專利名稱：磁盤用磁頭的搬送用托盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于裝載硬盤驅(qū)動用磁頭以對其進行加工、清洗、轉(zhuǎn)移、保管等的托盤，特別是涉及適用于搬送磁阻型磁頭(MR磁頭)的磁盤用磁頭的搬送用托盤。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上的磁頭用托盤，一般都是通過將抗靜電劑、炭黑等導電性賦予成分配合分散于ABS樹脂等中來制造，這時它就形成了一種導電性的熱塑性樹脂組合物。
然而，在配合抗靜電劑的情況下，其導電機理是離子傳導，因此容易受環(huán)境濕度的影響；由于清洗或長時間地使用而使抗靜電劑流失，從而使抗靜電性降低；如果大量地添加抗靜電劑，則會損害其耐熱性，這些都是使用抗靜電劑的缺點。另外，在配合炭黑的情況下，雖然不受濕度、清洗操作等的影響，但是為了向其賦予導電性，必須添加大量的炭黑，結(jié)果使得成型品的表面對擦傷或磨耗的耐受力減弱，因此容易引起磨耗粉末或碳顆粒(也就是微粒)的脫落，這是其缺點。
為了解決這些問題，過去都是在磁盤用磁頭的搬送用托盤中使用一種例如向聚碳酸酯中添加碳纖維而形成的材料。與炭黑相比，碳纖維可以減少微粒的脫落。
另外，磁頭通常具有臂形零件、安裝于該臂形零件前端的磁頭工作間隙(head chip)以及與該磁頭工作間隙相連接的引線。MR磁頭是一種使用MR元件(磁阻元件)作為磁頭工作間隙的零件。
然而在近年來，為了使磁頭趨向高密度化，MR(磁阻)磁頭已逐步取代傳統(tǒng)的薄膜磁頭而成為主流，但是即使是使用碳纖維的材料也不能充分滿足對特性的要求。
也就是說，與填充炭黑的材料相比，使用以碳纖維作為導電性填料的材料制成的托盤雖然可以減少微粒的脫落，但是對于MR磁頭用的托盤來說，要求它能更進一步地減少微粒的脫落。
其理由是，由于MR磁頭本身不但對導電性微粒很敏感，而且在實際使用時，磁頭和磁盤之間的間隙度變得十分小，因此由于微粒的作用而容易使磁盤經(jīng)常被壓碎。
也就是說，對于硬盤用磁頭的搬送用托盤來說，在利用純水來對磁頭進行超聲波清洗的工序等過程中，由于纖維本身從托盤的表面脫落，或者由于纖維之間的樹脂成分剝落，都會產(chǎn)生微粒。這類微粒的脫落，不但污染和損傷了磁頭，而且在使用硬盤驅(qū)動器時微粒還會作為磁頭與硬盤之間的異物存在而引起磁頭損壞的危險性。
另外，傳統(tǒng)的薄膜磁頭借助于信號磁場接近線圈時產(chǎn)生的電流來檢測信號，與此不同，對于MR磁頭來說，即使只有微弱的感應電流在MR元件中流動，也能通過電阻值的變化來檢測信號磁場。因此，就MR磁頭而言，即使在有微弱噪聲電流通過的情況下，導致MR元件損傷的危險性也很大。因此，MR磁頭對由于磁頭與托盤之間的電位差所引起的靜電放電或由于磁頭與托盤接觸所產(chǎn)生的觸點電流，都要比傳統(tǒng)的集成型磁頭或IC敏感得多。
也就是說，在MR磁頭的組裝工序中，將引線連接到磁頭工作間隙中，通過該磁頭工作間隙而將臂形元件組裝到萬向接頭中。雖然上述引線(金屬線)的表面被聚酰亞胺包覆，但是由于聚酰亞胺與金屬線的接觸電位差，常常引起在接觸部位發(fā)生電荷分離，從而導致電性的不穩(wěn)定狀態(tài)。其結(jié)果，當引線的尖端與磁頭的托盤等接觸時，在接觸部容易發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移，從而增加了損傷的危險性。
傳統(tǒng)的磁頭用托盤的表面電阻值為101～102Ω/□左右，雖然不存在由于靜電放電導致磁頭損傷的危險性，但是由于托盤的表面電阻過低，使得在磁頭與托盤之間，或者在周圍元件與托盤之間，由于過度的觸點電流所引起的損傷已成為嚴重的問題。
而且，在添加碳纖維作為導電性填料時，托盤的表面電阻值特別容易降低。當為了增大表面電阻值而減少碳纖維的添加量時，在托盤內(nèi)部的碳纖維相互間的接觸狀態(tài)變得不穩(wěn)定，從而不能獲得均一的電阻值。
另外，在使用碳纖維的情況下，作為在碳纖維中所含雜質(zhì)的氯離子在用純水清洗時被釋放入純水中，從而引起磁頭被腐蝕，或者，由于該氯離子成為磁頭與磁盤之間的異物而引起問題的發(fā)生。
磁頭以一種直接接觸的狀態(tài)裝載于托盤上，并且經(jīng)歷組裝、清洗、搬送、取出等操作，這時，磁頭多次地從托盤上裝卸，因此由于托盤表面與磁頭的接觸而發(fā)生摩擦。
另一方面，就傳統(tǒng)的磁頭搬送用托盤而言，為了向聚碳酸酯賦予導電性而使用配合有碳纖維的材料，這樣就使得碳纖維在由這類導電性聚碳酸酯樹脂組合物構(gòu)成的磁頭搬送用托盤的表面暴露出來，并且在成型時由于在表面上有細微的流動不均勻，使得托盤表面呈現(xiàn)十分粗糙的狀態(tài)。
因此，由于托盤表面粗糙，使得在托盤與磁頭接觸或摩擦時，發(fā)生磁頭的聚酰亞胺薄膜或引線受損傷的問題。
傳統(tǒng)的薄膜磁頭借助于信號磁場接近線圈時產(chǎn)生的電流來檢測信號，與此不同，對于MR磁頭來說，即使只有微弱的感應電流在MR元件中流動，也能通過電阻值的變化來檢測信號磁場，由于這種機理，可以飛躍地提高檢測靈敏度，并可使介質(zhì)的磁道變窄并因此使介質(zhì)的容量增大。最近也有人使用一種具有更大容量的GMR磁頭。
這類MR磁頭或GMR磁頭對于微量腐蝕性的氣體和微弱的噪聲電流等的污染是十分敏感的。因此，從用于搬送上述磁頭的托盤開始，即使對于各種操作用的零件或夾具，為了不污染磁頭，對托盤提出嚴格的性能要求。
傳統(tǒng)的磁頭搬送用托盤的制造方法是向聚碳酸酯樹脂中配合進碳纖維，然后把所獲的樹脂組合物成型為托盤。
在該方法中使用的聚碳酸酯樹脂通常按溶液法制造，也就是使二價苯酚的堿性水溶液與光氣在有機溶劑的存在下反應，按照該方法，聚碳酸酯樹脂是以其有機溶劑溶液的形式獲得。作為所說的有機溶劑，可以使用二氯甲烷、三氯甲烷、四氯化碳等的鹵代脂烴；氯苯、氯甲苯等的鹵代芳烴，其中最常用的是二氯甲烷。
所說的聚碳酸酯樹脂可以通過從所獲的聚碳酸酯樹脂溶液中蒸發(fā)除去溶劑相來獲得，但是在這時，由于以二氯甲烷為代表的有機溶劑與聚碳酸酯的親合力很強，故在最后仍有微量的溶劑殘留于樹脂中。然后在經(jīng)過成型加工之后，在把作為最終成型品的磁頭搬送用托盤提供使用時，殘留于樹脂中的二氯甲烷便作為揮發(fā)成分揮發(fā)出來。
在傳統(tǒng)的磁頭搬送用托盤中，作為腐蝕性揮發(fā)成分而讓人擔心的物質(zhì)主要是鹽酸和氯離子等的離子性物質(zhì)，但是在具有諸如MR元件或GMR元件等對腐蝕十分敏感的元件的磁頭搬送用托盤中，即使是象二氯甲烷那樣的氯離子的前體，也會成為麻煩的問題。
另外，象醇類、酮類等其他揮發(fā)性成分對磁頭工作間隙的安全性未被確認，因此要求在磁頭搬送用托盤中的總氣體放出量越少越好。
本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的情況，其目的是提供一種可以解決上述問題中至少一個問題的磁盤用磁頭的搬送用托盤。

發(fā)明內(nèi)容
本申請第一發(fā)明方案的磁盤用磁頭的搬送用托盤是一種用于搬送磁盤用磁頭的托盤，所說磁盤用磁頭具有臂形零件、安裝于該臂形零件前端的磁頭工作間隙、與該磁頭工作間隙相連接的引線，該托盤由導電性的熱塑性樹脂組合物成型而制得，當將該托盤浸漬于500ml純水中并用40kHz的超聲波振動60秒時，從該托盤的每單位表面積上脫落的粒徑在1μm以上的微粒數(shù)在5000pcs/cm2以下。
