專利名稱：平面安裝型電子電路組件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及平面安裝型電子電路組件。
一般，這種平面安裝型電子電路組件基本上按照下述方式構(gòu)成，該方式為將各種電路部件焊接于設置于基板上的導電圖形的焊接區(qū)域上，通過屏蔽罩覆蓋這些電路部件。在基板的側(cè)面上設置端面電極，在將電子電路組件以平面安裝方式設置于母基板上時，將端面電極焊接于母基板的焊接區(qū)域上。電路部件對應于調(diào)諧電路或共振電路，或者放大電路等的必要的電路結(jié)構(gòu)而使用，比如，作為共振電路用的電路部件，采用二極管和芯片電容器與電感線圈等，作為放大電路用的電路部件，采用晶體管、芯片電阻器、芯片電容器及電感線圈等，這些電路部件可通過導電圖形實現(xiàn)連接。
在過去，在按照上述方式構(gòu)成的電子電路組件中，人們知道有下述形式，其中設置有用于將不平衡信號轉(zhuǎn)換為平衡信號，將其輸出的不平衡/平衡轉(zhuǎn)換電路。通常，該不平衡/平衡轉(zhuǎn)換電路通過平面安裝部件構(gòu)成，該部件將一對電路并排設置于平板狀的電介質(zhì)基板上，將設置于電介質(zhì)基板上的電極焊接于多層基板上的導電圖形上，由此，可通過不平衡/平衡轉(zhuǎn)換電路，將不平衡信號轉(zhuǎn)換為平衡信號，將其輸出。
但是，近年來，對芯片部件或半導體部件等的電路部件進行小型化處理的技術發(fā)展顯著，比如，外形尺寸為0.6×0.3mm的超小型的芯片電阻器或芯片電容器也得到實際應用。因此，同樣在前述的已有的電子電路組件中，采用這樣的超小型的電路部件，如果在減小該部件之間的間隙的狀態(tài)下，將這些電路部件安裝于基板上，則可將電子電路組件的整體尺寸減小到一定程度。但是，芯片部件或半導體部件等的電路部件的整體尺寸的減小具有界限，另外，由于在將多個電路部件安裝于基板上時，各電路部件的焊接部分必須不發(fā)生短路，故將部件之間的間隙減小也具有界限，這些情況是妨礙將電子電路組件的整體尺寸進一步減小的原因。還有，不平衡/平衡轉(zhuǎn)換電路由平面安裝型部件構(gòu)成，為了確保所需的連接強度，在將一對電路在規(guī)定長度以上的長度范圍內(nèi)并排設置的方面，該平面安裝型部件為較大的部件，由此，基板上的有限的實裝空間因不平衡/平衡轉(zhuǎn)換電路用的平面安裝型部件而變窄，這些情況也會妨礙形成小型的電子電路組件。此外，在上述的已有的電子電路組件中，由于通過設置于多層基板上的微型電介質(zhì)條狀線，形成分布常數(shù)型的共振用電感線圈，故獲得所需的Q值所必需的微型電介質(zhì)條狀線較長，此情況也妨礙形成小型的電子電路組件。
本發(fā)明是針對這樣的已有技術的情況而提出的，本發(fā)明的目的在于提供一種適合小型化的，靜電應對措施也優(yōu)良的平面安裝型電子電路組件。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的電子電路組件按照下述方式構(gòu)成，該方式為在氧化鋁基板上，通過薄膜方式形成包含電容器和電阻器的電路元件，以及和這些電路元件連接的導電圖形，將半導體裸片設置于上述氧化鋁基板上，將該半導體裸片通過導線焊接于上述導電圖形上，并且在氧化鋁基板上，通過薄膜方式形成電感元件，該元件由按照規(guī)定間距相對的一對電路形成，通過該電感元件，形成不平衡/平衡轉(zhuǎn)換電路。
按照上述方案，由于通過薄膜技術，以較高精度，形成包含電容器和電阻器的電路元件，另外，半導體元件是將裸片通過導線焊接而形成的，故可以較高的密度在氧化鋁基板上，設置必要的電路部件，可實現(xiàn)適合小型化的平面安裝型電子電路組件。另外，由于在氧化鋁基板上，通過薄膜方式形成由一對電路形成的電感元件，通過該電感的一對電路，形成不平衡/平衡轉(zhuǎn)換電路，故可減小兩電路之間的間隙，確保所需的連接強度，此情況也有利于電子電路組件的整體尺寸的減小。
