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高密度倒裝芯片的互連的制作方法

文檔序號:8137038閱讀:267來源:國知局
專利名稱:高密度倒裝芯片的互連的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一般涉及用于經(jīng)多層電路板路由(routing)信號的互連技術(shù),而且對倒裝芯片的封裝特別有用。
背景技術(shù)


圖1的剖面圖示出一塊母板經(jīng)由諸如焊球與一插入物或另一基片耦連,此后稱此插入物為‘卡’。此卡經(jīng)由諸如焊點與諸如倒裝芯片管芯(die)的芯片耦連,并按現(xiàn)有技術(shù)繪示出這類層結(jié)構(gòu)的一個典型示例。在所繪示例中,此卡有五層結(jié)構(gòu)材料層(板層A-F)和六層跡線或互連層(跡線層3F、2F、1FC、1BC、2B和3B),而所示簡化的母板則僅有一層結(jié)構(gòu)層(母板)和一層跡線或互連層(m/b跡線層)。讀者將會理解到這不過是用以舉例而已。
一般的情況是,最上面的一層或兩層互連層,諸如跡線層3F和跡線層2F,是用于路由大量的輸入/輸出(I/O)信號、存儲信號、時鐘、選通脈沖、電壓基準(zhǔn)等等(此后為了方便說明統(tǒng)稱之為“I/O”信號并非作為限制),而低層則用于提供電源、接地、屏蔽等等。在跡線層之間路由信號是利用通道。電源和接地面可以利用鉆孔通道在鄰近層之間合適地路由或耦連。然而,鉆孔通道往往可能太大以致不適用于在上層之間路由信號。在要選用微通道的情況下可以用刻蝕或類似的方法形成比鉆孔所能形成的小得多的尺度。
請在本專利所有余下的部分中繼續(xù)參閱圖1。
圖2的俯視圖示出現(xiàn)有技術(shù)路由這些信號的典型示例。為了便于閱讀圖2,沒有示出各種各樣母板和卡層,而是用標(biāo)虛線的框10表示出倒裝芯片管芯的一般輪廓。在倒裝芯片管芯和/或卡上按圖形分布著多個凸點12。這些凸點中有些用于傳輸I/O信號,而有些則用于傳輸電源和接地信號。一般情況是,I/O信號要接到母板上的另外的芯片上(未示出);因此,就要求利用一般在倒裝芯片管芯外側(cè)凸點(諸如標(biāo)注14和16的那些)路由這些信號,并將一般在內(nèi)側(cè)的凸點(諸如標(biāo)注12的那些)用于電源和接地。
在有些高密度或高信號計數(shù)的應(yīng)用中,I/O信號計數(shù)和/或I/O凸點密度可能使得難以或是不可能在最上層跡線層3F上路由全部I/O信號。在這樣的應(yīng)用中,有些I/O信號是在最上層跡線層上路由的(諸如2 4和其它由它們各自的凸點伸向“連接電路”標(biāo)志的實線所示),而另外的I/O信號則是從它們各自的凸點向下經(jīng)微通道(未示出)路由諸如跡線層2F的一低層跡線層,向外到設(shè)計規(guī)則與實體空間所容許的位置,然后經(jīng)一微通道(諸如18)向上返回至最上層跡線層,并由此通達它們的終點。在最上層下面?zhèn)鬏數(shù)男盘栍锰摼€諸如20表示,而在經(jīng)微通道返回頂層之后則用諸如22的實線表示。
然而,現(xiàn)有技術(shù)在高密度應(yīng)用中路由大量信號的能力以及在其它方面都受到限制。
附圖簡要說明從下面所給出的詳細說明以及從本發(fā)明實施方案的附圖中將會得到對本發(fā)明更加全面的了解,但不應(yīng)視為本發(fā)明受到所述具體實施方案的限制,而只不過是供說明和了解之用。