另外，當托盤的表面電阻值為103～1012Ω時，除了能獲得充分的抗靜電性之外，還能防止在磁頭與托盤的接觸處產(chǎn)生過大的觸點電流，從而可以防止磁頭的電損傷。
該托盤是一種表面均勻性和穩(wěn)定性皆優(yōu)良的托盤，并且當將該托盤浸漬于500ml純水中并用40kHz的超聲波振動60秒時，從該托盤的表面上脫落的粒徑在1μm以上的微粒數(shù)(下文將該值稱為“微粒產(chǎn)生量”)在5000pcs/cm2以下，因此該托盤可以防止由于擦傷、磨損或清洗而脫落的微粒所導致的磁頭的物理乃至化學的污染或損傷。
作為導電性的熱塑性樹脂組合物，優(yōu)選是向熱塑性樹脂中配入選自聚醚類高分子型抗靜電劑、導電性填料和碳原纖維中的一種或兩種以上的導電性填料，作為熱塑性樹脂，優(yōu)選使用選自聚碳酸酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚丙烯中的一種或兩種以上。
本申請第二發(fā)明方案的磁盤用磁頭的搬送用托盤是一種由導電性聚碳酸酯樹脂組合物注塑成型而制得的托盤，其表面粗糙度在按截止波長2.5mm進行測定時滿足下述①或②的條件①十點平均粗糙度(Rz)在5μm以下；②切斷水平10％負荷長度(10％-cutting-levelload length)比率(tp)在1％以上；在每1cm測定長度內(nèi)距中心線±0.1μm以上的峰數(shù)(Pc)在(0以上至)100以下。
如果托盤的表面粗糙度滿足了上述①或②的條件，則可防止由于托盤與磁頭的接觸或摩擦所引起的磁頭損傷。
本申請第三發(fā)明方案的磁盤用磁頭的搬送用托盤是一種用于搬送磁盤用磁頭的托盤，所說磁盤用磁頭具有臂形零件、安裝于該臂形零件前端的磁頭工作間隙、與該磁頭工作間隙相連接的引線，該托盤優(yōu)選由含有0.25～50重量％導電性填料的聚碳酸酯樹脂組合物成型而制得的托盤，優(yōu)選在對該托盤在進行頂空氣相色譜法測定時，在加熱溫度85℃和平衡時間16小時的條件下測得的從12.6cm2表面積上放出的氯代烴量在0.1μg/g以下。
在按照頂空氣相色譜法測定時，在加熱溫度85℃和平衡時間16小時的條件下測得的從12.6cm2表面積上放出的氯代烴量(下文簡單地稱為“氯代烴放出量”)如果在0.1μg/g以下，則這種揮發(fā)成分的放出量如此少的托盤就能排除由于腐蝕所造成的磁頭的損傷問題。
本申請第四發(fā)明方案的磁盤用磁頭的搬送用托盤是一種用于搬送磁盤用磁頭的托盤，所說磁盤用磁頭具有臂形零件、安裝于該臂形零件前端的磁頭工作間隙、與該磁頭工作間隙相連接的引線，其特征在于，該托盤是由導電性的熱塑性樹脂組合物成型而制得的托盤，其表面電阻值為1×105～1×1012Ω，當將該托盤浸漬于500ml純水中并用40 kHz的超聲波振動60秒時，從該托盤表面上脫落的粒徑在1μm以上的微粒數(shù)目在3500pcs/cm2以下。如果是這樣的托盤，則能排除發(fā)生損傷的問題。
本申請第五發(fā)明方案的磁盤用磁頭的搬送用托盤是一種用于搬送磁盤用磁頭的托盤，所說磁盤用磁頭具有臂形零件、安裝于該臂形零件前端的磁頭工作間隙、與該磁頭工作間隙相連接的引線，其特征在于，該托盤是由導電性的熱塑性樹脂組合物成型而制得的托盤，其表面電阻值為1×103～1×1012Ω，當將該托盤浸漬于500 ml純水中并用40 kHz的超聲波振動60秒時，從該托盤表面上脫落的粒徑在1μm以上的微粒數(shù)目在5000pcs/cm2以下，并且在以2.5mm的截止波長測定其表面粗糙度時，測得其十點平均粗糙度(Rz)在5μm以下，并且該托盤在按頂空氣相色譜法測定時，在加熱溫度85℃和平衡時間16小時的條件下測得的從12.6cm2表面積上放出的氯代烴量在0.1μg/g以下。如果是這樣的托盤，則能排除發(fā)生損傷的問題。
本申請第六發(fā)明方案的磁盤用磁頭的搬送用托盤是一種用于搬送磁盤用磁頭的托盤，所說磁盤用磁頭具有臂形零件、安裝于該臂形零件前端的磁頭工作間隙、與該磁頭工作間隙相連接的引線，該托盤是由導電性的熱塑性樹脂組合物成型而制得的托盤，其表面電阻值為1×103～1×1012Ω，并且在以2.5mm的截止波長測定其表面粗糙度時，其切斷水平10％負荷長度比率(tp)在4％以下。如果是這樣的托盤，則能排除發(fā)生損傷的問題。
對附圖的簡單說明

圖1是表示在實施例和比較例中制造的磁頭搬送用托盤的立體圖。
圖2(a)是圖1所示托盤的平面圖；圖2(b)是沿圖2(a)的B-B線剖開的截面圖。
圖3是表示在實施例和比較例中的損傷性試驗方法的截面圖。
另外，圖中各符號的定義如下1-托盤本體、2-定位肋、3-定位凸臺、4-磁頭、11-托盤材料、12-線路板、13-橡膠片、14-荷重、111-臂形零件、112-磁頭工作間隙、113-引線、114-孔。
用于實施發(fā)明的最佳方案下面詳細地說明本發(fā)明的實施方案。本發(fā)明的某數(shù)值以上、以下包括該點端值。
作為本發(fā)明第一實施方案的磁盤用磁頭的搬送用托盤，如圖1所示，由托盤本體1、定位肋2和定位凸臺3構(gòu)成。
應予說明，本發(fā)明的磁盤用磁頭的搬送用托盤不受圖1所示實施方案的限定。
利用本發(fā)明的磁盤用磁頭的搬送用托盤來進行裝載、加工、清洗、轉(zhuǎn)移、保管等處理的磁盤用磁頭(圖1的4)具有臂形零件111、磁頭工作間隙(MR元件)112以及與磁頭工作間隙相連接的引線113。
將磁頭安裝到本發(fā)明的磁盤用磁頭的搬送用托盤上的方法如下首先，把定位凸臺3插入到設(shè)置在磁頭4上的孔114中。這時，磁頭的臂形零件的方向利用定位肋2來修正。
將1個或多個磁頭裝載到本發(fā)明的磁盤用磁頭的搬送用托盤中，便能對磁頭進行搬送等處理。
下面說明用于構(gòu)成本發(fā)明的磁盤用磁頭的搬送用托盤的成型材料的導電性的熱塑性樹脂組合物。
適用于本發(fā)明的導電性的熱塑性樹脂組合物含有熱塑性樹脂和導電性填料。
作為適用于上述導電性的熱塑性樹脂組合物的導電性填料，可以舉出高分子型抗靜電劑、導電性填料、碳原纖維等。
作為高分子型的抗靜電劑，可以使用聚醚；那些將季銨鹽、磺酸鹽等導電性單元嵌段地或無規(guī)地引入其中的高分子；或者象特開平1-259051號公報中記載的那些在其分子中具有硼原子的電荷轉(zhuǎn)移型高分子鍵合物(linkage compound)等。
其中，由聚醚類高分子抗靜電劑與樹脂一起熔融混煉而獲得的復合化產(chǎn)物具有耐熱性好的優(yōu)點，具體地可以使用聚環(huán)氧乙烷、聚醚酯酰胺、聚醚酰胺酰亞胺、環(huán)氧乙烷-表鹵代醇共聚物、甲氧基聚乙二醇-(甲基)丙烯酸酯共聚物，優(yōu)選使用聚醚酯酰胺、聚醚酰胺酰亞胺，更優(yōu)選使用聚醚酯酰胺。
作為高分子型抗靜電劑的添加量，相對于熱塑性樹脂成分100重量份，可以使用高分子型抗靜電劑1～100重量份，優(yōu)選5～60重量份，特別優(yōu)選5～40重量份。如果添加量少于上述范圍，則表面電阻值容易變得大于1012Ω，從而使抗靜電性能變差。另外，如果添加量多于上述范圍，則彎曲模量、抗拉強度等機械性質(zhì)或耐熱性變差。
