專利名稱：改變透明導(dǎo)電層透射率的方法、平板顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示器中使用的透明導(dǎo)電膜，更具體地，涉及一種改變透明導(dǎo)電膜透射率的方法。本發(fā)明還涉及一種平板顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
透明導(dǎo)電膜具有超過(guò)80％的優(yōu)良透射率和高電導(dǎo)率，并且例如用作太陽(yáng)能電池或顯示器的像素電極或公共電極，該顯示器例如為等離子體顯示板(PDP)、液晶顯示器(LCD)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。透明導(dǎo)電膜在傳輸光以再現(xiàn)色彩方面具有非常重要的作用。
圖1示出了一橫截面視圖，示出了具有作為像素電極的透明導(dǎo)電膜的傳統(tǒng)有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示器。
提供一個(gè)具有第一和第二區(qū)501和502的絕緣襯底500。在第一區(qū)501上將形成像素，并將在第二區(qū)502上形成薄膜晶體管(TFT)和存儲(chǔ)電容器。
在絕緣襯底500上形成緩沖層520。在緩沖層520覆蓋第二區(qū)502的部分上形成半導(dǎo)體層530。柵極絕緣層540形成在襯底500的整個(gè)表面上。柵電極551形成在柵極絕緣層540覆蓋半導(dǎo)體層530的部分上。下部電容器電極552同時(shí)形成為柵電極551。
離子注入n型雜質(zhì)或p型雜質(zhì)以形成源極區(qū)和漏極區(qū)531和532。半導(dǎo)體層530在源極區(qū)和漏極區(qū)531和532之間的部分533用作溝道區(qū)。
層間絕緣層560形成在襯底500的整個(gè)表面上。柵極絕緣層540和層間絕緣層560同時(shí)得以蝕刻以暴露部分源極區(qū)和漏極區(qū)531和532，從而形成接觸孔561和562。
接著，在層間絕緣層560上形成源電極和漏電極571和572以分別接觸源極區(qū)和漏極區(qū)531和532。同時(shí)，上部電容器電極573形成來(lái)連接源電極和漏電極571和572中的任何一個(gè)。圖1中，上部電容器電極573連接源電極571。層間絕緣層560形成在下部電容器電極522上的一部分用作電容器的介電層。
隨后，在層間絕緣層560上形成鈍化膜580。蝕刻鈍化膜580以暴露源電極和漏電極571和572中的任何一個(gè)，從而形成通孔581。圖1中，通孔581暴露漏電極572的一部分。
其后，例如由氧化銦錫(ITO)制造的透明導(dǎo)電膜沉積在鈍化膜580上，并被構(gòu)圖，從而在第一區(qū)501上形成像素電極590(即，陽(yáng)極電極)。像素電極590通過(guò)通孔581電連接漏電極572。
接著，在襯底500的整個(gè)表面上形成平坦層600，并對(duì)其構(gòu)圖以形成開(kāi)口部分610。開(kāi)口部分610顯露了部分陽(yáng)極電極590。
在陽(yáng)極電極590的暴露部分上形成有機(jī)EL層620。形成陰極電極630以覆蓋有機(jī)EL層620，從而完成傳統(tǒng)有機(jī)EL顯示器。
諸如上述有源矩陣有機(jī)EL顯示器的平板顯示器包括開(kāi)關(guān)元件和用以向開(kāi)關(guān)元件施加電源的引線(wire line)。環(huán)境光自金屬制造的引線反射，于是對(duì)比度降低。也即，環(huán)境光自下部和上部電容器電極、源電極和漏電極、以及陰極電極反射。
可以設(shè)置偏振器來(lái)防止對(duì)比度降低。然而，采納偏振器的成本高，增加了有機(jī)EL顯示器的整體制造費(fèi)用。此外，偏振器遮擋了從有機(jī)EL層620發(fā)射的光，于是降低了透射率，導(dǎo)致低亮度。
可選地，可以在不包括第一區(qū)501的第二區(qū)502的剩余部分上形成由Cr/CrOx或有機(jī)材料制造的黑矩陣(black matrix)，以防止對(duì)比度降低。然而，這要求額外的掩模工序以形成黑矩陣。此外，隨著第一和第二區(qū)501和502之間的臺(tái)階差(step difference)增大(加深)，柵電極551與源電極和漏電極531和532之間的短路可能發(fā)生。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種具有高對(duì)比的平板顯示器，及其改進(jìn)的制造方法。