圖1為用剖面表示的現(xiàn)有技術(shù)具有倒裝芯片管芯、基片和母板的典型層次。
圖2示出現(xiàn)有技術(shù)的一互連路由系統(tǒng)。
圖3示出本發(fā)明互連路由系統(tǒng)的一項實施方案。
圖4示出本發(fā)明一項實施方案的間距細節(jié)。
圖5示出本發(fā)明一項實施方案的路由細節(jié),特別是示出在最上層跡線層下面一層跡線層內(nèi)微通道之間的信號路由。
圖6示出本發(fā)明一項實施方案的路由細節(jié),特別是示出在最上層和一下層中的信號路由。
圖7示出本發(fā)明微通道排列的一項實施方案。
詳細說明圖3舉例說明本發(fā)明互連系統(tǒng)的一項典型實施方案。如前所述,虛線框表示倒裝芯片管芯的位置。在管芯和卡(含義為基片、插入體或類似物)連接區(qū)內(nèi)分布著多個凸點30。各種各樣的凸點組可以按一種或多種重復(fù)圖形分布。重復(fù)的一例凸點組可以取名為“樣條(Spline)”。“樣條”一詞還可以用來表示與一管芯樣條對應(yīng)的跡線、凸點、通道或其組合的組群。所舉例說明的圖形包括構(gòu)成一樣條(樣條1)的七個凸點30A-G,而且圖形自身重復(fù)著形成另外的樣條(樣條2至樣條N)。為了便于標(biāo)注,可以考慮將凸點成行地排列,最外邊的一行(A行)最靠近倒裝芯片管芯的邊緣,而一行或更多的另外的行(如從B行直至G行)各位于按序趨近倒裝芯片管芯的中央或核心。如所舉例說明的情況,在有些實施方案中樣條可以映射出芯片上某些點的圖象。例如,樣條1和樣條N就是互為映射圖象。在實施方案中示出,樣條映射圖象并在它們之間留下一些非樣條的凸點。
該卡具有按一行或多行(如H行和I行)排列的一行或多行微通道(如30H和30I)。這些微通道供從一深層向一較淺層返回I/O信號時使用。在一般情況下,這會是從最上層的下一層(2F)至最上層(3F),但專業(yè)讀者會理解到本發(fā)明的原則不必受此應(yīng)用的限制。只是為了便于說明,本專利將使用“頂層”和“埋層”兩詞。
一個或多個樣條可以具有相應(yīng)的相隔微通道的組。每一這樣的組可以名為一條“豎管(riser)”,如從豎管1直至豎管N。
為了簡化描述,繪示了兩個樣條的頂層跡線和埋層跡線以及與它們相關(guān)聯(lián)的豎管。專業(yè)讀者將會理解到任何數(shù)量的樣條都可以按此方式與它們相應(yīng)的I/O信號終點耦連。
圖4繪示在一樣條及其豎管中凸點和微通道的一種典型間距。專業(yè)讀者將會理解到這僅是一個示例,而不必是對本發(fā)明所加的限制。讀者還會理解到這些也不是必需要求的,例如,凸點是圓形的,并非全部凸點都是同一尺寸,并非微通道也是與凸點同一尺寸,如此等等。
在一項實施方案中,一個凸點(如凸點30A(a))具有寬度“w”,而成行的凸點則在2w的中心點上(如凸點30A(g)和30A(h))。在一項實施方案中,對豎管的定位是要使從最外一行凸點(A行)至最近一行豎管微通道(H行)的中心間距距離(可以稱為“分路長度”)約為12w(如從凸點30A(d)至微通道30H(d))。在一給定豎管內(nèi)的微通道是位于約1.5w的中心點(如從微通道30H(d)至微通道30I(d))定位的,而豎管粗略為3w的間距(如從微通道30I(d)至微通道30I(e))。專業(yè)讀者將會理解這不過是一項示例,而對任何特定應(yīng)用的尺寸和間距將取決于諸如可以采用的加工工藝、I/O信號的數(shù)量和類型、交叉耦連和噪音要求、阻抗指標(biāo)等等情況。