作為導電性填料，可以舉出導電性纖維以及氧化鈦、氧化鋅、氧化錫、氧化銦等的金屬氧化物類。應予說明，在金屬氧化物類之中，那些由于存在晶格缺陷而產(chǎn)生剩余電子并因此顯示導電性的金屬氧化物，可以用來作為摻雜劑添加以便提高導電性。例如，可以將鋁、銻、錫作為摻雜劑分別加入氧化鋅、氧化錫、氧化銦中。
作為導電性填料，特別希望使用那些纖維直徑在5μm以下，優(yōu)選在2μm以下，纖維的長/徑比(縱橫比)在5以上、優(yōu)選在10以上的導電性纖維，具體地可以舉出不銹鋼纖維、銅纖維、鎳纖維等的金屬纖維；碳須晶、氧化鈦晶須、碳化硅晶須等的導電性晶須；或者在鈦酸鉀晶須或硼酸鋁晶須等絕緣性晶須表面上形成一層導電性碳覆膜或?qū)щ娦匝趸a覆膜而構(gòu)成的復合型導電性晶須等。在這些物質(zhì)中，特別優(yōu)選是在硼酸鋁晶須上形成導電性薄膜而構(gòu)成的物質(zhì)。應予說明，上述的導電性纖維的纖維直徑和長度是通過顯微鏡的觀察，對其5點位置進行測定后獲得的平均值。
在上述導電性填料中，根據(jù)以下的理由，優(yōu)選是那些DBP吸油量在100cc/100g以上，優(yōu)選在250cc/100g以上，更優(yōu)選在400cc/100g以上的物質(zhì)。
也就是說，DBP吸油量越大，該填料的表面積就越大，因此，DBP吸油量的數(shù)值越大，其結(jié)果越呈現(xiàn)細微的形狀。另一方面，由于配合了導電性填料而使樹脂獲得導電性的理由如下，即，由于導電性填料中的微?；蚶w維相互間的連續(xù)接觸而形成導電通路，而當導電性填料中的微粒或纖維相互間的距離處于10～30左右而成為不完全接觸的情況下，填料中的微粒或纖維由于電子的跳躍而使其具有導電性。由于這種電子跳躍導致的導電性要低于在導電性填料內(nèi)部的導電性?？墒牵缦滤?，在托盤上的表面電阻值(或其導電性)希望是適中的和穩(wěn)定的。因此，通過使樹脂內(nèi)部的導電性填料中的微粒或纖維形成許多的不完全接觸狀態(tài)，就有希望使樹脂組合物的導電性成為適中的(例如106Ω)和穩(wěn)定的。填料的DBP吸油量越大及其形狀越細微，就越容易形成這種不完全接觸的狀態(tài)，為了提高形成這種狀態(tài)的幾率，在本發(fā)明中優(yōu)選使用上述那些DBP吸油量大的導電性填料。
可是，為了提高作為上述導電性填料的金屬填料或碳纖維等與聚碳酸酯樹脂的親合力，通常使用硅烷偶合劑等的有機性表面處理劑進行處理。然而，由于這些表面處理劑多數(shù)都是低分子量的化合物，因此往往會導致從所獲托盤中放出的氣體量增加。與此不同，DBP吸油量在100cc/100g以上的炭黑等的含碳類導電性填料的表面一般都具有很好的活性，因此即使不進行表面處理也能與聚碳酸酯樹脂很好地親合，從而顯示良好的分散性。因此，根據(jù)不會由于表面處理劑而導致產(chǎn)生氣體這一點，也可認為DBP吸油量大的導電性填料是較為適宜的。
另外，關(guān)于氣體放出量越小，該材料越好的理由將在下面詳述。
作為能夠滿足上述DBP吸油量的導電性填料，具體地可以舉出爐法炭黑、乙炔黑、石墨化炭黑等的炭黑類含碳導電性物質(zhì)。
這些導電性填料的添加量，相對于熱塑性樹脂成分100重量份，優(yōu)選使用5～100重量份，特別優(yōu)選15～60重量份。如果添加量少于上述范圍，則其表面電阻值容易變成大于1012Ω，從而使其抗靜電性能變差。另外，如果添加量多于上述范圍，則其成型性受損，并會引起微粒的產(chǎn)生量增加。
作為碳原纖維，優(yōu)選是纖維直徑在100nm以下的碳原纖維，例如可以使用在特表平8-508534號公報中記載的碳纖維。
也就是說，當一種碳原纖維在其外表面上沉積有一層實質(zhì)上與該碳原纖維的圓柱形軸同心的石墨外層，并且該纖維的中心軸不是直線狀而是呈現(xiàn)彎彎曲曲的管形時，該碳原纖維就很少會從聚碳酸酯的托盤上脫落。
另外，碳原纖維的直徑與制造方法有關(guān)，其數(shù)值有一定的分布范圍，此處所說的纖維直徑是指在用顯微鏡觀察時對其5點位置測定的平均值。碳原纖維的直徑如果大于100nm，則樹脂中的纖維相互間的接觸不充分，難以獲得穩(wěn)定的電阻值。因此，碳原纖維的直徑優(yōu)選在100nm以下。
特別優(yōu)選是碳原纖維的直徑在20nm以下，這樣，即使碳原纖維萬一從托盤的表面上脫落并粘附到磁頭等的表面上，磁盤被壓碎的危險性也很小，這是因為在操作時，磁頭和磁盤之間的間隙要比纖維的直徑大得多(約50μm)。
另一方面，碳原纖維的直徑優(yōu)選在0.1nm以上，特別優(yōu)選在0.5nm以上。如果纖維的直徑小于上述數(shù)值，則纖維的制造就要難得多。
另外，碳原纖維的長度與直徑之比(長/徑比，即縱橫比)優(yōu)選在5以上，更優(yōu)選在100以上，特別優(yōu)選在1000以上。但是，如果縱橫比過大，則成型有困難，而且不適合于托盤的成型，因此長度與直徑之比優(yōu)選在1,000,000以下，更優(yōu)選在100,000以下。應予說明，該碳原纖維的長/徑比是指在用透射式電子顯微鏡觀察時，根據(jù)其5點的實測值求出的平均值。
另外，具有細微管狀形態(tài)的碳原纖維的壁厚(管狀體的壁厚)通常為3.5～75nm左右。這一數(shù)值通常相當于碳原纖維外徑的約0.1～0.4倍。
當碳原纖維中至少有一部分呈聚集體的形態(tài)時，希望在作為原料的樹脂組合物中不合有以面積為基礎(chǔ)測得的直徑大于約50μm的纖維聚集體，優(yōu)選不合有直徑大于10μm的纖維聚集體。
作為這樣的碳原纖維，可以使用市售品。例如可以使用HYPERIONCATALYSIS INTERNATIONAL公司生產(chǎn)的“BN”。
碳原纖維的添加量，相對于熱塑性樹脂成分100重量份，優(yōu)選為0.25～9重量份，特別優(yōu)選0.5～6重量份。如果添加量少于該數(shù)值，則難以使其具有導電性，另一方面，如果添加量大于該數(shù)值，不但看不到與該增量相應效果的提高，反而發(fā)現(xiàn)從托盤上產(chǎn)生微粒，并且托盤的成型性能也低下。
上述的各種導電性填料，可以單獨地使用其中的一種，也可以將其兩種以上組合使用。
在上述的高分子型抗靜電劑、導電性填料和碳纖維中，希望碳纖維盡可能少地產(chǎn)生微粒并盡可能少地被離子污染。
作為熱塑性樹脂，可以舉出聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等的脂族聚烯烴或脂環(huán)族聚烯烴；以及聚碳酸酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、各種聚酰胺(如尼龍6、66、尼龍610、尼龍MXD6等)、聚醚酰亞胺、聚砜、聚醚砜、聚醚醚酮、丙烯酸類樹脂、苯乙烯類樹脂、改性聚苯醚、液晶型聚酯等的非烯烴類樹脂。
在上述的熱塑性樹脂中，從干燥工序中的耐熱性方面考慮，優(yōu)選是其熱變形溫度(ASTM D684 4.6kg荷重)在110℃以上的樹脂，特別是從耐熱性和價格兩方面考慮，優(yōu)選是聚丙烯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、改性聚苯醚。另外，從是否翹曲等尺寸精度方面考慮，優(yōu)選是聚碳酸酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯，特別優(yōu)選是聚碳酸酯。
