專利名稱：鍍覆接線端的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及用于多層電子元件的改進(jìn)接線端部件，尤其涉及用于多層電容器或集成無源元件的鍍覆接線端。本發(fā)明接線端設(shè)計采用內(nèi)部和/或外部電極接頭的選擇性設(shè)置，從而形成鍍覆電連接。優(yōu)選采用外部連接，由此消除或顯著簡化典型厚膜接線端帶的使用。
背景技術(shù)：
許多現(xiàn)代電子元件封裝成單片器件，可以包括在單個芯片封裝中的單個元件或多個元件。這種單片器件的一個具體例子是多層電容器或電容器陣列，對于所公開的技術(shù)而言，尤其引人注意地是帶有叉指內(nèi)電極層和相應(yīng)的電極接頭的多層電容器。包括叉指電容器(IDC)技術(shù)特征的多層電容器的例子可以參照美國專利No.5,880,925(DuPré等人)和6,243,253 B1(DuPré等人)。其它單片電子元件對應(yīng)于將多個無源元件集成為單芯片結(jié)構(gòu)的器件。這種集成無源元件可以選自電阻器、電容器、電感器和/或其它無源元件的組合，這些元件形成為多層結(jié)構(gòu)并以單片電子器件的方式封裝。
經(jīng)常需要選擇性接線端(selective termination)以便為各個單片電子元件形成電連接。需要多重接線端(multiple termination)以提供與集成單片器件的不同電子元件的電連接。還經(jīng)常將多重接線端與IDC和其它多層陣列結(jié)合使用，以便減小不希望的電感水平。在多層元件中形成多重接線端的一個典型方式是通過穿過芯片結(jié)構(gòu)的選定區(qū)域鉆孔，并且用導(dǎo)電材料填充通孔，使得在器件的選定的電極部分之中形成電連接。
為主題器件形成外部接線端的另一個方式是將玻璃基體中的銀或銅的厚膜帶施用于內(nèi)部電極層的暴露部分，接著在接線端帶(termination stripe)上鍍覆附加的金屬層，使得部件可焊接到基板上。在美國專利No.5,021,921(Sano等人)中公開了具有通過燒結(jié)的接線端和在其上鍍覆金屬膜形成的外部電極的電子元件的例子。接線端的施用經(jīng)常難以控制，并且會成為減小芯片尺寸的障礙。美國專利Nos.6,232,144 B1(McLoughlin)和6,214,685B1(Clinton等人)涉及在電子器件的選定區(qū)域上形成接線端的方法。
電子元件不斷收縮的尺寸使得在預(yù)定區(qū)域中以所需精度印刷接線端帶變的尤為困難。一般用機器提供厚膜接線端帶，而所述機器能抓牢芯片，并用專門設(shè)計的輪子提供選擇的接線端。美國專利No.5,944,897(Braden)、5,863,331(Braden等人)、5,753,299(Garcia等人)和5,226,382(Braden)公開了有關(guān)向芯片結(jié)構(gòu)提供接線端帶的機械部件和步驟。對于電子芯片器件而言，元件尺寸的降低或接線端接點的數(shù)量的增加會使傳統(tǒng)接線端加工中的分辨率限制變的尤為突出。
當(dāng)試圖提供選擇性接線端時會出現(xiàn)其它問題，包括接線端焊盤的偏移、接線端焊盤的誤定位使得內(nèi)電極接頭露出或完全失去，以及遺失在重疊部分周圍的接線端部分。但當(dāng)施加的涂料狀接線端材料的涂層太薄時或者當(dāng)一部分接線端涂層涂到另一個上而導(dǎo)致接線端焊盤短路時，又會引起其它問題。圍繞單片器件的電子接線端設(shè)置的這些和其它問題提出需要為電子芯片元件提供便宜和有效的接線端部件。
然而，與接線端應(yīng)用有關(guān)的其它已知選擇包括將多個各基板元件與掩模對齊?？梢园巡考b入專門設(shè)計的夾具中，例如在美國專利4919076(Lutz等人)中公開的那種，然后通過掩模元件濺射。這通常是非常昂貴的制造方法，因此希望提供其它有效并且具有更高成本效益的高效接線端。
美國專利No.5,880,011(Zablotny等人)、5,770,476(Stone)、6,141,846(Miki)以及3,258,898(Garibotti)分別涉及用于各種電子元件的接線端形成方案。
用于形成多層陶瓷器件的方法的其它背景參考包括美國專利No，4,811,164(Ling等人)、4,266,265(Maher)、4,241,378(Dorrian)以及3,988,498(Maher)。
在了解了電子元件及其接線端的領(lǐng)域中各種方案和選擇部件的同時，沒有一種設(shè)計表現(xiàn)出完全涵蓋在此討論的所有情況。據(jù)此，所有上述美國專利的說明書都被引入本申請中作為參考。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明認(rèn)識并陳述了各種上述缺點以及其它關(guān)于電接線端和相關(guān)技術(shù)的特定方案。因此，廣義上講，本公開技術(shù)的主要目的是用于電子元件的改進(jìn)接線端部件。具體而言，對所公開的接線端部件是鍍覆形成的，并設(shè)計成消除或明顯簡化厚膜帶，所述厚膜帶典型地沿著用于接線端的單片器件部分進(jìn)行印刷。
本公開技術(shù)的另一個主要目的是提供一種方法，以引導(dǎo)通過內(nèi)電極接頭的采用和附加錨定接頭的選擇性設(shè)置形成鍍覆接線端。內(nèi)電極接頭和附加錨定接頭都可以確保安全可靠的外部鍍覆的形成?？梢蕴峁┮话悴惶峁﹥?nèi)部電連接的錨定接頭，以便提高外部接線端的連接性、更好的機械一體性和鍍覆材料的沉積。
本發(fā)明的另一個主要目的是提供用于電子元件的接線端部件，從而消除或簡化常用的厚膜接線端帶，僅需要鍍覆接線端來實現(xiàn)外部電極連接。根據(jù)所公開的技術(shù)，鍍覆材料可包括金屬導(dǎo)體、電阻材料、和/或半導(dǎo)體材料。
此發(fā)明接線端技術(shù)的再一個主要目的在于，可以根據(jù)不同的多層單片器件應(yīng)用接線端部件，多層單片器件例如包括叉指電容器、多層電容器陣列和集成無源元件。集成無源元件可包括電阻器、電容器、變阻器、電感器、不平衡變壓器、連接器和/或其它無源元件的選定組合。