本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)將在以下的說(shuō)明中部分提及，并且因該說(shuō)明而部分地清晰，或可由本發(fā)明的實(shí)施而理解。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明一實(shí)施例的以上和其它目的，提供一種改變透明導(dǎo)電膜的透射率的方法，該方法包括在一個(gè)襯底上形成透明導(dǎo)電膜，以及將高能量源注入到該透明導(dǎo)電膜中，以改變透明導(dǎo)電膜的透射率。
該高能量源例如為被加速的離子。被加速的離子可以包括H、P、B、As和Ar中的一種。高能量源以例如40KeV至100KeV的能量注入。該高能量源以不同的能量級(jí)別至少注入一次。高能量源的注入劑量例如為3×1015ions/cm2至2×1016ions/cm2。透明導(dǎo)電膜可以包括ITO、氧化銦(IO)、氧化錫(TO)、氧化銦鋅(IZO)和氧化鋅(ZnO)，且具有400埃至4000埃的厚度。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，改變透明導(dǎo)電膜的透射率的方法包括在襯底上形成透明導(dǎo)電膜；在透明導(dǎo)電膜上形成掩模以暴露部分透明導(dǎo)電膜；以及將高能量源注入到透明導(dǎo)電膜的暴露部分中，以改變透明導(dǎo)電膜的透射率。
高能量源以例如40KeV至100KeV的能量注入。掩模包括光致抗蝕劑膜、絕緣膜和導(dǎo)電膜中的一種。
根據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施例，提供一種制造平板顯示器的方法，該方法包括提供具有第一和第二區(qū)的絕緣襯底(“襯底”)；利用網(wǎng)膜版掩模(half-tone mask)分別在第一和第二區(qū)上形成像素電極和黑矩陣；在襯底的整個(gè)表面上形成絕緣層；在相應(yīng)于黑矩陣的區(qū)域上形成電連接像素電極的薄膜晶體管；在襯底的整個(gè)表面上形成平坦層；以及形成開(kāi)口部分以暴露部分像素電極。
形成像素電極和黑矩陣包括在襯底的整個(gè)表面上形成透明導(dǎo)電膜；在透明導(dǎo)電膜上涂覆光敏膜；構(gòu)圖光敏膜以分別在第一和第二區(qū)域上形成第一和第二光敏圖案，其中第一光敏圖案具有比第二光敏圖案厚的厚度；利用第一和第二光敏圖案蝕刻透明導(dǎo)電膜，以形成第一和第二透明導(dǎo)電圖案；將雜質(zhì)離子摻雜到第二透明導(dǎo)電圖案中，從而形成黑矩陣，其中第一光敏圖案用作掩模來(lái)防止雜質(zhì)離子摻雜到第二透明導(dǎo)電圖案中；以及去除第一光敏圖案的其余部分，從而形成像素電極。
該雜質(zhì)以例如40KeV至100KeV的能量離子摻雜至少一次。
根據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施例，制造平板顯示器的方法包括提供具有第一和第二區(qū)的絕緣襯底；在襯底的整個(gè)表面上形成透明導(dǎo)電膜；形成光敏膜以暴露透明導(dǎo)電膜與襯底第二區(qū)相應(yīng)的部分；利用光敏膜作為掩模將雜質(zhì)離子摻雜到透明導(dǎo)電膜的暴露部分中，從而形成黑矩陣；在襯底的整個(gè)表面上形成第一絕緣層；在第一絕緣層相應(yīng)于黑矩陣的部分上形成薄膜晶體管；在襯底的整個(gè)表面上形成第二絕緣層；在第二絕緣層的相應(yīng)于襯底第一區(qū)的部分上形成與薄膜晶體管電連接的像素電極；在襯底的整個(gè)表面上形成第三絕緣層；以及，形成開(kāi)口部分以暴露部分像素電極。
該雜質(zhì)以例如40KeV至100KeV的能量離子摻雜至少一次。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供一種平板顯示器，其包括具有第一和第二區(qū)的絕緣襯底、以及具有第一和第二圖案的透明導(dǎo)電膜，其中，形成在第一區(qū)上的第一圖案用作像素電極，形成在第二區(qū)上的第二圖案用作黑矩陣。
該透明導(dǎo)電膜的第二圖案的透射率通過(guò)離子摻雜操作改變。透明導(dǎo)電膜的第一和第二圖案可以彼此分隔，或可彼此整體連接。