在上述的方案中，如果在氧化鋁基板的同一平面上，形成構(gòu)成不平衡/平衡轉(zhuǎn)換電路的一對電路，則可減小兩電路之間的間隙，提高連接強度。另外，如果通過絕緣材料，將一對電路疊置于氧化鋁基板上，則可進一步減小占據(jù)氧化鋁基板上的兩個電路的設置空間。此外，最好一對電路呈螺旋狀或Z字形。
另外，在本發(fā)明的電子電路組件中，在矩形平板狀的氧化鋁基板上，通過薄膜方式形成包含電容器和電阻器與電感元件的電路元件，與和這些電路元件連接的導電圖形，在上述導電圖形上，設置通過導線焊接的半導體裸片，在上述氧化鋁基板的側(cè)面上，設置與上述導電圖形連接的輸入用電極和輸出用電極，在將這些輸入用電極和輸出用電極中的至少一個與上述電容器連接的上述導電圖形上，設置放電用的接近部。
按照這樣的方案，由于通過薄膜技術，以較高的精度形成包含電容器和電阻器及電感元件的電路元件，另外，半導體元件是將裸片通過導線焊接而形成的，故可以較高的密度在氧化鋁基板上設置必要的電路部件，可實現(xiàn)適合小型化的平面安裝型電子電路組件。此外，通過薄膜方式形成于氧化鋁基板上的電路元件中的，特別是電容器的抵抗靜電的耐受電壓較低，但是，由于在將輸入用電極和輸出用電極中的至少一個和電容器連接的導電圖形上，設置放電用接近部，故可確實防止電容器的靜電破壞，另外，由于可以高于薄膜技術的尺寸精度形成該接近部，故可減小接近部的放電間隙，可進行低電壓的放電。
在上述的方案中，最好在氧化鋁基板上，上述導電圖形相互相對而并排設置，并且在相應的導電圖形上，設置尖端相對合的凸部，形成上述接近部，如果按照此方式，則可更加確實地防止電容器的靜電破壞。
此外，在本發(fā)明的電子電路組件中，包括在氧化鋁基板上，通過薄膜方式形成的包含電容器和電阻器與電感的電路元件，以及通過導線焊接于上述氧化鋁基板上的半導體裸片，上述電感元件至少具有共振頻率設定用電感元件，該共振頻率設定用電感元件呈螺旋狀，通過薄膜方式形成。
按照這樣的方案，由于通過薄膜技術，以較高的精度，形成包含電容器和電阻器及電感的電路元件，另外，半導體元件是通過將裸片通過導線焊接而形成的，故可以較高的密度在氧化鋁基板上設置必要的電路部件，可實現(xiàn)適合小型化的平面安裝型電子電路組件。另外，由于通過以薄膜方式形成的螺旋狀的共振頻率設定用電感元件，形成集中常數(shù)型的電感線圈，故可減小該導體間距，使整體尺寸減小，此情況也可實現(xiàn)小型的電子電路組件。
在上述方案中，最好在構(gòu)成上述共振頻率設定用電感元件的螺旋狀的電感元件的表面上，設置Cu鍍層，如果按照此方式，可提高共振電路的Q值。
還有，在上述的方案中，最好通過薄膜方式形成與上述共振頻率設定用電感元件連接的調(diào)整用導電圖形，通過該調(diào)整用導電圖形的修整處理，將上述共振頻率設定用電感元件的圈數(shù)增加，從而調(diào)整共振頻率，如果按照此方式，可簡單地進行共振頻率的調(diào)整。在此情況下，最好上述共振頻率設定用電感元件與微調(diào)處理后的上述調(diào)整用的導電圖形的相應導體寬度基本上相同。
下面參照附圖，對本發(fā)明的實施例進行描述。
圖1為本發(fā)明的實施例的電子電路組件的透視圖；圖2為表示電路結(jié)構(gòu)布置的氧化鋁基板的平面圖；圖3為氧化鋁基板的內(nèi)面圖；圖4為電路結(jié)構(gòu)的說明圖；圖5為表示端面電極的透視圖；圖6為端面電極的剖視圖；圖7A和圖7B為表示半導體裸片與連接區(qū)域之間的關系的說明圖；圖8A～圖8J為表示電子電路組件的制造步驟的說明圖；圖9為表示另一電路結(jié)構(gòu)的說明圖；圖10為另一電路結(jié)構(gòu)布置的氧化鋁基板的平面圖。
本實施例為適合用于頻率同步型升壓放大器的實例，該頻率同步型升壓放大器按照與圖中未示出的超高頻(UHF)頻道選擇器組合的方式使用，以便提高便攜式電視機的信號接收性能(特別是，信號接收靈敏度和耐妨礙特性)，其具有下述性能，即選擇所需頻率的電視(TV)信號，并且將已選擇的電視信號放大，將其輸入超高頻頻道選擇器中。
