專利名稱：電路基片及其制造方法和顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電路基片及其制造方法和顯示裝置。
現(xiàn)有技術一般情況下是在電路基片上通過焊接方法安裝電子部件，或者通過ACF(Anisotropic Conductive Film各向異性導電膜)安裝電子部件。為在該電路基片上通過焊接有效地安裝比如電阻、電容等部件(以下稱第1部件)，從而制成電路基片，一般都采用一種將先印刷焊接膏，然后再設置第1部件的電路基片放入回流爐內(nèi)進行焊接的安裝技術，即表面安裝技術(Surface Mount Technology)。在該表面安裝技術中，在用于使焊劑溶融的回流爐內(nèi)，電路基片整體溫度要升到比如260℃的高溫。
近年來隨著IC(集成電路)芯片等日益高度集成化技術的發(fā)展，人們希望在將上述部件在基片上安裝的場合下盡可能占用少量的安裝面積。因此，作為一種與這種希望相適應的安裝方法，大多采用倒裝式組合焊接法。在該倒裝式組合焊接法下的組合方式中，主要方式之一是采用ACF方式。這里的ACF一般通過在具有熱塑性、熱固性或紫外線固化性等特性的樹脂內(nèi)散布很多導電性粒子方式形成。
但是在采用ACF的安裝方式中，配有凸塊的IC芯片等與配有電極的基片之間夾以ACF膜而互為對置，而且由于邊對IC芯片等加熱邊向基片加壓，所以有必要將IC芯片等熱壓接到基片上。在該熱壓接過程中，大多采用配有細長型壓頭的熱壓接夾具，該壓頭的長度超過具有與IC芯片等的寬度相應的寬度的IC芯片等的長度。
以下將采用ACF安裝的IC芯片等部件稱為第2部件。
為避免在基片上進行安裝的部件與該壓頭相碰而造成不適當?shù)臒釅航?，配有上述細長型壓頭的熱壓接夾具有必要在IC芯片等周圍，特別是IC芯片等長度方向的周圍不安裝第1部件的狀態(tài)下使用。
因此考慮采用以下技術先采用ACF膜安裝IC芯片等，然后利用表面安裝技術進行第1部件安裝。但是如上所述，由于在表面安裝技術中，需要把電路基片整體放入高溫回流爐內(nèi)，所以如果如前述那樣采用ACF膜安裝后，在進行焊接回流處理時，由于在焊接回流處理中，ACF膜要暴露在高溫下，所以發(fā)現(xiàn)其連接可靠性下降。
本發(fā)明考慮到了上述問題點，其目的在于在制造電路基片時，不使連接可靠性因ACF膜的影響而下降，可以利用表面安裝技術安裝第1部件。

發(fā)明內(nèi)容
(1)為達到上述目的，本發(fā)明的電路基片的特征在于包括基片；由焊接安裝在上述基片上的第1部件；通過各向異性導電膜安裝在上述基片上的第2部件，其中，具有包含上述第2部件并帶狀延伸，同時不包含上述第1部件的帶狀區(qū)域。
在具有上述結構的電路基片中，由于在包含第2部件并帶狀延伸的帶狀區(qū)域內(nèi)不安裝第1部件，所以在安裝第1部件后采用熱壓接夾具安裝第2部件時，就不必擔心會因第1部件的妨礙而造成熱壓接不充分。為此，可以先實施所謂的焊接回流處理等焊接處理，然后再實施采用各向異性導電膜的安裝。
因此如果能如上所述，先進行焊接處理，然后實施采用各向異性導電膜的安裝，則由于根本不會發(fā)生焊接處理熱量傳導到各向異性導電膜上的問題，所以也就不必擔心會發(fā)生關于各向異性導電膜的連接可靠性下降的問題。
由此，在采用由焊接處理法安裝和由各向異性導電膜法安裝這二者形成的電路基片中，確實可以防止與各向異性導電膜有關的連接可靠性的下降。
(2)接下來，在上述結構的電路基片中，上述第1部件可以為從動元件或機構部件，上述第2部件可以為半導體裝置。這里的所謂從動元件系指比如電阻、電容等。所謂機構部件系指比如可變電阻等。此外，所謂半導體裝置系指比如電源IC、液晶驅(qū)動用IC等IC芯片和LSI(大規(guī)模集成電路)芯片。
采用這種結構的電路基片，就不會使為了半導體裝置的安裝的各向異性導電膜的連接可靠性下降，可以對從動元件或機構部件進行焊接回流處理，即可以形成采用表面安裝技術安裝的電路基片。
(3)接下來在上述結構的電路基片中，所形成的上述帶狀區(qū)域可以大于安裝上述第2部件時所采用的熱壓接夾具壓頭，即熱壓接壓頭的加壓面。這樣，即使在安裝第1部件后需要采用熱壓接夾具安裝第2部件的情況下，熱壓接壓頭的加壓面，即接觸面也不會影響第1部件，即由于在使用中不會發(fā)生碰撞現(xiàn)象，所以可以進行正確的熱壓接。
(4)接下來，在上述結構的電路基片中，可以在上述帶狀區(qū)域的外側，比如側沿部的外側設置對準標記。這樣，在安裝IC芯片等第2部件時，可以避免對準標記被各向異性導電膜覆蓋住。