通過(guò)以下結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行的說(shuō)明，本發(fā)明的這些和其它目的和優(yōu)點(diǎn)將變得更清楚和更易于理解，圖中圖1是橫截面視圖，示出了具有作為像素電極的透明導(dǎo)電膜的傳統(tǒng)有機(jī)EL顯示器；圖2A和2B是橫截面視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例改變透明導(dǎo)電膜的透射率的方法；圖3是一曲線圖，示出了透明導(dǎo)電膜相應(yīng)于離子摻雜雜質(zhì)的劑量的透射率；圖4是一曲線圖，示出了透明導(dǎo)電膜相應(yīng)于離子摻雜方法的透射率；圖5是一曲線圖，示出了透明導(dǎo)電膜相應(yīng)于透明導(dǎo)電膜厚度的透射率；圖6是一曲線圖，示出了透明導(dǎo)電膜相應(yīng)于離子摻雜能量的透射率；圖7是一曲線圖，示出了透明導(dǎo)電膜相應(yīng)于雜質(zhì)劑量的功函數(shù)；圖8A和8B是橫截面視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例改變透明導(dǎo)電膜的透射率的方法；圖9A至9D是橫截面視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例制造有機(jī)EL顯示器的方法；以及圖10A至10C是橫截面視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例制造有機(jī)EL顯示器的方法。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在詳細(xì)參照本發(fā)明的實(shí)施例，實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。以下說(shuō)明實(shí)施例，以參照附圖闡述本發(fā)明。
圖2A和2B示出了橫截面視圖，說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例改變透明導(dǎo)電膜12的透射率的方法。
如圖2A所示，在襯底10上形成透明導(dǎo)電膜12。高能加速的雜質(zhì)14被離子摻雜到透明導(dǎo)電膜12中，以改變透射率，如圖2B所示。即，獲得了具有例如低透射率的透明導(dǎo)電膜15。
此處，諸如H、P、B、As或Ar的雜質(zhì)14由40KeV至100KeV的高能量加速，并利用例如離子注入機(jī)或離子簇射機(jī)來(lái)離子摻雜。雜質(zhì)14的劑量在3×1015ions/cm2至2×1016ions/em2之間。透明導(dǎo)電膜12具有400埃至4000埃的厚度，并由氧化銦錫(ITO)、氧化銦(IO)、氧化錫(TO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋅(ZnO)中的一種制造。
圖3示出了一曲線圖，示出了透明導(dǎo)電膜相應(yīng)于離子摻雜的雜質(zhì)的劑量的透射率。透明導(dǎo)電膜的透射率在離子摻雜雜質(zhì)時(shí)改變。如圖3所示，偏振片(例如，λ/4波片)具有40％的透射率，而由雜質(zhì)離子摻雜的、具有1.5×1016ions/cm2劑量的透明導(dǎo)電膜具有30％的透射率。
透明導(dǎo)電膜的透射率通過(guò)雜質(zhì)的離子摻雜改變，因?yàn)檠踉陔x子摻雜操作過(guò)程中因加速的雜質(zhì)的轟擊而離開(kāi)。也即，因?yàn)檠趺撾x透明導(dǎo)電膜，透明導(dǎo)電膜的金屬成分相對(duì)增加，從而降低了透明導(dǎo)電膜的透射率。
圖4示出了一曲線圖，示出了透明導(dǎo)電膜相應(yīng)于離子摻雜方法的透射率。如圖4所示，在重復(fù)地離子摻雜由不同能量加速的加速離子的曲線上，透明導(dǎo)電膜的透射率可以降得更低。
例如，按以下方式處理的透明導(dǎo)電膜(即，厚2000埃的ITO)比以70KeV能量、以1.5×1016ions/cm2劑量的B2H6離子摻雜一次的同樣透明導(dǎo)電膜具有更低的透射率，該方式為1)以70KeV能量、以1.0×1016ions/cm2劑量的B2H6離子摻雜；2)以40KeV能量、以0.5×1016ions/cm2劑量的B2H6再次離子摻雜。
此處，以上1)和2)條件下的離子摻雜方法的總劑量(1.0×1016ions/cm2+0.5×1016ions/cm2)被設(shè)置成等于一次離子摻雜方法的劑量(1.5×1016ions/cm2)。
