專利名稱：電磁波阻隔膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電磁波阻隔膜，尤指一種具多洞孔配置的電磁波阻隔膜，其是應(yīng)用電磁學(xué)的楞次(Lenz)定理，使入射電磁波射至電磁波阻隔膜時(shí)，讓電磁波阻隔膜感應(yīng)而產(chǎn)生環(huán)繞其洞孔的電流，并利用環(huán)繞洞孔的電流以產(chǎn)生方向與入射電磁波磁場(chǎng)相反方向的磁場(chǎng)，來抵抗入射電磁波的磁場(chǎng)。本實(shí)用新型電磁波阻隔膜具有阻隔電磁波的功效。
背景技術(shù)：
電磁波對(duì)特定電器設(shè)備或電路元件會(huì)發(fā)生干擾，甚至可能嚴(yán)重影響相關(guān)設(shè)備或元件的正常運(yùn)作，這是眾所周知的。近年來，有關(guān)電磁波可能對(duì)人體健康有影響的研究更見積極，已有人在所謂現(xiàn)代化的高聳大型建筑物外墻，創(chuàng)新設(shè)計(jì)阻擋電磁波穿透的措施，尤有進(jìn)者，更有將阻隔電磁波穿透的觀念實(shí)際應(yīng)用在人們穿著的服裝設(shè)計(jì)上，目的無非為避免標(biāo)的物受到電磁波干擾、或怕影響人體健康等。
為避免電磁波干擾，早期做法例如使用讓電磁波能量衰減的方式，亦即例如使用一屏壁，當(dāng)所有屏壁的厚度越厚時(shí)，射入電磁波穿透屏壁的量就越少，此種措施主要是基于用屏壁的厚度來阻擋入射電磁波的能量，以使入射電磁波的能量因屏壁的阻擋而衰減，以達(dá)到阻隔電磁波的效果。
另一類為避免電磁波干擾的措施，例如采用涂布有導(dǎo)電顆粒的導(dǎo)電泡綿、金屬導(dǎo)電薄片、或金屬導(dǎo)電網(wǎng)等。這些措施相對(duì)于本實(shí)用新型而言，都各有缺點(diǎn)。例如涂布有導(dǎo)電顆粒的導(dǎo)電泡綿，其制作相對(duì)復(fù)雜，就金屬導(dǎo)電薄片而言，由于其通常是整片罩住為避免電磁波干擾的標(biāo)的物，因此散熱問題，常伴隨必須解決的難題；至于金屬網(wǎng)，其亦如金屬薄片般，一般是以導(dǎo)電片接地來成就阻隔電磁波。雖金屬薄片及/或金屬網(wǎng)的導(dǎo)電性一般甚好，對(duì)電場(chǎng)通常能達(dá)到與其阻隔的效果，但同時(shí)也因其接地且導(dǎo)電性甚好，對(duì)磁場(chǎng)的阻隔遠(yuǎn)不及對(duì)電場(chǎng)的阻隔效果，這是物理界存在已久的問題。
此外，為避免電磁波干擾的措施，也有使用帶狀傳導(dǎo)薄膜或小方格傳導(dǎo)薄膜的，例如專利公告號(hào)為“359046”的“無線電波吸收面板”可為代表。該習(xí)知技藝的“無線電波吸收面板”保護(hù)一傳導(dǎo)薄膜，且該傳導(dǎo)薄膜是以帶狀型式或是以矩陣型式設(shè)置。
本發(fā)明人有感于無線通信已然將蔚為世界的通信主流，精巧電磁波阻隔膜的市場(chǎng)需求將無可限量。然而，可有效吸收或阻隔電磁波達(dá)到高標(biāo)準(zhǔn)的(例如90％以上)的產(chǎn)品，一般限于歐美國(guó)防、航空工業(yè)，國(guó)內(nèi)在這方面的技術(shù)研究與產(chǎn)品，深受制于外商且被外商壟斷。
有鑒于開發(fā)自有技術(shù)以及破除外商壟斷的重要性，實(shí)用新型人認(rèn)為研發(fā)此既有產(chǎn)品更能有效吸收或阻隔電磁波，且造價(jià)成本低，并有機(jī)會(huì)打破壟斷。

發(fā)明內(nèi)容