作為這樣的聚碳酸酯樹脂，可以使用市售品，例如可以使用三菱工程塑料社制的“NOVAREX”和“Iupulon”、帝人化成社制的“Toughlon”、GE塑料社制的“Lexan”等。在這些聚碳酸酯樹脂中，從容易控制磁頭用托盤的表面粗糙度的觀點考慮，優(yōu)選是那些在280℃和2.16kg的條件下測定時其熔體流動速率(MFR)在3g/10分以上，特別優(yōu)選在6g/10分以上的樹脂。
這些樹脂可以單獨地使用其中的1種，或者將其兩種或兩種以上組合使用。
在該熱塑性樹脂組合物中，根據(jù)需要，可以在不損害本發(fā)明目的的范圍內(nèi)配合各種添加成分。例如，可以配合玻璃纖維、二氧化硅纖維、二氧化硅-氧化鋁纖維、鈦酸鉀纖維、硼酸鋁纖維等無機纖維狀強化材料；聚芳酰胺纖維、聚酰亞胺纖維、氟樹脂纖維等的有機纖維狀強化材料；滑石粉、碳酸鈣、云母、玻璃珠、玻璃粉、玻璃氣球等無機填料；氟樹脂粉、二硫化鉬等的固體潤滑劑；石蠟油等的增塑劑；抗氧化劑；熱穩(wěn)定劑；光穩(wěn)定劑；紫外線吸收劑；中和劑；潤滑劑；增容劑；防霧劑；抗結(jié)塊劑；增滑劑；分散劑；著色劑；滅菌劑；熒光增白劑等的各種添加劑。
本發(fā)明的托盤對制造方法沒有特別限制，只要是適用于選定的基體樹脂的方法即可，可以用通常的熱塑性樹脂的加工方法來制造。例如，可以預先將導電性填料混合到熱塑性樹脂中，然后用密煉機、輥式研磨機、布拉本德裝置(Brabender)、單螺桿混煉擠出機、雙螺桿混煉擠出機、捏合機等進行熔融混煉，以制成熱塑性樹脂組合物，然后將該樹脂組合物用各種熔融成型法制成預定形狀，從而獲得所需的托盤。作為所說的成型法，具體地可以舉出壓機成型、擠出成型、真空成型、吹塑成型、注射成型等。在這些成型法中，特別優(yōu)選注射成型和真空成型。
作為注射成型法，除了一般的注射成型法之外，還可以舉出按照嵌入式注射成型法使樹脂與金屬零件或其他零件一體化的成型法、雙色注射成型法、型芯反向式(core-back)注射成型法、夾層式注射成型法、注射加壓式成型法等各種成型方法。在注射成型時，樹脂溫度、模具溫度、成型壓力都會導致托盤的表面電阻值發(fā)生變化，因此，必須根據(jù)目的設(shè)定適宜的條件。
當將本發(fā)明的托盤浸漬于500ml純水中并用40kHz的超聲波振動60秒時，從該托盤表面脫落的粒徑在1μm以上的微粒數(shù)優(yōu)選在5000pcs/cm2以下。如果該微粒的產(chǎn)生量超過5000pcs/cm2，則該托盤容易發(fā)生刮傷或摩擦，另外，當清洗該托盤時，脫落的微粒還會引起托盤的污染或損傷的問題。在本發(fā)明中，該微粒的產(chǎn)生量優(yōu)選在3500pcs/cm2以下，特別優(yōu)選在1000pcs/cm2以下。
當將本發(fā)明的托盤浸漬于50ml純水中并在60℃下攪拌60分鐘時，從該托盤的單位表面積(cm2)上溶解出來的氯離子量優(yōu)選在0.01μg/cm2以下。如果氯離子的溶出量超過0.01μg/cm2，則清洗托盤溶解出來的氯離子會引起腐蝕的問題，或者在使用托盤時有異物產(chǎn)生。按本發(fā)明中，氯離子的溶出量特別優(yōu)選在0.005μg/cm2以下。
應予說明，在使用碳纖維作為導電性填料的托盤中，作為碳纖維表面處理劑的有機性成分可能粘附在磁頭上，從而會污染或損傷磁頭，或者成為磁頭與磁盤之間的異物，這是令人擔心的問題。為了防止這一問題的發(fā)生，在本發(fā)明中規(guī)定了不揮發(fā)性有機物的溶出量，即，在按照下述的不揮發(fā)性有機物溶出量的測定方法進行測定時，從托盤的每單位表面積上溶解下來的不揮發(fā)性有機物的溶出量優(yōu)選在0.5μg/cm2以下。
用于制造本發(fā)明托盤的聚碳酸酯在利用頂空氣相色譜儀例如按照下述方法測定時，測得的氯代烴放出量優(yōu)選在0.1μg/g以下。<放出氣體量的測定方法>
把從托盤上切出的分析樣品(長22mm×寬10mm×厚3mm)2片(總表面積12.6cm2)放入一個容量為22ml的小瓶(Vial)中，向其中添加作為內(nèi)標的正辛烷10μl，在加熱溫度85℃和平衡時間16小時的條件下抽出瓶中的氣體，用氣相色譜法(GC)進行分析，然后通過在離子色譜中該氣體與正辛烷的面積比來算出氣體的放出量。
但是，在被分析樣品的總表面積不同的情況下，可將總表面積換算成12.6cm2。
當該氯代烴的放出量在0.1μg/g以下時，對磁頭的不良影響已很小。希望鹵代烴的放出量在0.02μg/g以下。
另外，考慮到對磁頭的不良影響，應使總氣體放出量在1μg/g以下，優(yōu)選在0.5μg/g以下，二氯甲烷放出量在0.1μg/g以下，烴類放出量優(yōu)選在0.5μg/g以下，更優(yōu)選在0.2μg/g以下。應予說明，所說的烴類是指在下述的聚碳酸酯樹脂的制造中使用的正庚烷、正己烷、環(huán)己烷、苯、甲苯等。
在本發(fā)明中，關(guān)于通過把含有導電性填料的聚碳酸酯樹脂組合物成型來制造具有上述氣體放出量的托盤的方法將在下文說明。
作為所說的聚碳酸酯樹脂，可以按照一般方法，通過界面聚合法、吡啶法、氯甲酸酯法等的溶液法，使二價的苯酚類化合物與光氣反應來制得。在此情況下，作為可使那些能夠成為從托盤中放出的揮發(fā)成分，例如作為聚合溶劑使用的二氯甲烷等氯代烴，不殘留在所獲的托盤中的方法，可以舉出例如下面的(A)、(C)、(D)的方法。另外，如下面(B)所述，使用以無溶劑的方法制得的聚碳酸酯樹脂也是有效的方法。
(A)在對以氯代烴作為溶劑制得的聚碳酸酯樹脂進行精制時，獲得聚碳酸酯樹脂的水懸浮液，將該水懸浮液過濾或離心分離等，獲得濕潤的粉末。例如，向聚碳酸酯的二氯甲烷溶液中，按照不會產(chǎn)生沉淀的程度加入正庚烷等對聚碳酸酯樹脂的不良溶劑(聚碳酸酯在其中不溶或者只有微量溶解的溶劑)而形成樹脂溶液，然后將所獲的樹脂溶液滴落到溫水中，一邊進行適宜的濕法粉碎，一邊蒸餾除去不良溶劑(下面將該方法稱為“滴入溫水中精制”)。在此情況下，一邊在80～100℃的溫度下加熱，一邊蒸餾除去不良溶劑，這時，成為腐蝕性揮發(fā)性氣體原因的二氯甲烷等的氯代烴就被有效地除去。
(B)使用那些通過無聚合溶劑的聚合方法制得的聚碳酸酯樹脂(例如在特開平4-103626號公報等中公開的聚碳酸酯樹脂)。
(C)在進行熔融混煉或熔融成型時進行真空脫氣。例如，把按照通常的精制方法或上述的(A)法或(B)法獲得的聚碳酸酯樹脂供入排氣式擠出機中，利用排氣進行真空脫氣，從而除去溶劑。這時，從除去殘存溶劑的觀點考慮，優(yōu)選是象特開平9-29738號公報中記載的那樣，向原料粉末或熔融狀態(tài)的樹脂中添加水。
(D)使用按照通常的精制方法或上述(A)～(C)的方法獲得的聚碳酸酯樹脂制得樹脂組合物，將該樹脂組合物成型為托盤，然后通過對此托盤進行退火以除去其中的揮發(fā)性成分。在此情況下，退火處理優(yōu)選是在80℃以上的溫度下進行30分鐘以上。如果該退火處理溫度超過140℃，則有可能引起托盤的尺寸變化或者變形。另外，即使退火處理時間超過20小時，也不能期望揮發(fā)成分的除去效果有進一步提高，因此，退火處理優(yōu)選在80～140℃的溫度下進行30分鐘～20小時。