圖5顯示了一曲線圖，示出了透明導(dǎo)電膜相應(yīng)于透明導(dǎo)電膜厚度的透射率。如圖5所示，隨著透明導(dǎo)電膜厚度的增加，透明導(dǎo)電膜的透射率下降。
圖6示出了一曲線圖，示出了透明導(dǎo)電膜相應(yīng)于所用離子摻雜能量的透射率。如圖6所示，在離子摻雜能量超過(guò)40keV的曲線中，透明導(dǎo)電膜的透射率低于偏振片。
圖7顯示了一曲線，示出透明導(dǎo)電膜相應(yīng)于雜質(zhì)劑量的功函數(shù)。如圖7所示，隨著雜質(zhì)劑量減小，透明導(dǎo)電膜的功函數(shù)減小。這是因?yàn)橥该鲗?dǎo)電膜的氧與加速的離子反應(yīng)，于是透明導(dǎo)電膜的氧含量降低。
圖8A和8B顯示了橫截面視圖，示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例改變透明導(dǎo)電膜22的透射率的方法。
參照?qǐng)D8A，透明導(dǎo)電膜22形成在襯底20上。掩模23形成在透明導(dǎo)電膜22上，以暴露部分透明導(dǎo)電膜22，其中透射率將被改變。
參照?qǐng)D8B，由高能量加速的雜質(zhì)24被離子摻雜到透明導(dǎo)電膜22的暴露部分中。結(jié)果，透明導(dǎo)電膜22具有摻雜部分22a和非摻雜區(qū)22b。透明導(dǎo)電膜22的摻雜部分22a具有低于非摻雜區(qū)22b的透射率。
此處，諸如H、P、B、As或Ar的雜質(zhì)40由40keV至100keV的高能量加速，并通過(guò)利用離子注入機(jī)或離子簇射機(jī)而被離子摻雜。雜質(zhì)40的劑量在3×1015ions/cm2和2×1016ions/cm2之間。
掩模23由光敏膜、絕緣膜、導(dǎo)電膜或任意種類可阻擋雜質(zhì)被離子摻雜到透明導(dǎo)電膜22的非摻雜區(qū)22b中的材料中的一種制成。
透明導(dǎo)電膜22的非摻雜區(qū)22b用作顯示器的像素電極或公共電極，且透明導(dǎo)電膜22的摻雜部分22a用作黑矩陣。
以下，將集中于有機(jī)EL顯示器說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明制造平板顯示器的方法。
圖9A至9D顯示了橫截面視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例制造有機(jī)EL顯示器的方法。
參照?qǐng)D9A，提供具有第一和第二區(qū)101和102的透明絕緣襯底(“襯底”)100。第一區(qū)101是其中將要形成例如薄膜晶體管(TFT)和電容器的區(qū)域。第二區(qū)102是其中將要形成有機(jī)EL元件的區(qū)域。
透明導(dǎo)電膜120形成在襯底100上。在透明導(dǎo)電膜120上涂敷光敏膜130。光敏膜130由例如光致抗蝕劑、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚酰亞胺(PI)、丙烯中的一種制造。
利用網(wǎng)膜版掩模250構(gòu)圖光敏膜130以形成第一光敏構(gòu)圖131和第二光敏構(gòu)圖132，如圖8B所示。
網(wǎng)膜版掩模250包括半透明部分251和遮光部分252。網(wǎng)膜版掩模250除半透明部分251和遮光部分252以外的其余部分為透光部分。半透明部分251形成在相應(yīng)于黑矩陣的位置上，該黑矩陣將在以下說(shuō)明的操作中形成。遮光部分252形成在相應(yīng)于像素電極的位置上，該像素電極將在以下說(shuō)明的操作中形成。
形成在襯底100的第二區(qū)102上的第二光敏圖案132具有與光敏膜130相同的厚度，而形成在第一區(qū)101上的第一光敏圖案131具有比光敏膜130薄的厚度。
參見(jiàn)圖9C，利用第一和第二光敏圖案131和132作為掩模構(gòu)圖透明導(dǎo)電膜120，從而形成第一和第二透明導(dǎo)電圖案120a和120b。此時(shí)，在第一透明導(dǎo)電膜120a上無(wú)任何殘留，但是第二光敏圖案132未去除并保留在第二透明導(dǎo)電膜120b上。
接著，通過(guò)40keV至100keV的高能量加速雜質(zhì)，并將雜質(zhì)離子摻雜到第一和第二透明導(dǎo)電膜120a和120b中。然而，因?yàn)榈诙饷魣D案132用作掩模，所以雜質(zhì)僅離子摻雜到第一透明導(dǎo)電膜120a中。此處，離子摻雜工序可重復(fù)進(jìn)行，以將第一透明導(dǎo)電膜120a的透射率降低到所需水平。