(5)接下來，在上述結構的電路基片中，上述焊接過程可以包含回流處理。這里的回流處理系指在載有焊劑的基片上安裝電子部件后，對上述焊劑加熱，由焊劑將電子部件焊到基片上的處理。在該回流處理中，由于基片暴露于極高的溫度之下，所以在該回流處理時，如果在基片上有各向異性導電膜存在，則該各向異性導電膜的連接可靠性下降的可能性會非常大。但是，如基于本發(fā)明的電路基片可以實施那樣，如果在焊接，即在回流處理之后采用各向異性導電膜來進行安裝，則完全不必擔心各向異性導電膜會暴露于回流處理時的高溫之下。
(6)接下來，在上述結構的電路基片中，可以設置多個上述第1部件，在該場合下，上述帶狀區(qū)域可以設置于這些多個第1部件的中間位置上。這樣如果將帶狀區(qū)域設置于1第1部件與其它第1部件之間，則設置于該帶狀區(qū)域內(nèi)的第2部件也設置于1第1部件與其它第1部件之間。一般情況下，雖然第2部件與多個第1部件之間大多由布線圖形連接，但如果不是將第2部件設置在從多個第1部件離開的位置，而是設置于多個第1部件的中間位置，則第2部件與多個第1部件之間的布線圖形便容易形成。
(7)這種將帶狀區(qū)域設置于多個第1部件之間的上述結構的電路基片對于上述第2部件為電源IC或電源LSI的情況特別有利。
其理由如下，即電源IC和電源LSI起著對多個第1部件供應電源的作用，在這種關系上，一般在電源IC等與多個第1部件之間形成多個布線圖形。因此，如果所謂電源IC等的第2部件設置在多個第1部件的中間位置上，則布線圖形的設計將非常容易。
(8)在上述結構的電路基片中，可以將上述帶狀區(qū)域設置成從上述基片的一端延伸到另一端。即帶狀區(qū)域設置時可從基片的一端邊緣貫穿到另一端邊緣，或可以從一端邊緣附近延伸到另一端邊緣附近。
(9)此外在上述結構的電路基片中，上述帶狀區(qū)域在設置時可以呈直線狀延伸。一般情況下，由于用于將各向異性導電膜貼附到基片上的壓頭和用于將第2部件暫時壓接的壓頭及用于將第2部件正式壓接的熱壓接壓頭大多呈直線狀形成，所以帶狀區(qū)域最好設置成如上所述的直線狀。
(10)此外，在上述結構的電路基片中，可在上述帶狀區(qū)域形成布線圖形。在本發(fā)明中，由于帶狀區(qū)域中不包含第1部件，所以在設計圖形時，可以使用于連接多個第1部件之間和第1部件與第2部件之間的布線圖形不在帶狀區(qū)域形成。但是，為在設計圖形時有效利用基片面積，最好在帶狀區(qū)域的內(nèi)部區(qū)域也形成布線圖形。
(11)此外，在上述結構的電路基片中，最好在上述第2部件的相應位置的上述基片上形成與該第2部件大致相同面積的虛電極。這里的虛電極系指采用與基片上形成的電極相同的材料形成的不起電極作用的圖形。這種虛電極如果設置到第2部件的背面，當從虛電極側向已安裝第2部件的部分看去時，即從電路基片的背面看去時，便可以通過目視觀察虛電極的變形狀態(tài)，對第2部件的安裝狀態(tài)作以確認。此外，如果將該虛電極與接地電壓相接，則可以阻止噪聲進入第2部件內(nèi)。
(12)此外，本發(fā)明的顯示裝置的特征是具有在以上記載的各種結構的電路基片和與該電路基片連接的顯示單元。
(13)在上述結構的顯示裝置中，上述顯示單元是顯示文字、數(shù)字、圖形等的像的元件，比如可由液晶顯示裝置、有機EL裝置、等離子體顯示器等所謂的平面顯示器或CRT(Cathode Ray Tube陰極射線管)顯示器等構成。根據(jù)此結構的顯示裝置，由于采用著用高可靠性安裝了第2部件的電路基片，所以可以得到可靠性高的顯示裝置。
(14)在上述顯示裝置中，在上述顯示單元通過液晶裝置構成的情況下，如果在上述基片上設置多個上述第1部件時，則上述帶狀區(qū)域可以設置于這些多個第1部件之間，此外，上述第2部件可以為電源IC、電源LSI、液晶驅(qū)動用IC或液晶驅(qū)動用LSI。電源IC、電源LSI、液晶驅(qū)動用IC或液晶驅(qū)動用LSI大多通過多個布線在與多個第1部件之間連接。在這種情況下，電源IC等如果設置于多個第1部件之間的中間位置上，則很容易形成布線。
(15)接下來，本發(fā)明涉及的電路基片的制造方法的特征是具有通過焊接將第1部件安裝到基片的工序；在上述基片上的規(guī)定位置設置各向異性導電膜的工序；將第2部件設置到上述各向異性導電膜上的工序；夾著上述各向異性導電膜將上述第2部件熱壓接到上述基片的工序，其中在上述基片上的規(guī)定位置設置各向異性導電膜的工序在將上述第1部件通過焊接安裝到基片上的工序之后實施。
