，與轉(zhuǎn)盤(pán)電動(dòng)機(jī)315間的機(jī)械連接的問(wèn)題等，而難以僅僅使用玻璃等材料實(shí)施制作。在這種現(xiàn)有的微波爐中，轉(zhuǎn)盤(pán)314是由諸如金屬等制作的承載臺(tái)，以及由玻璃等制作的器皿組合而構(gòu)成的。如果具體地講，它是通過(guò)使用連接在轉(zhuǎn)盤(pán)電動(dòng)機(jī)315處的、由金屬制作的承載臺(tái)，并且將由玻璃等制作的器皿搭載、設(shè)置在該金屬制承載臺(tái)之上的方式，來(lái)構(gòu)成這種轉(zhuǎn)盤(pán)314的。
微波會(huì)被金屬反射。因此在如圖15所示的微波爐中，對(duì)設(shè)置在轉(zhuǎn)盤(pán)314的底側(cè)處的金屬制承載臺(tái)上的區(qū)域處于λ/2(λ為微波波長(zhǎng))以下的部分有放射射線時(shí)，會(huì)被該承載臺(tái)反射，而不會(huì)由被加熱物316吸收。因此在如圖15所示的微波爐中，位于轉(zhuǎn)盤(pán)314之上的區(qū)域中存在有可以對(duì)由轉(zhuǎn)盤(pán)314的下方處輻射出的微波實(shí)施吸收的區(qū)域，也存在有不可以實(shí)施吸收的區(qū)域。
由于這種結(jié)構(gòu)構(gòu)成形式，所以如圖15所示的微波爐存在有如下問(wèn)題即使加熱時(shí)間相同，被加熱物的微波吸收量也會(huì)因轉(zhuǎn)盤(pán)314上的被加熱物放置區(qū)域不同而不同。
本發(fā)明就是解決上述問(wèn)題用的發(fā)明，本發(fā)明的目的就是提供一種可以提高加熱效率、并且可以使加熱性能穩(wěn)定的高頻加熱裝置。
為了能夠解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種高頻加熱裝置，它包含有收裝被加熱物品用的加熱用腔室；通過(guò)產(chǎn)生微波的方式對(duì)所述被加熱物實(shí)施加熱用的高頻加熱組件；以及將由所述高頻加熱組件產(chǎn)生的微波引導(dǎo)至所述加熱用腔室用的波導(dǎo)管；而且所述波導(dǎo)管包含有其一端與所述高頻加熱組件相連接，且沿微波傳送方向上的阻抗無(wú)變化的第一部分，以及使所述第一部分上的另一端與所述加熱用腔室相連接，而且在由所述第一部分中的連接部分朝向所述加熱用腔室中的連接部分處，其微波傳送中的阻抗由接近所述第一部分的阻抗變化為接近所述加熱用腔室的阻抗的第二部分。
如果采用如上所述的這一發(fā)明，則高頻加熱組件可與波導(dǎo)管中阻抗不發(fā)生變化的第一部分相連接，而且還可以使波導(dǎo)管具有在高頻加熱組件與加熱用腔室間實(shí)現(xiàn)阻抗匹配用的第二部分。
在這種結(jié)構(gòu)構(gòu)成中，由于高頻加熱組件與第一部分相連接，所以即使高頻加熱組件的安裝位置多少有一些偏差，也不會(huì)對(duì)高頻加熱裝置的加熱性能產(chǎn)生影響。而且由于它是通過(guò)第二部分實(shí)現(xiàn)阻抗匹配的，所以在高頻加熱裝置中可以降低在高頻加熱組件產(chǎn)生的微波被高頻加熱組件側(cè)反射的比例。因此這種高頻加熱裝置的加熱性能更穩(wěn)定，并可以提高其加熱效率。
而且，本發(fā)明還提供了下述高頻加熱裝置，該高頻加熱裝置是在如上所述的高頻加熱裝置的基礎(chǔ)上，還使所述的第二部分由若干個(gè)管形部件構(gòu)成。
如果采用如上所述的這一發(fā)明，則在由上述限定的發(fā)明所具有的結(jié)構(gòu)構(gòu)成之上，還可以提高對(duì)第二部分形狀的設(shè)計(jì)自由度，從而可以更可靠地實(shí)現(xiàn)高頻加熱組件與加熱用腔室間的阻抗匹配。
因此在這種結(jié)構(gòu)構(gòu)成中，還可以在由上述限定的發(fā)明所具有的效果之上，獲得進(jìn)一步提高高頻加熱裝置中的加熱效率的效果。
而且，本發(fā)明又提供了這樣一種高頻加熱裝置，該高頻加熱裝置是在上述高頻加熱裝置的基礎(chǔ)上，還使所述第二部分中與所述加熱用腔室相連接的部分，為具有錐形形狀的部分。
如果采用如上所述的這一發(fā)明，則在由上述限定的發(fā)明所具有的結(jié)構(gòu)構(gòu)成之外，還可以抑制第二部分沿長(zhǎng)度方向的尺寸，并實(shí)現(xiàn)高頻加熱組件與加熱用腔室間的阻抗匹配。
因此在這種結(jié)構(gòu)構(gòu)成中，還可以在由上述限定的發(fā)明所具有的效果之上，獲得使高頻加熱裝置進(jìn)一步小型化的效果。
而且，本發(fā)明又提供了這樣一種高頻加熱裝置，該高頻加熱裝置是在如上所述的高頻加熱裝置的基礎(chǔ)上，還在所述波導(dǎo)管中包含有由金屬制作的輻射用天線，這一輻射用天線沿著微波傳送方向設(shè)置在所述波導(dǎo)管的剖面面積變化率產(chǎn)生有變化的部分處的。
如果采用如上所述的這一發(fā)明，則在由上述的發(fā)明所具有的結(jié)構(gòu)構(gòu)成之上，還可以利用輻射用天線，對(duì)波導(dǎo)管中沿著微波傳送方向上的剖面面積變化率產(chǎn)生有變化的部分實(shí)施阻抗匹配。因此，它可以更可靠地在高頻加熱組件與加熱用腔室之間實(shí)施阻抗匹配。