所公開發(fā)明的優(yōu)點在于，無需采用接線端機械就可以獲得用于電子元件的接線端部件，因此具備生產(chǎn)具有其它情況下無法獲得的分辨率水平的外部接線端的能力。這種改進(jìn)的接線端分辨率還可以在給定的元件區(qū)域中提供更多的接線端和具有更細(xì)間距的接線端。
本技術(shù)的一般目的是提供接線端部件，它能夠基于減小對焊料浸出的敏感性并降低絕緣電阻來實現(xiàn)有效的焊接。對露出電極部分和錨定接頭部分的結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計，使得選定的相鄰露出接頭部分以鍍覆接線端材料來覆蓋，而在不同的接線端定位之中沒有不希望的橋接。
本發(fā)明的另一目的在于，根據(jù)不同接線端結(jié)構(gòu)的不同(包括改變外部接線端的數(shù)量和位置)應(yīng)用所公開的技術(shù)，。根據(jù)在此描述的各種不同的鍍覆技術(shù)、可以通過在電子元件的外圍露出的導(dǎo)電元件存在而自確定的位置形成鍍覆接線端。
本發(fā)明鍍覆接線端技術(shù)的再一個目的是以有利可靠的方式實現(xiàn)更便宜、更有效的電子元件的制造。
在此的詳細(xì)描述中列舉出了，或者本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)在此的描述可以很容易地看出，本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點。并且本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)理解，在不脫離本發(fā)明實質(zhì)和范圍的情況下，依靠對其的參考，在不同的實施例的實踐中和所公開技術(shù)的采用中，可以進(jìn)行對在此具體描述的、供參考的、討論的部件進(jìn)行修改和變化。這種變化可以包括對于那些所示的、引作參考的、或討論的等效裝置和部件或材料的替換以及各種部件、特征等的功能、操作或相反定位的替換，但并不限于此。
此外應(yīng)理解，本發(fā)明的不同實施例以及不同優(yōu)選實施例可包括本公開的部件或元件或其等效物的各種組合或構(gòu)成(包括圖中未明確示出的或在詳細(xì)描述中未明確表達(dá)的部件的組合或其結(jié)構(gòu))。本發(fā)明的第一典型實施例涉及帶有涂覆接線端的多層電子元件。這種多層電子元件可優(yōu)選包括帶有多個插于基板層中的電極的多個絕緣基板層。每個電極優(yōu)選具有至少一個從其延伸接頭部分，該接頭部分沿著多個絕緣基板的選定邊緣露出。選定的露出電極接頭部分優(yōu)選彼此以預(yù)定的距離層疊，使得多個鍍覆接線端可以沿著電子元件的外圍形成。
所公開技術(shù)的另一相關(guān)實施例涉及一種類似上述第一典型實施例那樣的電子元件，還包括附加的錨定接頭。在此典型實施例中，錨釘接頭還可以分布在多個基板層中并在預(yù)定的位置露出，使得根據(jù)露出電極接頭部分和露出錨定接頭的位置引導(dǎo)鍍覆接線端的形成。隨著露出接頭的充分層疊設(shè)置以及使在介電材料體的各頂和底表面上的露出接頭與露出接頭的疊層對齊，可以形成沿著整個露出側(cè)延伸的并且圍繞電子元件的頂和底側(cè)的鍍覆接線端，這通常是需要的，但也并不一定。
本發(fā)明的另一典型實施例對應(yīng)于包括至少兩個無源元件的集成單片器件。優(yōu)選各無源元件的特征在于陶瓷部分和至少一個帶有從其延伸的接頭部的各自的內(nèi)電極層，此接頭部在集成單片器件的選定側(cè)面上露出。單片器件的每個無源元件還優(yōu)選包括相應(yīng)的多個金屬化鍍覆部分，形成金屬化鍍覆部分用于接頭部分的選定各組的連接以及提供與各無源元件的電極層的電連接。
還可以根據(jù)上述典型集成單片器件應(yīng)用錨定接頭，用以提供額外的接線端選擇。通過在器件中的選定位置處放置內(nèi)電極，各種不同的接線端選擇變得可用。根據(jù)露出的電極接頭和錨定接頭的位置，引導(dǎo)鍍覆接線端的形成，并且鍍覆接線端可以潛在地卷繞在單片器件的頂和底側(cè)的周圍。
本發(fā)明的另一個典型實施例涉及叉指電容器，它包括多個間插電極和介電層，特征在于各最頂層和最底層。多層叉指電容器的最頂層和最底層優(yōu)選包括厚度大于在層疊結(jié)構(gòu)中的其它介電層的絕緣覆蓋層。每個電極層包括多個延伸到叉指電容器的選定側(cè)的電極接頭。電極接頭優(yōu)選沿著電容器的這些側(cè)以選擇的位置在疊層部分中露出。錨定接頭優(yōu)選埋入頂、底覆蓋層中，也可以埋入有源層中，使得接頭的露出疊層沿著多層器件的整個側(cè)面部分延伸。如果錨定接頭位于其上并且通常與露出的內(nèi)接頭的疊層對齊，那么外部接線端可以沿著露出接頭的疊層鍍覆，甚至可以圍繞最頂層和最底層。
不必在此概述部分表達(dá)的本發(fā)明的其它實施例可包括并結(jié)合參考上述概述部分中的特征或部件和/或在此說明書中討論的其它特征和部件的各種方案的組合。
在描述本申請的剩余部分時，本領(lǐng)域技術(shù)人員將更好地理解這些實施例的特點和方案及其它內(nèi)容。


在參考附圖描述的說明書中，為本領(lǐng)域技術(shù)人員列出了包括其最佳實施方式在內(nèi)的本發(fā)明的完全和能夠表達(dá)的說明，其中圖1A表示用于多層叉指電容器的已知典型電極層結(jié)構(gòu)的總體頂部分解圖；圖1B表示具有如圖1A所示的已知典型實施例的內(nèi)電極層結(jié)構(gòu)的典型多層叉指電容器的總體側(cè)面透視圖；圖2A表示用于根據(jù)本發(fā)明的多層叉指電容器的典型內(nèi)電極層和錨定接頭結(jié)構(gòu)的總體頂部分解圖；圖2B表示具有如圖2A所示的內(nèi)電極和錨定接頭部分的根據(jù)本發(fā)明的典型多層叉指電容器的總體側(cè)面透視圖；圖3A表示用于多層電容器的已知典型內(nèi)電極層結(jié)構(gòu)的總體頂部分解圖；圖3B表示根據(jù)本發(fā)明的用于多層電容器的典型內(nèi)電極層和錨定接頭結(jié)構(gòu)的總體頂部分解圖；