圖1表示上述頻率同步型升壓放大器(電子電路組件)的外觀，如該圖所示，該頻率同步型升壓放大器由其上設置有后面將要描述的電路組成部件的氧化鋁基板1，以及屏蔽罩2構(gòu)成，該屏蔽罩2安裝于該氧化鋁基板1上，形成焊接于圖中未示出的母基板上的平面安裝型部件。該氧化鋁基板1呈矩形平板狀，其這樣形成，將大面積的基板分割為長方形的分割片，然后將該分割片進一步分割。屏蔽罩2是通過將金屬板呈箱體形彎曲而加工形成的，氧化鋁基板1上的電路組成元件通過該屏蔽罩2覆蓋。
如圖2所示，在氧化鋁基板1的表面上，設置有電路組成元件與將它們連接的導電圖形，另外，如圖3所示，在氧化鋁基板1的內(nèi)面上，設置有作為背面電極的導電圖形。本實施例的頻率同步型升壓放大器包括調(diào)諧電路和放大電路，以便實現(xiàn)電視信號的選擇和放大，其形成圖4所示的電路結(jié)構(gòu)，圖2所示的相應電路組成元件帶有與圖4的電路圖相對應的標號。但是，圖4表示電路結(jié)構(gòu)的一個實例，本發(fā)明還可適合用于具有上述以外的電路結(jié)構(gòu)的電子電路組件。
如圖4所示，頻率同步型升壓放大器包括作為調(diào)諧電路和放大電路的電路組成元件的電容器C1～C7，電阻器R1～R3，電感元件L1～L3，二極管D1，晶體管Tr1，電路S1，S2等，這些電路組成元件與將它們連接的導電圖形設置于氧化鋁基板1的表面上。該導電圖形是采用比如，Cr或Cu等，通過濺射等的薄膜技術形成的，在圖2中，其帶有標號P，由剖面線表示。
下面簡單地對頻率同步型升壓放大器的電路結(jié)構(gòu)進行描述，為了實現(xiàn)所需頻率的電視信號的選擇和放大，上述電路結(jié)構(gòu)由下述電路組成，該電路包括由電感元件L2，L3與電容器C3，C4和二極管D1形成的調(diào)諧電路；放大電路，該放大電路由晶體管Tr1和其周邊電路元件(電阻器R1～R3，電容器C6)與不平衡/平衡轉(zhuǎn)換元件T形成。多個頻率的電視信號通過電容器C1，輸入到調(diào)諧電路中。調(diào)諧電路的同步頻率(共振頻率)可通過施加于二極管D1的陰極上的控制電壓(Vct1)而改變，通過使其與所需的電視信號的頻率保持一致，僅僅選擇所需的電視信號，通過電容器C5，將其輸入到放大電路的晶體管Tr1的基極中。在晶體管Tr1的基極上，對基極偏置用分壓電阻器R1，R2提供偏壓，晶體管Tr1的集電極電流(發(fā)射極電流)通過發(fā)射極電阻器R3的電阻值設定。通過晶體管Tr1放大的電視信號從集電極輸出，在集電極處，設置有不平衡/平衡轉(zhuǎn)換元件T。該不平衡/平衡轉(zhuǎn)換元件T由電感元件構(gòu)成，該電感元件由相互連接的一對電路S1，S2形成，平衡電視信號從電路S2的兩端輸出，輸入給上述的超高頻頻道選擇器。
如圖2所示，在氧化鋁基板1的端部，形成接地用電極(GND)和輸入用電極(Vcc，Vct1，RFin)以及輸出用電極(RFout)，它們由導電圖形P的一部分形成。接地用電極和輸入用電極與輸出用電極僅僅形成于矩形的氧化鋁基板1中的相對的2個長邊側(cè)，而不形成于除此以外的相對的2個短邊例。即，在氧化鋁基板1中的一個長邊側(cè)的兩個角部，形成接地用電極(GND)，在這些接地用電極(GND)之間，形成Vcc電極和RFin電極與Vct1電極。另外，在氧化鋁基板1的另一長邊側(cè)的兩個角部和其附近的3個部位，形成接地用電極(GND)，在這些接地用電極(GND)之間，形成2個RFout電極。此外，如后面描述的那樣，氧化鋁基板1的兩個長邊對應于將大面積基板分割為長方形的分割片時的分割線，氧化鋁基板1中的兩個短邊對應于將該分割片進一步分割時的分割線。
如圖3所示，設置于氧化鋁基板1的內(nèi)面的導電圖形P1(背面電極)與相對應的接地用電極(GND)和輸入用電極(Vcc，Vct1，RFin)與輸出用電極(RFout)相對，如圖5和6所示，兩者通過端面電極3導通。該端面電極3通過在Ag厚膜層上，依次疊置Ni底鍍層與Au鍍層而形成，最底層的Ag厚膜層由低溫燒結(jié)材料形成，形成不包含玻璃成份的Ag膏的厚膜，然后在200℃的溫度下，對其進行燒結(jié)。另外，中間層的Ni底鍍層容易附著Au鍍層，最頂層的Au鍍層用于在將端面電極3焊接于圖中未示出的母基板的焊接區(qū)域處時，防止最底層的Ag離析到焊錫中。另外，在氧化鋁基板1上安裝有屏蔽罩2的電子電路組件的制成品中，以彎曲方式形成于屏蔽罩2的側(cè)面上的腳片2a焊接于與接地用電極(GND)導通的端面電極3上，屏蔽罩2處于在氧化鋁基板1的4個角部接地的狀態(tài)。