而且，本發(fā)明又提供了這樣一種高頻加熱裝置，該高頻加熱裝置是在如上所述的高頻加熱裝置的基礎(chǔ)上，還使所述輻射用天線設(shè)置在沿微波傳送方向其所述波導(dǎo)管的剖面面積變化率產(chǎn)生有變化的整個(gè)部分處。
如果采用如上所述的這一發(fā)明，則在由上述限定的發(fā)明所具有的結(jié)構(gòu)構(gòu)成之上，還可以利用輻射用天線，對(duì)波導(dǎo)管中沿著微波傳送方向的剖面面積變化率產(chǎn)生有變化的整個(gè)部分實(shí)施阻抗匹配。因此，它可以更可靠地在高頻加熱組件與加熱用腔室之間實(shí)施阻抗匹配。
而且，本發(fā)明又提供了這樣一種高頻加熱裝置，該高頻加熱裝置是在如上所述的高頻加熱裝置的基礎(chǔ)上，還使所述輻射用天線由一塊金屬材料制成。
如果采用如上所述的這一發(fā)明，則可以在由上述限定的發(fā)明所具有的結(jié)構(gòu)構(gòu)成之上，還利用一塊金屬材料制作該輻射用天線。因此，它可以更可靠地在高頻加熱組件與加熱用腔室之間實(shí)施阻抗匹配。
而且，本發(fā)明又提供了這樣一種高頻加熱裝置，該高頻加熱裝置是在上述的高頻加熱裝置的基礎(chǔ)上，還使所述輻射用天線以不與所述波導(dǎo)管相接觸的方式設(shè)置。
如果采用如上所述的這一發(fā)明，則在由上述限定的發(fā)明所具有的結(jié)構(gòu)構(gòu)成之上，還可以使輻射用天線以不與波導(dǎo)管相接觸的方式設(shè)置。因此它可以更可靠地在高頻加熱組件與加熱用腔室之間實(shí)施阻抗匹配。
而且，本發(fā)明又提供了這樣一種高頻加熱裝置，該高頻加熱裝置是在如上所述的高頻加熱裝置的基礎(chǔ)上，還使所述輻射用天線具有沿著微波傳送方向的部分，以及與所述微波傳送方向相交的部分。
如果采用如上所述的這一發(fā)明，則在由上述限定的發(fā)明所具有的結(jié)構(gòu)構(gòu)成之上，還可以使輻射用天線具有沿著微波傳送方向的部分，以及相對(duì)于該部分折曲的部分。由于即使在該折曲部分處，其阻抗也可以隨著微波的傳送而產(chǎn)生變化，所以可以更可靠地在高頻加熱組件與加熱用腔室之間實(shí)施阻抗匹配。
而且，本發(fā)明還提供了這樣一種高頻加熱裝置，該高頻加熱裝置是在如上所述的高頻加熱裝置的基礎(chǔ)上，還使所述輻射用天線具有剖面面積產(chǎn)生有變化的部分。
如果采用如上所述的這一發(fā)明，則在由上述限定的發(fā)明所具有的結(jié)構(gòu)構(gòu)成之上，還可以使輻射用天線的剖面面積隨著微波的傳送方向而發(fā)生變化。通過(guò)這種剖面面積的變化，可以使阻抗隨著微波的傳送而產(chǎn)生變化，所以可以更可靠地在高頻加熱組件與加熱用腔室之間實(shí)施阻抗匹配。
而且，本發(fā)明還提供了這樣一種高頻加熱裝置，該高頻加熱裝置是在如上所述的高頻加熱裝置的基礎(chǔ)上，還使所述輻射用天線配置在位于所述波導(dǎo)管之中的、與所述微波傳送方向相交的整個(gè)面處。
如果采用如上所述的這一發(fā)明，則在由上述限定的發(fā)明所具有的結(jié)構(gòu)構(gòu)成之上，還可以對(duì)于采用若干個(gè)輻射用天線的場(chǎng)合，可靠地使該若干個(gè)輻射用天線按照在微波傳送方向上與微波電波相關(guān)聯(lián)的方式實(shí)施結(jié)合。
而且，本發(fā)明還提供了這樣一種高頻加熱裝置，它包含有收裝被加熱物品用的加熱用腔室；設(shè)置在所述加熱用腔室內(nèi)的、由介電體材料構(gòu)成的、放置所述被加熱物用的圓形加熱器皿；由金屬材料構(gòu)成的、對(duì)所述加熱器皿實(shí)施搭載、驅(qū)動(dòng)用的承載臺(tái)；以及通過(guò)使微波由所述承載臺(tái)的下方處透射過(guò)的方式對(duì)所述被加熱物實(shí)施加熱用的高頻加熱組件；而且所述的承載臺(tái)具有若干個(gè)窗口，所述若干個(gè)窗口分別由所述承載臺(tái)的中心朝向外側(cè)周邊方向呈放射狀形成，所述窗口在與所述承載臺(tái)的半徑方向相垂直的方向上的尺寸最大值為5厘米。
如果采用如上所述的這一發(fā)明，則對(duì)于高頻加熱組件由承載臺(tái)的下方處產(chǎn)生透射出微波的場(chǎng)合，在沿著加熱器皿與承載臺(tái)的半徑方向相垂直的方向上，不會(huì)形成有比5厘米更長(zhǎng)的、連續(xù)地對(duì)微波實(shí)施吸收的區(qū)域。一般說(shuō)來(lái)，作為被加熱物的通用烹調(diào)用具的半徑，通常均大于5厘米。
在這種結(jié)構(gòu)構(gòu)成中，對(duì)于通常使用的整個(gè)被加熱物被放置在加熱器皿上的場(chǎng)合，是沿著與承載臺(tái)的半徑方向相垂直的方向，被放置在包含有可以對(duì)微波實(shí)施吸收的區(qū)域和不可以對(duì)微波實(shí)施吸收的區(qū)域的位置處的。因此對(duì)于通常使用的整個(gè)被加熱物被放置在加熱器皿上的場(chǎng)合，在沿著與承載臺(tái)的半徑方向相垂直的方向上，不會(huì)被僅僅放置在可以對(duì)微波實(shí)施吸收的區(qū)域中。因此整個(gè)被加熱物可以按照預(yù)定的比例，被控制放置在不可以對(duì)微波實(shí)施吸收的區(qū)域中，從而可以使高頻加熱裝置的加熱性能更穩(wěn)定。