因此，由于第一透明導(dǎo)電膜120a的氧含量降低，所以第一透明導(dǎo)電膜120a的透射率改變，因此折射系數(shù)改變，以使第一透明導(dǎo)電膜120a用作黑矩陣，該黑矩陣防止了由有機(jī)EL顯示器的金屬線引起的光反射。
然而，第二透明導(dǎo)電膜120b的透射率未變。因此，第二透明導(dǎo)電膜120b用作像素電極。
參見(jiàn)圖9D，在襯底100的整個(gè)表面上形成緩沖層140。半導(dǎo)體層150形成在緩沖層140在襯底100第一區(qū)101上的部分上。柵極絕緣層160形成在襯底100的整個(gè)表面上。
柵電極171形成在柵極絕緣層160的位于半導(dǎo)體層150上的部分上。同時(shí)，下部電容器電極175形成在襯底100的第一區(qū)101上。利用柵電極作為掩模，將n型雜質(zhì)或p型雜質(zhì)離子摻雜到半導(dǎo)體層150中，以形成源極區(qū)和漏極區(qū)151和152。此處，半導(dǎo)體層150在源極區(qū)和漏極區(qū)151和152之間的部分153用作溝道區(qū)。
在襯底100的整個(gè)表面上形成層間絕緣層180。形成第一至第三接觸孔181至183，以分別暴露部分源極區(qū)和漏極區(qū)151和152、以及部分像素電極120b。
金屬層沉積在層間絕緣層180上，并被構(gòu)圖以形成源電極和漏電極191和192、以及上部電容器電極193。源電極191通過(guò)第一接觸孔181電連接至源極區(qū)151。漏電極192分別通過(guò)第二和第三接觸孔182和183電連接至漏極區(qū)152和像素電極120b。上部電容器電極193連接至源電極191。
形成平坦層200。形成開(kāi)口部分210以顯露部分像素電極120b。以下，即使未示出，有機(jī)EL層也形成在像素電極120b的暴露部分上，且陰極電極形成得覆蓋有機(jī)EL層。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明制造有機(jī)EL顯示器的方法僅需六道掩模操作，因此制造工藝簡(jiǎn)化。此外，自有機(jī)EL層發(fā)射的光所經(jīng)過(guò)的層減少，且黑矩陣形成在除像素區(qū)102外的其它區(qū)域上，從而提高了對(duì)比度和亮度。
需要理解的是，網(wǎng)膜版掩?？梢栽O(shè)計(jì)成僅包括半透明部分和遮光部分。在此情形下，黑矩陣和像素電極不分隔并彼此連接，從而防止了透明導(dǎo)電膜的臺(tái)階部分的出現(xiàn)。
圖10A至10C顯示了橫截面視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的有機(jī)EL顯示器的制造方法。
參照?qǐng)D10A，提供具有第一和第二區(qū)301和302的透明絕緣襯底300。第一區(qū)301是其中將形成薄膜晶體管(TFT)和電容器的區(qū)域。第二區(qū)302是其中將形成有機(jī)EL元件的區(qū)域。透明導(dǎo)電膜310形成在襯底300上。
在透明導(dǎo)電膜310上涂敷光敏膜325，并對(duì)其構(gòu)圖以暴露透明導(dǎo)電膜310在襯底300第一區(qū)301上的部分，如圖10B所示。
雜質(zhì)(由圖10B的箭頭顯示)被高能量加速，并被離子摻雜到透明導(dǎo)電膜310上，從而形成黑矩陣。即，透明導(dǎo)電膜310的非摻雜部分310a用于例如傳輸自有機(jī)EL層發(fā)射的光，該有機(jī)EL層將在以下所述的操作中形成，且透明導(dǎo)電膜310的摻雜部分310b用作黑矩陣。離子摻雜工藝由與上述相同的操作進(jìn)行。
參見(jiàn)圖10C，在襯底300的整個(gè)表面上形成緩沖層320。在緩沖層320的在襯底300的第一區(qū)301上的部分上形成半導(dǎo)體層330。柵極絕緣層340形成在襯底300的整個(gè)表面上。
柵電極351形成在柵極絕緣層340在半導(dǎo)體層330上的部分上。同時(shí)，在襯底300的第一區(qū)301上形成下部電容器電極355。將柵電極351用作掩模，將n型雜質(zhì)或p型雜質(zhì)離子摻雜到半導(dǎo)體層330中，形成源極區(qū)和漏極區(qū)331和332。然而，半導(dǎo)體層330在源極區(qū)和漏極區(qū)331和332之間的部分353用作溝道區(qū)。
層間絕緣層360形成在襯底300的整個(gè)表面上。形成第一和第二接觸孔361和362，以顯露部分源極區(qū)和漏極區(qū)331和332。
