專利名稱：多層式高密度基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是一種多層式高密度基板的制造方法，主要是由一聚酰亞胺層或其它高密度的高分子薄膜材料制作第一層板，達到高密度、小尺寸需求，第二層板之后再用適當(dāng)?shù)挠袡C材料作成有機基板，再將各層板熱壓合成為一高密度內(nèi)部連結(jié)的多層基板。
現(xiàn)有技術(shù)中，由于電子產(chǎn)品日新月異，對于電子工業(yè)產(chǎn)品迷你化的要求日益殷切，有朝向高速度、高功能、高頻率、高密度、多數(shù)位、重量輕及環(huán)?；内厔莅l(fā)展，面對多接腳的產(chǎn)品，則會使用基板或多層基板來將接腳11’以電路線12’向外展開，如
圖1所示。因此在基板或電路板上均面臨到細(xì)線化的挑戰(zhàn)。
參閱圖2，常用的高密度多層板是于一核心基板兩側(cè)，含有復(fù)數(shù)層的導(dǎo)體層與絕緣層，以便能將表層的高密度接腳利用各層板的導(dǎo)體層來充分展開，而高密度多層板的制作材料一般以聚酰亞胺層來制作基板、或是以有機材料來制作基板；高密度多層板2’以有機材料制作的有機基板21’是整個板子由核心基板211’以增層法向兩面形成復(fù)數(shù)個導(dǎo)體圖案的導(dǎo)體層212’及環(huán)氧樹脂的絕緣層213’，并依次連續(xù)堆積而成的多層導(dǎo)體電路214’，且在最上層表面及最下層底面設(shè)有焊墊及錫球215’，以便與其它芯片3’或基板(圖中未示)連接；但是有機基板21’的線路密度受限于材料特性，并無法比聚酰亞胺基板更密，而若以聚酰亞胺層來作為各層的基板材料，雖可因該聚酰亞胺層的特性而制作出細(xì)間距、高密度的導(dǎo)線基板，但因為聚酰亞胺原料非常昂貴，若每一層都用聚酰亞胺基板來制做，則整個聚酰亞胺多層板的成本勢必居高不下，不適宜廣泛應(yīng)用。
針對上述缺點，本發(fā)明人經(jīng)過長期地研究和實踐，創(chuàng)造出本發(fā)明的技術(shù)方案，應(yīng)用一新穎材料組合及壓合結(jié)構(gòu)，結(jié)合高密度、細(xì)間距及低成本的優(yōu)點，更簡化其壓合步驟，能有效提升競爭力。
本發(fā)明的主要目的在于提供一種多層式高密度基板的制造方法，通過采用聚酰亞胺基板作為多層板的第一層板，以非高密度有機基板來制作第二層板以后的各基板，克服現(xiàn)有技術(shù)的弊端，達到使多層板高密度、低成本的目的。
因為多層板的多腳數(shù)IC大多封裝在第一層，故該第一層的電路密度需求為最高，須將高密度、細(xì)間距的腳距展開至底層，再由第一層板底層分布線路至第二層板以后的面積上，以將該電路密度稀釋至較寬裕的表面上，如此利用聚酰亞胺基板的高密度電路成形法制作第一層電路，以獲得高密度、細(xì)線化的表層電路，并將該電路連接并分散至底層，而在第二層基板以后，本發(fā)明采用非高密度有機基板制作，因為第二層以后基板，沒有第一層基板般高密度電路需求，故以非高密度有機基板來制作，既可維持其多層板效能，并同時可大為減低材料成本。
本發(fā)明的次要目的在于提供一種多層式高密度基板的制造方法，第二層板表層與第一層聚酰亞胺基板底部焊墊的接合，采焊接凸塊接合方式，在第二層板的1/0接點作一焊接凸塊，與第一層聚酰亞胺基板以壓合方式結(jié)合。達到有效改進該制程的簡便性的目的。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的一種多層式高密度基板的制造方法，其特征在于它包括如下步驟a)以聚酰亞胺或其它高密度高分子薄膜層制作多層板的第一層基板，在該第一層基板上以細(xì)間距的線路成型法，制作出細(xì)間距電路布局，并預(yù)先設(shè)計將電路導(dǎo)入該第一層基板的底面，將該電路密度作適度的展開稀釋，在其底面適當(dāng)位置處設(shè)有焊墊；b)以有機材料作為第二層的非高密度有機基板，由核心基板向兩側(cè)分別設(shè)有導(dǎo)體層來配置電路及緣絕層；并在其電路布局的頂面與該第一層的底面的焊墊相對位置處制作焊接凸塊；將該電路利用孔道穿過核心基板導(dǎo)入該非高密度有機基板的底面導(dǎo)體層上，分布該電路并降低其電路密度；
C)該第一層與第二層的非高密度有機基板對正后加熱壓合，將該第二層非高密度有機基板表面的焊接凸塊與該第一層底面的焊墊結(jié)合達成電氣接合。
該第二層非高密度有機基板以核心基板、導(dǎo)體層、絕緣層依次重復(fù)排列適當(dāng)?shù)母鄬訑?shù)，并逐層降低該第一層的電路密度。
本發(fā)明的主要優(yōu)點是具有高密度、小尺寸、低成本及制作簡便的優(yōu)點。
下面結(jié)合較佳實施例和附圖進一步說明。
圖1是常用高密度多層板的俯視示意圖。
圖2是常用高密度多層板的剖視示意圖。