圖5繪示在埋層上的微通道、信號跡線和接地面的一項典型實施方案。凸點40、42和44實際上是在頂層,在這里示出只是為了標(biāo)注間距。微通道48和50自凸點經(jīng)頂層向下路由I/O信號至埋層。跡線58和60將那些信號傳輸?shù)轿⑼ǖ?4和56,其路由該信號返回頂層。讀者將會理解到跡線58和60不與凸點40或44相連,因為那些凸點不在埋層上,它們幾乎是重疊在跡線58和60上面。
通過提供一行以上的豎管微通道,就可以利用數(shù)量增加的分路信號。
在一項實施方案中,在頂層跡線的凸點(如A-C行)和埋層跡線的凸點(如E-F行)之間的一行凸點被用作接地、電源或其它基準(zhǔn)。在一項這樣的實施方案中,用此行與接地面62連接。接地面包括多個“指狀物”(如62a-c),它們向內(nèi)伸展經(jīng)過豎管與連接到管芯上接地凸點的微通道46相連。指狀物62a-c為它們各自的樣條和豎管的信號傳輸返程電流。由于指狀物62a-c、埋層信號跡線58和60以及微通道48、50、54和56是在同一層上,它們應(yīng)該加工成不致相互接觸。指狀物為信號提供了接地(或電源)的返回路程,它們?yōu)樵陧攲由习l(fā)生的信號提供了一個基準(zhǔn)面。
圖6對圖5所示典型實施方案作出更詳細的繪示。在頂層,從凸點42在跡線66上路由信號,從凸點44在跡線68上路由信號以及從凸點40在跡線70上路由信號至它們各自的終點。還是在頂層,由微通道54和56向上返回的信號分別在跡線段72和74上路由。所以,例如與跡線72耦連的邏輯或芯片(未示出)最終與凸點48疊合連接到倒裝芯片的連接器。專業(yè)讀者將會理解到,為了盡量減少交叉耦合和其它的有害效應(yīng),就要求盡量縮小頂層信號直接覆蓋埋層信號的距離。
在一項實施方案中,可以通過路由頂層上的三個I/O信號和埋層上的兩個I/O信號獲得最大的分路信號計數(shù)。在其它的實施方案中,其中的設(shè)計規(guī)則作了不同規(guī)定,其它的信號計數(shù)可以表明更好。
在一項實施方案中,一給定樣條的頂層I/O信號是相互鄰近路由的,而該樣條的埋層I/O信號則是向上帶至頂層,并接著向鄰近路由至該樣條的頂層I/O信號。
在一項實施方案中,頂層I/O信號是在樣條的豎管微通道最外側(cè)上路由的。例如,在圖3中,在倒裝芯片管芯左半部上樣條(自樣條1開始)的頂層I/O信號是在它們各自的相應(yīng)豎管左側(cè)上路由的,而在右半部上樣條(至樣條N終結(jié))的頂層I/O信號則是在它們各自的相應(yīng)豎管右側(cè)上路由的。
如讀者將會理解到的,所有豎管不一定都必需是等間距的情形。例如,在有些實施方案中可以將兩個最靠中心的豎管比其它相鄰的豎管對安置得更緊地靠在一起,在那種實施方案中那些豎管的各自跡線是在那些豎管的外側(cè)上路由的。在有些實施方案中,每一鄰近對的間距可以不同,它取決于設(shè)計規(guī)則、以及必須通過鄰近對之間的信號跡線的變化數(shù)等等。
在一項實施方案中,其中一個樣條有三個I/O信號是在頂層上路由的,并取自最外邊的三行凸點(A-C行),來自第三行凸點(C行)的跡線是在第一和第二行凸點之間路由的。
在一項實施方案中,其中一個樣條有三個I/O信號是在頂層上路由的,而有兩個I/O信號則是在埋層上路由的,埋層信號取自第五和第六行凸點。在一項實施方案中,那些埋層信號是在樣條的第一和第三行凸點下方直接路由的。在一項實施方案中,第四行凸點是供接地用的。在一項實施方案中(如圖3中所示的如G行),在埋層信號行的凸點內(nèi)側(cè)的一行凸點可用于提供電源。