對(duì)于一般電子及通信業(yè)而言，本實(shí)用新型的目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于制作，價(jià)格低廉，更能有效吸收或阻隔電磁波的電磁波阻隔膜。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采取以下技術(shù)方案一種電磁波阻隔膜，其特征在于包含一具導(dǎo)電性但不作接地的導(dǎo)電薄膜，且在所述導(dǎo)電薄膜上設(shè)置多數(shù)個(gè)洞孔。
所述導(dǎo)電薄膜上所形成的洞孔為呈陣列配置的矩格洞孔。
所述導(dǎo)電薄膜上所形成的洞孔為呈陣列配置的圓格洞孔。
所述導(dǎo)電薄膜上所形成的洞孔為至少包含兩種洞孔形狀。
所述導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)選自金、銀、銅、鐵、鋁、鎳、錳、碳、合金、有機(jī)物、無紡布，ITO及化合物的任一種。
它還包含第一絕緣薄膜層，所述導(dǎo)電薄膜形成于所述第一絕緣薄膜層上。
所述導(dǎo)電薄膜應(yīng)用涂布、蒸鍍、電漿、淺鍍、印刷、沖壓、蝕刻及夾層的任一方式形成在所述絕緣薄膜層上。
所述絕緣薄膜層的材質(zhì)系選自塑膠、橡膠、布料、化合物的任一者。
所述矩格洞孔的邊長(zhǎng)為0.01mm至50mm。
所述圓格洞孔的直徑為0.01mm至50mm。
本實(shí)用新型與現(xiàn)有傳統(tǒng)技術(shù)比較，不難看出本實(shí)用新型的導(dǎo)電薄膜的圖形與已有專利案的傳導(dǎo)薄膜圖形截然有別。本實(shí)用新型的電磁波阻隔膜，是在導(dǎo)電薄膜上設(shè)置具有多數(shù)個(gè)陣列配置的洞孔，與專利案的傳導(dǎo)薄膜形式為帶狀形式，兩者不同。本實(shí)用新型的導(dǎo)電薄膜圖形是多數(shù)洞孔呈陣列配置，也不同于已有專利案的傳導(dǎo)薄膜配置，該專利案是以多數(shù)個(gè)方格傳導(dǎo)薄膜呈矩陣的型式配置。換言之，本實(shí)用新型是在導(dǎo)電薄膜上設(shè)置洞孔，而就上述專利案而言，其是在相對(duì)于本實(shí)用新型形成洞孔的部位，形成方格傳導(dǎo)薄膜而并非為洞孔。本實(shí)用新型的洞孔呈陣列配置，上述專利案是方格傳導(dǎo)薄膜呈陣列配置，故本實(shí)用新型的導(dǎo)電薄膜與上述專利案的方格傳導(dǎo)薄膜兩者截然不同。此外已有專利所揭露的“無線電波吸收面板”，就其整體構(gòu)造而言，本實(shí)用新型要簡(jiǎn)單得多。本實(shí)用新型除了在功能上能與現(xiàn)有產(chǎn)品媲美外，在構(gòu)造上也非常精簡(jiǎn)，且易于制作，具有很好的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)性。


圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例二圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例三圖4是用以量測(cè)磁電波穿透損失的示意圖圖5是分別顯示上述各實(shí)施例阻隔磁電波穿透損失相對(duì)電磁波頻率的圖表圖6是顯示實(shí)施例一導(dǎo)電膜表面電阻不同時(shí)，阻隔磁電波穿透損失相對(duì)電磁波頻率的圖表圖7是傳統(tǒng)導(dǎo)電泡綿阻隔磁電波穿透損失與本實(shí)用新型的對(duì)比顯示圖表具體實(shí)施方式
