專利名稱：形成印刷電路板的方法和由此形成的印刷電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及減小電磁干擾的印刷電路板，更具體地講，涉及一種其中結(jié)合了分布電容的印刷電路板。
背景技術(shù)：
印刷電路板(PCB)一般用來提供其上安裝和相互連接諸如集成電路、電阻器和電容器之類的離散電子元件的機(jī)械結(jié)構(gòu)。PCB中的相互連接是通過PCB上和PCB中金屬圖形跡線層提供，這種金屬一般是銅。為了滿足更密集的要求，使用了具有多層圖形金屬跡線的多層PCB。這種PCB包括交替排列的絕緣層和圖形金屬跡線層，圖形金屬層之間通過穿過絕緣層的垂直通孔或電鍍通孔相互連接。較典型的是，在一個(gè)四層PCB中，即，在一個(gè)具有四個(gè)圖形金屬跡線層的PCB中，一般是最里面的兩層分別為該P(yáng)CB上所有電路提供共用電源平面和共用接地平面。
多層PCB上的電路操作，特別是在大約50兆赫或50兆赫以上的高頻信號(hào)的情況下，引起電源和接地平面之間的電壓起伏。這種通常被稱為電磁干擾(EMI)或噪聲的起伏是不合要求的。一個(gè)多層PCB中的共用接地和共用電源平面具有幫助減小EMI的電容值，但是，在大多數(shù)應(yīng)用中，需要更大的電容量來進(jìn)一步減小EMI，以滿足國家規(guī)章制定實(shí)體制訂的EMI標(biāo)準(zhǔn)。
一種控制EMI的方法是要通過在PCB上的不同位置，特別是在電源和接地平面耦合到PCB上安裝了集成電路的電源輸入端的位置上，插入離散電容器，去耦電源和接地平面。這種方法的缺點(diǎn)在于，離散電容器消耗了PCB上的寶貴面積，此外，在高頻情況下，離散電容器提供有效去耦的效率降低。
在轉(zhuǎn)讓給Zycon Corporation的美國專利5,079,069中披露了另一種比較新的控制EMI的方法，這種方法提供了一種在電源和接地平面之間包括一個(gè)具有高電容值的電容器疊層制品的電容性PCB。電容器疊層制品延伸到整個(gè)PCB，包括具有信號(hào)跡線的位置。電容器疊層制品的高電容量提供了有效的EMI去耦，但是這種方法的缺點(diǎn)在于，電容器疊層制品的高電容值降低了信號(hào)跡線的跡線阻抗。
這是由于電容器疊層制品的電容量與疊層制品的厚度成反比，而信號(hào)跡線阻抗與疊層制品的厚度成正比。因此，高電容量的電容器疊層制品具有相對(duì)較小的厚度來提供改進(jìn)的去耦，但是，此時(shí)較小的電容器疊層制品厚度使信號(hào)跡線的阻抗降低到希望的阻抗值以下。
信號(hào)跡線阻抗與跡線的寬度成反比，因此，在使用電容器疊層制品時(shí)，將信號(hào)跡線阻抗提高到希望值的常用方法是減小信號(hào)跡線的寬度。因此，當(dāng)使用電容器疊層制品改進(jìn)PCB去耦時(shí)，需要減小信號(hào)跡線寬度以保證信號(hào)跡線具有希望的跡線阻抗值。結(jié)果，當(dāng)在PCB中使用電容器疊層制品時(shí)，產(chǎn)生的困難是需要制造較窄的跡線。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是要提供一種克服或至少減小上述現(xiàn)有工藝問題而形成印刷電路板的方法和由此形成的印刷電路板。
因此，在一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種多層基片，基片包括具有實(shí)際上均勻介電常數(shù)的介電層，所述介電層具有一個(gè)第一表面和一個(gè)第二表面，并且介電層在第一和第二表面之間具有較厚部分和較薄部分；在介電層第一表面上的第一導(dǎo)電層；和在介電層的第二表面上的、包括多個(gè)導(dǎo)電片的第二層，其中多個(gè)導(dǎo)電片中的第一導(dǎo)電片、介電層的較厚部分中的一個(gè)部分、和第一導(dǎo)電層形成第一電容器，和其中多個(gè)導(dǎo)電片中的第二導(dǎo)電片、介電層的較薄部分中的一個(gè)部分、和第一導(dǎo)電層形成第二電容器。