下面參考


本發(fā)明的實(shí)施例。
圖1為表示作為本發(fā)明第一實(shí)施例的微波爐用的示意性說(shuō)明圖。
圖2為表示位于如圖1所示的微波爐附近位置處用的示意性立體圖。
圖3為表示使用在作為本發(fā)明第二實(shí)施例的微波爐中的磁控管和波導(dǎo)管用的示意性說(shuō)明圖。
圖4為表示使用在作為本發(fā)明第三實(shí)施例的微波爐中的磁控管和波導(dǎo)管用的示意性說(shuō)明圖。
圖5為表示如圖4所示的波導(dǎo)管用的示意性立體圖。
圖6為表示如圖4所示的波導(dǎo)管用的示意性主視圖。
圖7為表示使用在作為本發(fā)明第四實(shí)施例的微波爐中的磁控管和波導(dǎo)管用的示意性說(shuō)明圖。
圖8為表示使用在作為本發(fā)明第五實(shí)施例的微波爐中的磁控管和波導(dǎo)管用的示意性說(shuō)明圖。
圖9為說(shuō)明作為本發(fā)明第五實(shí)施例的微波爐的一種變形實(shí)施例用的示意性說(shuō)明圖。
圖10為表示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)造的微波爐的一種變形實(shí)施例用的示意性說(shuō)明圖。
圖11為表示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)造的微波爐的一種變形實(shí)施例用的示意性說(shuō)明圖。
圖12為表示作為本發(fā)明第六實(shí)施例的、保持轉(zhuǎn)盤(pán)用的承載臺(tái)用的示意性說(shuō)明圖。
圖13為表示與本發(fā)明相關(guān)的第一現(xiàn)有技術(shù)用的示意性說(shuō)明圖。
圖14為表示與本發(fā)明相關(guān)的第二現(xiàn)有技術(shù)用的示意性說(shuō)明圖。
圖15為表示與本發(fā)明相關(guān)的第三現(xiàn)有技術(shù)用的示意性說(shuō)明圖。圖1為表示作為本發(fā)明第一實(shí)施例的微波爐10用的示意性說(shuō)明圖。
這種微波爐10具有加熱用腔室1、磁控管2和波導(dǎo)管3。收裝在加熱用腔室1內(nèi)部處的、諸如食品等的被加熱物，可通過(guò)由磁控管2輻射出的微波實(shí)施加熱。磁控管2配置有磁控管輻射用天線2A。波導(dǎo)管3包含有結(jié)合部3A和匹配部3B。
結(jié)合部3A沿水平方向延伸，并且形成為沿著朝向附圖深度方向和垂直方向相平行的剖面為面積不變的筒形形狀。匹配部3B呈沿水平方向延伸的筒形形狀，并且具有呈傾斜狀的下側(cè)面。因此在匹配部3B中，越靠近右側(cè)，沿與朝向附圖深度方向相平行的剖面處的剖面面積越大。結(jié)合部3A與匹配部3B的一側(cè)相連接，而匹配部3B上的另一側(cè)與加熱用腔室1的側(cè)面處相連接。磁控管2與波導(dǎo)管3的上部處相連接，而磁控管輻射用天線2A呈由波導(dǎo)管3上的結(jié)合部3A處突出的狀態(tài)。
配置匹配部3B是為了在位于磁控管輻射用天線2A處的結(jié)合部3A與加熱用腔室1之間能夠?qū)崿F(xiàn)阻抗匹配。采用這種構(gòu)成方式，可以在微波爐10中抑制由磁控管2產(chǎn)生的微波朝向磁控管2處的反射，由此可以提高微波爐10中的加熱效率。
這種結(jié)合部3A的結(jié)構(gòu)構(gòu)成使得它在與朝向附圖深度方向相平行的剖面處的面積無(wú)變化，所以磁控管2的安裝位置即使沿圖的左右方向多少有些變化，在磁控管輻射用天線2A的設(shè)置區(qū)域(結(jié)合部3A)與加熱用腔室1之間的阻抗關(guān)系也不會(huì)發(fā)生什么變化。采用這種構(gòu)成方式，可以使微波爐10的加熱效率，在磁控管2的安裝位置多少有些偏置時(shí)不會(huì)受到其影響。
換句話說(shuō)就是，由于波導(dǎo)管3具有結(jié)合部3A和匹配部3B，所以可以使微波爐10的加熱性能穩(wěn)定，且可以提高加熱效率。
圖2為表示位于微波爐10上的波導(dǎo)管3附近位置處用的示意性立體圖。下面參考圖2，對(duì)作為這一實(shí)施例的微波爐10的構(gòu)成方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
微波爐10具有冷卻磁控管2用的風(fēng)扇4。在波導(dǎo)管3處還配置有通風(fēng)道5、6，它們首尾相接，以便使由風(fēng)扇4傳送來(lái)的風(fēng)傳送至磁控管2處。在磁控管2處還配置有使磁控管2與圖中未示出的電源相連接用的端子2B。在通風(fēng)道5、6處還分別配置有可以與沿端子2B處延伸出的高壓線相嵌合的高壓線保持部5A、6A。而且風(fēng)扇4、通風(fēng)道5、6和端子2B在圖1中未示出。