金屬層沉積在層間絕緣層360上，并被構(gòu)圖以形成源電極和漏電極371和372、以及上部電容器電極373。源電極371通過(guò)第一接觸孔361與源極區(qū)331電連接。漏電極372通過(guò)第二接觸孔362電連接漏極區(qū)332。上部電容器電極373連接源電極371。
在襯底300的整個(gè)表面上形成鈍化膜380。形成通孔以暴露部分漏電極372。像素電極390形成在鈍化膜380在襯底300第二區(qū)302上的部分上，并通過(guò)接觸孔381電連接到漏電極372。
在襯底300的整個(gè)表面上形成平坦層400。形成開(kāi)口部分401以暴露部分像素電極390。有機(jī)EL層410形成在像素電極390的暴露得部分上，且形成陰極電極420以覆蓋有機(jī)EL層390。
雖然在緩沖層320前形成了黑矩陣，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，黑矩陣可在緩沖層320之后形成。
如上所述，透明導(dǎo)電膜的一部分的透射率可以通過(guò)離子摻雜操作來(lái)改變，以在提供公共電極或像素電極的同時(shí)提供黑矩陣。
因?yàn)榭梢岳靡坏姥谀２僮鱽?lái)同時(shí)形成像素電極和黑矩陣，所以整個(gè)制造工藝簡(jiǎn)化，導(dǎo)致了高的生產(chǎn)量。此外，在不利用高成本的偏振片的情況下，防止了光反射，導(dǎo)致了低的制造成本和高的亮度。
雖然本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例已經(jīng)得以顯示和說(shuō)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離本發(fā)明的宗旨和精髓的情況下，可對(duì)實(shí)施例進(jìn)行改變，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求和其等價(jià)物確定。
權(quán)利要求
1.一種改變透明導(dǎo)電膜的透射率的方法，該方法包括在一個(gè)襯底上形成透明導(dǎo)電膜；以及將高能量源注入到該透明導(dǎo)電膜中，以改變透明導(dǎo)電膜的透射率。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該高能量源為被加速的離子。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，被加速的離子包括H、P、B、As和Ar中的一種。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，高能量源以40keV至100keV的能量注入。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，該高能量源以不同的能量注入至少一次。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，高能量源的注入劑量為3×1015ions/cm2至2×1016ions/cm2。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，透明導(dǎo)電膜包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦(IO)、氧化錫(TO)、氧化銦鋅(IZO)和氧化鋅(ZnO)中的一種。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，透明導(dǎo)電膜具有400埃至4000埃的厚度。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在透明導(dǎo)電膜上形成掩模，以顯露部分透明導(dǎo)電膜。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，掩模包括光致抗蝕劑膜、絕緣膜和導(dǎo)電膜中的一種。