在另一方面，本發(fā)明提供了一種印刷電路板，包括至少一個(gè)具有至少有第一厚度的第一部分和至少有第二厚度的第二部分的介電層，其中第二厚度與第一厚度不同；至少一個(gè)其間帶有至少第一部分、形成具有第一值的第一電容器的第一對(duì)金屬化層；至少一個(gè)其間帶有至少第二部分、形成具有與第一值不同的第二值的第二電容器的第二對(duì)金屬化層。
在又一方面，本發(fā)明提供了一種基片，基片包括具有第一表面和第二表面的介電材料層，其中第二表面與第一表面相對(duì)；和多個(gè)導(dǎo)電部分，包括多個(gè)導(dǎo)電部分中的至少一個(gè)第一對(duì)導(dǎo)電部分，其中多個(gè)導(dǎo)電部分中第一對(duì)導(dǎo)電部分中的一個(gè)導(dǎo)電部分布置在鄰近第一表面的介電材料層中，其中多個(gè)導(dǎo)電部分中第一導(dǎo)電部分對(duì)中的一個(gè)導(dǎo)電部分的至少一部分從第一表面向第二表面延伸，和其中多個(gè)導(dǎo)電部分中的第一對(duì)導(dǎo)電部分中的另一個(gè)導(dǎo)電部分鄰近第二表面布置，并且與所述多個(gè)導(dǎo)電部分中的第一導(dǎo)電部分對(duì)中的一個(gè)導(dǎo)電部分的至少一部分間隔第一距離；和多個(gè)導(dǎo)電部分中的至少一個(gè)第二對(duì)導(dǎo)電部分，其中多個(gè)導(dǎo)電部分中的第二對(duì)導(dǎo)電部分中的一個(gè)導(dǎo)電部分布置在鄰近第一表面的介電材料層中，其中多個(gè)導(dǎo)電部分中的第二對(duì)導(dǎo)電部分中的一個(gè)導(dǎo)電部分的至少一部分從第一表面向第二表面延伸，和其中多個(gè)導(dǎo)電部分中的第二對(duì)導(dǎo)電部分中的另一個(gè)導(dǎo)電部分鄰近第二表面布置，并且與多個(gè)導(dǎo)電部分中的第二對(duì)導(dǎo)電部分中的一個(gè)導(dǎo)電部分的至少一部分間隔第二距離，其中第一距離大于第二距離。
在又一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種形成多層基片的方法，包括a)形成多個(gè)區(qū)，所述多個(gè)區(qū)中的每個(gè)區(qū)包括至少一個(gè)基片層和至少一個(gè)金屬化圖形層，其中所述圖形金屬化層具有較厚部分和較薄部分；b)與介電材料插入層交叉地堆疊所述多個(gè)區(qū)；c)將所述多個(gè)區(qū)和所述介電材料插入層的堆棧形成多層基片。


以下參考附圖，以示例的方式，詳細(xì)說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，附圖中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)印刷電路板的橫截面圖；圖2示出了詳述制造圖1中PCB的過程的流程圖；圖3示出了根據(jù)圖2中的過程，圖1中PCB的各個(gè)區(qū)的布置的橫截面視圖；圖4示出了詳述制造圖1中PCB各個(gè)區(qū)的總體過程的流程圖；圖5示出了詳述制造圖1中PCB的各個(gè)區(qū)的一個(gè)特殊過程的流程圖；圖6A-C示出了根據(jù)圖5的過程，圖1中PCB的一個(gè)內(nèi)區(qū)的形成的橫截面視圖；圖7A-C示出了根據(jù)圖5的過程，圖1中PCB的一個(gè)上區(qū)的形成的橫截面圖；圖8A-B示出了根據(jù)圖5的過程，圖1中的PCB的一個(gè)下區(qū)的形成的橫截面圖；圖9示出了詳述制造圖1中的PCB的各個(gè)區(qū)的過程的流程圖；圖10A-C示出了根據(jù)圖9的過程，圖1的PCB的內(nèi)區(qū)的形成的橫截面圖；圖11A-C示出了根據(jù)圖9的過程，圖1的PCB的內(nèi)區(qū)的形成的橫截面圖；圖12示出了詳述制造圖1中PCB的另一種過程的流程圖；和圖13示出了根據(jù)圖12的方法，圖1中的PCB的形成的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