在該結構的電路基片的制造方法中，在安裝第1部件后安裝第2部件，再進行電路基片的制造。因此，可以避免在焊接中比如表面安裝技術中所產(chǎn)生的熱量傳遞到各向異性導電膜上。其結果，不會使基于各向異性導電膜的連接可靠性下降，可以由表面安裝技術等安裝第1部件。
(16)在上述結構的電路基片制造方法中，通過焊接方法把上述第1部件安裝到上述基片的上述工序中可以包含回流處理。
雖然回流處理使基片暴露在高溫下，但依據(jù)本發(fā)明，在進行上述回流處理時，由于各向異性導電膜尚沒有設置到基片上，所以可以避免不耐高溫的各向異性導電膜在回流處理時暴露于高溫下。


圖1為本發(fā)明涉及的電路基片的一實施方式的平面示意圖。
圖2為圖1所示的電路基片所采用的基片的平面示意圖。
圖3為圖2所示基片的剖面結構的剖面示意圖。
圖4為在圖3所示基片上的凸起印刷焊劑后的狀態(tài)的剖面示意圖。
圖5為在圖4所示基片的凸起上安裝第1部件后的狀態(tài)的剖面示意圖。
圖6為在圖5所示基片上由ACF安裝第2部件后的狀態(tài)的剖面示意圖。
圖7為本發(fā)明涉及的電路基片制造方法的一實施方式的工序示意圖。
圖8為作為圖7所示制造方法中的一個工序的正式壓接工序的平面示意圖。
圖9為依照圖8的III-III線的剖面圖。
圖10為作為圖7所示制造方法中的一個工序的回流處理中溫度分布的曲線示意圖。
圖11為溫度分布的其它示例的曲線示意圖。
圖12為作為圖7所示制造方法中的一個工序的ACF粘貼工序的示意圖。
圖13為作為本發(fā)明涉及的顯示裝置的一實施方式的液晶裝置分解狀態(tài)的斜視示意圖。
圖14為作為本發(fā)明涉及的顯示裝置的其它實施方式的電致發(fā)光裝置的平面示意圖。
圖15為依照圖14的I-I線的電致發(fā)光裝置的剖面結構的剖面示意圖。
圖16為依照圖14的II-II線的電致發(fā)光裝置的剖面結構的剖面示意圖。
圖17為作為圖7所示制造方法中的一工序的暫時壓接工序的側面剖面示意圖。
符號說明2 凸起3 導線4a、4b、6 端子7 底座8a、8b 布線9 電極10 電路基片11 基片12 覆蓋層13 護層16 通孔
17 虛電極22 焊劑23 對準標記30 第1部件32 粘合劑33 加強片36 第2部件37 凸塊40 ACF40AACF原材料56 ACF用壓頭71a、72a 熱壓接用壓頭71b、72b 熱壓接用工作臺80 液晶裝置(顯示裝置)82 液晶顯示屏(顯示單元)100電致發(fā)光裝置(顯示裝置)101EL顯示屏(顯示單元)A1 第1區(qū)域A2 第2區(qū)域A3 帶狀區(qū)域?qū)嵤┓绞揭韵陆Y合圖面對本發(fā)明所適用的實施方式作更為具體的說明。
(電路基片的實施方式)圖1所示為本發(fā)明中電路基片的一種實施方式下的平面結構。圖中電路基片10包括決定電路基片10的外形形狀的基片11、在基片11上焊接的第1部件30、在基片11上通過ACF(AnisotropicConductive Film各向異性導電膜)40安裝的第2部件36。第1部件30采用比如芯片式電阻器、芯片式電容器等從動元件和可變電阻器等機構部件。第2部件36采用比如IC、LSI等半導體裝置。第1部件30固定在第1區(qū)域A1的內(nèi)部。第2部件36固定在第2區(qū)域A2內(nèi)部。
圖2所示為第1部件30與第2部件36安裝之前的基片11的平面結構。如圖2所示，在基片11表面上的第1區(qū)域A1內(nèi)，按照規(guī)定圖形設置有多個用于安裝第1部件30的凸起2。在第2區(qū)域A2內(nèi)，設有多個用于安裝第2部件36的導線3。此外，在基片11的邊端部設有面向圖面表面?zhèn)刃纬傻妮敵鰝鹊?端子4a、面向圖面背面?zhèn)刃纬傻妮敵鰝鹊?端子4b、面向圖面表面?zhèn)刃纬傻妮斎雮榷俗?等各種端子。
如圖3所示，基片11配有底座7。在該底座7的表面?zhèn)?圖3所示結構的上面一側)按照從箭頭B方向看去的規(guī)定圖形設有布線8a，在該布線8a的適當部位設有電極9，根據(jù)這些電極9形成凸起2和導線3。
在除了設有凸起2的第1區(qū)域A1和設有導線3的第2區(qū)域A2之外的廣大的范圍內(nèi)，通過粘合劑32形成有覆蓋層12和護層13等各層。覆蓋層12用于比如為基片11提供彈性，使該基片11處于彎曲的中性點處。此外，護層13用于比如保護布線8a等免受損傷。
在底座7的背面(圖3所示結構的下面一側)設有布線8b，在其布線8b上通過粘合劑32鋪設一層覆蓋層12，再在其上面通過粘合劑32鋪設一層加強片33。表面上的布線8a與背面的布線8b通過通孔16導通。此外，在安裝有IC芯片等第2部件36的第2區(qū)域A2的對應部位上的布線8b與粘合劑32之間設有虛電極17。