圖7繪示豎管微通道的布置的一項實施方案,它為埋層上的信號至頂層表面提供最短的路徑。在必需使豎管間隔寬于樣條間隔的應(yīng)用中,一般通過按一弧形分布豎管,可使埋層I/O跡線段在它們各自的長度上有減少的變化。在一項實施方案中,在一給定豎管內(nèi)相應(yīng)的微通道仍可基本安置成直線排列與排成直線的樣條相對應(yīng)。換句話說,在一項實施方案中,豎管中的微通道不一定要按與分布豎管所沿的弧線的徑向切線對準(zhǔn)。譬如,這種直線排列可以有助于更易模擬和確認(rèn)。
當(dāng)本發(fā)明已參照利用焊料凸點、非鉆孔微通道以及其它細節(jié)的實施方案進行說明的同時,讀者將會理解到本發(fā)明與其它技術(shù)相結(jié)合具有簡便的適用性,而且這些論點不應(yīng)解釋成任何對本發(fā)明的限制?!斑B接器(connector)”一詞用于下面的權(quán)利要求中是從種屬上表示任何以及所有連接一個元件(如倒裝芯片等)和另一元件(如卡等)的方法學(xué)。
本發(fā)明已用電信號以及適合傳送它們的跡線進行了說明,但它還適用于諸如光學(xué)互連、微波傳輸?shù)鹊绕渌夹g(shù)。已用具有夾層結(jié)構(gòu)層和跡線層的多層板對卡進行了說明,但讀者應(yīng)了解到本發(fā)明在其它技術(shù)中具有適用性,諸如在那些不要求結(jié)構(gòu)剛性,因此就不像如此結(jié)構(gòu)層的地方,或者諸如在那些不用“跡線”本身表示互連的地方,只要那里有多層傳輸信號的導(dǎo)線、線路、軌跡、光纖或其類似物以及利用這種多層的需求以便提高信號發(fā)生的計數(shù)或密度。然而,“跡線”一詞在權(quán)利要求中用于在分類上表示任何以及所有這類裝置。這些以及其它的發(fā)明點將會由專業(yè)讀者根據(jù)專利的思想考慮而得到了解。
標(biāo)注“上”或“最外”或“頂”或“埋入”或其類似詞,不應(yīng)解釋為裝置所要求的任何特定的絕對取向。
標(biāo)注“分路長度”不應(yīng)解釋成必須要求豎管微通道要超過倒裝芯片管芯的實體邊緣,而只是要它們超過自身附近區(qū)內(nèi)的倒裝芯片管芯的凸點區(qū)。
標(biāo)注“一實施方案”、“一項實施方案”、“有些實施方案”或“其它實施方案”意味著聯(lián)系至少是包括有些實施方案在內(nèi)的實施方案所描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性,但它不必是聯(lián)系本發(fā)明涉及的全部實施方案。各式各樣出現(xiàn)的“一實施方案”、“一項實施方案”或“有些實施方案”沒有必要全部表示成相同的實施方案。
當(dāng)說明書表述“可以”、“或許可以”或“或許能夠”包括一種成分、特征、結(jié)構(gòu)、或特性時,它不要求包括特定的成分、特征、結(jié)構(gòu)或特性。當(dāng)說明書或權(quán)利要求“一”元件時,它并不意味著僅僅就有這一個單元。當(dāng)說明書或權(quán)利要求表示“另外的一”元件時,它并不排除另外超過一個的元件。
獲益于本項公開的專業(yè)技術(shù)人員將會理解到,從以上的說明和附圖中就可以在本發(fā)明的范圍內(nèi)作出許多其它多樣的方案。確實本發(fā)明不受以上具體說明的限制。倒不如說,包括對其作過任何補正在內(nèi)的所附權(quán)利要求書限定了本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種裝置包括(A)包括至少一個樣條的一第一互連層,每一樣條包含,(1)多個第一信號連接器,(2)各自與該多個第一信號連接器中相應(yīng)的一個耦連的多個第一信號跡線,(3)多個第二信號連接器,以及(4)多個豎管信號連接器,它們與第一和第二信號連接器的間距超過鄰近的第一和第二信號連接器之間的間距;以及(B)一第二互連層包含,對于至少一個樣條中的每一樣條,(1)多個第二信號跡線,它們各自與該多個第二信號連接器中相應(yīng)的一個以及與該多個豎管連接器中的相應(yīng)一個耦連。