如果采用如上所述的這種實(shí)施例，便可以使結(jié)合部3A上的一端與高頻加熱組件相連接，進(jìn)而構(gòu)成為在微波傳播時(shí)阻抗不會(huì)產(chǎn)生變化的波導(dǎo)管的第一部分。而且可以利用匹配部3B，使第一部分的另一端與加熱用腔室相連接，在由第一部分上的連接部分朝向加熱用腔室上的連接部分處，構(gòu)成為微波傳播時(shí)的阻抗由接近第一部分的阻抗變化至接近加熱用腔室的阻抗的波導(dǎo)管用第二部分。圖3為表示使用在作為本發(fā)明第二實(shí)施例的微波爐中的磁控管和波導(dǎo)管用的示意性說(shuō)明圖。
正如圖3所示，作為這種實(shí)施例的微波爐具有磁控管22和波導(dǎo)管23。
波導(dǎo)管23具有結(jié)合部23A、匹配部23B和23C。結(jié)合部23A、匹配部23B的結(jié)構(gòu)構(gòu)成，分別與由圖1說(shuō)明過(guò)的結(jié)合部3A、匹配部3B相類似。匹配部23C為具有錐形形狀的管狀體。
磁控管22搭載在波導(dǎo)管23上。磁控管22具有磁控管輻射用天線22A，而且該磁控管輻射用天線22A由結(jié)合部23A處突出。結(jié)合部23A與匹配部23B的一端部相連接。匹配部23B的另一端部與匹配部23C上的小直徑側(cè)端部相連接。匹配部23C上的大直徑側(cè)端部與微波爐中的加熱用腔室側(cè)面21A相連接。
在作為本實(shí)施例的微波爐中，波導(dǎo)管23設(shè)置在如圖1所示的波導(dǎo)管3的加熱用腔室側(cè)，并且呈可以與匹配部23C相連接的形狀。匹配部23C可以呈如上所述的錐形形狀，而且在該錐形形狀中直徑比較小的一側(cè)，其直徑與匹配部23B上的另一端部大體相等，而位于直徑比較大的一側(cè)的直徑比匹配部23B上的另一側(cè)更大些。換句話說(shuō)就是，在作為本實(shí)施例的微波爐中，可以通過(guò)匹配部23B和匹配部23C，分兩個(gè)階段使作為磁控管輻射用天線22A的結(jié)合部23A與加熱用腔室間的阻抗相匹配。因此作為本實(shí)施例的微波爐與參考圖1說(shuō)明的、作為第一實(shí)施例的微波爐相比，可以進(jìn)一步提高其加熱效率。
圖4為表示使用在作為本發(fā)明第三實(shí)施例的微波爐中的磁控管和波導(dǎo)管用的示意性說(shuō)明圖。作為本實(shí)施例的微波爐，是在作為第二實(shí)施例的微波爐中，還配置有輻射用天線24等組件。因此，與如圖3所示的微波爐中相同的構(gòu)成要素由相同的參考編號(hào)表示，并且省略了對(duì)它們的說(shuō)明。
正如圖4所示，作為這種實(shí)施例的微波爐還具有由金屬構(gòu)成的輻射用天線24，而且該輻射用天線24按照被連接在匹配部23B和匹配部23C的內(nèi)部空間處的方式設(shè)置。該輻射用天線24搭載在支撐板25上。支撐板25可以由諸如云母板等的、電介質(zhì)常數(shù)比較低的材料構(gòu)成。下面參考圖5、圖6對(duì)輻射用天線24的配置方法進(jìn)行說(shuō)明。圖5為表示波導(dǎo)管23用的示意性立體圖，圖6為表示波導(dǎo)管23中加熱用腔室側(cè)的示意性主視圖。而且在圖5中的正面朝向匹配部23C一側(cè)。
正如圖4～圖6所示，波導(dǎo)管23在匹配部23B與匹配部23C的連接部分處，還配置有分隔板230。在該分隔板230的大體中央部處具有開(kāi)口231，在開(kāi)口231的左右兩側(cè)壁面處還形成有保持支撐板25用的保持用導(dǎo)軌232。支撐板25通過(guò)將其左右兩端嵌入在保持用導(dǎo)軌232處的方式，而以不與結(jié)合部23A、匹配部23B、23C相接觸的方式，設(shè)置在波導(dǎo)管23之內(nèi)。
輻射用天線24呈板狀形狀。輻射用天線24的主側(cè)面比支撐板25上的主側(cè)面小。而且輻射用天線24被搭載在支撐板25之上。這一輻射用天線24可以通過(guò)一定的粘接劑而粘接在支撐板25上。換句話說(shuō)就是，可以使輻射用天線24以不與結(jié)合部23A、匹配部23B、23C相接觸的方式，由支撐板25支撐在波導(dǎo)管23之內(nèi)。
正如圖4所示，匹配部23B上與匹配部23C間相連接用的連接部230B，以及匹配部23C上與匹配部23B間相連接用的連接部230C，分別具有沿垂直方向折曲的結(jié)構(gòu)構(gòu)成形狀。在這兒，當(dāng)沿著水平方向移動(dòng)觀察時(shí)，匹配部23B和匹配部23C各自在與朝向附圖深度方向相平行的剖面處的剖面面積變化率，大體保持為一定?？v剖面的剖面面積變化率，指的是在與朝向附圖深度方向相平行的剖面處的剖面面積，相對(duì)于沿水平方向移動(dòng)距離的變化量。但是，匹配部23B與匹配部23C間的連接部分，當(dāng)沿著水平方向移動(dòng)觀察時(shí)，如果以其近側(cè)邊為基準(zhǔn)，在與朝向附圖深度方向相平行的剖面處的剖面面積變化率將產(chǎn)生有變化。設(shè)置在波導(dǎo)管23中的這種部分使結(jié)合部23A與加熱用腔室間難以實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。