該虛電極17雖然采用與電極9相同的材料形成，但不能用作電極。從箭頭B方向向虛電極17平面看去，該虛電極17的平面大小設置得與第2部件36相同或者更大一些。因此，在安裝第2區(qū)域A2內(nèi)的第2部件36時，其大小關系應使該第2部件36整體能被包容在虛電極17內(nèi)。
在第2區(qū)域A2內(nèi)安裝第2部件36后，從基片11的背面按箭頭C方向向該安裝部分看去，可以根據(jù)虛電極17的變形狀態(tài)目視確認第2部件36的安裝狀態(tài)。比如，在第2部件36配有數(shù)個環(huán)狀列置凸塊，而且這些凸塊的形成面成為安裝面的情況下，如果第2部件36安裝正常，則虛電極17將變?yōu)檠丨h(huán)狀凸塊排列的方形形狀。因此，在根據(jù)視覺確認虛電極17變?yōu)榉叫魏?，便可以判斷出?部件36安裝正常。
此外，虛電極17即可以被置為不同于接地電位的其它電位，也可以與接地電位相接。如果把虛電極17與接地電位相接，當使安裝在第2區(qū)域A2內(nèi)的第2部件36運作時，可以防止噪聲進入該第2部件36內(nèi)，也可以防止從該第2部件36輸出噪聲。
在上述的積層結構中，底座7采用比如聚酰亞胺材料形成。布線8a與8b采用比如Cu(銅)形成。覆蓋層12比如采用聚酰亞胺形成。電極9通過比如在布線8a上鋪設一層Ni(鎳)層，再在其上鋪設一層Au(金)層這種積層結構形成。
在圖2中，第1部件30通過焊接固定在第1區(qū)域A1內(nèi)的凸起2上，通過把第2部件36安裝到設有導線3的第2區(qū)域A2內(nèi)，形成圖1所示的電路基片10。此外在本實施方式下，在這些區(qū)域之外，還設有帶狀區(qū)域A3。
該帶狀區(qū)域A3除了包括第2區(qū)域A2之外，還形成一個圖2所示的縱向帶狀延伸區(qū)域。此外，該帶狀區(qū)域A3還構成不安裝第1部件30的區(qū)域。另外，在帶狀區(qū)域A3中，設有布線8a及布線8b，從而可以有效利用基片11的表面積。
此外圖1及圖2所示雖然為第2區(qū)域A2一例，但第2區(qū)域A2也可以在帶狀區(qū)域A3內(nèi)的任何位置上形成，可以在帶狀區(qū)域A3內(nèi)形成多個。此外，也可以形成多個帶狀區(qū)域A3。
此外在圖1中，雖然帶狀區(qū)域A3在互相鄰接的一對第1區(qū)域A1、A1之間，即在一個第1部件30與另一個第1部件30之間形成，但帶狀區(qū)域A3沒有必要一定要這樣設置，也可以設置到電路基片10的端緣部上。
在圖1中，芯片電阻器、芯片電容器、可變電阻器等上述第1部件30在第1區(qū)域A1內(nèi)通過焊接固定安裝。此外，IC、LSI等上述第2部件36在第2區(qū)域A2內(nèi)通過ACF40安裝。
有關制造電路基片10的制造方法在后文中介紹，圖8所示為該制造方法中所采用的，特別是在安裝第2部件36時采用的熱壓接夾具壓頭72a的端面即加壓面在定位區(qū)域(斜線區(qū)域)與電路基片10之間的位置關系平面圖。
從圖8中可以看出，沒有安裝第1部件30的帶狀區(qū)域A3的寬度W大于安裝第2部件36時采用的熱壓接夾具壓頭72a的端面寬度，此外，壓頭72a的端面與電路基片10構成其長度L等于對置區(qū)域長度的區(qū)域。
因此，即使在安裝第1部件30后采用用于安裝第2部件36的熱壓接夾具的場合下，熱壓接夾具壓頭72a也不會妨礙第1部件30，即在使用中不會發(fā)生碰撞，從而可以順利地進行熱壓接。因此，可以利用壓頭72a可靠地安裝第2部件36。此外在壓頭72a的端面長度L1短于電路基片10的長度的情況下，帶狀區(qū)域A3所形成的區(qū)域長度最好大于壓頭72a的端面與電路基片10的對置區(qū)域長度。
圖1中，在電路基片10的帶狀區(qū)域A3的邊緣部外側設有對準標記23。該對準標記23用于在安裝第2部件36，比如LSI芯片及IC芯片等時，確定相對于LSI芯片上對準標記的規(guī)定位置關系，即決定LSI芯片等的位置。
由于對準標記23設置在帶狀區(qū)域A3邊緣部的外側，所以可以避免在安裝LSI芯片等第2部件36時，設置在第2區(qū)域A2內(nèi)的ACF40膜將對準標記23覆蓋住。此外，由于對準標記23在壓頭56(參見圖8)的對置區(qū)域外側形成，所以不會疏漏對由于與壓頭56的接觸而造成的污染等的發(fā)覺。
盡管只需二個對準標記23便完全可以確定在平面上的位置，但再多一些也無妨。在這種情況下，可以選擇與制造設備相應的容易識別的對準標記。此外，對準標記的設置位置最好在對位位置附近。這是因為如果對準標記遠離對位位置，則會造成基片11變形，從而增大誤差。