如下所述，本發(fā)明在PCB中提供了一個(gè)具有變化厚度的介電層。介電層的較薄部分形成了具有較高電容量的去耦電容器，而較厚部分形成了保證希望范圍內(nèi)的跡線阻抗的具有較低電容量的電容器。這隔離了PCB中介電層上去耦與跡線阻抗之間的沖突的要求，使一個(gè)對(duì)另一個(gè)的依賴更小。通過使金屬化部分之間的介電層部分較薄，而使電源和接地平面上的金屬化部分較厚，以產(chǎn)生用于去耦的較高的電容量。將PCB的接地平面上與信號(hào)跡線對(duì)準(zhǔn)的金屬化部分制造得比較薄，導(dǎo)致跡線與接地平面之間具有較厚介電層部分，以產(chǎn)生較低的電容量，這有利于允許將跡線制造得比較寬，而對(duì)跡線阻抗不造成不利影響。
在圖1中，一個(gè)六層印刷電路板(PCB)100具有六個(gè)金屬化層105、110、115、120、125和130以及五個(gè)非導(dǎo)電材料或絕緣材料插入層140、145、150、155和160。金屬化層105、110、115、120、125和130一般是用銅制造的。
圖形化銅層105提供了安裝在PCB 100的上表面上的元件之間的銅互聯(lián)線或跡線，并且一般稱之為信號(hào)層。銅層105之下是層140，層140是由制造PCB中常用的電絕緣材料制造。這些材料包括環(huán)氧玻璃FR4、陶瓷和聚酰亞胺。層140使銅層105與下一個(gè)銅層110絕緣。層110是一個(gè)提供了具有能連接電源的共用電源平面的圖形化銅層。此外，層110可以提供信號(hào)跡線形式的互聯(lián)線。例如，層110包括提供電源的較厚部分171和作為信號(hào)跡線的較薄部分172。
層145由來自Nelco、Dupont、Taiyo & Gore、具有2.5～10.0的介電常數(shù)的預(yù)浸漬坯料制造，例如，F(xiàn)R4、陶瓷、液體環(huán)氧樹脂和聚酰亞胺。
下一個(gè)圖形化銅層115具有較厚部分173和較薄部分174，并且由于它形成PCB 100中的共用電接地，所以通常稱之為接地平面。例如，層115可以包括提供信號(hào)跡線的較薄部分174。圖形化銅層的部分171、相關(guān)部分173和部分171與173之間的預(yù)浸漬坯料層145的部分175方便地形成了電源平面110與接地平面115之間的分布式去耦電容。
層150是由電絕緣材料制造的基片，并且可以由與層140相同的材料制造。層150與其上下的圖形化銅層115和120一同形成了PCB 100的內(nèi)區(qū)180。同樣地，絕緣層140、圖形化銅層105和圖形化銅層110形成了上區(qū)182，并且絕緣層160、圖形化銅層130和圖形化銅層125形成了PCB 100的下區(qū)184。
應(yīng)當(dāng)知道上、下區(qū)182和184在構(gòu)造和功能上相同。在下區(qū)184中，層130是外平面，層125是電源平面，層120是接地平面。
參考內(nèi)區(qū)180，圖形化銅層120的一個(gè)部分186是一個(gè)具有較厚部分188和較薄部分189的接地平面部分。較厚部分188與圖形化銅層125的一個(gè)相關(guān)部分190以及預(yù)浸漬坯料層155的一個(gè)部分194一起形成去耦電容。較薄部分189與圖形化銅層125的相關(guān)部分191和192以及預(yù)浸漬坯料層155的部分196和198一起形成較低的電容量，這導(dǎo)致跡線191和192的跡線阻抗在希望的阻抗范圍內(nèi)。
因此，較厚部分188與部分190之間的預(yù)浸漬坯料層155的部分194的相對(duì)較小的厚度保證較厚部分188與部分190之間的合成高電容，提供接地平面120與電源平面125之間的去耦。此外，較薄部分189與跡線191和192之間的預(yù)浸漬坯料層155的部分196和198的相對(duì)較大的厚度產(chǎn)生了相對(duì)較低的電容，允許用相對(duì)較大的跡線寬度制造跡線191和192，但是，跡線阻抗仍然在希望的跡線阻抗范圍內(nèi)。
再參考圖2，用于制造PCB 100的過程200在步驟205開始，同時(shí)執(zhí)行三個(gè)步驟210、215和220，但是，這三個(gè)步驟也可以順序地執(zhí)行。步驟210、215和220分別形成PCB 100的上區(qū)182、內(nèi)區(qū)180和下區(qū)184。形成區(qū)182、180和184的步驟210、215和220包括在基片層140、150和160上分別形成圖形化銅層105、110、115、120、125和130的過程。