圖3是本發(fā)明的多層式高密度基板的分解剖視示意圖。
圖4是本發(fā)明的多層式高密度基板的組合剖視示意圖。
圖5是本發(fā)明實施例2的多層式高密度基板的分解剖視示意圖。
圖6是本發(fā)明實施例2的多層式高密度基板的組合剖視示意圖。
實施例1參閱圖3-圖4，本發(fā)明是一種多層式高密度基板的制造方法，主要是由聚酰亞胺層或其它高密度的高分子薄膜材料來制作第一層基板，并復(fù)合以有機材料所制作的第二層非高密度有機基板所組成的多層板的制造方法，其制程包括如下步驟a)先以聚酰亞胺或其它高密度高分子薄膜層111制作多層板1的第一層基板11，在第一層基板11上以細(xì)間距的線路成型法，如電鍍法等各種成型法，制作出細(xì)間距電路112布局，并預(yù)先設(shè)計將該細(xì)間距電路112導(dǎo)入第一層基板11的底面、并將該電路密度作適度的展開稀釋，在其底面適當(dāng)位置處設(shè)有焊墊113。
b)以有機材料作為第二層的有機基板12，以核心基板122向兩側(cè)分別設(shè)有導(dǎo)體層123來配置電路1231及絕緣層124，并在其電路1231布局的頂面與第一層基板11底面的焊墊113相對位置處，制作焊接凸塊125，將該電路1231利用孔道1221穿過核心基板122導(dǎo)入該有機基板12的底面導(dǎo)體層123上，分布該電路1231，并更降低其電路密度。
C)第一層聚酰亞胺基板或高密度高分子薄膜基板11與第二層的非高密度有機基板12對正后加熱壓合，即可將第二層有機基板12表面的焊接凸塊124與第一層聚酰亞胺基板或高密度高分子薄膜基板11底面的焊墊113結(jié)合，達成電氣接合。
實施例2參閱圖5-圖6，本實施例中，上述中的第二層非高密度有機基板12亦可以核心基板122、導(dǎo)體層123、絕緣層213等單位，依次重復(fù)作出適當(dāng)?shù)母鄬訑?shù)，可更能降低第一層的電路密度。
綜上所述，本發(fā)明以聚酰亞胺基板或高密度高分子薄膜基板制作多層板的第一層板，制作出極細(xì)間距的電路布局，并在其電路密度要求不高的其它層板，以非高密度有機基板為材料，亦可制作出符合要求的電路間距布局，并可大為降低材料成本，加上第一層板與第二層板的壓合不需另作焊接處理，可直接進行加熱壓合，壓合后即可獲得一細(xì)間距、低成本的高密度內(nèi)部連結(jié)基板(HDI)。
雖然本發(fā)明以較佳實施例揭露如上，但其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)本技藝者，在不脫離木發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，所作各種等效的更動與潤飾，都落入本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種多層式高密度基板的制造方法，其特征在于它包括如下步驟a)以聚酰亞胺或其它高密度高分子薄膜層制作多層板的第一層基板，在該第一層基板上以細(xì)間距的線路成型法，制作出細(xì)間距電路布局，并預(yù)先設(shè)計將電路導(dǎo)入該第一層基板的底面，將該電路密度作適度的展開稀釋，在其底面適當(dāng)位置處設(shè)有焊墊；b)以有機材料作為第二層的非高密度有機基板，由核心基板向兩側(cè)分別設(shè)有導(dǎo)體層來配置電路及緣絕層；并在其電路布局的頂面與該第一層的底面的焊墊相對位置處制作焊接凸塊；將該電路利用孔道穿過核心基板導(dǎo)入該非高密度有機基板的底面導(dǎo)體層上，分布該電路并降低其電路密度；c)該第一層與第二層的非高密度有機基板對正后加熱壓合，將該第二層非高密度有機基板表面的焊接凸塊與該第一層底面的焊墊結(jié)合達成電氣接合。
2.權(quán)利要求1所述的多層式高密度基板的制造方法，其特征在于該第二層非高密度有機基板以核心基板、導(dǎo)體層、絕緣層依次重復(fù)排列適當(dāng)?shù)母鄬訑?shù)，并逐層降低該第一層的電路密度。
全文摘要
一種多層式高密度基板的制造方法,高密度的高分子薄膜材料制作的第一層基板的電路布線方面對焊墊的間距密度較高,非高密度的復(fù)合有機基板制作的第二層板或更多層板,直接與第一層基板的鄰接表面上,相對于焊墊位置處作出焊接凸塊,在各層板輿第一層基板接合時,直接加熱壓合,使焊接凸塊與焊墊接合達成電氣連接。具有高密度、小尺寸、低成本及制造簡便的優(yōu)點。
文檔編號H05K3/40GK1371240SQ0110424
公開日2002年9月25日 申請日期2001年2月23日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月23日
發(fā)明者謝文樂, 莊永成, 黃寧, 陳慧萍, 蔣華文, 張衷銘, 涂豐昌, 黃富裕, 張軒睿, 胡嘉杰 申請人:華泰電子股份有限公司