因此，在本實(shí)施例中，輻射用天線24被配置在匹配部23B與匹配部23C間的連接部分處。采用這種設(shè)置方式，可以使匹配部23B與匹配部23C間的阻抗匹配更可靠。由此還可以使結(jié)合部23A與加熱用腔室間更可靠地實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。換句話說(shuō)就是，在本實(shí)施例中的輻射用天線24，是一種設(shè)置在波導(dǎo)管中沿微波傳送方向上的波導(dǎo)管剖面面積變化率產(chǎn)生有變化的部分處的、由金屬制造的輻射用天線。
而且在本實(shí)施例中，輻射用天線24是按照不與作為波導(dǎo)管23主體部分的結(jié)合部23A、匹配部23B、23C相接觸的方式設(shè)置的。采用這種設(shè)置方式可以更可靠地使匹配部23B與匹配部23C間的阻抗相匹配。
圖7為表示使用在作為本發(fā)明第四實(shí)施例的微波爐中的磁控管和波導(dǎo)管用的示意性說(shuō)明圖。在作為本實(shí)施例的微波爐中，未采用作為第三實(shí)施例的微波爐中所采用著的輻射用天線24，而是采用著與輻射用天線24的形狀有所不同的輻射用天線240。因此，與如圖4所示的微波爐中相同的構(gòu)成要素由相同的參考編號(hào)表示，并且省略了對(duì)它們的說(shuō)明。
在作為本實(shí)施例的微波爐中，輻射用天線240包含有沿著水平方向延伸的水平部241，以及相對(duì)于水平部241折曲著的折曲部242。對(duì)于沿著垂直方向觀察的場(chǎng)合，折曲部242配置在與匹配部23B和匹配部23C間的連接部分相對(duì)應(yīng)的位置處。如果采用這種設(shè)置方式，便可以使根據(jù)本實(shí)施例構(gòu)造的微波爐與如圖4所示的微波爐相比，能夠更可靠地實(shí)現(xiàn)匹配部23B與匹配部23C間的阻抗匹配。
在本實(shí)施例中的輻射用天線240，是一種設(shè)置在波導(dǎo)管中沿微波傳送方向上的波導(dǎo)管剖面面積變化率產(chǎn)生有變化的部分處的、由金屬制造的輻射用天線。而且水平部241由沿著微波傳送方向設(shè)置的部分構(gòu)成，而折曲部242由與微波傳送方向相交的部分構(gòu)成。圖8為表示使用在作為本發(fā)明第五實(shí)施例的微波爐中的磁控管和波導(dǎo)管用的示意性說(shuō)明圖。在作為本實(shí)施例的微波爐中，未采用作為第三實(shí)施例的微波爐中的輻射用天線24和支撐板25，而是配置有輻射用天線41、43和支撐板42、44。因此，與如圖4所示的微波爐中相同的構(gòu)成要素由相同的參考編號(hào)表示，并且省略了對(duì)它們的說(shuō)明。
在作為本實(shí)施例的微波爐中，配置有兩個(gè)輻射用天線41、43。這兩個(gè)輻射用天線41、43分別搭載在支撐板42、44上。而且輻射用天線41、43和支撐板42、44按照如圖4～圖6所示的、對(duì)輻射用天線24和支撐板25中的波導(dǎo)管23實(shí)施的設(shè)置方式相類似的方法，設(shè)置在波導(dǎo)管23處。
輻射用天線41、43分別包含有沿著水平方向延伸的水平部411、431，以及相對(duì)于水平部411、431折曲著的折曲部412、432。對(duì)于沿著垂直方向觀察的場(chǎng)合，輻射用天線41配置在與匹配部23B和匹配部23C間的連接部分相對(duì)應(yīng)的位置處。而且對(duì)于沿著垂直方向觀察的場(chǎng)合，輻射用天線43配置在與結(jié)合部23A和匹配部23B間的連接部分相對(duì)應(yīng)的位置處。正如圖8所示，結(jié)合部23A與匹配部23B間的連接部分，以及匹配部23B與匹配部23C間的連接部分，如果以其近側(cè)邊為基準(zhǔn)，則分別具有在與朝向附圖深度方向相平行的剖面處的剖面面積變化率有變化的部分。換句話說(shuō)就是，在作為本實(shí)施例的微波爐中，波導(dǎo)管中沿微波傳送方向上的剖面面積的變化率產(chǎn)生有變化中的某一部分，或是其全部處，是通過(guò)輻射用天線41或輻射用天線43相連接著的。如果采用這種設(shè)置方式，便可以更可靠地實(shí)現(xiàn)結(jié)合部23A與加熱用腔室之間的阻抗匹配。
而且在作為本實(shí)施例的微波爐中，波導(dǎo)管23中沿微波傳送方向上的剖面面積變化率產(chǎn)生有變化中的一部分或是其全部，最好是通過(guò)一個(gè)輻射用天線部件相連接。換句話說(shuō)就是，在本實(shí)施例中的輻射用天線41和輻射用天線43最好構(gòu)成為一體。采用這種設(shè)置方式，可以更可靠地實(shí)現(xiàn)結(jié)合部23A與加熱用腔室之間的阻抗匹配。
輻射用天線41、43可以呈棒狀形狀，也可以呈板狀形狀。對(duì)于呈棒狀形狀的場(chǎng)合，最好是采用其剖面面積產(chǎn)生有變化的構(gòu)成形式。對(duì)于呈板狀形狀的場(chǎng)合，最好是采用其剖面面積、即主面中的寬度產(chǎn)生有變化的構(gòu)成形式。采用這種設(shè)置方式，便可以使輻射用天線41、43以可以更適當(dāng)?shù)卦诮Y(jié)合部23A與加熱用腔室之間實(shí)現(xiàn)阻抗匹配的方式構(gòu)成。