圖4A表示具有如圖3B中所示的內(nèi)電極和錨定接頭部分的根據(jù)本發(fā)明的典型多層電容器的總體側(cè)面透視圖；圖4B表示根據(jù)本發(fā)明的典型多層叉指電容器的總體側(cè)面透視圖，特點是在典型電容器結(jié)構(gòu)的四個選定側(cè)上露出的內(nèi)電極和錨定接頭部分；圖5A和5B分別表示用在于典型多層電容器實施例中使用的已知電極層結(jié)構(gòu)的總體頂視圖；圖5C表示具有如圖5A和5B的已知典型示例中示出的電極層結(jié)構(gòu)的典型多層電容器實施例的總體側(cè)面透視圖；圖6A和6B分別表示根據(jù)本發(fā)明用于在多層電容器實施例中使用的典型電極層結(jié)構(gòu)的總體頂視圖；圖6C表示了根據(jù)本發(fā)明的具有如圖6A和6B中所示的電極層結(jié)構(gòu)的典型多層電容器實施例的總體側(cè)面透視圖；圖7A表示具有露出的電極接頭的典型電容器陣列的總體側(cè)面透視圖；圖7B表示根據(jù)本發(fā)明具有鍍覆接線端的典型電容器陣列的總體側(cè)面透視圖；圖8A表示根據(jù)本發(fā)明具有鍍覆接線端的典型多層叉指電容器的總體側(cè)面透視圖；圖8B表示根據(jù)所公開技術(shù)沿圖8A的平面截面線A-A取向的、具有典型鍍覆接線端的典型多層叉指電容器的側(cè)截面圖；圖9A表示根據(jù)所公開的技術(shù)、具有露出的電極接頭和附加錨定接頭的典型單片集成無源元件的稍微頂透視的總體側(cè)面圖；以及圖9B表示根據(jù)所公開的技術(shù)、具有露出的電極接頭和附加錨定接頭的典型單片鍍覆接線端的稍微透視的總體側(cè)面圖。
本說明書和附圖中重復(fù)使用的附圖標(biāo)記表示本發(fā)明中相同或相似的部件或元件。
具體實施例方式
參考發(fā)明內(nèi)容部分，本發(fā)明涉及用于單片電子元件的改進(jìn)接線端部件。
本發(fā)明接線端設(shè)計在結(jié)構(gòu)中采用結(jié)構(gòu)暴露電極部分，該結(jié)構(gòu)例如為單片電容器陣列，包括具有叉指電極結(jié)構(gòu)的暴露電極部分的多層電容器、集成無源元件、以及其它電子芯片結(jié)構(gòu)。附加錨定接頭可以埋在這種單片元件中，以提供層疊的多個暴露內(nèi)導(dǎo)電部分，鍍覆接線端可以形成到該暴露內(nèi)導(dǎo)電部分上、并且該暴露內(nèi)導(dǎo)電部分沿著器件的周邊固定地設(shè)置。
通過在芯片器件的頂和底表面上提供其它錨定接頭，可以形成卷繞(wrap-around)的鍍覆接線端，該接線端沿著芯片側(cè)延伸到頂和底層。在某些應(yīng)用中這種卷繞的接線端是需要的，以便進(jìn)行芯片向印刷電路板或其它合適基板的焊接。
本發(fā)明的鍍覆技術(shù)和錨定接頭部件可根據(jù)多個不同的單片元件而采用。圖1A和1B表示現(xiàn)有的叉指電極層結(jié)構(gòu)的方案，其中電極接頭通常延伸至多層元件的兩個選定側(cè)面并在其上露出。此后，參考圖2A和2B表示根據(jù)本發(fā)明的鍍覆接線端的方案，它還涉及具有在器件的兩個選定側(cè)面露出的導(dǎo)電部分的多層元件實施例。
圖3A表示具有在多層電子器件的一個選定側(cè)面上露出的電極接頭的現(xiàn)有電極層構(gòu)造的方案。圖3B和4A分別涉及對圖3A表示的典型實施例的改進(jìn)，提供了一種典型的多層電容器，其具有在電容器的一個選定側(cè)面上露出的內(nèi)電極接頭和根據(jù)本技術(shù)的獨特錨定接頭。圖4B涉及具有根據(jù)本發(fā)明露出該元件的四個選定側(cè)面的內(nèi)電極接頭和錨定接頭的典型多層叉指元件。
本發(fā)明的再一個典型實施例涉及分別在圖6A至6C中示出的多層電容器結(jié)構(gòu)，這些分別是對圖5A至5C的典型多層電容器結(jié)構(gòu)的改進(jìn)。參照圖7A和7B的典型電容器陣列，表述所公開技術(shù)的其它實施例。圖8A和8B則表示發(fā)明鍍覆接線端部件的方案，而圖9A和9B涉及根據(jù)本發(fā)明，具有選定接線端的典型集成無源元件。
應(yīng)注意，在此表述的各典型實施例不意味著對所公開的技術(shù)的限制。作為一個實施例中的部件描述或說明的部件可以用于與其它實施例中的相結(jié)合，從而得到另外的實施例。此外，特定的部件可以與沒有提到、但具有相同、類似或等效功能的類似器件或部件互換。
現(xiàn)在詳細(xì)描述所公開技術(shù)的優(yōu)選實施例。參考附圖，圖1A表示在多層叉指電容器或電容器陣列中采用的、具有電極接頭14的電極層10和12的現(xiàn)有典型結(jié)構(gòu)。電極層平行排列，接頭14從多個層伸出，使得從交替電極層10和12伸出的電極接頭沿各個的縱行對齊。典型示例描述了具有相應(yīng)接頭14的四個這種電極層，而采用本技術(shù)的典型陣列在某些情況下可以包括更多的電極層和各個接頭。這種部件提供了構(gòu)成具有大范圍電容值的電容元件的選擇(通過選擇電極的數(shù)量)。
圖1A的典型電極層結(jié)構(gòu)不表示完成的電容器實施例。相反，圖1A提供了有關(guān)典型電容器和電容器陣列結(jié)構(gòu)的中間方案的參考?？稍诟鶕?jù)例如圖1B中所示的典型的多層叉指電容器中采用圖1A的電極層結(jié)構(gòu)。
叉指電容器通常由諸如圖1A所示的在介電材料體18中設(shè)置的多個電極層構(gòu)成，介電材料體18例如在圖1B的典型叉指電容器結(jié)構(gòu)16中所示。電極層10和12設(shè)置在絕緣材料18中，使得電極接頭14延伸至IDC實施例16的兩側(cè)并在其上露出。用于這種電極層的典型材料可包括鉑、鎳、鈀-銀合金、或其它合適的導(dǎo)電物質(zhì)。絕緣材料18可包括鈦酸鋇、氧化鋅、具有微火玻璃的氧化鋁或其它合適的陶瓷或玻璃粘結(jié)材料。可選地，絕緣材料可以是有機化合物，例如通常用作電路板材料的環(huán)氧樹脂(其中混合或不混合陶瓷，有或沒有玻璃纖維)、或者常作為絕緣材料的其它塑料。在這些情況下，導(dǎo)電體通常是銅箔，對此銅箔進(jìn)行化學(xué)刻蝕以提供圖形。