2.權(quán)利要求1的裝置,其中每一樣條中該多個第一信號連接器包括三個第一信號連接器。
3.權(quán)利要求1的裝置,其中第一互連層還包含,對于每一樣條(5)一接地連接器;以及第二互連層還包含,對于每一樣條(2)與接地連接器耦連的一接地指狀物。
4.權(quán)利要求1的裝置,其中在每一樣條中第一和第二信號連接器有一直線取向;以及該多個豎管信號連接器隨第一和第二信號連接器基本上按直線取向。
5.權(quán)利要求1的裝置,其中第一互連層包含多個樣條;以及多個樣條的許多豎管信號連接器基本上是圍繞樣條最外的邊緣按弧形結(jié)構(gòu)排列的。
6.權(quán)利要求5的裝置,其中該多個樣條的相應(yīng)的多個第二信號跡線中對應(yīng)的跡線基本上有相等的長度。
7.一種裝置,包括在整體形狀基本為矩形的圖形中的一核心的多個第一信號連接器,以及在整體形狀基本為弧形的圖形中并圍繞第一信號連接器的矩形整體形狀一側(cè)分布的多個豎管信號連接器,它們與核心之間的距離大于相鄰的第一信號連接器之間的距離。
8.權(quán)利要求7的裝置,其中相應(yīng)的豎管信號連接器與相應(yīng)的第一信號連接器耦連;以及豎管信號連接器的弧形圖形有一曲率使得從任一給定的豎管信號連接器至其所耦連的第一信號連接器的距離基本上相等。
9.權(quán)利要求8的裝置,其中該多個第一信號連接器包括多個樣條;以及該多個豎管信號連接器包括多個豎管。
10.權(quán)利要求9的裝置,其中鄰近的樣條是按一第一距離分隔的;以及鄰近的豎管是按比第一距離大的一第二距離分隔的。
11.權(quán)利要求10的裝置,其中每個樣條包括三個第一信號連接器和兩個第二信號連接器;以及每個豎管包括兩個豎管信號連接器。
12.一種多層卡,包括一第一結(jié)構(gòu)層;重疊在第一結(jié)構(gòu)層上并包含多個樣條的一第一信號層,每一樣條包括,至少兩個第一信號連接器,至少兩個第一信號跡線,各自與對應(yīng)的相應(yīng)第一信號連接器耦連,至少一個第二信號連接器,至少一個豎管信號連接器,以及至少一個豎管信號跡線,各自與對應(yīng)的相應(yīng)豎管信號連接器耦連;以及在第一結(jié)構(gòu)層下面的一第二信號層并包含,對于每一樣條至少一個第二信號跡線,其與相應(yīng)的第二信號連接器并與對應(yīng)的相應(yīng)豎管信號連接器耦連。
13.權(quán)利要求12的裝置,其中在每一樣條中該至少兩個第一信號連接器包括三個第一信號連接器;該至少兩個第一信號跡線包括三個第一信號跡線;該至少一個第二信號連接器包括兩個第二信號連接器;該至少一個豎管信號連接器包括兩個豎管信號連接器;該至少一個豎管信號跡線包括兩個豎管信號跡線;以及該至少一個第二信號跡線包括兩個第二信號跡線。
14.權(quán)利要求13的裝置,其中該三個第一信號跡線是在該兩個豎管信號連接器的同一側(cè)上路由的。
15.權(quán)利要求14的裝置,其中三個第一信號跡線的中間一個與三個第一信號連接器中與兩個豎管信號連接器相距最遠的一個耦連。