在上述各電路組成元件中，電容器C1～C7是通過在底部電極上，通過SiO2等的電介質(zhì)膜，疊置頂部電極而形成的，這些電容器通過濺射等方式以薄膜方式形成。在頂部電極的表面上，設置有Cu層，通過該Cu層，使共振電路的Q值提高。電容器C1～C7的底部電極和頂部電極，與導電圖形P連接，如圖2所示，在電容器C7和Vcc電極之間的導電圖形P，電容器C7和RFout電極之間的導電圖形P，電容器C2和Vct1電極之間的導電圖形P上，分別設置有放電用接近部(空隙)G。該接近部G通過一對凸部形成，該對凸部設置于相互相對而并排設置的相應的導電圖形P上，兩個凸部的尖端按照保持規(guī)定的間隙的方式相對。在此情況下，由于導電圖形P與接地用電極(GND)導電的尺寸精度均高于薄膜技術，故可減小接近部G的間隙，可進行低電壓的放電。另外，各電容器C1～C7中的，電容器C1和C3～C5呈純矩形狀，但是，電容器C2和C7呈將兩個以上的矩形組合而不同形狀。即，電容器C2呈從1個矩形的一邊，使兩個矩形突出的凹狀，電容器C7呈沿長邊方向使3個矩形錯開而保持連續(xù)的形狀。這些電容器C2和C7為必須要求較大的容量值的接地用電容器，如果接地用電容器C2和C7呈這樣的不同形狀，則可有效地利用氧化鋁基板1上的有限的空間，可以較高的密度設置所需的容量值的電容器。
另外，在各電容器C1～C7中，電容器C6由尺寸不同的2個接地用電容器形成，兩者通過相互分離的一對導電圖形P并聯(lián)。即，如圖2所示，兩個接地用電容器C6中的一個的電極部與和接地用電極(GND)連接的接地用的導電圖形P連接，兩個接地用電容器C6的相應另一個的電極部通過相互分離的2個導電圖形P，與晶體管Tr1的連接區(qū)域SL連接。從圖4知道，電容器C6設置于晶體管Tr1的發(fā)射極和接地之間，由于上述連接區(qū)域SL為通過導線焊接有晶體管Tr1的發(fā)射極電極的部位，故電容器C6的容量值通過兩個接地用電容器設定，該兩個接地用電容器通過相互分離的導電圖形P并聯(lián)。因此，從晶體管Tr1的發(fā)射極電極，通過電容器C6接地的整個導電圖形P的電感減小，接地用電容器C6的連接區(qū)域SL的接地效果提高，另外，由于相應的接地用電容器C6與相應導電圖形P的寄生振蕩頻率增加，故通過使該頻率大于晶體管Tr1的動作頻率，可消除寄生振動。
由于電容器R1～R3采用濺射等的薄膜技術，形成比如，TaSiO2等的電阻膜，在其表面上，根據(jù)需要，設置SiO2等的電介質(zhì)膜。如圖2所示，3個電阻器R1～R3中的，電阻器R1和R2以薄膜方式并排地形成于氧化鋁基板1上的相互接近的位置，剩余的電阻器R3以薄膜方式形成于與電阻器R1和R2離開的位置。由于按照上述方式，在接近的位置以薄膜方式形成電容器R1和R2，故即使在相應的電阻器R1，R2的電阻值相對所需值，產(chǎn)生誤差的情況下，可使電阻器R1，R2的整體的誤差的比率相同。從圖4知道，電阻器R1和R2為晶體管Tr1的基極偏置用分壓電阻器，故R1/(R1＋R2)×Vcc的電壓施加于晶體管Tr1的基極上。在這里，由于作為基極偏置用分壓電阻器的電阻器R1，R2的整體的誤差的比率經(jīng)常象前述的方式那樣相同，故無需相對這些電阻器R1，R2的電阻值的微調(diào)處理。電阻器R3為晶體管Tr1的發(fā)射極電阻器，電流從Vcc電極，流過晶體管Tr1的集電極和發(fā)射極，接著通過電阻器R3接地。在這里，由于各電阻器R1～R3中的，作為發(fā)射極電阻器的電阻器R3對晶體管Tr1的放大率的貢獻最大，故按照電流值保持一定的方式，僅僅對電阻器R3進行微調(diào)處理，并進行輸出調(diào)整。