作為選擇，可以認(rèn)為典型IDC實施例16是器件的部分20中的電極層和介電層的交替的多層結(jié)構(gòu)。IDC 16再一個典型特征在于，最頂層介電層22和最底層介電層24通常厚于IDC結(jié)構(gòu)16的其它介電層。此介電層22和24充當(dāng)覆蓋層以保護(hù)器件，并提供足夠大小的體積以經(jīng)受玻璃/金屬燒料(frit)的應(yīng)力，所述燒料可燒結(jié)到電容器體上。已知的電容器實施例采用圖1B的多層設(shè)置，本發(fā)明根據(jù)在此公開的其它特征利用這種結(jié)構(gòu)16的方案。
多層IDC元件16，例如結(jié)合了圖1A的現(xiàn)有典型電極層結(jié)構(gòu)的圖1B的那些，特征在于，電極部分14暴露在IDC元件16的兩個選定側(cè)上。在多層元件中可以采用其它典型的內(nèi)電極結(jié)構(gòu)，使得內(nèi)電極部分在器件側(cè)面的不同位置和/或以不同數(shù)量露出。
例如，考慮在圖3A的分解圖中示出的典型內(nèi)電極層結(jié)構(gòu)。交替的電極層26和28設(shè)有電極接頭部30，其朝著單一的選定方向延伸。對于每組交替的電極層來說，電極接頭30優(yōu)選以層疊結(jié)構(gòu)設(shè)置，例如使從電極層26伸出的接頭30以分別的兩排對齊。對于電極層28的接頭30而言，優(yōu)選保持相同的對準(zhǔn)位置。采用圖3A的典型內(nèi)電極結(jié)構(gòu)的多層電容器或其它無源元件典型構(gòu)造成將電極接頭部30在元件的單個選定側(cè)上露出。
再一個典型內(nèi)電極層結(jié)構(gòu)設(shè)置有在多層叉指元件的四側(cè)上露出的電極接頭。這種內(nèi)電極層可類似于圖1A所述的結(jié)構(gòu)，其中各交替電極層10和12具有在相鄰于延伸出接頭部14的各側(cè)的各層的各側(cè)上的其它接頭部分。
在圖5A至5C中分別描述了又一個典型的電極層結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的多層電容器實施例。在介電材料體36中間插第一多個內(nèi)電極層32(例如圖5A所示)與內(nèi)電極層34(例如圖5B所示)，形成多層電容器38，例如圖5C中所示。在這種典型多層元件38中，一組電極層32或34的部分40在元件38的側(cè)面42上露出。如此地，在與側(cè)面42相對(圖中未示出)的器件另一側(cè)上露出其它組電極層32或34的部分。
再參考圖1B，用于IDC實施例16和用于其它單片電子元件的典型常規(guī)接線端包括印刷并燒結(jié)在玻璃基體中的銀、銅或其它適當(dāng)金屬的厚膜帶，在其頂部鍍覆一層鎳以助于抗浸出(leach)，接著鍍覆一層錫或焊料合金以防止鎳氧化，從而得到易焊接的接線端。
根據(jù)這種類型的接線端，厚膜帶通常還需要通過接線端機械和印刷輪子或其它合適于轉(zhuǎn)移裝有金屬膠的元件進(jìn)行印刷。這種印刷硬件會有分辨率的限制，使得難以施加厚膜帶，尤其對于更小的芯片。對于IDC 16或其它電子元件而言，沿著兩組相對的側(cè)面典型的實際尺寸大約120密耳(千分之一英寸)乘以60密耳，從頂層到底層的厚度為約30密耳。當(dāng)需要把超過四個的接線端提供給具有該尺寸的部件或者需要將接線端提供給更小尺寸的部件時，專門接線端機械的分辨率水平經(jīng)常成為對提供有效的接線端帶的限制。
本發(fā)明提供一種接線端設(shè)計，其中消除或顯著簡化了這種典型厚膜接線端帶的存在。通過消除難以控制的厚膜帶，就不再需要典型的接線端印刷硬件。根據(jù)所公開的技術(shù)，接線端部件更集中在鎳、錫、銅等的涂覆層上，其通常形成在厚膜接線端帶之上。
考慮在圖7A中出現(xiàn)的典型電容器陣列結(jié)構(gòu)44。電容器陣列44的特征在于，多個內(nèi)電極和相應(yīng)的電極接頭46埋入介電材料體48中。與典型IDC結(jié)構(gòu)16的電極層相反，電容器陣列44的電極接頭46通常相應(yīng)于分開的內(nèi)部電極。通過將電容器陣列44或其它具有相似地露出的電極接頭的電子元件放入化學(xué)鍍?nèi)芤褐?，例如鎳或銅離子溶液，優(yōu)選地實現(xiàn)了鍍覆接線端50的形成，例如圖7B所示。暴露于這種溶液中能夠使露出的電極接頭46沉積上鎳、銅、錫或其它金屬鍍層。最終得到的鍍層材料的沉積優(yōu)選足以實現(xiàn)在疊層縱列中的相鄰電極接頭46之間的電連接。在接頭縱列中的相鄰電極接頭之間的距離優(yōu)選不超過約10微米，以確保適當(dāng)?shù)腻兏?。在電極接頭46的相鄰縱列疊層之間的距離應(yīng)當(dāng)比此最小距離至少大一倍，以保證不同的接線端50不會跑到一起。在本技術(shù)的一些實施例中，在露出的金屬化的相鄰縱列疊層之間的距離是在特定疊層中的相鄰露出電極接頭46之間的距離的大約4倍。通過控制在露出的內(nèi)導(dǎo)體部分之間的距離，可以控制接線端的連接性，以便根據(jù)所希望的接線端結(jié)構(gòu)形成橋接或不橋接的接線端。
由此根據(jù)露出的電極接頭46的定位引導(dǎo)鍍覆接線端50。由于通過在多層元件或電容器陣列44上、以選定的外圍位置處露出的金屬化部分的構(gòu)造確定鍍覆接線端50的形成，因此這種現(xiàn)象此后稱作“自確定”。露出的內(nèi)電極接頭46還幫助錨定接線端50到達(dá)電容器陣列44’的外圍，這相應(yīng)于添加有鍍覆接線端50的多層電容器的實施例，例如圖7A的44。通過在鍍液中加入降低電阻的添加劑，可以進(jìn)一步確保金屬的完全鍍覆覆蓋和粘接。用于增強形成發(fā)明鍍覆接線端的金屬沉積層的粘接性的又一種機制是此后根據(jù)如烘焙、激光處理、UV曝光、微波曝光、電弧焊等技術(shù)手段對元件進(jìn)行加熱。