在內(nèi)區(qū)180，將銅層115和120形成在基片層150上，并且在上和下區(qū)182和184、銅層105和110以及125和130形成在基片層140和160上。此外，形成圖形化銅層105、110、115、120、125和130包括形成具有較薄部分172、174、187、190、192、193和部分189以及較厚部分171、173和部分188的圖形化銅層110、115、120和125。以后將對(duì)形成各個(gè)區(qū)的過程進(jìn)行更詳細(xì)的說明。
接下來，參考圖3，在步驟225，將三個(gè)區(qū)182、180和184與兩個(gè)間隔預(yù)浸漬坯料層305和310排列在一個(gè)堆棧300中，并且必須使三個(gè)區(qū)182、180和184上的圖形化銅層之間對(duì)準(zhǔn)。然后，在步驟230，在壓力下壓縮區(qū)182、180和184以及預(yù)浸漬坯料層305和310的堆棧300，并且加熱整個(gè)組件，以產(chǎn)生PCB 100，在步驟240過程200結(jié)束。
現(xiàn)在進(jìn)一步參考圖4，用于形成任何一個(gè)區(qū)182、180和184的總過程400在步驟405開始，在步驟410提供一個(gè)基片?；梢允锹慊虬▕A在兩個(gè)銅層之間的一個(gè)絕緣芯的疊層制品。
然后，在步驟415，根據(jù)第一預(yù)定圖形在基片上形成一個(gè)第一金屬化層。當(dāng)基片是一個(gè)裸基片時(shí)，那么可以利用后面跟隨著電沉積的光刻成像過程形成第一銅層。或者，當(dāng)基片是一個(gè)疊層制品時(shí)，使用后面跟隨著蝕刻過程的光刻過程形成第一金屬化層。熟悉本領(lǐng)域的人員都知道光刻法、電沉積和蝕刻過程，因此，在這里不再詳細(xì)說明。
接下來，在步驟420，根據(jù)第二預(yù)定圖形在基片和第一金屬化層上形成第二金屬化層。無論第一金屬化層是通過沉積還是通過蝕刻過程形成的，第二金屬化層都要通過光刻和電沉積過程形成。然后，在步驟425過程400結(jié)束。
通過過程400，根據(jù)第一和第二預(yù)定圖形，形成具有預(yù)定厚度的第一金屬化層，并且在第一金屬化層部分上形成第二金屬化層。以這種方式產(chǎn)生的金屬化層的選定部分具有比其它未選定部分更大的厚度。
適當(dāng)?shù)乜紤]材料供應(yīng)商能夠提供的材料以及PCB制造設(shè)備常用的過程的實(shí)際限制，下面說明一種制造區(qū)182、180和184的替代過程。
現(xiàn)在參考圖5、6A～C、7A～C和8A～B，用于制造內(nèi)、上和下區(qū)182、180和184的過程500通過提供疊層制品600、700和800在步驟505開始，疊層制品600、700和800分別具有中間絕緣層150、140和160，中間絕緣層150、140和160分別夾在具有兩個(gè)未圖形化的銅層605和610、105和705以及805和130間。然后，在步驟515，根據(jù)第一預(yù)定圖形，通過光刻成像和蝕刻在基片上形成一個(gè)或兩個(gè)銅層。當(dāng)然，第一預(yù)定銅圖形具有等于原始銅層厚度的第一均勻厚度。光刻和蝕刻只是除去不需要的銅層部分。
在疊層制品600上，蝕刻銅層605留下部分614、174和612，并且蝕刻銅層610留下部分187和帶有部分189的部分186，從而產(chǎn)生蝕刻疊層制品601。在疊層制品700上，蝕刻銅層705形成部分710和172，從而產(chǎn)生了蝕刻疊層制品701。在疊層制品800上，蝕刻銅層805形成部分190、191、192和193，從而產(chǎn)生下區(qū)184。
隨后，在根據(jù)第二預(yù)定圖形通過第二光刻過程成像之后，步驟520電沉積過程在第一金屬化層的一些部分上產(chǎn)生較厚的部分。蝕刻疊層制品601具有沉積在其上的銅層616、618和620，形成內(nèi)區(qū)182。同樣，蝕刻疊層制品701具有沉積在其上的銅層715和717形成上區(qū)182。如前面指出的，在蝕刻之后，由于疊層制品800不需要在其上形成較厚部分，因而疊層制品800成為下區(qū)184。