11.一種制造平板顯示器的方法，該方法包括提供具有第一和第二區(qū)的絕緣襯底；利用網(wǎng)膜版掩模分別在第一和第二區(qū)上形成像素電極和黑矩陣；在絕緣襯底的整個(gè)表面上形成絕緣層；在相應(yīng)于黑矩陣的區(qū)域上形成電連接像素電極的薄膜晶體管；在絕緣襯底的整個(gè)表面上形成平坦層；以及形成開(kāi)口部分以暴露部分像素電極。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，像素電極和黑矩陣的形成包括在絕緣襯底的整個(gè)表面上形成透明導(dǎo)電膜；在透明導(dǎo)電膜上涂覆光敏膜；構(gòu)圖光敏膜以分別在第一和第二區(qū)域上形成第一和第二光敏圖案，其中第一光敏圖案具有比第二光敏圖案厚的厚度；利用第一和第二光敏圖案蝕刻透明導(dǎo)電膜，形成第一和第二透明導(dǎo)電圖案；將雜質(zhì)離子摻雜到第二透明導(dǎo)電圖案中，從而形成黑矩陣，其中第一光敏圖案用作掩模來(lái)防止雜質(zhì)離子摻雜到第二透明導(dǎo)電圖案中；以及去除第一光敏圖案的其余部分，從而形成像素電極。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，雜質(zhì)以40keV至100keV的能量離子摻雜至少一次。
14.一種制造平板顯示器的方法，該方法包括提供具有第一和第二區(qū)的絕緣襯底；在絕緣襯底的整個(gè)表面上形成透明導(dǎo)電膜；形成光敏膜以暴露透明導(dǎo)電膜與絕緣襯底的第二區(qū)相應(yīng)的部分；利用光敏膜作為掩模離子摻雜雜質(zhì)到透明導(dǎo)電膜的暴露部分中，從而形成黑矩陣；在絕緣襯底的整個(gè)表面上形成第一絕緣層；在第一絕緣層相應(yīng)于黑矩陣的部分上形成薄膜晶體管；在絕緣襯底的整個(gè)表面上形成第二絕緣層；在第二絕緣層的相應(yīng)于絕緣襯底第一區(qū)的部分上形成與薄膜晶體管電連接的像素電極；在絕緣襯底的整個(gè)表面上形成第三絕緣層；以及形成開(kāi)口部分以暴露部分像素電極。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，雜質(zhì)以40keV至100keV的能量離子摻雜至少一次。
16.一種平板顯示器，包括具有第一和第二區(qū)的絕緣襯底；以及具有第一和第二圖案的透明導(dǎo)電膜，其中，第一圖案形成在第一區(qū)上并用作像素電極，第二圖案形成在第二區(qū)上并用作黑矩陣。
17.如權(quán)利要求16所述的平板顯示器，其中，透明導(dǎo)電膜的第二圖案具有通過(guò)離子摻雜工藝改變的透射率。
18.如權(quán)利要求16所述的平板顯示器，其中，透明導(dǎo)電膜的第一和第二圖案彼此分隔。
19.如權(quán)利要求16所述的平板顯示器，其中，透明導(dǎo)電膜的第一和第二圖案彼此整體相連。
20.如權(quán)利要求1所述的方法，其中透明導(dǎo)電膜包括金屬成分含量和氧含量；以及高能量源到透明導(dǎo)電膜內(nèi)的注入減少了透明導(dǎo)電膜的氧含量。
21.如權(quán)利要求6所述的方法，其中高能量源的注入包括以40keV至100keV的一個(gè)能量注入一部分劑量；以及以40keV至100keV的一個(gè)不同的能量注入另一部分劑量。
22.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，透明導(dǎo)電膜的透射率還通過(guò)改變襯底上透明導(dǎo)電膜的厚度改變。
23.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，重復(fù)雜質(zhì)到暴露部分中的離子摻雜，直到在透明導(dǎo)電膜的暴露部分中獲得所需的透射率。
24.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，透明導(dǎo)電膜的第二圖案具有與透明導(dǎo)電膜的第一圖案不同的折射系數(shù)。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中，透明導(dǎo)電膜的第一圖案具有比透明導(dǎo)電膜的第二圖案高的氧含量。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種改變透明導(dǎo)電層透射率的方法、平板顯示器及其制造方法。該方法包括在一個(gè)襯底上形成透明導(dǎo)電膜；以及將高能量源注入到該透明導(dǎo)電膜中,以改變透明導(dǎo)電膜的透射率。
文檔編號(hào)H05B33/28GK1423344SQ0215242
公開(kāi)日2003年6月11日 申請(qǐng)日期2002年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月29日
發(fā)明者樸商一, 金昌樹(shù) 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社