在上述(A)～(D)的方法中，按照(A)法雖然可以降低氯代烴的含量，但是正庚烷等不良溶劑成分殘留的可能性增高。正庚烷雖然不會腐蝕磁頭，但是對位于最近的較高密度化的MR元件來說，存在微量正庚烷沉積到磁頭表面上的危險性，因此，如上所述，即使對于正庚烷等的烴類的發(fā)生量，也希望極力予以抑制。
為了有效地除去這些正庚烷、低聚物或其他低分子量揮發(fā)成分，特別希望按照(C)的真空脫氣法來除去溶劑。在該(C)法的擠出機處理時的真空脫氣，可以在通過熔融混煉導電性填料來形成復合物而進行，也可以在該混煉工序之前或之后進行。
另外，本發(fā)明的磁盤用磁頭的搬送用托盤，其表面粗糙度在按2.5mm的截止波長進行測定時，其結(jié)果優(yōu)選滿足下述的①或②①十點平均粗糙度(Rz)在5μm以下；②切斷水平10％負荷長度比率(tp)在1％以上；在每1cm測定長度內(nèi)距中心線±0.1μm以上的峰數(shù)(Pc)在(0以上至)100以下。
這里，十點平均粗糙度(Rz)的定義是，從粗糙度曲線的平均線沿縱向放大率的方向測定，根據(jù)最高的5個峰頂標高的絕對值的平均值與最低的5個谷底標高的絕對值的平均值之和來求出平均粗糙度。因此，Rz的數(shù)值越小，表示其表面越平滑。
另外，在表面十分平滑的情況下，在測定范圍內(nèi)不存在5個以上的峰頂或谷底，因此不可能按上法求出平均粗糙度。在此情況下，本發(fā)明是以最高峰頂與最低谷底之和，也就是Rmax來代替上述平均值之和。
另一方面，切斷水平10％的負荷長度比率(tp)的定義是，從粗糙度曲線截取基準長度的一段，在比最高峰頂?shù)?0％的水平處按照與平均線平行地切斷，這時獲得的切斷長度之和(負荷長度)對基準長度之比，以百分率表示(JIS B0601)。
另外，±0.1μm以上的峰數(shù)(Pc)的定義是，在距粗糙度曲線的平均線±0.1μm的高度和深度處各引一條與平均線平行的線，計算在基準長度內(nèi)沿縱向橫切這些線的凹凸個數(shù)，以此作為±0.1μm以上的峰數(shù)(Pc)。
只要是十點平均粗糙度(Rz)在5μm以下的表面平滑度高的托盤，就很少會對被聚酰亞胺包覆的磁頭造成損傷。但是，Rz在0.1μm以下的托盤難以制造，制造托盤的成本較高，因此，Rz值優(yōu)選在0.1μm～5μm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.1μm～4μm的范圍內(nèi)，特別優(yōu)選在0.1μm～3μm的范圍內(nèi)。
另外，即使十點平均粗糙度(Rz)超過5μm，只要其切斷水平10％的負荷長度比率(tp)在1％以上，而且上述在每1cm內(nèi)的峰數(shù)(Pc)在100以下，優(yōu)選在80以下，對磁頭造成損傷的可能性也很小。
相反，如果十點平均粗糙度(Rz)超過5μm，并且切斷水平10％的負荷長度比率(tp)小于1％，則突起的尖端就變得銳利，從而使磁頭受損傷的可能性增大。另外，如果表面粗糙度的十點平均粗糙度(Rz)超過5μm，其切斷水平10％的負荷長度比率(tp)在1％以上，其峰數(shù)(Pc)值超過100，則對磁頭造成損傷的可能性增大。
可是，使用通過向熔融粘度較高的非結(jié)晶性聚碳酸酯樹脂中配合進導電性填料而形成的樹脂組合物進行注射成型而獲得的托盤，其表面難以將模具的表面復制下來，并且由于流動性、填料的形狀、收縮和成型條件等引起在表面附近的流動混亂或?qū)е绿盍下冻?，從而形成粗糙的表面?br> 如果以Pc值表示的凹凸數(shù)低于上述的范圍，則在此狀態(tài)下的表面粗糙度使得峰和谷的傾斜變得平緩，并且峰的頂點變得緩和。因此使得在托盤與磁頭摩擦時，獲得減輕“擦傷”的效果。相反，在Pc值超過100時，各個山峰成為銳利的突起物，因此引起磁頭的損傷。當峰數(shù)(Pc)在0～80的范圍內(nèi)時，對磁頭的損傷明顯減小。
可以通過對模具表面進行放電加工、蝕刻、噴砂等處理來改變模具表面的狀態(tài)。
上述的表面粗糙度可以通過使用聚碳酸酯樹脂組合物的方法或采用改變模具表面的方法來控制，以提高模具表面的復制效果。
在磁頭裝載于托盤中的狀態(tài)下進行水中清洗及后續(xù)的干燥工序時，如果在托盤表面與磁頭接觸的部位的十點平均粗糙度(Rz)較小，則會使?jié)B透到該接觸部位之間的清洗水的干燥性變差，從而引起干燥效率低下的問題。另外，對于磁頭用的托盤，在對磁頭進行目視檢查時，如果托盤的表面過于平滑，則會導致光的反射率增大，從而對檢查磁頭產(chǎn)生不良影響。
從上述觀點考慮，在磁頭用托盤上用于裝載磁頭的部位的表面粗糙度，相當于十點平均粗糙度(Rz)為5～50μm，其切斷水平10％的負荷長度比率(tp)在1％以上，而且其峰數(shù)(Pc)在(0以上至)100以下，優(yōu)選在(0以上至)80以下的范圍內(nèi)。
實施例下面舉出實施例和比較例來更具體地說明本發(fā)明。
應予說明，在以下的實施例和比較例的成型工序中，使用75噸的注射成型機來制造具有圖1(立體圖)和圖2(a)(平面圖)、圖2(b)(沿圖2(a)的B-B線的截面圖)所示形狀和尺寸的托盤。圖中，1表示托盤本體、2表示定位肋、3表示定位凸臺、4表示磁頭。
對實施例和比較例中的各種物性按下述方法進行評價。<表面電阻值>
在圖2(a)中帶有斜線的范圍內(nèi)任意選取5個點，用兩個探針對表面電阻進行測定，探針的尖端直徑2mm，兩個探針中心之間的距離20mm，按照下述規(guī)定在兩個探針之間施加電壓，在此條件下進行測定，據(jù)此算出平均值。
表面電阻值在103～109Ω時10V表面電阻值在109以上時100V但是，在進行表面電阻值108Ω以上的測定時，使用尖端直徑為5mm的探針，將一片厚度2mm，直徑5mm，電阻率在10Ωcm以下的導電性硅橡膠安裝到探針上以便使探針與樣品表面的接觸變得穩(wěn)定。
還使用下面測量儀器當表面電阻值為102Ω以上且小于104Ω時使用Advantest公司生產(chǎn)的“高電阻計R8340”。
當表面電阻值在104Ω以上時使用Dia儀器公司生產(chǎn)的“HirestaAP”。<微粒產(chǎn)生量>
將一片總面積為100～1000cm2的托盤(在本發(fā)明的實施例和比較例中，總表面積為420.8cm2)浸漬于500ml純水中，用超聲波(4kHz，0.5W/cm2)振動60秒。然后將純水抽吸到微粒計數(shù)器中，測定其中粒徑在1μm以上的粉塵顆粒的數(shù)量。應予說明，在測定時，作為前處理，將托盤置于純水中用超聲波清洗8分鐘，然后將其置于100℃的烘箱中干燥30分鐘。作業(yè)全部在清潔室內(nèi)進行。另外，在浸漬樣品時，全部使用玻璃容器。<氯離子溶出量>
將兩片總面積為100～1000cm2的托盤浸漬于聚丙烯容器內(nèi)的480ml純水中，將其置于60℃的水浴中攪拌60分鐘。然后用離子色譜分析法測定在抽出的純水中的氯離子。<不揮發(fā)性有機物溶出量>
將托盤浸漬于旭玻璃社制的500ml碳氟化合物類洗滌劑“AsahiKrin AK-225”中，用超聲波(40kHz，0.5W/cm2)振動60秒。將抽出液置于鋁鍋中在100℃下使液體揮發(fā)，測定殘留成分的重量。<磁頭的腐蝕試驗>