簡單地回顧圖4，如果在過程400中，步驟410中提供的基片具有一個(gè)足以形成較厚導(dǎo)電部分的厚度的金屬化層，那么可以使用一種制造內(nèi)、上和下區(qū)180、182和184的替代過程900，現(xiàn)在說明這個(gè)替代過程。
現(xiàn)在參考圖9和10A～C說明制造內(nèi)區(qū)180的過程900，并且，根據(jù)以下說明，熟悉本領(lǐng)域的人員可以知道，不用大的改變就可以將這個(gè)過程用于制造上和下區(qū)182和184。
過程900在步驟905開始，在步驟910提供一個(gè)疊層制品1000，疊層制品1000具有一個(gè)中間基片層1005，以及上、下銅層1010和1020。利用光刻和蝕刻過程，根據(jù)第一預(yù)定圖形蝕刻銅層1010和1020，以在基片1005上留下全都具有第一厚度的部分1021、1023、1025、1027和1029，從而產(chǎn)生了蝕刻基片1001。
接下來，在步驟920，對(duì)蝕刻基片1001第二次使用光刻和蝕刻過程，以蝕刻1023、1027和1029的一部分，這產(chǎn)生了具有比第一厚度小的第二厚度的部分130、132、133和134的基片1002。在步驟920進(jìn)行第二蝕刻之后，在步驟925過程900結(jié)束。應(yīng)當(dāng)注意，得到的蝕刻基片1002等同于內(nèi)區(qū)180。
作為替代，參考圖9和11A～C，可以利用不同與第一和第二蝕刻圖形組的兩步蝕刻過程900用于產(chǎn)生內(nèi)區(qū)180，并且，熟悉本領(lǐng)域的人員應(yīng)當(dāng)知道，也可以不用大的改變地用于形成上和下區(qū)182和184。
如上所述，過程900通過提供具有一個(gè)中間基片層1005以及上和下銅層1010和1020的疊層制品1000開始。然后，在步驟910，利用光刻和蝕刻過程，根據(jù)一個(gè)替代的第一預(yù)定圖形蝕刻銅層1010和1020，留下未受蝕刻影響并且具有銅層1010和1015的原始第一厚度的部分1121、1122和1123。蝕刻過程910腐蝕銅層1010和1015的一些部分，留下具有小于第一厚度的第二厚度的部分1105、1110、1115、1120和1125。這產(chǎn)生了一個(gè)蝕刻疊層制品1101，接下來根據(jù)一個(gè)替代的第二預(yù)定圖形，在步驟920第二次蝕刻這個(gè)蝕刻疊層制品1101。第二蝕刻產(chǎn)生了具有較厚的銅部分和較薄的銅部分，較厚的銅部分也就是第一厚度的銅部分1121、1122和1123，較薄的銅部分也就是第二厚度的銅部分1131、1132、1133和部分1125的蝕刻疊層制品1102。結(jié)果，這個(gè)蝕刻疊層制品1102等同于內(nèi)區(qū)180。
現(xiàn)在參考圖12和13A～E，一個(gè)形成PCB 100的替代過程在步驟1205開始，在步驟1210形成內(nèi)、上和下區(qū)180、182和184。可以將上述過程500或900中的任何一個(gè)用于形成內(nèi)、上和下區(qū)180、182和184。接下來，在步驟1215，形成分別具有特定輪廓表面1311和1312以及1321和1322的絕緣層1310和1320。絕緣層1310和1320可以由可通過模制過程制造的預(yù)型浸漬坯料制造。熟悉本領(lǐng)域的人員應(yīng)當(dāng)知道，這種模制過程包括注射和/或傳遞模塑過程。
作為替代，絕緣層1310和1320可以由任何適當(dāng)?shù)慕殡姴牧蠘?gòu)成，并且在步驟1225，使用適當(dāng)?shù)恼辰Y(jié)或結(jié)合劑，在加熱和加壓的條件下，將絕緣層1310和1320與各區(qū)180、182和184結(jié)合到一起。
可以利用相同的過程形成絕緣層1310和1320。用絕緣層1310作為例子，特定輪廓表面1311被形成為具有較深輪廓部分1313和較淺輪廓部分1314，并且特定輪廓表面1312被形成為具有較深輪廓部分1315和較淺輪廓部分1316。特定輪廓部分1313和1314補(bǔ)償圖形金屬化層110上的部分171和172，從而使特定輪廓部分1313和1314能夠與圖形金屬化層110上的部分171和172配合。