實(shí)施例一如圖1所示，電磁波阻隔膜10A，可以僅包括一具有多數(shù)個(gè)洞孔1a呈陣列配置的導(dǎo)電薄膜10a所構(gòu)成。白色方格部分表示洞孔1a，黑色部分表示導(dǎo)電薄膜10a，大略為由X軸向的行導(dǎo)電薄膜Xa與Y軸向的列導(dǎo)電薄膜Ya所構(gòu)成。白色方格部分表示的洞孔1a，每方格尺寸及間距可根據(jù)所欲阻隔的電磁波頻率、導(dǎo)電膜材質(zhì)、及其用途區(qū)別，而在設(shè)計(jì)上作調(diào)整。就本實(shí)施例而言，為了配合以下實(shí)驗(yàn)說明，白色方格的每一方格大小及間距選定為5mm。
如上所述，當(dāng)一入射電磁波射至上述具有多數(shù)個(gè)洞孔1a呈陣列配置的導(dǎo)電薄膜10a時(shí)，根據(jù)電磁學(xué)原理，在導(dǎo)電薄膜10a上，會(huì)感應(yīng)產(chǎn)生一環(huán)繞洞孔1a的電流，當(dāng)電流環(huán)繞洞孔1a流動(dòng)時(shí)，也會(huì)產(chǎn)生一磁場(chǎng)。由于該磁場(chǎng)方向與上述入射電磁波的磁場(chǎng)方向呈相反方向，因此該磁場(chǎng)具有抵抗或抵消上述入射電磁波的磁場(chǎng)。換言之，本實(shí)用新型的電磁波阻隔膜10A具有阻隔入射電磁波的功效。
實(shí)施例二如圖2所示，電磁波阻隔膜10B中，白色方格部分表示洞孔1b，黑色部分表示導(dǎo)電薄膜10b。本實(shí)施例與實(shí)施例一稍有差異的地方在于，為了配合以下實(shí)驗(yàn)的比較說明，將白色方格的每一方格大小及間距選定為10mm。
實(shí)施例三如圖3所示，電磁波阻隔膜10C中，白色圓格部分表示洞孔1c，黑色部分表示導(dǎo)電薄膜10c。本實(shí)施例與實(shí)施例一及實(shí)施例二稍有差異的地方在于，為了配合以下實(shí)驗(yàn)的比較說明，白色部分為圓格洞孔1c，且每一圓格洞孔1c的大小及間距選定為2.5mm。
為了量測(cè)本實(shí)用新型電磁波阻隔膜對(duì)阻隔電磁波的效果，本實(shí)用新型采用業(yè)界一般所用的方式(如圖4所示)，以量測(cè)電磁波的穿透損失。為此，首先系將一待量測(cè)的樣片22即本實(shí)用新型的電磁波阻隔膜置于一量測(cè)電磁波穿透損失的的量測(cè)臺(tái)20，在量測(cè)臺(tái)20的一端，亦即在樣片22的一側(cè)，設(shè)有一電磁波發(fā)出器21，該電磁波發(fā)出器21適用于發(fā)出特定頻帶寬的電磁波至樣片22，而在量測(cè)臺(tái)20的另一端，亦即在樣片22的另一側(cè)，設(shè)有一電磁波量測(cè)器23，用以接收并分析所量測(cè)到的電磁波。
為便利于作比較性說明，當(dāng)本實(shí)用新型第一、第二、第三實(shí)施例導(dǎo)電薄膜的表面電阻皆選定為1Ω/□時(shí)，利用圖4的測(cè)量方式，針對(duì)本實(shí)用新型第一、第二、第三實(shí)施例作阻隔電磁波穿透損失的測(cè)試。當(dāng)電磁波發(fā)出器21對(duì)本實(shí)用新型樣片10A、10B、10C發(fā)射的電磁波頻率在50至2650MHz時(shí)(如圖5所示)，電磁波量測(cè)器23量測(cè)到的電磁波穿透損失(dB)，分別對(duì)應(yīng)圖形所示的曲線A、曲線B、曲線C。