將一個裝有12個MR磁頭的托盤放入玻璃制的容器(容量201.5ml)中，在80℃和90％的條件下放置95小時。然后將MR磁頭從托盤中取出，用100倍的顯微鏡觀察MR元件是否被腐蝕，按下述基準進行評價。
○…在磁頭(元件)上未發(fā)現(xiàn)腐蝕。
×…在磁頭(元件)上由坡莫合金構(gòu)成的部位全部被腐蝕。<氣體產(chǎn)生量的測定>
另外從托盤上切取尺寸為22mm(長)×10mm(寬)×3mm(厚)的樣品2片(總表面積12.6cm2)作為分析樣品，將樣品放入一個添加有10μl正辛烷作為內(nèi)標的容量為22ml的小玻璃瓶(Vial)中，在加熱溫度85℃、平衡時間16小時的條件下將氣體抽出。
用氣體色譜法(GC/MS)測定在小玻璃瓶(Vial)中產(chǎn)生的氣體。這時的測定條件如下裝置島津制作所社制“GC/MS QP5050”柱子CHROMPAK PORAPLOE Q0.32mm×25m柱子溫度35～240℃(10℃/min)注入口溫度320℃界面溫度280℃托盤氣體氦注入口壓力100KPas全流量60ml/min注入量2ml對產(chǎn)生氣體的定性分析結(jié)果，主成分為正庚烷、丙酮、1-丙烯、2-丙醇、以及其他的微量成分。
總氣體放出量、二氯甲烷產(chǎn)生量、正庚烷產(chǎn)生量分別按下面公式算出，結(jié)果示于表1中。
總氣體放出量(μg/g)＝ 二氯甲烷產(chǎn)生量(μg/g)＝ 庚烷產(chǎn)生量(μg/g)＝ <表面粗糙度>
使用東京精密社制的表面粗糙度計“Surfcom”，按照測定條件截止波長2.5mm、測定長度5mm、測定速度0.3mm/S，測定表面粗糙度。
在測定時，從磁盤上與磁頭接觸的如圖2(a)中帶有斜線的范圍內(nèi)任意選取5點進行測定，算出各參數(shù)的平均值。另外，將Pc值乘2以換算成每1cm的數(shù)值。<損傷性試驗>
作為磁頭的損傷性評價，按照圖3所示的方法，對著從托盤上與磁頭接觸的如圖2(a)中帶有斜線的范圍內(nèi)切取的托盤材料(樣品)11，作為磁頭的引線使用。將一個帶有橡膠片13的荷重(100g，直徑40mm)14壓放于一塊用聚酰亞胺作為基料制成的撓性印刷線路板(FPC)(寬10mm)12上，在幅度(span)80mm內(nèi)往返滑動10次，在試驗后用50～100倍的光學顯微鏡觀察線路板12的表面，按以下基準判定損傷性。
應予說明，損傷試驗用樣品11事先全部用純水清洗，以除去附著在表面上的灰塵。另外，事前的清洗操作和損傷性試驗全部在清潔室內(nèi)進行。
◎完全未觀察到傷痕。
○傷痕不到6條，傷痕深度未達到銅配線處。
×傷痕在6條以上，傷痕深度已達到銅配線處。實施例1～7，比較例1、2使用雙螺桿混煉擠出機(池貝鐵鋼社制的PCM45，螺桿長度L/螺桿直徑D＝32)按照表1所示的配合和混煉條件進行熔融混煉，獲得了聚碳酸酯樹脂組合物的顆粒。關(guān)于所用材料的詳細情況如下所述。在下述的材料中，碳原纖維的配合混煉操作是預先按15重量％的添加量分散而成碳原纖維母料，然后用此母料添加而進行的，以達到預定含量。
聚碳酸酯1三菱工程塑料(株)“NOVAREX 7022A”聚碳酸酯2三菱工程塑料(株)“Iupulon S2000”聚醚酯酰胺東レ社制“PAS-40T”導電性晶須三菱金屬(株)制氧化錫包覆的硼酸鋁晶須“Pastoran5110”(纖維直徑0.8μm，縱橫比35)乙炔黑電氣化學(株)制“Denka Black”(DBP吸油量190cc/g)碳原纖維HYPERION CATALYSIS INTERNATIONAL公司制“BN型”(纖維直徑10nm，縱橫比100以上)碳纖維東邦レ-ヨン社制PAN類碳纖維“BESFIGHT C6-SRS”(纖維直徑7μm，環(huán)氧樹脂表面處理品)使用獲得的顆粒成型為具有圖1、2所示形狀和尺寸的托盤，對其進行物性和特性的評價，結(jié)果示于表2中。
另外，料筒溫度為300℃，模具溫度為90℃，與圖2(a)的斜線部分對應的模具表面上的表面粗糙度為Rmax 15μm。
表1

表2

※Rz 十點平均粗糙度(μm)tp10 切斷水平10％負荷長度比率Pc(/cm)距中心線±0.1μm以上的峰數(shù)(測得長度/每1cm)ND 檢不出從表2可以看出，如果微粒產(chǎn)生量在5000pcs/cm2以下，則磁頭不易發(fā)生損傷，如果微粒產(chǎn)生量為3500pcs/cm2以下，則能有效地防止損傷的發(fā)生。另外還可以看出，本發(fā)明的托盤，其二氯甲烷等的放出量極少，因此引起磁頭工作間隙被腐蝕的危險性很小，而且?guī)缀醪豢赡苡捎谀Σ烈鸫蓬^的損傷。另外還可看出，如果十點平均粗糙度(Rz)在5μm以下，或者切斷水平10％負荷長度比率(tp)在1％以上，在每1cm測定長度內(nèi)距中心線±0.1μm以上的峰數(shù)(Pc)在100以下，就不會發(fā)生托盤損傷。
在實施例5中，磁頭元件被腐蝕。這是因為沒有進行脫氣的緣故。實施例5的托盤，如果進行脫氣(可以抑制氣體的產(chǎn)生，因此)就不會使磁頭元件被腐蝕，可以獲得良好的托盤。
在實施例8～17和比較例3～4中使用的聚碳酸酯樹脂組合物的制備方法如下。<聚碳酸酯樹脂組合物的配制方法>
按照表3所示比例向下述的聚碳酸酯樹脂1A、2A或3A中配合進導電性填料(組合物A～E、G～I)或抗靜電劑(組合物F)，使用池貝鐵鋼社制的雙螺桿混煉擠出機PCM45(螺桿長度L/螺桿直徑D＝32)，按照表3的條件進行熔融混煉，獲得了組合物A～I的顆粒。但是，碳原纖維的配合混煉是預先按15重量％的添加量分散于母料中，然后使用該母料按規(guī)定的碳原纖維含量添加而進行的。
所用材料的詳細情況如下聚碳酸酯樹脂1三菱工程塑料社制“NOVAREX 7022”(MFR＝13g/10分，280℃，2.16kg)聚碳酸酯樹脂2三菱工程塑料社制“NOVAREX 7025”(MFR＝8g/10分，280℃，2.16kg)聚碳酸酯樹脂3三菱工程塑料社制“Iupulon S2000”(MFR＝12g/10分，280℃，2.16kg)碳纖維PAN類碳纖維(纖維直徑7μm，纖維長度6mm(環(huán)氧化合物上漿))導電性晶須三菱金屬社制，氧化錫包覆硼酸鋁晶須“Pastoran5110”(平均纖維直徑0.8μm，平均纖維長度24μm)炭黑電氣化學社制“Denka Black”(DBP吸油量190cc/100g)
碳原纖維HYPERION CATALYSIS INTERNATIONAL公司制“BN型”(DBP吸油量700cc/100g，平均纖維直徑10nm，平均纖維長度1μm以上)高分子型抗靜電劑東レ社制的聚醚酯酰胺“PAS-40T”另外，對各種碳酸酯樹脂組合物皆根據(jù)JIS K7203測定了彎曲模量，所獲結(jié)果示于表3中。
表3

實施例8使用聚碳酸酯組合物A(參照表3)，用一臺75噸注射成型機在料筒溫度290℃、模具溫度90℃的條件下注射成型，制得如圖1、2所示的托盤。對所獲的托盤進行表面電阻值和表面粗糙度的測定和損傷性試驗，結(jié)果示于表4中。另外，相當于與磁頭接觸的圖2(a)中的斜線部分的模具的表面粗糙度為Rmax1.5μm。
表4