16.權(quán)利要求15的裝置,其中與豎管信號連接器中與第二信號連接器相距最遠的一個耦連的一個豎管信號跡線與第二信號連接器中最接近第一信號連接器的一個耦連。
17.一種裝置,包括一結(jié)構(gòu)層;重疊在結(jié)構(gòu)層上面的一最上跡線層;以及在結(jié)構(gòu)層下面的一埋置跡線層并包含,多個樣條,各自包括至少一個信號跡線,以及多個接地指狀物,各自在兩個相應(yīng)的鄰近樣條之間伸展并基本上為其長度。
18.權(quán)利要求17的裝置,其中結(jié)構(gòu)層包含第一多個微通道,各自與信號跡線之一相接觸;以及第二多個微通道,各自與接地指狀物之一相接觸。
19.權(quán)利要求18的裝置,其中最上的跡線層包含多個樣條,對應(yīng)于埋入跡線層的多個樣條,并各包含多個信號跡線。
20.權(quán)利要求19的裝置,還包括包含一最外行凸點的多個凸點;以及最上跡線層的多個樣條安排在最外行中相應(yīng)的鄰近凸點之間。
21.權(quán)利要求20的裝置,其中埋入跡線層的樣條基本上安排在最外行中相應(yīng)凸點的下邊。
22.一種封裝的半導(dǎo)體器件,包括一個具有多個連接器的倒裝芯片管芯,多個連接器基本上按照多個樣條的直線圖形排列,其中每一樣條包含,按M行圖形排列的第一多個M個I/O連接器;按N行圖形排列的第二多個N個I/O連接器,以及與倒裝芯片管芯耦連的一個卡,并包含,具有多組I/O跡線的第一跡線層,每一組具有分別與M個I/O連接器中相應(yīng)的一個耦連并且按照與相應(yīng)的樣條對應(yīng)的組排列的M個I/O跡線,一個具有多組I/O跡線的第二跡線層,每一組有分另與第一多個N個I/O連接器中相應(yīng)的一個耦連并且按照與相應(yīng)的樣條對應(yīng)的組排列的N個I/O跡線,和M個I/O跡線;以及在第一和第二跡線層之間的一結(jié)構(gòu)層并包含,分別將M個I/O連接器中相應(yīng)的一個與第一跡線層的M個I/O跡線中對應(yīng)的一個耦連的一第一多個微通道,以及分別將第一跡線層的M個I/O跡線中相應(yīng)的一個與第二跡線層的M個I/O跡線中相應(yīng)的一個耦連的一第二多個微通道。
23.權(quán)利要求22的封裝的半導(dǎo)體器件,其中M和N個I/O連接器包括凸點。
24.權(quán)利要求22的封裝的半導(dǎo)體器件,其中第二跡線層包括一最上跡線層。
25.權(quán)利要求24的封裝的半導(dǎo)體器件,其中N行是圖形的最外行。
26.權(quán)利要求22的封裝的半導(dǎo)體器件,其中第一跡線層還包括分別在M個I/O跡線的鄰近組之間伸展的多個接地面指狀物。
27.權(quán)利要求26的封裝的半導(dǎo)體器件,其中多個接地面指狀物每個基本上伸展該M個I/O跡線的全長。
28.權(quán)利要求22的封裝的半導(dǎo)體器件,其中第二多個微通道基本上是按弧狀圖形分布的。
29.權(quán)利要求28的封裝的半導(dǎo)體器件,其中M和N個I/O連接器基本上是按直線圖形排列的。
30.權(quán)利要求29的封裝的半導(dǎo)體器件,其中與沿著直線圖形一側(cè)的一組M和N個I/O連接器對應(yīng)的一組第二多個微通道是按具有寬度大于直線圖形該一側(cè)的寬度的弧形分布的。
31.權(quán)利要求30的封裝的半導(dǎo)體器件,其中每一樣條的N個I/O跡線安排在該樣條的第二微通道與鄰近樣條的第二微通道之間。