同樣，輪廓1315和1316補(bǔ)償圖形金屬化層115上的部分173和174，并且為絕緣層1320和圖形金屬化層120和125提供相同的配合。
當(dāng)絕緣層1310和1320在組裝前預(yù)形成時(shí)，預(yù)先確定絕緣層1310和1320的不同部分的厚度。由于絕緣層的厚度確定電容量，因此，絕緣層的不同部分的預(yù)定厚度有利地確定了完成后的PCB的希望部分的電容量。
如上所述，本發(fā)明提供了一種具有需要的跡線阻抗的更容易制造的較寬的跡線的電容性印刷電路板。
這種電容性印刷電路板在PCB中通過介電層完成，該P(yáng)CB具有形成電源和接地平面之間的去耦電容器的較厚部分和形成在該P(yáng)CB提供希望的信號(hào)跡線的跡線阻抗的較低電容量的電容器的較薄部分。
因此，本發(fā)明提供了一種克服或至少減小了上述現(xiàn)有技術(shù)的問題的形成印刷電路板的方法以及由此形成的印刷電路板。
應(yīng)當(dāng)知道，盡管只是詳細(xì)說明了本發(fā)明的一個(gè)特定實(shí)施例，但是，熟悉本領(lǐng)域的人員可以作出各種不同的修改和改進(jìn)，而不脫離本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種多層基片包括具有實(shí)際相同介電常數(shù)的介電層，所述介電層具有一個(gè)第一表面和一個(gè)第二表面，并且介電層在第一和第二表面之間具有較厚部分和較薄部分；在介電層第一表面上的第一導(dǎo)電層；和在介電層第二表面上的包括多個(gè)導(dǎo)電片的第二層，其中，所述多個(gè)導(dǎo)電片中的第一導(dǎo)電片、介電層的較厚部分中的一部分和第一導(dǎo)電層形成第一電容器，和其中，所述多個(gè)導(dǎo)電片中的第二導(dǎo)電片、介電層的較薄部分中的一部分和第一導(dǎo)電層形成第二電容器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層基片，其中第一導(dǎo)電層包括多個(gè)導(dǎo)電片，其中所述第二層的多個(gè)導(dǎo)電片中的第一導(dǎo)電片、介電層的較厚部分中的一部分和第一導(dǎo)電層的多個(gè)導(dǎo)電片中的第一導(dǎo)電片形成第一電容器，和其中第二層的多個(gè)導(dǎo)電片中的第二導(dǎo)電片、介電層的較薄部分中的一部分和第一導(dǎo)電層的多個(gè)導(dǎo)電片中的第二導(dǎo)電片形成第二電容器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層基片，其中第二層的多個(gè)導(dǎo)電片中的第一導(dǎo)電片、介電層的較厚部分中的一個(gè)部分和第一導(dǎo)電層的多個(gè)導(dǎo)電片中的第一導(dǎo)電片實(shí)際上沿第一導(dǎo)電層和第二層之間延伸的第一共同軸對(duì)準(zhǔn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層基片，其中第二層的多個(gè)導(dǎo)電片中的第二導(dǎo)電片、介電層的較薄部分中的一個(gè)部分和第一導(dǎo)電層的多個(gè)導(dǎo)電片中的第二導(dǎo)電片實(shí)際上沿第一導(dǎo)電層和第二層之間延伸的第二共同軸對(duì)準(zhǔn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層基片，其中第一導(dǎo)電層的多個(gè)導(dǎo)電片中的第一和第二導(dǎo)電片具有從第一共同平面伸出的實(shí)際不相等的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層基片，其中第一導(dǎo)電層的多個(gè)導(dǎo)電片中的第一和第二導(dǎo)電片具有從第一共同平面伸出的實(shí)際相等的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層基片，其中第二層的多個(gè)導(dǎo)電片中的第一和第二導(dǎo)電片具有從共同平面伸出的實(shí)際相等的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層基片，其中第二層的多個(gè)導(dǎo)電片中的第一和第二導(dǎo)電片具有從共同平面伸出的實(shí)際不相等的厚度。