曲線A對(duì)應(yīng)于實(shí)施例一中的白色方格的每一方格大小及間距為5mm，曲線B對(duì)應(yīng)于實(shí)施例二中的白色方格的每一方格大小及間距為10mm，而曲線C對(duì)應(yīng)于實(shí)施例三中的白色圓格的每一圓格大小及間距為2.5mm。觀察曲線A、曲線B、曲線C得知，當(dāng)方或圓格的大小及間距較小時(shí)，阻隔電磁波穿透損失的效果較佳，而且令人驚奇發(fā)現(xiàn)，不論曲線A、曲線B、或曲線C，當(dāng)入射的電磁波頻率在50至2650MHz時(shí)，阻隔電磁波穿透損失的數(shù)值皆在負(fù)30dB、甚至可低至負(fù)50dB。
為了說明本實(shí)用新型實(shí)施例導(dǎo)電薄膜的表面電阻與阻隔電磁波穿透損失的關(guān)系，特針對(duì)第一實(shí)施例，當(dāng)每一方格大小及間距仍選定為5mm，只選擇表面電阻不同的導(dǎo)電薄膜，依照相同的測(cè)試環(huán)境(如圖4所示)作實(shí)驗(yàn)。
如圖6所示，實(shí)驗(yàn)結(jié)果，曲線D表示對(duì)應(yīng)于使用導(dǎo)電薄膜10a的表面電阻為250Ω/□，曲線E表示對(duì)應(yīng)于使用導(dǎo)電薄膜10a的表面電阻為130Ω/□，曲線F表示對(duì)應(yīng)于使用導(dǎo)電薄膜10a的表面電阻為5Ω/□。由以上實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，導(dǎo)電薄膜的表面電阻較低者(例如曲線F)，其阻隔電磁波穿透損失的功能較佳。
又，為凸顯本實(shí)用新型電磁波阻隔膜的優(yōu)越功效，在相同的測(cè)試環(huán)境下(如圖4所示)，發(fā)明人選擇兩種目前廣泛被采用為阻隔電磁波的導(dǎo)電泡綿EP3及EP6作對(duì)照實(shí)驗(yàn)。結(jié)果如圖7所示，曲線G表示對(duì)應(yīng)于使用導(dǎo)電泡綿的厚度為3mm，而曲線H表示對(duì)應(yīng)于使用導(dǎo)電泡綿的厚度為6mm者。由觀察圖形的阻隔電磁波穿透損失，當(dāng)導(dǎo)電泡綿的厚度使用較厚者(例如曲線H)，對(duì)阻隔電磁波穿透損失的效果較佳，但不論使用那種，其對(duì)阻隔電磁波穿透損失的數(shù)值，皆限于負(fù)5dB至負(fù)20dB之間，其效果不及本實(shí)用新型。
為方便說明本實(shí)用新型，以上本實(shí)用新型較佳實(shí)施例，雖僅舉導(dǎo)電薄膜的洞孔為方格狀或圓格狀，且呈陣列配置來作說明，但其它洞孔例如設(shè)計(jì)形成矩形、橢圓、多角、多邊孔等任何形洞孔。而且，實(shí)際運(yùn)用上，導(dǎo)電薄膜上所形成的洞孔也可以包含兩種以上的形狀。
同樣地，本實(shí)用新型實(shí)施例所使用導(dǎo)電薄膜的材料，除了一般金屬材料例如金、銀、銅、鐵、鋁、鎳、錳、碳、及合金等適用外，具有導(dǎo)電性的有機(jī)物或化合物也可選用，例如TFT LCD普遍應(yīng)用的ITO等，或電漿顯示器習(xí)用的金屬蝕刻等也適用。
至于本實(shí)用新型的導(dǎo)電薄膜，除可以與其他電子元件、配件、模組、半成品、成品、甚至衣著物或建筑物外墻一體積層作成，也可以將導(dǎo)電薄膜獨(dú)立附著在一絕緣基材上。將導(dǎo)電薄膜附著于絕緣基材上的方式例如可使用涂布、蒸鍍、電漿、濺鍍、印刷、沖壓、蝕刻及夾層等。
為了避免附著于絕緣基材上的導(dǎo)電薄膜受損或被括損，在導(dǎo)電薄膜上也可貼著另一絕緣層，且絕緣基材及/或絕緣層適合使用具有可繞性的材質(zhì)。又，若為了可以透光，導(dǎo)電薄膜、絕緣基材及絕緣層也可改為采用具有透光性材質(zhì)，例如導(dǎo)電薄膜可使用TFT LCD普遍應(yīng)用的ITO或電漿顯示器的金屬蝕刻等。