而且如上所述，對(duì)于沿著垂直方向?qū)嵤┯^察的場(chǎng)合，輻射用天線41、43最好分別設(shè)置在與匹配部23B和匹配部23C間的連接部分，以及結(jié)合部23A和匹配部23B間的連接部分相對(duì)應(yīng)的位置處，而且在水平方向上，最好是在由設(shè)置有磁控管輻射用天線22A的位置處至加熱用腔室之間的整個(gè)區(qū)域中，均設(shè)置有某個(gè)輻射用天線。這種狀態(tài)可以是一種呈如圖9所示的狀態(tài)。
正如圖9所示，波導(dǎo)管23內(nèi)由設(shè)置有磁控管輻射用天線22A的位置處至加熱用腔室側(cè)面21A之間的空間處，可以設(shè)置有五個(gè)輻射用天線51～55。輻射用天線51～55可以按照在由磁控管輻射用天線22A的設(shè)置位置至加熱用腔室側(cè)面21A之間空間的整個(gè)縱剖面處，依次設(shè)置有輻射用天線51～55中的某一個(gè)的方式實(shí)施配置。在這兒的縱剖面指的是與朝向附圖深度方向相平行的剖面。通過(guò)在波導(dǎo)管23中按照這種方式配置輻射用天線的方式，便可以使由磁控管輻射用天線22A的設(shè)置位置至加熱用腔室側(cè)面21A之間的空間，按照沿微波傳送方向上與微波電波相關(guān)聯(lián)的方式實(shí)施結(jié)合。如果采用這種設(shè)置方式，便可以更可靠地實(shí)現(xiàn)結(jié)合部23A與加熱用腔室之間的阻抗匹配。在如圖9所示的變形實(shí)例中，各輻射用天線是以位于波導(dǎo)管中的、與微波傳送方向相垂直的整個(gè)面處的場(chǎng)合為例進(jìn)行說(shuō)明的。而且在圖9中，微波的傳送方向是由圖上的右側(cè)朝向左側(cè)的。
在如圖9所示的這一個(gè)變形實(shí)例中，輻射用天線51～55相對(duì)于作為縱剖面的、與水平方向相平行的面，即與圖面相平行的面，并不需要使其位于同一平面上。
以上是以圖9所示的場(chǎng)合為例說(shuō)明輻射用天線51～55的配置方式的，然而輻射用天線也可以在波導(dǎo)管中，沿著與微波傳送方向相交的整個(gè)面上設(shè)置。下面利用根據(jù)所述各實(shí)施例構(gòu)造的微波爐實(shí)施的加熱烹調(diào)結(jié)果，對(duì)各實(shí)施例所具有的效果進(jìn)行說(shuō)明。
利用這五種類型的微波爐，對(duì)兩升的水實(shí)施加熱，并進(jìn)行溫酒類烹調(diào)。在這兒，當(dāng)利用微波爐對(duì)兩升的水實(shí)施加熱時(shí)，實(shí)際使用在加熱中的微波占磁控管輸出的微波中的比例，如表1所示(在表1中為“兩升水吸收的能量/向磁控管投入的能量”)。這一比例對(duì)于被兩升水吸收的微波的量為a、向磁控管投入的能量為b的場(chǎng)合，可以通過(guò)由a/b計(jì)算出的、呈百分?jǐn)?shù)形式的值表示，該值比較大時(shí)，微波的反射量比較小。
各微波爐在對(duì)倒入有酒的酒壺實(shí)施加熱時(shí)，酒壺內(nèi)的上下溫度差亦表示在表1(在表1中為“上下溫度差”)。
而且在表1中，還示出了使用No.1～No.5這五種微波爐實(shí)施烹調(diào)的結(jié)果。在這兒序號(hào)為No.1的微波爐為如圖3所示的微波爐。
序號(hào)為No.2的微波爐如圖10所示，是在如圖3所示的微波爐中的波導(dǎo)管23之內(nèi)，還配置有反射板50。反射板50由相互垂直的兩個(gè)部分構(gòu)成，其中的一個(gè)與波導(dǎo)管23的上側(cè)面相連接，另一個(gè)位于波導(dǎo)管23之內(nèi)朝向下側(cè)延伸的位置處。所述反射板50的另一部分位于結(jié)合部23A與匹配部23B之間的連接部分處。
序號(hào)為No.3的微波爐如圖4所示，是在如圖3所示的微波爐中的波導(dǎo)管23內(nèi)，還設(shè)置有呈板狀的輻射用天線24。
序號(hào)為No.4的微波爐如圖7所示，是使如圖4所示的微波爐中的輻射用天線24，相對(duì)于支撐板25朝向上側(cè)方向折曲。
序號(hào)為No.5的微波爐如圖11所示，是使如圖4所示的微波爐中的輻射用天線24，相對(duì)于支撐板25朝向下側(cè)方向折曲。
表1
下面參考表1，首先對(duì)實(shí)際使用在加熱中的微波占磁控管輸出的微波中的比例(在表1中為“兩升水吸收的能量/向磁控管投入的能量”)進(jìn)行分析。
由對(duì)序號(hào)為No.1的微波爐與序號(hào)為No.2的微波爐進(jìn)行的比較可知，序號(hào)為No.2的微波爐中實(shí)際使用在加熱中的微波比例要高2.2％。由此可知通過(guò)設(shè)置有反射板50的方式，確實(shí)可以更好地實(shí)施磁控管輻射用天線設(shè)置區(qū)域與加熱用腔室間的阻抗匹配。