9.一種印刷電路板包括至少一個(gè)具有至少有第一厚度的第一部分和至少有第二厚度的第二部分的介電層，其中第二厚度與第一厚度不同；至少一個(gè)第一對(duì)金屬化層，第一對(duì)金屬化層之間具有至少第一部分，形成帶有第一值的第一電容器；至少一個(gè)第二對(duì)金屬化層，第二對(duì)金屬化層之間具有至少第二部分，形成帶有與第一值不同的第二值的第二電容器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多層基片，其中至少一個(gè)介電層包括具有特定輪廓的介電層，所述特定輪廓的介電層具有包括第一厚度和第二厚度的厚度范圍，提供電容器值的范圍。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多層基片，其中第一對(duì)和第二對(duì)金屬化層中每對(duì)金屬化層中至少一個(gè)金屬化層實(shí)際上與水平平面對(duì)準(zhǔn)。
12.一種基片包括具有第一表面和第二表面的介電材料層，其中第二表面與第一表面相對(duì)；和多個(gè)導(dǎo)電部分包括多個(gè)導(dǎo)電部分中的至少一個(gè)第一對(duì)導(dǎo)電部分，其中多個(gè)導(dǎo)電部分中第一對(duì)導(dǎo)電部分中的一個(gè)導(dǎo)電部分布置在鄰接第一表面的介電材料層中，其中多個(gè)導(dǎo)電部分中第一對(duì)導(dǎo)電部分中的一個(gè)導(dǎo)電部分的至少一部分從第一表面向第二表面延伸，和其中多個(gè)導(dǎo)電部分中第一對(duì)導(dǎo)電部分中的另一個(gè)鄰接第二表面布置，并且與多個(gè)導(dǎo)電部分中第一對(duì)導(dǎo)電部分中的一個(gè)導(dǎo)電部分的至少一部分間隔第一距離；和多個(gè)導(dǎo)電部分中的至少一個(gè)第二對(duì)導(dǎo)電部分，其中多個(gè)導(dǎo)電部分中第二對(duì)導(dǎo)電部分中的一個(gè)導(dǎo)電部分布置在鄰接第一表面介電材料層中，其中多個(gè)導(dǎo)電部分中的第二對(duì)導(dǎo)電部分中的一個(gè)導(dǎo)電部分的至少一部分從第一表面向第二表面延伸，和其中第二對(duì)導(dǎo)電部分中的另一個(gè)導(dǎo)電部分鄰接第二表面布置，并且與第二對(duì)導(dǎo)電部分中的一個(gè)導(dǎo)電部分的至少一部分間隔第二距離，其中第一距離大于第二距離。
13.一種形成多層基片的方法，包括a)形成多個(gè)區(qū)，所述多個(gè)區(qū)中的每個(gè)區(qū)包括至少一個(gè)基片層和至少一個(gè)圖形金屬化層，其中圖形金屬化層具有較厚部分和較薄部分；b)將所述多個(gè)區(qū)與介電材料插入層堆疊在一起；c)將所述多個(gè)區(qū)和介電材料插入層的堆棧形成多層基片。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中步驟(a)包括d)提供基片；e)在基片的至少一個(gè)表面上形成第一圖形金屬化層；f)在第一圖形金屬化層上形成第二圖形金屬化層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中步驟(e)包括在基片的至少一個(gè)表面上形成第一掩模；在形成掩模的至少一個(gè)表面上沉積金屬；和剝離第一掩模。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中步驟(f)包括在基片的至少一個(gè)表面上的第一圖形金屬化層上形成第二掩模；在基片的至少一個(gè)表面上的形成掩模的第一圖形金屬化層上沉積金屬；和剝離第二掩模。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中步驟(a)包括步驟g)提供具有基片層和金屬化層的疊層制品；h)根據(jù)第一預(yù)定圖形蝕刻金屬化層，產(chǎn)生蝕刻疊層制品；和i)根據(jù)第二預(yù)定金屬化圖形蝕刻所述蝕刻疊層制品。