另外，如圖9所示，在晶體管Tr1上串聯(lián)另一晶體管Tr2的電路結(jié)構(gòu)的情況下，如果以薄膜方式，將作為兩個晶體管Tr1，Tr2的基極偏置用分壓電阻器的電阻器R1，R2，R4形成于氧化鋁基板1上的相互接近的位置，則無需對這些電阻器R1，R2，R4的電阻值進行微調(diào)處理。因此，同樣在此情況下，通過僅僅對作為發(fā)射極電阻器的電阻器R3進行微調(diào)處理，則可設定兩個晶體管Tr1，Tr2的電流值。
此外，采用濺射等的薄膜技術，形成電感元件L1～L3和電路S1，S2，Cr或Cu等，將它們與導電圖形P連接。在相應的電感元件L1～L3的表面上，設置Cu層，由于該Cu層的作用，使共振電路的Q值提高。電感元件L1和L2均呈方形的螺旋狀，相應的一端通過導線焊接于Vct1電極或接地用的導電圖形P。電感元件L2用于對基本的共振頻率進行設定的共振頻率設定的情況下，電感元件L3與電感元件L2的另一端連接。該電感L3為用于調(diào)整共振頻率的調(diào)整用導電圖形，如圖2中的虛線所示，通過對電感元件L3進行微調(diào)處理、削減，從而增加電感元件L2的圈數(shù)，調(diào)整共振頻率。在此情況下，如果微調(diào)后的電感元件L3的導體寬度與共振頻率設定用的電感元件L2的導體寬度相同，則電感元件L2與電感L3的特性阻抗不變化。
如前面所述，不平衡/平衡轉(zhuǎn)換元件T通過由相互連接的一對電路S1，S2形成的電感元件構(gòu)成，這些電路S1，S2通過薄膜方式形成于氧化鋁基板1上。這些電路S1，S2按照以規(guī)定間隙相對的方式，呈螺旋狀形成于基板1上，其中一個電路S1的兩端與晶體管Tr1的集電極和與電容器C7連接的導電圖形P連接，另一電路S2的兩端與一對RFout電極連接。在此情況下，由于通過薄膜形成的電路S1，S2的尺寸精度較高，故可減小兩個電路S1，S2之間的間隙，可確保所需的連接強度，可在氧化鋁基板1上的有限的空間內(nèi)設置小型的不平衡/平衡轉(zhuǎn)換元件T。此外，如圖10所示，也可將按照規(guī)定的間隙相對的一對的電路S1，S2呈Z字形形成于氧化鋁基板1上。
還有，二極管D1和晶體管Tr1這樣形成，在通過薄膜方式形成于氧化鋁基板1上的導電圖形P的連接區(qū)域上，設置半導體裸片，將該半導體裸片通過導線焊接于導電圖形P上。即，如圖2所示，二極管D1的半導體裸片呈方形，設置于其底面的其中一個電極通過焊錫膏或?qū)щ姼嗟鹊膶щ娦哉辰觿┕潭ㄓ谶B接區(qū)域，設置于半導體裸片的頂面的另一電極通過導線焊接于導電圖形P的規(guī)定部位。另外，晶體管Tr1的半導體裸片也呈方形，設置于其底面的集電極通過導電性粘接劑，固定于連接區(qū)域，基極和發(fā)射極通過導線焊接于導電圖形P的規(guī)定部位。與前述的端面電極3相同，同樣在這些連接區(qū)域上，依次疊置Ni底鍍層和Au鍍層。在這里，如圖7A或圖7B所示，相對半導體裸片4的底面積，連接區(qū)域5的面積較小，由于通過采用這樣的方案，在半導體裸片4的下方確保具有導電性粘接劑的存留部，故可防止今后產(chǎn)生導電性粘接劑從半導體裸片4的外部輪廓露出，與周圍的導電圖形P發(fā)生短路的故障。另外，由于在連接區(qū)域5的內(nèi)部，設置有開口5a，由此剩余的導電性粘接劑存留于開口5a內(nèi)部，故可更加確實防止導電性粘接劑露出。
下面通過圖8A～圖8J，主要對按照上述方式構(gòu)成的電子電路組件的制造步驟進行描述。