對于某些元件應(yīng)用，可以充分地形成圖7B的鍍覆接線端50，但有時從內(nèi)電極接頭露出的金屬化部分不足以形成本技術(shù)的自確定接線端。在此情況下，提供埋入在單片元件的選定部分中的附加錨定接頭是有利的，甚至是必要的。錨定接頭是短導(dǎo)電接頭，一般不向元件提供電學(xué)功能，但在機械上起關(guān)鍵作用并確保沿著單片器件的外圍的附加鍍覆接線端。露出的錨定接頭與露出的內(nèi)電極部分的結(jié)合可以提供足夠的露出金屬化部分，以建立更有效的自確定接線端。
例如，考慮在圖2A中所示的典型內(nèi)金屬化部分的分解結(jié)構(gòu)。以與圖1A的電極層相似的結(jié)構(gòu)設(shè)置交替的電極層52和54，電極接頭部56從電極層52和54的選定位置伸出。并且附加錨定接頭58優(yōu)選設(shè)置在與有源電極層52和54相同的平面內(nèi)，使它們也沿著多層元件暴露在選定位置，但并不提供內(nèi)部電連接。附加錨定接頭還可以設(shè)置在多層元件的覆蓋層中并沿著選定的側(cè)面露出，使得能夠形成沿著多于元件外圍伸出的自確定鍍覆接線端。
參考圖2B，多層元件60對應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的典型多層電容器實施例。多層元件60的部分62優(yōu)選包括埋入絕緣材料部分中的典型的叉指電極層和圖2A的錨定接頭結(jié)構(gòu)。沿著部分62外圍的實線56表示圖2A的電極接頭56的露出部分，沿著部分62的外圍的虛線58表示露出的錨定接頭58。附加錨定接頭可埋入絕緣覆蓋層64和66中(由虛線68表示其露出部分)，以進(jìn)一步提供露出金屬化部分的設(shè)置，以便根據(jù)本發(fā)明形成自確定鍍覆接線端。內(nèi)錨定接頭優(yōu)選以一般與內(nèi)電極接頭的疊層相似的縱列對齊，使得所有內(nèi)部接頭設(shè)置在公共的疊層中。
對于一些元件應(yīng)用而言，可優(yōu)選接線端不僅沿著元件的整個寬度延伸，而且還圍繞至頂和底層。在此情況下，外錨定接頭70可以處于多層IDC 60的頂和底層上，這樣鍍覆接線端可以沿著側(cè)面并在形成伸出的焊接盤的頂和底層上形成，形成延伸的焊盤。例如，與在IDC 60中存在的露出電極接頭56一起的埋入的內(nèi)電極錨定接頭58和68以及外部錨定接頭70的存在(如圖2B所示)有助于卷繞的鍍層接線端72的形成，例如在圖8A中所示。
有幾種不同的技術(shù)可以潛在地用于形成鍍覆接線端，例如在圖8A的多層元件實施例74上的接線端72。正如前面所述的那樣，第一種方法對應(yīng)于電鍍或電化學(xué)沉積，其中把具有露出的導(dǎo)電部分的電子元件暴露于鍍液，例如以電偏壓為特征的電解鎳或電解錫。然后將元件自身偏置到與鍍液極性相反的極性，將鍍液中的導(dǎo)電元素附著到元件的暴露的金屬化上。不具有極性偏壓的這種鍍覆技術(shù)稱作化學(xué)鍍，可以與化學(xué)鍍?nèi)芤豪珂嚮蜚~離子溶液結(jié)合采用。
根據(jù)電化學(xué)沉積和化學(xué)鍍技術(shù)，優(yōu)選將例如圖8A的IDC 74元件浸入合適的鍍液中持續(xù)一定的時間。采用本發(fā)明的特定實施例，需要不超過15分鐘的時間就足以使鍍覆材料沿著元件沉積在露出的導(dǎo)電位置上，這樣，累積足以使鍍覆材料以垂直于露出的導(dǎo)電位置的方向擴展，并在選定的相鄰露出的導(dǎo)電部分中建立連接。
根據(jù)本主題的鍍覆接線端的形成可以采用的另一種包含鍍覆材料的磁性吸引技術(shù)。例如，通過利用鎳的磁性，可以將懸浮在電解溶液中的鎳粒子吸引到多層元件的類似的導(dǎo)電暴露電極接頭和錨定接頭上。具有同樣磁性能的其它材料也可以在鍍覆接線端的形成中采用。
有關(guān)將鍍覆接線端材料施加于多層元件的露出的電極接頭和錨定接頭的再一項技術(shù)包括電泳或靜電原理。根據(jù)這種典型技術(shù)，槽液含有帶靜電的顆粒。然后利用相反電荷對帶有露出的導(dǎo)電部分的IDC或其它多層元件施加偏壓并放入槽液中，這樣帶電粒子就沉積在元件上的選定位置處。這項技術(shù)特別適用于玻璃或其它半導(dǎo)體或非導(dǎo)電材料的應(yīng)用。一旦沉積上這些材料，之后就可以通過將足夠熱量通過媒介施加于元件的方式把沉積的材料轉(zhuǎn)化成導(dǎo)電材料。
用以形成根據(jù)所公開技術(shù)的鍍覆接線端的一種特殊的方法涉及上述鍍覆技術(shù)的結(jié)合。可以首先將多層元件浸入到化學(xué)鍍?nèi)芤褐?，例如銅離子溶液，以在露出的接頭部分上沉積最初的銅層，提供更大的接觸面。然后鍍覆技術(shù)可以轉(zhuǎn)向電化學(xué)鍍覆系統(tǒng)，該系統(tǒng)允許在這種元件的選定部分上更快地累積銅。
根據(jù)用于將材料鍍覆到本技術(shù)的多層元件的露出金屬化部分的不同可用技術(shù)，可采用不同類型的材料形成鍍覆接線端，并形成對電元件的內(nèi)部部件的電連接。例如，可以采用例如鎳、銅、錫等的金屬導(dǎo)體以及合適的電阻導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料，和/或選定的這些不同類型材料的組合。
參考圖8B討論根據(jù)本發(fā)明的鍍覆接線端的特例，其中鍍覆接線端包括多種不同材料。圖8B提供了根據(jù)鍍覆接線端72的特定典型實施例、沿著平面截線A-A截取的圖8A的元件74的截面圖。應(yīng)理解，接線端72可以僅包括第一鍍覆層，而沒有在此例中示出的其它層。由于此情況根據(jù)在圖8A和圖8B的多層元件和接線端實施例中鍍層的數(shù)量變化，因此兩個分別的實施例分別標(biāo)以74和74’，此標(biāo)記不意味著在兩個單獨實施例之間的其它變化。
在圖8B中表示的接線端的形成中的第一步驟包括將元件浸入化學(xué)鍍銅溶液中，使得銅76或其它金屬的層沿著元件74’的外圍沉積在此暴露出的從電極層52和54延伸出的內(nèi)電極接頭內(nèi)錨定接頭58和68以及外部錨定接頭70上。然后可以在由金屬鍍層76覆蓋的接頭區(qū)域上覆蓋電阻-聚合物材料78，然后利用金屬銅或其它材料80再進(jìn)行鍍覆。