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述是的方法，其中步驟(h)包括步驟在金屬化層上形成第一掩模；將形成掩模的金屬化層暴露于蝕刻劑，除去金屬化層的暴露部分；和剝離第一掩模。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中步驟(i)包括步驟在蝕刻疊層制品上形成第二掩模；將形成掩模的蝕刻疊層制品暴露于蝕刻劑，除去金屬化層的暴露部分；和剝離第二掩模。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中步驟(a)包括步驟j)提供具有基片層和金屬化層的疊層制品；k)根據(jù)第一預(yù)定圖形蝕刻金屬化層，產(chǎn)生蝕刻疊層制品；和l)根據(jù)第二預(yù)定圖形在所述蝕刻疊層制品上形成金屬化層。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中步驟(k)包括步驟根據(jù)第一預(yù)定圖形在金屬化層上形成第一掩模；將形成掩模的金屬化層接觸蝕刻劑，除去金屬化層的暴露部分；和剝離第一掩模。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中步驟(1)包括步驟根據(jù)第二預(yù)定圖形在被蝕刻的金屬化層上形成第二掩模；將金屬沉積在被蝕刻的金屬化層的暴露部分上；和剝離第二掩模。
23.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中步驟(b)包括提供介電材料層的步驟。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中所述提供介電材料層的步驟包括提供預(yù)切預(yù)浸漬坯料層的步驟。
25.根據(jù)權(quán)利要求23的所述方法，在提供介電材料層之前包括形成介電材料層的步驟。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中形成介電材料層的步驟包括模制介電材料層的步驟。
27.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中步驟(c)包括將多個(gè)區(qū)中的每個(gè)區(qū)中的至少一個(gè)圖形金屬化層與介電材料插入層對(duì)準(zhǔn)的步驟。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中步驟(c)進(jìn)一步包括在多個(gè)區(qū)與介電材料插入層之間放置粘結(jié)劑的步驟。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中步驟(c)進(jìn)一步包括施加壓力，壓縮多個(gè)區(qū)中的每個(gè)區(qū)中的至少一個(gè)圖形金屬化層和介電材料插入層的步驟。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中步驟(c)進(jìn)一步包括加熱的步驟。
全文摘要
形成PCB(100)的上、內(nèi)和下區(qū)(182、180和184)，每個(gè)區(qū)分別具有一個(gè)帶有圖形化金屬層(105和110、115和120、125和130)的基片(140、150和160)。一些圖形化金屬層(110、115、120和125)具有較厚部分(171、173)、部分(186)的一部分(188)和較薄部分(172、174、187、190、191、192和193)。預(yù)浸漬坯料(145和155)中產(chǎn)生的較薄部分(175和194)與對(duì)應(yīng)的較厚金屬化部分一起提供了去耦電容器，而得到的較厚部分(196和198)，例如，提供了用于改進(jìn)信號(hào)跡線(191和192)的跡線阻抗的較低的電容量。
文檔編號(hào)H05K1/02GK1504066SQ02808344
公開日2004年6月9日 申請(qǐng)日期2002年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月19日
發(fā)明者蔡亞林 申請(qǐng)人:吉爾科技新加坡有限公司