首先，如圖8A所示，在氧化鋁基板1的整個表面上，濺射TaSiO2等，然后，按照所需形狀對其進行蝕刻，形成電阻膜6，由此，形成相當于電阻器R1～R3的部分。接著，如圖8B所示，在電阻膜6上，濺射Cr或Cu等，按照所需形狀對其進行蝕刻，形成底部電極7，然后，如圖8C所示，在底部電極7上，濺射SiO2等，按照所需形狀對其進行蝕刻，形成電介質(zhì)膜8。之后，如圖8D所示，在該電介質(zhì)膜8上，濺射Cr或Cu等，然后，按照所需形狀對其進行蝕刻，形成頂部電極9。其結(jié)果是，通過底部電極7或頂部電極9，形成相當于導電圖形P，電感元件L1～L3與電路S1，S2的部分，通過底部電極7和電介質(zhì)膜8與頂部電極9的疊置體，形成相當于電容器C1～C7的部分。然后，在相當于電感元件L1～L3與電路S1，S2和電容器C1～C7的部分的表面上，通過電鍍或薄膜技術，形成Cu層，然后，如圖8E所示，在除了導電圖形P以外的部分，形成保護膜10。接著，如圖8F所示，在氧化鋁基板1的整個內(nèi)面上，濺射Cr或Cu等，然后，按照所需形狀對其進行蝕刻，形成背面電極11，由此，形成相當于內(nèi)面?zhèn)鹊膶щ妶D形P1的部分。
另外，上面描述的圖8A～圖8F的步驟相對大面積基板進行，該大面積基板由氧化鋁材形成，其上刻設有沿縱橫向呈格子狀延伸的分割槽，下面將要描述的圖8G～圖8J的步驟相對下述長方形的分割片進行，該分割片是通過沿一個方向的分割槽將該大面積的基板切斷而獲得的。
即，在將大面積的基板分割為長方形的分割片后，如圖8G所示，在作為該分割片的切斷面的氧化鋁基板1的兩個端面上，形成較厚的Ag層12，通過Ag層12，使設置于氧化鋁基板1的內(nèi)外兩個面上的導電圖形P，P1的接地用電極(GND)，與輸入用電極(Vcc，Vct1，RFin)和輸出用電極(RFout)之間實現(xiàn)導通。上述Ag層12相當于前述的端面電極3的Ag厚膜層，其為由不包含玻璃成份的Ag膏形成的低溫燒結(jié)材料。另外，還可相對1個長方形分割片，進行上述的Ag層12的厚膜形成步驟，但是，如果多個分割片處于在具有間隙的情況下重合的狀態(tài)，則可同時相對多個分割片，形成Ag層12，適合大批量生產(chǎn)。然后，在設置有Ag層12和半導體裸片的連接區(qū)域的相應表面上，依次通過電鍍形成Ni底層和Au層，然后，如圖8H所示，在相應的連接區(qū)域上，通過焊錫膏或?qū)щ姼嗟鹊膶щ娦哉辰觿┕潭ǘO管D1和晶體管Tr1的半導體裸片。在此情況下，如前面所述，由于相對半導體裸片的底面積，連接區(qū)域的面積較小，故防止導電性粘接劑相對半導體裸片露出，導電性粘接劑不會與半導體裸片的周圍的導電圖形P按照不需要的方式發(fā)生短路。然后，如圖8I所示，通過導線將相應的半導體裸片焊接于導電圖形P的規(guī)定部位，然后，如圖8J所示，對作為發(fā)射極電阻器的電阻器R3進行微調(diào)處理并進行輸出調(diào)整，并且對作為調(diào)整用導電圖形的電感元件L3進行微調(diào)處理，調(diào)整共振頻率。在此情況下，由于共振頻率的調(diào)整是在分割為相應的氧化鋁基板1之前的長方形分割片的狀態(tài)下進行的，在各氧化鋁基板1的角部，設置接地用電極(GND)，故接地用電極(GND)必須位于設置于相鄰的氧化鋁基板1上的輸入用電極(Vcc，Vct1，RFin)和輸出用電極(RFout)之間，共振頻率的調(diào)整不會對相鄰的氧化鋁基板1的電路造成不利影響。
接著，在長方形分割片的相應氧化鋁基板1上，安裝屏蔽罩2，在將該屏蔽罩2的腳片2a焊接于與接地用電極(GND)導通的端面電極3上之后，沿另一分割槽，將分割片進一步分割為相應的氧化鋁基板1，由此，獲得圖1所示的電子電路組件。
如果采用按照上述方式構(gòu)成的上述實施例的電子電路組件，由于在氧化鋁基板1上，通過薄膜方式形成電容器C1～C7，電阻器R1～R3，電感元件L1～L3，電路S1，S2等的電路元件和與這些電路元件連接的導電圖形P，并且在該氧化鋁基板1上，通過導線焊接二極管D1和晶體管Tr1，另外在氧化鋁基板1的側(cè)面，設置與導電圖形的接地用電極和與輸入輸出用電極連接的端面電極3，故可以較高的密度通過薄膜技術和半導體元件的導線焊接，將必需的電路組成元件設置于氧化鋁基板1上，可實現(xiàn)適合小型化的平面安裝型電子電路組件。
此外，由于通過在氧化鋁基板1上以薄膜方式形成的一對電路S1，S2，構(gòu)成不平衡/平衡轉(zhuǎn)換電路，故可減小兩個電路S1，S2之間的間隙，確保所需的連接強度，由此，有利于電子電路組件的整體尺寸的減小。