如上所述，對于本實施方式下的電路基片10，由于在包括第2區(qū)域A2在內(nèi)的呈帶狀延伸的帶狀區(qū)域A3中不安裝第1部件30，所以在通過焊接將第1部件30安裝固定后，可以采用熱壓接頭72a(參見圖8)通過ACF40安裝第2部件36。因此，可以避免比如在采用表面安裝技術時熱量傳遞到ACF40上的問題，其結果是，該電路基片10不會因ACF40的影響而造成連接可靠性下降，可以采用表面安裝技術安裝第1部件30。
(電路基片制造方法的實施方式)圖7所示為本發(fā)明涉及的電路基片制造方法的一種實施方式。在該制造方法中，首先實施回流焊接固定工序Pa，然后再實施熱壓接工序Pb。
在回流焊接固定工序Pa中，首先將配有規(guī)定下凹圖形的金屬障板(圖中未示出)置于圖2中的基片11的表面上，將漿糊狀焊接料置于該金屬障板上，用刮板將其刮薄，將具有與金屬障板上的障板圖形對應的所需圖形的印刷焊劑到基片11的表面上(工序P1)。這樣，如圖4所示，焊劑22被置于基片11的第1區(qū)域A1內(nèi)的凸起2上。
此外在本實施方式下的漿糊狀焊接料中不含Pb(鉛)，采用的是所謂無鉛焊劑。普通含鉛焊料雖一般以Sn(錫)為主要成份，但含鉛量為40％左右。與此相反，無鉛焊劑中以錫為主要成份，含鉛量為10％以下，之所以采用含鉛量較低的焊劑的原因雖然主要是為了環(huán)保，但也因為這種焊劑的融點高于普通焊劑。
接下來在工序P2中，實施芯片電阻器、芯片電容器、可變電阻器等第1部件30的安裝處理，如圖5所示，在第1區(qū)域A1的凸起2上設置第1部件30。接下來，在回流處理P3中，將載有第1部件30的基片11送入回流爐(圖中未示出)內(nèi)，在該回流爐內(nèi)，向基片11載有第1部件30的一面吹送熱風。這樣，焊劑22將熔化，多個第1部件30將與多個凸起2一道被焊接住。
在本實施方式下采用的回流爐中的基片11的加熱過程遵從于比如圖10所示的加熱溫度分布。在圖10中，水平軸代表在回流爐內(nèi)移動的基片11的某個點的時間變化，縱軸代表該點的溫度變化狀態(tài)。
如圖10所示，送入回流爐內(nèi)并在該爐內(nèi)移動的基片11在時間t1之后溫度升到150-180℃，然后在150-180℃的一定溫度下進行預熱，時間為60-100秒，然后在時間t3下在235-240℃的最高溫度下加熱。通過該加熱，圖5所示的焊劑22將熔融，第1部件30將被固定在凸起2上。在時間t3下的最高溫度附近，基片11在220℃以上溫度中保溫20-25秒。基片11出爐前在回流爐內(nèi)的總時間大約為6分種。
此外在采用普通含鉛焊料作為焊接料的場合下，采用比如圖11所示的回流爐內(nèi)溫度分布。圖11中的溫度分布與圖10所示的無鉛焊接相比，其溫度分布的總體溫度要低一些。具體來說，在時間t1后，溫度升至130-170℃，然后在130-170℃溫度下進行預熱，時間為60-100秒。然后在時間t3下在230℃最高溫度下加熱。在時間t3的最高溫度附近，基片11在200℃以上的溫度中保溫40秒以下。
上述回流焊接工序Pa完成后，第1部件30的焊接過程便結束，接下來轉向熱壓接工序Pb。在該熱壓接工序Pb中，首先在工序P4中，實施如圖12所示的ACF膜貼附工序。在圖12中，在卷繞軸50a上卷繞的長條狀ACF膜材40A可通過張緊滾柱51被卷繞到卷繞軸50b上。
在卷繞軸50a上卷繞的ACF原材料40A如圖12(a)所示，通過在脫膜紙42上層積為長條狀ACF40，然后在ACF40上再層積為覆蓋膜43而成。脫膜紙42比如采用白色PET材料(聚對苯二甲酸乙二醇酯)，厚度為53微米左右。覆蓋膜43比如采用透明的PET材料，厚度為25微米左右。
ACF40通過在比如由環(huán)氧樹脂類熱固性樹脂形成的粘合劑樹脂44中加入一定量的導電性粒子46并使之呈分散狀態(tài)而形成。此外ACF44的厚度設定為35微米。
從卷繞軸50a上拉出來的ACF原材料40A在經(jīng)過剝離滾柱52時，覆蓋膜43被剝離下來，然后被送往裁切裝置53。裁切裝置53如圖12(b)所示，按照使ACF40具有規(guī)定長度L2的方式在長條形ACF40上切出長口K。此時在脫膜紙42上不切口。
接下來將帶有已切出長口K的ACF40的ACF原材料40A置于設有基片11的貼附臺H上。在該貼附臺H上設有配有壓頭56的加壓裝置54。壓頭56通過加熱器進行高溫加熱。