由對(duì)序號(hào)為No.1的微波爐與序號(hào)為No.3的微波爐進(jìn)行的比較可知，序號(hào)為No.3的微波爐實(shí)際使用在加熱中的微波比例高1.3％。由此可知通過(guò)設(shè)置有輻射用天線24的方式，確實(shí)可以更好地實(shí)施磁控管輻射用天線設(shè)置區(qū)域與加熱用腔室間的阻抗匹配。
由對(duì)序號(hào)為No.3的微波爐與序號(hào)為No.4的微波爐和序號(hào)為No.5的微波爐進(jìn)行的比較可知，序號(hào)為No.4的微波爐比序號(hào)為No.3的微波爐高出2.5％，而序號(hào)為No.5的微波爐比序號(hào)為No.3的微波爐高出3.0％。由此可知通過(guò)使輻射用天線24折曲的方式，還可以更好地實(shí)施磁控管輻射用天線設(shè)置區(qū)域與加熱用腔室間的阻抗匹配。
下面對(duì)倒入有酒的酒壺實(shí)施溫酒時(shí)，在酒壺內(nèi)部酒的上下溫度差(在表1中為“上下溫度差”)進(jìn)行分析。并且，該溫度差可考慮作為微波爐加熱不均勻的尺度。
由對(duì)序號(hào)為No.1的微波爐與序號(hào)為No.3的微波爐進(jìn)行的比較可知，使用序號(hào)為No.3的微波爐時(shí)的上下溫度差增大了4.1度。換句話說(shuō)就是，當(dāng)設(shè)置有輻射用天線24時(shí)，微波爐中的加熱均勻性將會(huì)惡化，即加熱不均勻性將相當(dāng)明顯。
但是，由對(duì)序號(hào)為No.3的微波爐與序號(hào)為No.4的微波爐和序號(hào)為No.5的微波爐進(jìn)行的比較可知，序號(hào)為No.4的微波爐比序號(hào)為No.3的微波爐小11.9度，而序號(hào)為No.5的微波爐比序號(hào)為No.3的微波爐小22.6度。而且由對(duì)序號(hào)為No.1的微波爐與序號(hào)為No.5的微波爐進(jìn)行的比較可知，序號(hào)為No.5的微波爐比序號(hào)為No.1的微波爐小8.5度。由此可知通過(guò)使輻射用天線24折曲的方式，可以抑制加熱的不均勻性。下面對(duì)作為本實(shí)施例的微波爐構(gòu)成要素的承載臺(tái)進(jìn)行說(shuō)明。
由對(duì)第三現(xiàn)有技術(shù)的說(shuō)明可知，轉(zhuǎn)盤(pán)可以由具有微波穿透性的玻璃等材料構(gòu)成，并且可以通過(guò)金屬制造的承載臺(tái)實(shí)施保持。圖12(A)、圖12(B)為表示作為本實(shí)施例的、由金屬制造的承載臺(tái)用的示意性說(shuō)明圖。其中圖12(A)表示的是該承載臺(tái)的示意性平面圖，圖12(B)表示的是沿如圖12(A)中的線B-B剖開(kāi)時(shí)的示意性剖面圖。
正如圖12(A)、圖12(B)所示，承載臺(tái)70呈圓形形狀。承載臺(tái)70由其中心朝向外側(cè)邊緣呈放射狀形成有12個(gè)窗口71。換句話說(shuō)就是，在承載臺(tái)70處形成有其弧度朝向外側(cè)周邊方向的12個(gè)大體呈扇形形狀的孔，這些孔即構(gòu)成為窗口71。
構(gòu)成為窗口71的各個(gè)扇形(大體呈扇形的)區(qū)域中的弦長(zhǎng)(請(qǐng)參見(jiàn)圖12(A)中的x)，最好在5厘米以下。選擇這一尺寸的原因如下。
如果舉例來(lái)說(shuō)，在通常使用在微波爐中進(jìn)行加熱用的烹調(diào)器具中，底面積最小的是酒壺，而酒壺的直徑最小值通常為5厘米。
而且對(duì)于朝向加熱用腔室的下側(cè)方向供給微波的場(chǎng)合，在轉(zhuǎn)盤(pán)的底部處配置有由金屬制造的承載臺(tái)70，所以在轉(zhuǎn)盤(pán)上形成有可以由下面處供給出微波的區(qū)域，以及不供給出微波的區(qū)域。金屬材料是一種對(duì)微波產(chǎn)生反射的材料。
在作為本實(shí)施例的承載臺(tái)70中，如果如上所述的尺寸x小于5厘米，則對(duì)于在轉(zhuǎn)盤(pán)之上放置有食品的場(chǎng)合，如果食品被放置在其中央部處，則整個(gè)食品會(huì)被放置在包含有可以由下面處供給出微波的區(qū)域以及不供給出微波的區(qū)域的位置處。而且出于相類似的原因，相鄰接的窗口71距承載臺(tái)70圓周方向處的最近距離間的間隔(請(qǐng)參見(jiàn)圖12(B)中的y)，最好也設(shè)置在5厘米以下。在圖12(B)中的距離y，指的是對(duì)具有相同形狀的相鄰窗口71之間的相對(duì)點(diǎn)之間的直線距離。
當(dāng)承載臺(tái)70按照本實(shí)施例中的方式構(gòu)成時(shí)，在微波爐中食品底面處相對(duì)于加熱時(shí)間的微波吸收量，可以認(rèn)為大體與食品的底面面積成比例。換句話說(shuō)就是，這可以使相對(duì)于食品底面面積的加熱性能穩(wěn)定化。采用這種構(gòu)成方式，使用者便可以將若干個(gè)食品，設(shè)置在位于同心圓上的任意位置處，進(jìn)而實(shí)施均勻的加熱烹調(diào)。