另一種作為選擇的鍍覆對應(yīng)于形成金屬鍍覆層，然后在這種金屬鍍層上電鍍電阻合金。鍍覆層可以單獨或結(jié)合設(shè)置，以提供各種不同的鍍覆接線端結(jié)構(gòu)。這種鍍覆接線端的基本原理在于，通過沿著元件外圍的露出的導(dǎo)電部分的設(shè)計和定位，構(gòu)成自確定鍍覆。
可以以各種不同的結(jié)構(gòu)提供內(nèi)電極部分和錨定接頭的這種特殊取向，從而有利于形成根據(jù)本發(fā)明的鍍覆接線端。例如，考慮帶有電極層26和28的圖3B的典型內(nèi)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。電極接頭30和內(nèi)錨定接頭82設(shè)置在介電材料體中，從而形成類似圖4A所示的多層元件。還可以提供附加的內(nèi)錨定接頭84和外錨定接頭86。所描述的鍍覆技術(shù)之一用以沿著金屬化部分的露出區(qū)域在多層元件88上形成鍍覆接線端。
根據(jù)本發(fā)明的方案的再一種典型多層元件表示為圖4B中的元件90。內(nèi)電極層設(shè)置有向元件90的四個側(cè)面伸出的電極接頭。附加內(nèi)錨定接頭94可以與露出的電極接頭92交叉。另外內(nèi)錨定接頭96可以埋入元件90的覆蓋層中以提供擴展的鍍覆接線端。外部錨定接頭98的存在有助于卷繞的接線端的形成。
目前所公開技術(shù)的另一種應(yīng)用涉及更一般的多層元件結(jié)構(gòu)，例如在圖6A，6B和6C中所示。圖6A的電極層100和圖6B的電極層102設(shè)置在各自的T形結(jié)構(gòu)中，使電極接頭部分104從各電極層中伸出。當(dāng)電極層100和102插以介電層以形成多層陶瓷器件時，例如在圖6C中所示，各電極接頭部分104在器件108的兩個相鄰側(cè)面上露出。還可以將錨定接頭部分106設(shè)置在電極層面中，使得露出的導(dǎo)電部分沿著器件108的相對外圍側(cè)對齊，從而利于在其上形成鍍覆電極。
圖9A和圖9B表示體現(xiàn)所公開技術(shù)方案的另一個實施例。圖9A表示集成無源元件110，包括設(shè)置在單個單片結(jié)構(gòu)中的無源元件的組合。集成元件110可包括電阻器、變阻器、電容器、電感器、聯(lián)接器、不平衡變壓器、和/或其它無源元件的選定組合。各種獨特的無源元件典型的特征在于至少一個導(dǎo)電電極狀部分，至少一個電極接頭部分112從電極狀部分延伸，并沿著元件110的外圍露出。
例如由圖9A所示的集成無源元件110可具有所示的多個不同的內(nèi)電極設(shè)置。相應(yīng)的電極接頭112可以以對稱或不對稱的結(jié)構(gòu)設(shè)置，并且可以以各種方式成組。主要特征在于，露出的電極接頭112設(shè)置在元件110中以方便選擇性鍍覆接線端的形成。此外，內(nèi)錨定接頭114和/或外錨定接頭116還可以設(shè)置有集成無源元件，從而構(gòu)成附加的選擇性接線端設(shè)置。例如，考慮具有多個露出的內(nèi)電極接頭112、內(nèi)錨定接頭114、和外錨定接頭116的圖9A的露出接頭的設(shè)置。優(yōu)選地，將這種結(jié)構(gòu)提供到根據(jù)目前公開的技術(shù)而變化的鍍覆溶液中會實現(xiàn)多個鍍覆側(cè)面接線端118和卷繞的鍍覆接線端120的形成，如圖9B所示。集成無源元件或多層電子器件110’簡單地相應(yīng)于分別帶有附加鍍覆接線端118和120的集成無源元件，例如圖9A的110。因此，可以對集成無源元件的接頭進(jìn)行設(shè)計，從而可以在不同電極和不同元件層中形成鍍覆接線端。
應(yīng)理解，分別在圖1A至圖9B中表示的單片元件實施例(包括其中間方案)僅作為所公開技術(shù)的例子表示。在多數(shù)的例子中，描述了四個或多個一般的電極列，但電極列的數(shù)量也可以更多或更少，這取決于所希望的元件結(jié)構(gòu)。可以根據(jù)所公開的技術(shù)、沿著任何選定元件側(cè)的任何選擇部分形成鍍覆接線端。這種鍍覆接線端可以包括單層鍍覆導(dǎo)電材料、電阻材料、半導(dǎo)體材料、或選定的這些材料的多層組合。
應(yīng)理解，內(nèi)錨定接頭和外錨定接頭可以選擇性地用于不同的接線端，優(yōu)選提供不同尺寸的側(cè)面接線端或卷繞的接線端。當(dāng)對于特定應(yīng)用來說，卷繞的接線端并不優(yōu)選時，在此示出和描述的IDC實施例的內(nèi)、外錨定接頭部件例如都可以僅采用內(nèi)錨定接頭部件。在各種不同多層元件上的帶有露出的電極接頭的內(nèi)、外錨定接頭的不同組合可以生產(chǎn)出用于器件的各種潛在的接線端設(shè)計。
在參考具體實施例詳細(xì)描述本發(fā)明的同時，應(yīng)理解，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在獲得上述提示后可以很容易地改變本技術(shù)，以對實施例進(jìn)行選擇、變化和等效替代。因此，本說明書的內(nèi)容僅作為示例而并非限制，發(fā)明內(nèi)容并不排除對本發(fā)明的這種修改、變化和/或添加，這對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種多層電子元件，包括多個絕緣基板，各絕緣基板具有一上表面和一下表面，所述多個絕緣基板通過邊緣橫向地定界；多個電極，插于所述多個絕緣基板之間，所述多個電極的特征在于沿著所述多個基板的至少一個邊緣露出的其接頭部分；以及至少一個鍍覆接線端材料層，連接選定的所述接頭部分，其中所述接頭部分彼此隔開一定距離，使得露出的接頭部分對該鍍覆接線端材料起形成核和引導(dǎo)點的作用。