將ACF原材料40A中所帶有的一個ACF40設置到相對基片11規(guī)定的位置上，使壓頭56向圖12下方移動，將ACF原材料40A從脫膜紙42的側面壓貼到基片11上，這樣，ACF40在70℃左右的溫度下經(jīng)過1秒左右可壓貼到基片11上。然后使壓頭56與基片11脫離，返回到退避位置上。脫膜紙42與基片11脫離，只有ACF40留在基片11上。這樣，如圖1所示，ACF40便以覆蓋第2區(qū)域A2這一規(guī)定位置的狀態(tài)被貼合上去。
接下來實施圖7工序P5中的IC芯片等第2部件36的對中及暫時壓接處理。具體來說，在圖2中，按照與第2區(qū)域A2內(nèi)的各導線3對應的方式，通過ACF40將第2部件36置于第2區(qū)域A2上，然后對第2部件36上環(huán)狀設置的端子，即凸塊37進行暫時壓接。此時，為使第2部件36與基片11的相對位置正確，采用圖1中的對準標記23。
在第2部件36的暫時壓接中，具體來說，將圖17所示的基片11置于工作臺71b上，然后實施圖8及圖17所示的對加熱后的第2部件36的傳送和利用熱壓頭71a對第2部件36的壓接。這樣，第2部件36在70℃左右的溫度下經(jīng)過1秒左右通過ACF40壓接到基片11上。通過該加熱及加壓過程，第2部件36被暫時固定到基片11上。
接下來轉入工序P6，實施第2部件36的正式壓接。具體來說，如圖9所示，將基片11置于工作臺72b上，接下來如圖8及圖9所示，通過加熱后的熱壓頭72a對第2部件36進行壓接。這樣，第2部件36在190℃左右溫度下通過大約10秒時間可通過ACF40壓接到基片11上。
通過該加熱和加壓，第2部件36被正式壓接到基片11上，即在最終的固定溫度下被固定住。其結果是，如圖6所示，第2部件36被安裝到第2區(qū)域A2內(nèi)。更具體些說，第三部件36通過ACF40內(nèi)含有的樹脂44被固定到基片11上，然后第2部件36的凸塊37與基片11上的導線3通過ACF40內(nèi)的導電粒子46建立導電關系。
在正式壓接中，在與暫時壓接相比更高的溫度更長的時間下，將第2部件36壓接到基片11上。之所以在實施正式壓接之前要進行暫時壓接，是因為在正式壓接中難以進行第2部件36與基片11之間的位置對位，即對中。
在上述制造過程中，如圖8所示，熱壓頭56、72a所形成的區(qū)域遠遠大于第2部件36和ACF40的長度。但是由于熱壓頭56、72a處于沒有安裝第1部件30的帶狀區(qū)域A3的寬度W的中間位置上，所以不能與第1部件30接觸。
此外在圖9中，位于壓頭72a對面的用于夾持基片11的工作臺72b的形狀未必一定要與壓頭72a的形狀相同。但至少工作臺72b的端面，即基片承載面的面積要等于或大于第2部件36在基片11上的被壓接面的面積。而且第2部件36與工作臺72b之間的位置關系有必要使第2部件36在基片11上的整個被壓接面與工作臺72b的端面平面重合。
如上所述，在本實施方式下的制造方法中，首先對從動部件和機構部件系統(tǒng)第1部件30進行回流處理，即采用表面安裝技術通過焊接安裝到基片11上。然后將ACF40設置到基片11上的規(guī)定位置上，再在其上設置IC芯片等第2部件36，然后再對該第2部件36實施熱壓接。其結果是，可以避免基于比如表面安裝技術的焊接工序中所產(chǎn)生的熱量傳遞到ACF40上，因此不會發(fā)生由ACF40引起的第2部件36連接可靠性的下降，可以通過表面安裝技術等安裝第1部件30。
(顯示裝置的實施方式)圖13所示為本發(fā)明所涉及的顯示裝置的一種實施方式。該實施方式是一種通過單純矩陣方式下的COG(玻璃基層芯片)方式液晶裝置使本發(fā)明處于適用狀態(tài)的實施方式。在該實施方式下，在圖1中的電路基片10的形成中可以包括用于驅(qū)動結構作為顯示裝置的液晶裝置的液晶顯示屏的驅(qū)動電路。
圖13中，作為顯示裝置的液晶裝置80通過將液晶顯示屏82與電路基片10相接而形成。此外在必要時可以在液晶顯示屏82上附設背景照明之類的照明裝置(圖中未示出)及其它附屬結構(圖中未示出)。
液晶顯示屏82配有由環(huán)狀密封材料87在周邊互相接合的一對基片83a與83b，在該基片83a與83b之間形成的間隙即密封間隙內(nèi)封入比如STN(超繞曲向列)型液晶。基片83a與83b一般由透光性材料，比如玻璃、合成樹脂形成。
在基片83a與83b的外表面上通過貼接等方法裝有偏振板86。此外在該基片83a與83b中的至少一個與偏振板86之間插有一個相位差片(圖中未示出)。在其中的基片83a的內(nèi)表面上形成一個條形電極89a。此外在另一個基片83b的內(nèi)表面上形成一個與對置電極89a呈正交關系的條形電極89b。該電極83a與83b采用比如ITO(IndiumTin Oxide氧化銦錫)等透光性導電材料形成。