※Rz 十點平均粗糙度(μm)tp10 切斷水平10％負荷長度比率Pc(/cm)距中心線±0.1μm以上的峰數(shù)(測得長度/每1cm)ND 檢不出從表4可以看出，本發(fā)明的托盤幾乎不可能發(fā)生損傷磁頭的問題，另外還可看出，由于表面電阻值穩(wěn)定于適中的數(shù)值，因此也很少會引起磁頭的電損傷。也就是說，如果十點平均粗糙度(Rz)在5μm以下，或者切斷水平10％的負荷長度比率(tp)在1％以上，而且在每1cm測定長度內(nèi)距中心線±0.1μm以上的峰數(shù)(Pc)在100以下，就不會發(fā)生損傷。另外還可看出，如果微粒的產(chǎn)生量在5000pcs/cm2以下，則不易發(fā)生磁頭的損傷，如果微粒產(chǎn)生量在3500pcs/cm2以下，則能較有效地防止磁頭發(fā)生損傷，而如果微粒產(chǎn)生量在1000pcs/cm2以下，則能特別有效地防止磁頭發(fā)生損傷。
另外，從表4中還可看出，本發(fā)明的托盤二氯甲烷等的放出量極少，因而對磁頭工作間隙引起腐蝕的危險性很小之外，而且還幾乎不會由于磁頭的污染而引起損傷的問題。另外，在實施例15中，由于有氣體放出，所以引起了磁頭的腐蝕。這是因為沒有實施脫氣操作的緣故。可以認為，在實施例15中如果實施了脫氣，則可以抑制氣體的放出，因此就不會引起磁頭的腐蝕。
下面舉出實施例18～22和比較例5～6來具體地說明本發(fā)明。
應予說明，在以下的實施例18～22和比較例5～6中，作為雙螺桿混煉擠出機，使用池貝鐵鋼社制的“PCM 45”L/D＝32(L螺桿長度，D螺桿直徑)，其料筒的形狀是距離前端4.4D至5.8D的部分具有一個用于排氣的開口部。
滴加結(jié)束后，將容器內(nèi)的溫度升至100℃，在約15分鐘內(nèi)蒸發(fā)除去溶劑，將所獲的聚碳酸酯樹脂的含水漿液取出，過濾，除去水分后在140℃下干燥，獲得了聚碳酸酯樹脂的粉末。
向所獲的聚碳酸酯樹脂中配入相當于組合物10重量％的平均纖維直徑7μm，平均纖維直徑6mm經(jīng)過環(huán)氧表面處理的PAN類碳纖維，將所獲樹脂組合物用雙螺桿混煉擠出機在排氣開放狀態(tài)和300℃的溫度下，按照螺桿旋轉(zhuǎn)速度100RPM和擠出量30kg/h的條件進行混煉，獲得了樹脂組合物的顆粒。
將所獲的顆粒用注射成型機在300℃的成型溫度下成型，獲得了如附圖所示的磁頭搬送用托盤(總表面積420.8cm2)(模具溫度90℃)。
所獲托盤的表面電阻值按下述方法測定，結(jié)果示于表5中。應予說明，該表面電阻值是從圖2(a)中帶有斜線的范圍內(nèi)任意選取5個點進行測定，然后算出其平均值。
使用所獲的顆粒與實施例18同樣地成型為托盤，對其進行評價，該托盤的表面電阻值、腐蝕試驗和產(chǎn)生氣體的分析結(jié)果示于表5中。
使用該顆粒與實施例18同樣地成型為托盤，對其進行評價，該托盤的表面電阻值、腐蝕試驗和產(chǎn)生氣體的分析結(jié)果示于表5中。實施例21除了將實施例20中使用的聚碳酸酯樹脂顆粒改變?yōu)镚E塑料公司制的“MHL-1110-111”作為按無溶劑法制造的聚碳酸酯之外，其余與實施例3同樣地制造聚碳酸酯樹脂組合物的顆粒，并同樣地成型為托盤，對其進行評價，該托盤的表面電阻值、腐蝕試驗和產(chǎn)生氣體的分析結(jié)果示于表5中。
向所獲的聚碳酸酯樹脂粉末中配入4.3重量％與實施例20中所用同樣的碳原纖維，用雙螺桿混煉擠出機在排氣減壓至20Torr的狀態(tài)和在280℃的溫度下按照螺桿旋轉(zhuǎn)速度200RPM、擠出量20kg/h的條件下進行混煉，獲得了聚碳酸酯樹脂組合物的顆粒。
將所獲的顆粒用注射成型機在300℃的成型溫度下成型為托盤，然后將其置于烘箱中在130℃下退火10小時。
對所獲的托盤與實施例18同樣地進行評價，該托盤的表面電阻值、腐蝕試驗和產(chǎn)生氣體的分析結(jié)果示于表5中。比較例5向?qū)嵤├?2獲得的聚碳酸酯樹脂粉末中配入相當于組合物20重量％在實施例18中使用的碳纖維，在排氣開放狀態(tài)和在300℃的溫度下，按照螺桿旋轉(zhuǎn)速度100RPM和擠出量30kg/h的條件進行混煉，獲得了樹脂組合物的顆粒。
使用該顆粒，與實施例18同樣地成型為托盤并對其進行評價，該托盤的表面電阻值、腐蝕試驗和產(chǎn)生氣體的分析結(jié)果示于表5中。比較例6除了把在比較例5中使用的碳纖維改變?yōu)榕c實施例3中所用同樣的碳原纖維，添加這種碳原纖維4.3重量％之外，其余與比較例5同樣地制造顆粒，將其成型為托盤并對其進行評價，該托盤的表面電阻值、腐蝕試驗和產(chǎn)生氣體的分析結(jié)果示于表5中。
表5

※Rz 十點平均粗糙度(μm)tp10 切斷水平10％負荷長度比率Pc(/cm)距中心線±0.1μm以上的峰數(shù)(測得長度/每1cm)ND 檢不出從表5可以看出，本發(fā)明的托盤，其二氯甲烷等氣體的放出量極少，因此引起磁頭腐蝕的危險性很小，除此之外，其表面電阻值穩(wěn)定于適中范圍，因此也很少會引起磁頭的電損傷。另外還可看出，如果微粒的產(chǎn)生量在5000pcs/cm2以下，則磁頭不易發(fā)生損傷，而當微粒產(chǎn)生量在1000pcs/cm2以下時，就能特別有效地防止損傷的發(fā)生。
另外，如果十點平均粗糙度(Rz)在5μm以下，或者切斷水平10％的負荷長度比率(tp)在1％以上，在每1cm測定長度內(nèi)距中心線±0.1μm以上的峰數(shù)(Pc)在100以下，就不會發(fā)生損傷。
另外，從表5中可以看出，本發(fā)明的托盤幾乎不會發(fā)生磁頭污染及由此導致的損傷問題，而且也幾乎不會發(fā)生由于摩擦導致的磁頭損傷的問題。
應予說明，在實施例19中產(chǎn)生了較多微粒。這是由于使用炭黑作為導電性填料的緣故。但實施例19很少氣體放出，因此不會引起磁頭腐蝕，而且也幾乎不會引起損傷。
工業(yè)實用性如上所述，本發(fā)明提供了一種用于例如搬送磁盤驅(qū)動用的MR磁頭等的磁盤用磁頭的搬送用托盤，該托盤不會由于靜電放電或過度觸點電流的導通等所引起的電損傷或微粒的脫落，也不會由于微粒脫落或離子污染而導致物理或化學的污染或損傷。
權(quán)利要求
1.一種磁盤用磁頭的搬送用托盤，它是用于搬送磁盤用磁頭的托盤，所說磁盤用磁頭具有臂形零件、安裝于該臂形零件前端的磁頭工作間隙、與該磁頭工作間隙相連接的引線，其特征在于，該托盤由導電性的熱塑性樹脂組合物成型而制得，當將該托盤浸漬于500ml純水中并用40kHz的超聲波振動60秒時，從該托盤表面上脫落的粒徑在1μm以上的微粒數(shù)在5000pcs/cm2以下。
2.如權(quán)利要求1所述的磁盤用磁頭的搬送用托盤，其中，該導電性的熱塑性樹脂組合物含有熱塑性樹脂和導電性填料，該導電性填料是選自聚醚類高分子型抗靜電劑、導電性填料和碳原纖維中的一種或兩種以上的物質(zhì)。
3.如權(quán)利要求2所述的磁盤用磁頭的搬送用托盤，其中，該熱塑性樹脂是選自聚碳酸酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚丙烯中的一種或兩種以上的物質(zhì)。
4.如權(quán)利要求2所述的磁盤用磁頭的搬送用托盤，其中，該導電性填料是直徑在100nm以下，長/徑比在5以上的碳原纖維。