以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，其并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種可能對(duì)等技術(shù)的更動(dòng)或修改。例如，為了更加強(qiáng)阻隔電磁波，本實(shí)用新型的電磁波阻隔膜可以將多層作疊合使用。因此，本實(shí)用新型所主張及/或保護(hù)范圍，應(yīng)以申請(qǐng)專利范圍所界定的范疇為依準(zhǔn)，凡依本實(shí)用新型申請(qǐng)專利范圍所為的均等變更或修飾，皆應(yīng)屬本實(shí)用新型專利的涵蓋范圍。
權(quán)利要求1.一種電磁波阻隔膜，其特征在于包含一具導(dǎo)電性但不作接地的導(dǎo)電薄膜，且在所述導(dǎo)電薄膜上設(shè)置多數(shù)個(gè)洞孔。
2.如權(quán)利要求1所述的電磁波阻隔膜，其特征在于所述導(dǎo)電薄膜上所形成的洞孔為呈陣列配置的矩格洞孔。
3.如權(quán)利要求1所述的電磁波阻隔膜，其特征在于所述導(dǎo)電薄膜上所形成的洞孔為呈陣列配置的圓格洞孔。
4.如權(quán)利要求1所述的電磁波阻隔膜，其特征在于所述導(dǎo)電薄膜上所形成的洞孔為至少包含兩種洞孔形狀。
5.如權(quán)利要求1、2、3、4所述的電磁波阻隔膜，其特征在于所述導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)選自金、銀、銅、鐵、鋁、鎳、錳、碳、合金、有機(jī)物、無紡布，ITO及化合物的任一種。
6.如權(quán)利要求5所述的電磁波阻隔膜，其特征在于它還包含第一絕緣薄膜層，所述導(dǎo)電薄膜形成于所述第一絕緣薄膜層上。
7.如權(quán)利要求6所述的電磁波阻隔膜，其特征在于所述導(dǎo)電薄膜應(yīng)用涂布、蒸鍍、電漿、淺鍍、印刷、沖壓、蝕刻及夾層的任一方式形成在所述絕緣薄膜層上。
8.如權(quán)利要求6所述的電磁波阻隔膜，其特征在于所述絕緣薄膜層的材質(zhì)系選自塑膠、橡膠、布料、化合物的任一者。
9.如權(quán)利要求2所述的電磁波阻隔膜，其特征在于所述矩格洞孔的邊長(zhǎng)為0.01mm至50mm。
10.如權(quán)利要求3所述的電磁波阻隔膜，其特征在于所述圓格洞孔的直徑為0.01mm至50mm。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種電磁波阻隔膜，其特征在于它包含一具導(dǎo)電性但不作接地的導(dǎo)電薄膜，且在所述導(dǎo)電薄膜上設(shè)置有多數(shù)個(gè)洞孔。這樣當(dāng)一電磁波由所述導(dǎo)電薄膜的一面射至所述導(dǎo)電薄膜時(shí)，利用所述導(dǎo)電薄膜感應(yīng)產(chǎn)生環(huán)繞所述洞孔的電流，且利用所述電流環(huán)繞洞孔流動(dòng)所產(chǎn)生的一方向與所述入射電磁波的磁場(chǎng)為相反方向的磁場(chǎng)，以抵抗所述入射電磁波的磁場(chǎng)，進(jìn)而達(dá)到阻隔入射電磁波的作用。
文檔編號(hào)G12B17/02GK2569536SQ0225732
公開日2003年8月27日 申請(qǐng)日期2002年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月16日
發(fā)明者侯邦為 申請(qǐng)人:侯邦為