32.一種制造用于具有按多行安置的多個芯片連接器并具有一重復(fù)的樣條圖形的半導(dǎo)體器件的封裝的方法,其中多個樣條中的每個樣條包括按N行安排的N≥2個第一I/O信號連接器以及按M行安排的M≥1個第二I/O信號連接器,其中N行在M行的外側(cè),該方法包括在封裝的第一層內(nèi)為每一樣條形成M個第二信號跡線,樣條的第二信號跡線具有與樣條的相應(yīng)的第二I/O信號連接器的間距基本相符的一間距;在重疊在第一層上面的封裝的第二層內(nèi)為每一樣條的每一第二信號跡線形成一第一通道和一第二通道,它們穿過第二層并與第二信號跡線耦連,第一通道具有與樣條的相應(yīng)的第二I/O信號連接器的間距基本相符的一間距;以及在重疊在第二層上面的封裝的第三層內(nèi)為每一樣條形成N個第一信號跡線,樣條的第一信號跡線具有與樣條的相應(yīng)的第一I/O信號連接器的間距基本相符的一間距;其中第二通道和第一信號跡線伸展超過半導(dǎo)體器件的周邊。
33.權(quán)利要求32的方法還包括在第三層內(nèi)為每一樣條形成分別與樣條的第二通道中相應(yīng)的一個耦連的M個第一信號跡線。
34.權(quán)利要求32的方法,其中第一和第二通道包括微通道。
35.權(quán)利要求32的方法,其中,對于每一樣條,形成N個第一信號跡線還包括在樣條的M個第二通道的一外側(cè)上路由N個第一信號跡線。
36.權(quán)利要求32的方法,其中,對于每一樣條,在第一層內(nèi)形成M個第二信號跡線還包括基本上在第一信號連接器的下面路由M個第二信號跡線。
37.權(quán)利要求32的方法,其中形成相應(yīng)樣條的第二通道包括按基本上弧狀圖形安排第二通道;以及形成相應(yīng)樣條的M個第二信號跡線包括以基本上相等的長度形成相應(yīng)樣條的M個第二信號跡線。
38.權(quán)利要求37的方法,其中M≥2并且其中該方法還包括,對于每一樣條形成第二通道包括按M行安排第二通道。
39.權(quán)利要求38的方法,其中半導(dǎo)體器件的連接器按基本上直線的圖形安排,該方法還包括,對于每一樣條形成第二通道還包括與直線圖形基本對準(zhǔn)形成第二通道。
40.權(quán)利要求32的方法,其中N=3并且其中對于每一樣條形成該N個第一信號跡線還包括路由第一信號跡線的中間以便與N個第一信號連接器中N行最內(nèi)的一個耦連。
41.權(quán)利要求32的方法,其中半導(dǎo)體器件還有至少一個接地連接器安排在N行內(nèi)側(cè)的接地行中,該方法還包括在封裝的第一層內(nèi)形成多個接地面指狀物,其分別伸展在鄰近的樣條相應(yīng)對之間;以及在封裝的第二層內(nèi),為每一接地面指狀物形成一通道,其與接地面指狀物耦連并安置成與接地的連接器耦連。
全文摘要
用于一種卡或插入物或類似物的互連路由,它包括在第一層上的跡線樣條(66、69、70)以及在第二層上的跡線(58、60),層之間用通道連接。信號的外行(40、42、44)由第一層上的一芯片路由出去,而信號在內(nèi)行(48、50)則向下通至將它們路由出去的第二層,然后向上返回到第一層。這些外通道是按弧形排列的,使第二層跡線段能有更均勻的長度。第二層還可以包括接地或電源的平面指狀物,它們伸展在樣條之間并向上連通芯片的接地或電源信號。
文檔編號H05K1/11GK1568544SQ02808573
公開日2005年1月19日 申請日期2002年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月20日
發(fā)明者M·P·賈米森 申請人:英特爾公司
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