還有，在上述實施例中，針對在氧化鋁基板1的同一面上以薄膜方式形成不平衡/平衡轉(zhuǎn)換電路的一對電路S1，S2的情況進行了描述，但是，與電容器C1～C7的構(gòu)成相同，也可通過SiO2等的絕緣材料，在氧化鋁基板1上疊置一對電路S1，S2，如果按照此方案，則可更進一步地減小占據(jù)氧化鋁基板1上的兩個電路的設置空間。
再有，由于在將輸入用電極(Vcc，Vct1)和輸入輸出用電極(RFout)與電容器C2，C7連接的導電圖形P上，設置放電用接近部G，故不僅可確實防止這些電容器C2，C7的靜電破壞，而且可以比薄膜技術高的尺寸精度形成該空隙G，由此，可減小接近部G的間隙值，可實現(xiàn)低電壓的放電。
另外，由于以螺旋狀形成以薄膜方式形成的電感元件中，共振頻率設定用的電感元件L2，形成集中常數(shù)型的共振用電感線圈，故可減小該電感元件L2的導體之間的距離，形成小型的共振用電感線圈，由此，也可實現(xiàn)形成小型的電子電路組件。另外，由于在包含該電感元件L2的全部電感元件L1～L3的表面上，設置Cu鍍層，故可提高共振電路的Q值。
此外，由于與共振頻率設定用的電感元件L2連接的電感元件L3為調(diào)整用導電圖形，通過該電感元件L3的微調(diào)處理，增加電感元件L2的圈數(shù)，調(diào)整共振頻率，故可簡單地進行共振頻率的調(diào)整，另外，由于微調(diào)處理后的電感元件L3與共振頻率設定用的電感L2的導體寬度相同，故電感元件L2和電感元件L3的特性阻抗不發(fā)生變化。
本發(fā)明按照上面描述的形式實現(xiàn)，獲得下述的效果。
由于在氧化鋁基板上，通過薄膜方式形成包含電容器和電阻器的電路元件及導電圖形，并且在該氧化鋁基板上，通過導線焊接半導體元件的裸片，另外在氧化鋁基板上，通過薄膜方式形成由一對電路形成的電感元件，構(gòu)成不平衡/平衡轉(zhuǎn)換電路，故不僅可以較高的密度在氧化鋁基板上安裝必要的電路部件，而且可減小構(gòu)成不平衡/平衡轉(zhuǎn)換電路的兩個電路之間的間隙，可確保所需的連接強度，可形成小型的電子電路組件。
由于通過薄膜方式，在氧化鋁基板上形成包含電容器和電阻器與電感元件的電路元件與和這些電路元件連接的導電圖形，通過導線焊接半導體裸片，另外，在將輸入用電極和輸出用電極中的至少1個與電容器連接的導電圖形上，設置放電用的接近部，故可以較高的密度在氧化鋁基板上，設置必要的電路部件，可形成小型的電子電路組件。另外，可通過接近部，確實防止電容器的靜電破壞，另外可減小該接近部的放電間隙，可進行低電壓的放電。
由于在氧化鋁基板上，通過薄膜方式形成包含電容器和電阻器與電感元件的電路元件，并且通過導線焊接半導體裸片，使至少構(gòu)成共振頻率設定用電感元件的電感元件呈螺旋狀，故不僅可以較高的密度，在氧化鋁基板上設置必要的電路部件，而且可通過薄膜技術減小共振頻率設定用電感元件的導體之間的距離，可實現(xiàn)小型的電子電路組件。
權(quán)利要求
1.一種電子電路組件，其特征在于在氧化鋁基板上，通過薄膜方式形成包含電容器和電阻器的電路元件，以及和這些電路元件連接的導電圖形，將半導體裸片設置于上述氧化鋁基板上，將該半導體裸片通過導線焊接于上述導電圖形上，并且在氧化鋁基板上，通過薄膜方式形成電感元件，該元件由按照規(guī)定間距相對的一對電路形成，通過該電感元件，形成不平衡/平衡轉(zhuǎn)換電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子電路組件，其特征在于在上述氧化鋁基板的同一面上形成上述一對電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子電路組件，其特征在于上述一對電路通過絕緣材料，疊置于上述氧化鋁基板上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子電路組件，其特征在于上述一對電路通過絕緣材料，疊置于上述氧化鋁基板上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子電路組件，其特征在于上述一對電路呈螺旋狀或Z字形。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子電路組件，其特征在于上述一對電路呈螺旋狀或Z字形。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子電路組件，其特征在于上述一對電路呈螺旋狀或Z字形。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子電路組件，其特征在于上述一對電路呈螺旋狀或Z字形。