5.如權(quán)利要求1所述的磁盤用磁頭的搬送用托盤，其中，當將該托盤浸漬于50ml純水中并在60℃下攪拌60分鐘時，從該托盤的單位表面積(cm2)上溶解出來的氯離子量在0.01μg/cm2以下。
6.如權(quán)利要求1所述的磁盤用磁頭的搬送用托盤，其中，該托盤的表面電阻值為103～1012Ω。
7.一種磁盤用磁頭的搬送用托盤，該磁頭具有臂形零件、安裝于該臂形零件前端的磁頭工作間隙和與該磁頭工作間隙相連接的引線，其特征在于，該托盤由導電性聚碳酸酯樹脂組合物注射成型而制得，該托盤的表面粗糙度在用2.5mm的截止波長測定時，其十點平均粗糙度(Rz)在5μm以下。
8.一種磁盤用磁頭的搬送用托盤，該磁頭具有臂形零件、安裝于該臂形零件前端的磁頭工作間隙和與該磁頭工作間隙相連接的引線，其特征在于，該托盤由導電性聚碳酸酯樹脂組合物注射成型而制得，該托盤的表面電阻值為1×103～1×1012Ω，并且該托盤的表面粗糙度在以2.5mm的截止波長測定時，其切斷水平10％負荷長度比率(tp)在1％以上，在每1cm測定長度內(nèi)距中心線±0.1μm以上的峰數(shù)(Pc)在100以下。
9.如權(quán)利要求8所述的磁盤用磁頭的搬送用托盤，其中，在以2.5mm的截止波長測定時，其十點平均粗糙度(Rz)為5～50μm。
10.如權(quán)利要求7或8所述的磁盤用磁頭的搬送用托盤，其中，該導電性聚碳酸酯樹脂組合物含有纖維直徑在5μm以下的導電性纖維和/或DBP吸油量在100cc/100g以上的含碳類導電性填料。
11.如權(quán)利要求7所述的磁盤用磁頭的搬送用托盤，其中，該導電性聚碳酸酯樹脂組合物含有纖維直徑在100nm以下并且長/徑比在5以上的碳原纖維。
12.如權(quán)利要求7所述的磁盤用磁頭的搬送用托盤，其中，該托盤的表面電阻值為103～1012Ω。
13.一種磁盤用磁頭的搬送用托盤，該磁頭具有臂形零件、安裝于該臂形零件前端的磁頭工作間隙和與該磁頭工作間隙相連接的引線，其特征在于，該托盤由含有0.25～50重量％導電性填料的聚碳酸酯組合物成型而制得，通過在加熱溫度85℃和平衡時間16小時的條件下用頂空氣相色譜法測定，從該托盤的12.6cm2表面積上放出的氯代烴量在0.1μg/g以下。
14.如權(quán)利要求13所述的磁盤用磁頭的搬送用托盤，其中，在對該托盤進行頂空氣相色譜法測定時，在加熱溫度85℃和平衡時間16小時的條件下測得的從12.6cm2表面積上放出的總氣體量在1μg/g以下，二氯甲烷的放出量在0.1μg/g以下而且烴類的放出量在0.5μg/g以下。
15.如權(quán)利要求13所述的磁盤用磁頭的搬送用托盤，其中所說的導電性填料是DBP吸油量在100cc/100g以上的含碳類導電性物質(zhì)。
16.如權(quán)利要求13所述的磁盤用磁頭的搬送用托盤，其中所說的導電性填料是直徑在100nm以下，長/徑比在5以上的碳原纖維。
17.如權(quán)利要求13所述的磁盤用磁頭的搬送用托盤，其中，該托盤的表面電阻值為103～1012Ω。
18.如權(quán)利要求13所述的磁盤用磁頭的搬送用托盤，其中，作為聚碳酸酯樹脂，使用通過滴入溫水中精制過的聚碳酸酯樹脂。
19.如權(quán)利要求13所述的磁盤用磁頭的搬送用托盤，其中，作為聚碳酸酯樹脂，使用通過無溶劑聚合法制得的聚碳酸酯樹脂。
20.如權(quán)利要求13所述的磁盤用磁頭的搬送用托盤，其中所說的聚碳酸酯樹脂組合物在熔融混煉時或熔融成型時進行真空脫氣。
21.如權(quán)利要求13所述的磁盤用磁頭的搬送用托盤，其中，在成型后將托盤在80～140℃的溫度下退火30分鐘～20小時。
22.一種磁盤用磁頭的搬送用托盤，該磁頭具有臂形零件、安裝于該臂形零件前端的磁頭工作間隙和與該磁頭工作間隙相連接的引線，該磁盤用磁頭的搬送用托盤滿足以下(1)～(3)中至少一個條件(1)該托盤由導電性的熱塑性樹脂組合物成型而制得，其表面電阻值為1×103～1×1012Ω，當將該托盤浸漬于500ml純水中并用40kHz的超聲波振動60秒時，從該托盤表面上脫落的粒徑在1μm以上的微粒數(shù)在5000pcs/cm2以下；(2)該托盤的表面粗糙度在以2.5mm的截止波長測定時，其切斷水平10％負荷長度比率(tp)在1％以上，在每1cm測定長度內(nèi)距中心線±0.1μm以上的峰數(shù)(Pc)在100以下；(3)在對該托盤進行頂空氣相色譜法測定時，在加熱溫度85℃和平衡時間16小時的條件下測得的從12.6cm2表面積上放出的氯代烴量在0.1μg/g以下。
23.一種磁盤用磁頭的搬送用托盤，該磁頭具有臂形零件、安裝于該臂形零件前端的磁頭工作間隙和與該磁頭工作間隙相連接的引線，其特征在于，該托盤由導電性的熱塑性樹脂組合物成型而制得，該托盤的表面電阻值為1×103～1×1012Ω；當將該托盤浸漬于500ml純水中并用40kHz的超聲波振動60秒時，從該托盤表面上脫落的粒徑在1μm以上的微粒數(shù)在5000pcs/cm2以下，或者，該托盤的表面粗糙度在用2.5mm的截止波長測定時，其十點平均粗糙度(Rz)在5μm以下，或者，在對該托盤進行頂空氣相色譜法測定時，在加熱溫度85℃和平衡時間16小時的條件下測得的從12.6cm2表面積上放出的氯代烴量在0.1μg/g以下。
24.一種磁盤用磁頭的搬送用托盤，該磁頭具有臂形零件、安裝于該臂形零件前端的磁頭工作間隙和與該磁頭工作間隙相連接的引線，其特征在于，該托盤由導電性的熱塑性樹脂組合物成型而制得，其表面電阻值為1×105～1×1012Ω，當將該托盤浸漬于500ml純水中并用40kHz的超聲波振動60秒時，從該托盤表面上脫落的粒徑在1μm以上的微粒數(shù)在3500pcs/cm2以下。
25.一種磁盤用磁頭的搬送用托盤，該磁頭具有臂形零件、安裝于該臂形零件前端的磁頭工作間隙和與該磁頭工作間隙相連接的引線，其特征在于，該托盤由導電性的熱塑性樹脂組合物成型而制得，其表面電阻值為1×103～1×1012Ω，當將該托盤浸漬于500ml純水中并用40kHz的超聲波振動60秒時，從該托盤表面上脫落的粒徑在1μm以上的微粒數(shù)在5000pcs/cm2以下，而且，該托盤的表面粗糙度在用2.5mm的截止波長測定時，其十點平均粗糙度(Rz)在5μm以下，而且，在對該托盤進行頂空氣相色譜法測定時，在加熱溫度85℃和平衡時間16小時的條件下測得的從12.6cm2表面積上放出的氯代烴量在0.1μg/g以下。
26.一種磁盤用磁頭的搬送用托盤，該磁頭具有臂形零件、安裝于該臂形零件前端的磁頭工作間隙和與該磁頭工作間隙相連接的引線，其中，該托盤由導電性的熱塑性樹脂組合物成型而制得，其表面電阻值為1×103～1×1012Ω，而且，該托盤的表面粗糙度在以2.5mm截止波長測定時，其切斷水平10％負荷長度比率(tp)低于4％。
全文摘要
提供一種磁盤用磁頭的搬送用托盤,該托盤不易由于靜電放電或過度的觸點電流的導通等而引起電損傷,也不易由于微粒的脫落或離子污染而引起污染等的物理或化學損傷。該托盤由含有導電性填料的導電性熱塑性樹脂組合物成型而制得,其表面電阻值為1×10
文檔編號H05K9/00GK1327576SQ00802177
公開日2001年12月19日 申請日期2000年8月4日 優(yōu)先權(quán)日1999年8月6日
發(fā)明者田中繁, 淺野悅司, 田中智彥, 鷺板功一 申請人:三菱化學株式會社, 阿爾卑斯電氣株式會社, 油化電子株式會社