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的多層電子元件，還包括在所述多個絕緣基板的所述表面中的至少一個上的至少一個電絕緣錨定接頭，所述至少一個錨定接頭的特征在于具有在所述多個基板的邊緣露出的其一部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的多層電子元件，其中所述鍍覆接線端材料層連接選定的所述多個電極的選定的所述露出的接頭部分與所述至少一個電絕緣錨定接頭的露出部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的多層電子元件，其中選定的所述電極的選定的所述露出接頭部分和所述至少一個電絕緣錨定接頭的露出部分在所述多個絕緣基板的邊緣以縱列對齊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的多層電子元件，其中所述鍍覆接線端材料層包括金屬導(dǎo)電材料、電阻材料或半導(dǎo)體材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的多層電子元件，其中所述鍍覆接線端材料層包括多個材料層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的多層電子元件，其中所述鍍覆接線端材料層包括多個電性不同的材料層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的多層電子元件，其中所述多個電性不同的材料層包括至少一個夾在導(dǎo)電材料層之間的電阻材料層。
9.一種多層電子元件，包括多個介電層，所述多個介電層的每一個通過邊緣橫向地定界；多個電極層，插于所述多個介電層之間，所述多個電極層的選定的幾層具有在所述多個介電層的選定邊緣露出的接頭部分；多個電絕緣錨定接頭，插于選定的所述多個介電層之中并在選定的所述多個介電層的選定的邊緣露出；以及至少一個接線端層，連接選定的所述多個露出的電絕緣錨定接頭和選定的所述多個電極層的露出的接頭部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的多層電子元件，其中設(shè)置多重接線端材料層，其中選定的所述多重接線端材料層連接選定的所述多個電極層的選定的所述露出的接頭部分和選定的所述多個電絕緣錨定接頭的露出部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的多層電子元件，其中所述選定的所述電極層的選定的所述露出的接頭部分和所述多個電絕緣錨定接頭的選定的所述露出部分在所述多個介電層的選定的邊緣以縱列對齊。
12.根據(jù)權(quán)利要求9的多層電子元件，其中所述選定的露出接頭部分和選定的露出錨定接頭彼此隔開一定的距離，使得所述接頭對該至少一個接線端層起形成核和引導(dǎo)點的作用。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的多層電子元件，其中所述至少一個接線端層包括金屬導(dǎo)電材料、電阻材料或半導(dǎo)體材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的多層電子元件，其中所述至少一個接線端層包括多個材料層。
15.根據(jù)權(quán)利要求12的多層電子元件，其中所述至少一個接線端層包括多個電性不同的材料層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的多層電子元件，其中所述多個電性不同的材料層包括至少一個夾在導(dǎo)電材料層之間的電阻材料層。
17.根據(jù)權(quán)利要求9的多層電子元件，其中所述多個介電層包括最頂層和最底層，其中選定的所述多個電絕緣錨定接頭在所述最頂層的頂部和所述最底層的底部的選定邊緣處露出。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的多層電子元件，其中設(shè)置多重接線端材料層，其中選定的所述多個層連接選定的所述多個電極層的選定的所述露出接頭部分和所述多個電絕緣錨定接頭的選定的所述露出部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的多層電子元件，其中選定的所述電極層的選定的所述露出的接頭部分和選定的所述多個電絕緣錨定接頭在所述多個介電層的選定邊緣以縱列對齊。
20.根據(jù)權(quán)利要求17的多層電子元件，其中在所述電極層的所述接頭部分和所述錨定接頭的露出部分上鍍覆所述至少一個接線端層，所述電極層的所述接頭部分和所述錨定接頭彼此隔開一定距離，使得所述電極層的所述接頭部分和所述錨定接頭的露出部分對該至少一個接線端層起形成核和引導(dǎo)點的作用。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的多層電子元件，其中所述至少一個接線端層包括金屬導(dǎo)電材料、電阻材料或半導(dǎo)體材料。
22.根據(jù)權(quán)利要求20的多層電子元件，其中所述至少一個接線端層包括多個材料層。
23.根據(jù)權(quán)利要求20的多層電子元件，其中所述至少一個接線端層包括多個電性不同的材料層。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的多層電子元件，其中所述多個電性不同的材料層包括至少一個夾在導(dǎo)電材料層之間的電阻材料層。
25.根據(jù)權(quán)利要求17的多層電子元件，其中所述至少一個接線端層卷繞在所述最高介電層的所述頂部、最低介電層的所述底部和居間介電層的邊緣部分。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的多層電子元件，其中所述至少一個接線端材料層包括金屬導(dǎo)電材料、電阻材料或半導(dǎo)體材料。
27.根據(jù)權(quán)利要求25的多層電子元件，其中所述至少一個接線端材料層包括多個材料層。
28.根據(jù)權(quán)利要求25的多層電子元件，其中所述至少一個接線端材料層包括多個電性不同的材料層。
29.根據(jù)權(quán)利要求28的多層電子元件，其中所述多個電性不同的材料層包括至少一個夾在導(dǎo)電材料層之間的電阻材料層。
