專利名稱：層壓壓機的擠壓壓頭的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及層壓壓機的擠壓壓頭，該擠壓壓頭包括上部壓頭和底部壓頭，其中，該上部壓頭和/或底部壓頭包括可加熱的壓力表面，用于向將進行擠壓的材料供熱。
將進行層壓的薄膜或箔非常薄。通常，塑料膜的厚度在大約20到200μm的范圍內，而金屬箔的厚度在大約20到100μm的范圍內。結構的較小尺寸需要有很高的精加工精度。構成的塑料膜和金屬箔不僅必須以預定結構疊合，而且要進行很高精度的層壓。因為擠壓壓頭必須在至少一部分層壓步驟中進行加熱，因此，該擠壓壓頭可能由于加熱而稍微改變形狀，這樣，擠壓表面將并不完全平行。這使得在層壓薄膜的不同位置上的層壓力變化，從而對層壓件的質量有不利影響。
通常，用于制造電路板導電帶的金屬箔的結構非常小，因此，該箔必須粘附在塑料載體膜上，以便能進行處理。在某些情況下，利用一層粘接材料來將金屬箔層壓在塑料膜上。在層壓處理過程中產(chǎn)生的熱量可以使塑料軟化或熔化，從而粘接在擠壓表面上。
在本發(fā)明中，通過使至少上部和/或底部擠壓壓頭的擠壓表面由至少部分耐熱塑料材料制成。在本文中，耐熱材料定義成適于在大約20-300℃范圍內的層壓溫度下使用的塑料材料，優(yōu)選是在200℃。根據(jù)本發(fā)明，整個上部和/或底部壓頭可以由塑料制成，或者只有擠壓表面或該擠壓表面的一部分由塑料板或塑料層制成。
所用的優(yōu)選材料為硅酮或特氟隆，但是其它耐熱彈性塑料材料也適用。本發(fā)明的塑料材料的結構保證幾乎均勻的壓力施加在層壓件的各個部分上，從而獲得均勻的層壓質量。因此，擠壓表面的不均勻性或材料的厚度差以及膜或箔的扁平部分的厚度差可以通過塑料材料的彈性而在一定程度上進行補償(只要該塑料材料足夠厚)。使用的塑料材料有一種不粘作用，它防止層壓薄膜部分或塑料材料的殘余物粘接在擠壓表面上。這對于能夠通常間歇地將膜層供給層壓壓機內，即供給擠壓壓頭的上部壓頭和底部壓頭之間很重要。優(yōu)選是，塑料材料沿擠壓方向的厚度，即沿垂直于擠壓表面的方向的厚度在大約20至10,000μm范圍內，尤其是在150至250μm范圍內。
上部和/或底部壓頭的擠壓表面可以包括幾個分開的局部表面，或者可以在擠壓表面內進行中斷。中斷表面或局部表面可以通過在上部和/或底部壓頭中包含槽或孔而產(chǎn)生。當希望將壓合限制在膜和箔的限定部位，而不是在層壓表面的較大區(qū)域時，這將非常有利。至少一個擠壓表面中斷或分離的優(yōu)點還在于它使得具有部件例如微芯片的膜或箔能夠進行層壓，該部件在層壓步驟之前進行安裝。這時，中斷必須布置成與膜或箔上布置的部件相對應，從而使該部件能夠在層壓過程中置于該中斷內。
下面將通過附圖
詳細介紹本發(fā)明。附圖中
在所示結構中，在底部沿塑料層5延伸的膜或箔7可以包括銅箔，另一個膜或箔8可以粘附在該銅箔上。膜或箔8可以是塑料膜，或者是包括幾個膜或箔的的預制層壓件，且該膜或箔的層壓件8可以包括至少一層塑料膜和至少一層金屬箔的組合，或者幾層塑料膜或金屬箔的組合。在層壓之前，一層粘接劑可以涂覆在金屬箔或塑料膜上。
通常，膜或箔以間歇方式供給上部和底部壓頭2、3，這樣，在兩個前進階段之間的停止階段中，通過使上部壓頭2和底部壓頭3相互壓住而進行層壓。
圖2表示了類似結構，其中，部件9(例如集成電路)預先裝配在膜或箔7上。這時，槽6和6’以距離與在膜或箔7上的部件9的距離相同的方式布置在底部壓頭3上。膜或箔7、8供給擠壓壓頭1，這樣，在擠壓過程中，部件9布置在槽6、6’內。
權利要求
1.一種層壓壓機的擠壓壓頭，包括上部壓頭和底部壓頭，其中，該上部壓頭和/或底部壓頭包括可加熱的壓力表面，用于向將進行擠壓的材料供熱，其特征在于至少上部和/或底部擠壓壓頭的擠壓表面包括至少部分耐熱塑料材料。
2.根據(jù)權利要求1所述的擠壓壓頭，其特征在于硅酮或特氟隆用作塑料材料。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的擠壓壓頭，其特征在于塑料材料的厚度在大約20至10,000μm范圍內，優(yōu)選是在大約150至250μm范圍內。
4.根據(jù)權利要求1至3中任意一個所述的擠壓壓頭，其特征在于該上部和/或底部壓頭的擠壓表面包括幾個分開的局部表面。
5.根據(jù)權利要求1至3中任意一個所述的擠壓壓頭，其特征在于該上部和/或底部壓頭的擠壓表面包括中斷。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種層壓壓機的擠壓壓頭，該擠壓壓頭包括上部壓頭和底部壓頭，其中，該上部壓頭和/或底部壓頭包括可加熱的壓力表面，用于向將進行擠壓的材料供熱，且至少上部和/或底部擠壓壓頭的擠壓表面包括至少部分耐熱塑料材料。
文檔編號B30B15/02GK1436662SQ0310166
公開日2003年8月20日 申請日期2003年1月13日 優(yōu)先權日2002年2月7日
發(fā)明者阿爾弗雷德·鮑爾, 霍斯特·哈特曼, 京特·科洛德賽, 米夏埃爾·拉貝 申請人:W.C.賀利氏股份有限及兩合公司