此外電極83a與83b不限于條形形狀，也可以采用文字、數(shù)字及其它適宜的圖形形成。在圖13中，為便于理解其結構，電極89a及89b的根數(shù)少于實際根數(shù)，互相間的間隔也拉大了，實際中的電極間隔要小，而且根數(shù)要多一些。
另一方面，基片83a配有向?qū)Ψ交?3b外側伸出的外伸部84a，對方基片83b配有向基片83a外側伸出的外伸部84b。在這些外伸部中，通過ACF92安裝有液晶驅(qū)動用IC91a及91b。因此，在另一方外伸部84a中，與液晶驅(qū)動用IC91a的輸入用凸塊連接的外部連接端子85a與89a同時采用比如ITO形成。此外，在對方外伸部84b中，與液晶驅(qū)動用IC91b的輸入用凸塊連接的外部連接端子85b與電極89b同時采用比如ITO形成。
電路基片10與液晶顯示屏82的連接通過比如液晶顯示屏82上基片83a的外伸部84a上形成的外部連接端子85a與電路基片10邊緣部上形成的輸出側第1端子4a之間通過ACF的導電性連接實現(xiàn)，也可以通過基片83b外伸部84b上形成的外部連接端子85b與電路基片10的窄邊部分的邊緣部上形成的輸出側第2端子4b之間通過ACF的導電性連接實現(xiàn)。
ACF與用于在圖1所示的電極基片10上將第2部件36與基片11連接的情形相同，它由粘接樹脂及混入其中的導電性粒子形成，通過熱壓接，利用該粘接樹脂使圖13中的電路基片10與基片83a及83b固接，并通過導電性粒子使電路基片10和各端子4a、4b與液晶顯示屏82的連接端子85a、85b進行導電性連接。
此外在圖13所示的實施方式下，由于采用在液晶顯示屏82的基片83a及83b上直接安裝液晶驅(qū)動用IC91a及91b式結構，即COG(玻璃基層芯片)方式結構，所以沒有必要在電路基片10上設置液晶驅(qū)動用IC。因此，可以考慮采用液晶驅(qū)動用IC以外的其它半導體裝置，比如，電源IC和電源LSI等作為在該情況下安裝在電路基片10上的第2部件36。
(顯示裝置的其它實施方式)圖14所示為本發(fā)明涉及的顯示裝置的其它實施方式。該實施方式為電致發(fā)光顯示裝置中適用本發(fā)明場合下的實施方式，這里的電致發(fā)光裝置100通過在EL顯示屏101上連接電路基片110構成。
如圖15的I-I剖面圖所示，EL顯示屏101的基體材料103上設置數(shù)根陽極，即陽極109b，其間隔互相平行，在這些陽極109b之間形成絕緣膜111，在其上面形成有機電致發(fā)光層102，然后在它上面形成陰極，即陰極109a。
如圖14所示，數(shù)根陽極109b之間的間隔互相平行，整體形成一個條型形狀。此外，數(shù)根陰極109a之間的間隔也同樣互相平行，而且與陽極109b大致正交，整體形成一個條型形狀。此外，有機電致發(fā)光層102在幾乎與陰極109a相同的位置上形成，這一點從作為圖14中II-II剖面圖的圖16中也能看出。
有機電致發(fā)光層102如眾所周知，是一種在將其夾在中間的電極上施加規(guī)定電壓后會對固有顏色感光的物質(zhì)，在本實施方式下，將比如對紅色感光、對綠色感光、對藍色感光的這三種物質(zhì)互相鄰接地設置在一個單元內(nèi)，再將該單元設置到與陽極109b的延伸方向，即陽極109b的長度方向互相平行的位置上。
將紅、綠、藍三色各有機電致發(fā)光層102夾持在其中的陽極109b與陰極109a互相交叉而形成的每個區(qū)域分別形成一個顯示點，三個顯示點形成一個像素。因此，通過將這些像素在平面上進行矩陣排列，可形成用于顯示文字、數(shù)字、圖形等圖像的顯示區(qū)。
在圖14中，驅(qū)動用IC119a通過ACF120安裝在基體材料103下側邊緣部上，驅(qū)動用LSI119b通過ACF120安裝在左側的邊緣部上。驅(qū)動用IC119a的輸入用凸塊與在基體材料103的邊緣部上形成的外部連接端子121a相接，驅(qū)動用LSI119a的輸出用凸塊通過在基體材料103上形成的布線122a與陰極109a相接。另一方面，驅(qū)動用LSI119b的輸入用凸塊與基體材料103上形成的外部連接端子121b相接，驅(qū)動用LSI119b的輸出用凸塊通過基體材料103上形成的布線122b與陽極109b相接。
電路基片110與圖1所示的電路基片10同樣也配有輸出側第1端子4a及輸出側第2端子4b。但是對于圖1中的電路基片10，第1端子24a在電路基片10的外表面形成，第2端子4b在電路基片10的背面形成，而對于圖14中的電路基片110，第1端子4a及第2端子4b雙方都在電路基片110的背面形成。