30.一種制造多層電子元件的方法，包括步驟提供多個絕緣基板，各基板具有上表面和下表面，所述基板分別通過邊緣橫向地定界；在選定的所述多個絕緣基板之間插入多個電極；沿著所述基板的至少一個邊緣露出所述電極的選定部分；以及在所述電極的所述露出部分上鍍覆至少一個接線端材料層。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，還包括連續(xù)進(jìn)行鍍覆處理直到選定的所述電極的露出部分被連接的步驟。
32.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中利用其后接有電化學(xué)工藝的化學(xué)鍍工藝進(jìn)行鍍覆的步驟。
33.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中利用化學(xué)鍍工藝進(jìn)行鍍覆步驟。
34.根據(jù)權(quán)利要求33的方法，其中該化學(xué)鍍工藝包括將多層電子元件浸入化學(xué)銅鍍液中，從而形成銅接線端層。
35.根據(jù)權(quán)利要求34的方法，還包括用電阻層覆蓋銅接線端層的步驟。
36.根據(jù)權(quán)利要求35的方法，還包括利用導(dǎo)電層鍍覆電阻層的步驟。
37.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，還包括步驟提供電絕緣錨定接頭，此接頭插于絕緣基板之間的選定位置；以及在絕緣基板的選定邊緣露出部分的所述錨定接頭；其中所述鍍覆步驟額外地在所述錨定接頭的所述露出部分上鍍覆接線端材料。
38.一種在多層電子元件上形成鍍覆接線端的方法，包括步驟提供間插的電極和介電層；露出所述電極層的選定部分；以及在所述電極層的露出部分上鍍覆接線端材料。
39.根據(jù)權(quán)利要求38的方法，其中對電極層的露出部分進(jìn)行構(gòu)造，使得電極層的露出部分對該鍍覆材料起形成核和引導(dǎo)點的作用，從而鍍覆工藝是自確定的。
40.根據(jù)權(quán)利要求39的方法，還包括步驟提供電絕緣錨定接頭，此接頭插于介電層之間的選定位置；以及在介電層的選定邊緣露出部分的所述錨定接頭；由此對所述錨定接頭的露出部分進(jìn)行構(gòu)造，使得錨定接頭的露出部分對鍍覆材料起額外形成核和引導(dǎo)點的作用。
41.根據(jù)權(quán)利要求39的方法，還包括連續(xù)進(jìn)行鍍覆處理直到選定的所述電極的露出部分被連接的步驟。
42.根據(jù)權(quán)利要求41的方法，其中利用其后接有電化學(xué)工藝的化學(xué)鍍工藝進(jìn)行鍍覆步驟。
43.根據(jù)權(quán)利要求41的方法，其中利用化學(xué)鍍工藝進(jìn)行鍍覆步驟。
44.根據(jù)權(quán)利要求43的方法，其中該化學(xué)鍍工藝包括將多層電子元件浸入化學(xué)銅鍍液中，從而形成銅接線端層。
45.根據(jù)權(quán)利要求43的方法，還包括用電阻層覆蓋銅接線端層的步驟。
46.根據(jù)權(quán)利要求45的方法，還包括利用導(dǎo)電層鍍覆電阻層的步驟。
47.一種集成單片器件，包括介電材料體；第一多個電極層，埋入所述介電材料體，以在集成單片器件中部分形成第一無源元件，所述第一多個電極層具有從其伸出并在介電材料體的選定側(cè)露出的接頭部分；至少一個鍍覆接線端材料部分，連接選定的所述第一多個電極層的露出接頭部分，其中這種選定的接頭部分沿著介電材料體側(cè)面以預(yù)定的距離彼此隔開，使得露出的接頭部分對該至少一個鍍覆接線端材料部分起形成核和引導(dǎo)點的作用；第二多個電極層，埋入介電材料體，以在集成單片器件中部分形成第二無源元件，所述第二多個電極層具有從其伸出并在介電材料體的選定側(cè)露出的接頭部分；以及至少一個鍍覆接線端材料的附加部分，連接所述第二多個電極層的選定的露出接頭部分，其中這種選定的接頭部分沿著介電材料體側(cè)面以預(yù)定的距離彼此隔開，使得露出的接頭部分對該至少一個鍍覆接線端材料的附加部分起形成核和引導(dǎo)點的作用。
48.根據(jù)權(quán)利要求47的集成單片器件，其中分別構(gòu)成所述第一和第二無源元件，以用作從由電阻器、電容器、變阻器、電感器、不平衡變壓器和聯(lián)接器構(gòu)成的組中選擇的無源元件。
49.根據(jù)權(quán)利要求47的集成單片元件，還包括埋入所述介電材料體中并沿著所述介電材料體的選定側(cè)面露出的多個電絕緣錨定接頭，其中所述至少一部分鍍覆接線端材料和所述至少一個鍍覆接線端材料的附加部分額外地連接到所述電絕緣錨定接頭的露出部分，所述錨定接頭還對該鍍覆接線端材料部分起形成核和引導(dǎo)點的作用。
50.根據(jù)權(quán)利要求49的集成單片元件，其中分別構(gòu)造所述第一和第二無源元件，以用作從由電阻器、電容器、變阻器、電感器、不平衡變壓器和聯(lián)接器中構(gòu)成的組中選擇的無源元件。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于多層電子元件的改進(jìn)接線端部件。為單片元件設(shè)置鍍覆接線端，從而消除或明顯簡化了對于典型的厚膜接線端帶的需要。這種接線端技術(shù)消除了許多典型接線端的問題并且能夠以更細(xì)的間距形成更多的接線端，這尤其有益于更小的電子元件。利用露出的內(nèi)電極接頭和附加的錨定接頭部分引導(dǎo)并錨定本發(fā)明的鍍覆接線端，上述接頭部分可以選擇性地延伸到多層元件的覆蓋層。這種錨定接頭可以相對于芯片結(jié)構(gòu)內(nèi)或外定位，以成為附加金屬鍍覆材料的成核。位于單片結(jié)構(gòu)的頂和底側(cè)上的外部錨定接頭可以便于卷繞鍍覆接線端的形成。本技術(shù)可以采用多個單片多層元件，在形成鍍覆接線端中可以采用各種鍍覆技術(shù)和接線端材料。
文檔編號H05K1/09GK1459808SQ03145440
公開日2003年12月3日 申請日期2003年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月15日
發(fā)明者約翰·L·高爾瓦格尼, 羅伯特·海斯坦第二, 安德魯·里特, 斯里拉姆·達(dá)他古魯 申請人:阿維科斯公司