在本實(shí)施例中，承載臺(tái)70是由可以對(duì)由金屬制作的加熱器皿實(shí)施搭載、驅(qū)動(dòng)的承載臺(tái)構(gòu)成的。而且通?？梢詫⒉ＡЪ訜崞髅蟠钶d在承載臺(tái)70上。并且在該器皿上搭載諸如被加熱物品等的食品。
使所述尺寸x小于5厘米，指的是使沿接收器皿的半徑方向相垂直的方向上的尺寸最大值為5厘米。
在這兒是以若干實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明的，然而本發(fā)明并不僅限于這些實(shí)施例。根據(jù)本發(fā)明而做出的種種變形均可。
權(quán)利要求
1.一種高頻加熱裝置，其特征在于它包含有收裝被加熱物品用的加熱用腔室；通過(guò)產(chǎn)生微波的方式對(duì)所述被加熱物實(shí)施加熱用的高頻加熱組件；以及將由所述高頻加熱組件產(chǎn)生的微波引導(dǎo)至所述加熱用腔室用的波導(dǎo)管；而且所述波導(dǎo)管包含有其一端與所述高頻加熱組件相連接，且沿微波傳送方向上的阻抗無(wú)變化的第一部分，以及使所述第一部分上的另一端與所述加熱用腔室相連接，而且在由所述第一部分中的連接部分朝向所述加熱用腔室中的連接部分處，其微波傳送中的阻抗由接近所述第一部分的阻抗變化為接近所述加熱用腔室的阻抗的第二部分。
2.一種如權(quán)利要求1所述的高頻加熱裝置，其特征在于所述的第二部分由若干個(gè)管形部件構(gòu)成。
3.一種如權(quán)利要求1或2所述的高頻加熱裝置，其特征在于所述第二部分中與所述加熱用腔室相連接的部分，為具有錐形形狀的部分。
4.一種如權(quán)利要求1至3中的任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的高頻加熱裝置，其特征在于在所述波導(dǎo)管中還包含有由金屬制作的輻射用天線，這一輻射用天線沿著微波傳送方向設(shè)置在所述波導(dǎo)管的剖面面積變化率產(chǎn)生有變化的部分處的。
5.一種如權(quán)利要求4所述的高頻加熱裝置，其特征在于所述輻射用天線設(shè)置在沿微波傳送方向其所述波導(dǎo)管的剖面面積變化率產(chǎn)生有變化的整個(gè)部分處。
6.一種如權(quán)利要求5所述的高頻加熱裝置，其特征在于所述輻射用天線是由一塊金屬材料制作的。
7.一種如權(quán)利要求4至6中的任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的高頻加熱裝置，其特征在于所述輻射用天線以不與所述波導(dǎo)管相接觸的方式設(shè)置。
8.一種如權(quán)利要求4至7中的任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的高頻加熱裝置，其特征在于所述輻射用天線具有沿著微波傳送方向的部分，以及與所述微波傳送方向相交的部分。
9.一種如權(quán)利要求4至8中的任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的高頻加熱裝置，其特征在于所述輻射用天線具有剖面面積產(chǎn)生有變化的部分。
10.一種如權(quán)利要求4至9中的任何一項(xiàng)權(quán)利要求所述的高頻加熱裝置，其特征在于所述輻射用天線配置在位于所述波導(dǎo)管之中的、與所述微波傳送方向相交的面處。
11.一種高頻加熱裝置，其特征在于它包含有收裝被加熱物品用的加熱用腔室；設(shè)置在所述加熱用腔室內(nèi)的、由介電體材料構(gòu)成的、放置所述被加熱物用的圓形加熱器皿；由金屬材料構(gòu)成的、對(duì)所述加熱器皿實(shí)施搭載、驅(qū)動(dòng)用的承載臺(tái)；以及通過(guò)使微波由所述承載臺(tái)的下方處透射過(guò)的方式對(duì)所述被加熱物實(shí)施加熱用的高頻加熱組件；而且所述的承載臺(tái)具有若干個(gè)窗口，所述若干個(gè)窗口分別由所述承載臺(tái)的中心朝向外側(cè)周邊方向呈放射狀形成，所述窗口在與所述承載臺(tái)的半徑方向相垂直的方向上的尺寸最大值為5厘米。
全文摘要
本發(fā)明的高頻加熱裝置具有磁控管22和波導(dǎo)管23。波導(dǎo)管23由結(jié)合部23A、匹配部23B、23C構(gòu)成。磁控管22還具有由結(jié)合部23A處突出的磁控管輻射用天線22A。結(jié)合部23A上的一端與匹配部23B相連接,并且具有沿水平方向的剖面面積無(wú)變化的結(jié)構(gòu)構(gòu)成。匹配部23B、23C的結(jié)構(gòu)構(gòu)成使其越靠近加熱用腔室側(cè)面21A處,其剖面面積越大。在支撐板25上還配置有位于匹配部23B和匹配部23C間連接部分處的輻射用天線24。
文檔編號(hào)H05B6/70GK1264013SQ0010272
公開(kāi)日2000年8月23日 申請(qǐng)日期2000年2月18日 優(yōu)先權(quán)日1999年2月19日
發(fā)明者大森義治, 速水克明 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社