9.一種電子電路組件，其特征在于其在矩形平板狀的氧化鋁基板上，通過薄膜方式形成包含電容器和電阻器及電感元件的電路元件，以及和這些電路元件連接的導電圖形，在上述導電圖形上，設置通過導線焊接的半導體裸片，在上述氧化鋁基板的側(cè)面上，設置與上述導電圖形連接的輸入用電極和輸出用電極，在將這些輸入用電極和輸出用電極中的至少一個與上述電容器連接的上述導電圖形上，設置放電用的接近部。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子電路組件，其特征在于上述導電圖形相互相對而并排設置，并且在相應的導電圖形上，設置尖端相對合的凸部，形成上述接近部。
11.一種電子電路組件，其特征在于其包括在氧化鋁基板上，通過薄膜方式形成的包含電容器和電阻器以及電感元件的電路元件，以及通過導線焊接于上述氧化鋁基板上的半導體裸片，上述電感元件至少具有共振頻率設定用電感元件，該共振頻率設定用電感元件呈螺旋狀，通過薄膜方式形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子電路組件，其特征在于在上述共振頻率設定用電感元件的表面上，設置Cu鍍層。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子電路組件，其特征在于在上述氧化鋁基板上，通過薄膜方式形成與上述共振頻率設定用電感元件連接的調(diào)整用導電圖形，通過該調(diào)整用導電圖形的修整處理，將上述共振頻率設定用電感元件的圈數(shù)增加，從而調(diào)整共振頻率。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子電路組件，其特征在于在上述氧化鋁基板上，通過薄膜方式形成與上述共振頻率設定用電感元件連接的調(diào)整用導電圖形，通過該調(diào)整用導電圖形的修整處理，將上述共振頻率設定用電感元件的圈數(shù)增加，從而調(diào)整共振頻率。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子電路組件，其特征在于上述共振頻率設定用電感元件與修整處理后的上述調(diào)整用的導電圖形的相應導體寬度基本上相同。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子電路組件，其特征在于上述共振頻率設定用電感元件與修整處理后的上述調(diào)整用的導電圖形的相應導體寬度基本上相同。
全文摘要
本發(fā)明提供一種適合小型化的平面安裝型電子電路組件。在氧化鋁基板1上,通過薄膜方式形成包含電容器C1～C7和電阻器R1～R3及電感元件L1～L3的電路元件,以及和這些電路元件連接的導電圖形P,將二極管D1和晶體管Tr1的半導體裸片通過導線焊接于導電圖形P的連接區(qū)域上,并且在氧化鋁基板1上,通過薄膜方式形成電感元件,該元件由按照規(guī)定間距相對的一對電路S1,S2形成,通過這些電路S1,S2,形成不平衡/平衡轉(zhuǎn)換電路。
文檔編號H05K1/16GK1332600SQ0111812
公開日2002年1月23日 申請日期2001年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2000年5月30日
發(fā)明者善里彰之, 植田和彥, 五十嵐康博, 井上明彥, 佐久間博 申請人:阿爾卑斯電氣株式會社