電路基片110在第1區(qū)域A1中配有第1部件30，在第2區(qū)域A2中配有第2部件36，還配有包括第2區(qū)域A2的帶狀區(qū)域A3，這與圖1所示的電路基片10相同。第2部件36由比如電源IC和電源LSI構成。
由于本實施方式所涉及的電致發(fā)光裝置100具有上述結構，所以通過對各顯示光點的施加于有機電致發(fā)光層102上的電壓的控制，可以使所需座標位置發(fā)出所需顏色的光。通過這種發(fā)光，可以根據(jù)加色法混色原理使文字、數(shù)字、圖形等圖像在所需區(qū)域內(nèi)以所需顏色顯示出來。
(方式改變實例)在以上陳述的實施方法中，雖然只介紹了一例電路基片形狀及電路基片上的部件設置，但電路基片的形狀等在專利范圍內(nèi)陳述的發(fā)明范圍內(nèi)可以做各種改變。
此外，在以上陳述的實施方式中，雖然利用液晶顯示屏及EL顯示屏等顯示單元作為顯示裝置的示例，但顯示裝置并不局限于液晶顯示屏和EL顯示屏，也可以采用CRT顯示器、等離子體顯示器、FED(場致發(fā)射顯示器)等。
此外本發(fā)明不局限于上述各實施方式，在本發(fā)明要點范圍內(nèi)，或者在與專利申請范圍均等的范圍內(nèi)，都可以進行各種其它方式的實施。
權利要求
1.一種電路基片，其特征在于具有基片；由焊接安裝在上述基片上的第1部件；通過各向異性導電膜安裝在上述基片上的第2部件；包含上述第2部件并帶狀延伸，同時不包含上述第1部件的帶狀區(qū)域。
2.權利要求1記載的電路基片，其特征在于上述第1部件為從動元件或機構部件，上述第2部件為半導體裝置。
3.權利要求1或權利要求2記載的電路基片，其特征在于上述帶狀區(qū)域大于安裝上述第2部件時采用的熱壓接壓力頭的加壓面。
4.權利要求1至權利要求3的至少之一記載的電路基片，其特征在于上述帶狀區(qū)域的外側設有對準標記。
5.權利要求1至權利要求4的至少之一記載的電路基片，其特征在于上述焊接包含回流處理。
6.權利要求1至權利要求5的至少之一記載的電路基片，其特征在于設有多個上述第1部件，上述帶狀區(qū)域設置于那些多個第1部件之間。
7.權利要求6記載的電路基片，其特征在于上述第2部件為電源IC或電源LSI。
8.權利要求1至權利要求7的至少之一記載的電路基片，其特征在于上述帶狀區(qū)域從上述基片一端延伸到另一端。
9.權利要求1至權利要求8的至少之一記載的電路基片，其特征在于上述帶狀區(qū)域呈直線狀延伸。
10.權利要求1至權利要求9的至少之一記載的電路基片，其特征在于在上述帶狀區(qū)域中形成布線圖形。
11.權利要求1至權利要求10的至少之一記載的電路基片，其特征在于在相當于上述第2部件的位置的上述基片上形成虛電極。
12.一種顯示裝置，其特征在于具有權利要求1至權利要求11的至少任意一項記載的結構的電路基片；連接該電路基片的顯示單元。
13.權利要求12記載的顯示裝置，其特征在于上述顯示單元由配有基片的液晶裝置構成，而且上述電路基片與上述基片連接。
14.權利要求12或權利要求13記載的顯示裝置，其特征在于設有多個上述第1部件，上述帶狀區(qū)域設置于那些多個第1部件之間，而且上述第2部件是電源IC、電源LSI、液晶驅(qū)動用IC或液晶驅(qū)動用LSI。
15.一種電路基片的制造方法，其特征在于具有由焊接將第1部件安裝到基片的工序；在上述基片上的規(guī)定位置設置各向異性導電膜的工序；將第2部件設置到上述各向異性導電膜上的工序；夾著上述各向異性導電膜將上述第2部件熱壓接到上述基片的工序，在上述基片上的規(guī)定位置設置各向異性導電膜的工序，是在由焊接將上述第1部件安裝到基片的工序之后實施。
16.權利要求15記載的電路基片的制造方法，其特征在于由焊接將上述第1部件安裝到上述基片的上述工序包含回流處理。
全文摘要
提供一種不使第2部件的連接可靠性由于ACF的影響而下降的采用表面安裝技術安裝第1部件而形成的電路基片。系一種配有由焊接安裝的第1部件30及通過ACF40安裝的第2部件36的電路基片10。該電路基片10中具有包含第2部件36帶狀延伸并且不包含第1部件30的帶狀區(qū)域A3。該帶狀區(qū)域A3寬度大于安裝第2部件36所用的熱壓接頭的加壓面。
文檔編號H05K3/32GK1366447SQ0210172
公開日2002年8月28日 申請日期2002年1月14日 優(yōu)先權日2001年1月15日
發(fā)明者小林幸久 申請人:精工愛普生株式會社