專(zhuān)利名稱(chēng)：基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電學(xué)領(lǐng)域電器元件組件的制造中的基板結(jié)構(gòu)及其制作方法，特別是涉及一種具有高散熱速率、高延展性及高硬度的基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法(INSULATION LAYER OF A SUBSTRATEANDPROCESS FOR FORMING THE SAME)。
I背景技術(shù)在現(xiàn)今的電子化世界中，基板扮演著重要角色，藉由基板可以承載芯片、被動(dòng)組件或是其它的電子組件等，而多個(gè)電子組件可以通過(guò)基板相互間電性連接。在現(xiàn)有習(xí)知的基板的結(jié)構(gòu)中，是由多層絕緣層及多層圖案化線路層交互疊合而成，并且通過(guò)絕緣層的孔洞可以使圖案化線路層相互電性連接。而位于表層的圖案化線路層還定義出多個(gè)接點(diǎn)，用以與比如是芯片的電子組件電性連接。
在現(xiàn)有習(xí)知的基板的結(jié)構(gòu)中，由于絕緣層的材質(zhì)是為比如是玻璃環(huán)氧基樹(shù)脂(FR-4、FR-5)、雙順丁烯二酸醯亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine，BT)、環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)或聚亞醯胺(polyimide)等的高分子聚合物，因此一般基板具有下列的特性1、具有較低的熱傳導(dǎo)速率，若是基板上承載有芯片時(shí)，則會(huì)降低芯片所產(chǎn)生的熱通過(guò)基板傳導(dǎo)至外界的速率，如果芯片所產(chǎn)生的熱量持續(xù)累積使得芯片達(dá)到高溫的狀態(tài)下時(shí)，芯片會(huì)有運(yùn)算錯(cuò)誤的現(xiàn)象發(fā)生，或甚至產(chǎn)生失效的情形。
2、具有較低的延展性及硬度。
3、會(huì)有嚴(yán)重的環(huán)保問(wèn)題，亦即絕緣層的材質(zhì)是為熱塑性類(lèi)型，只要一經(jīng)加熱便固化成型，且具有不可逆的化學(xué)反應(yīng)，故即使再加熱也不會(huì)使絕緣層溶解，因此現(xiàn)有習(xí)知的基板在制作完成之后，并不能回收再制。
4、耐熱程度較低。
5、在高速機(jī)械鉆孔下，會(huì)在孔壁上殘留下一層膠渣，把圖案化線路層應(yīng)暴露在孔洞中的部份擋住，因此還必須進(jìn)行蝕回的動(dòng)作，藉以暴露出圖案化線路層于孔洞中。
6、退屑不易，因此再繼續(xù)往下鉆時(shí)，會(huì)有鉆歪孔洞的情況發(fā)生。
7、在鉆孔時(shí)所產(chǎn)生的高熱，會(huì)使孔壁產(chǎn)生焦黑的現(xiàn)象。
由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的基板結(jié)構(gòu)、基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法仍存在有諸多的缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。
為了解決現(xiàn)有的基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法的缺陷，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決的道，但是長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)有適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。
有鑒于上述現(xiàn)有的基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類(lèi)產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專(zhuān)業(yè)知識(shí)，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過(guò)不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，克服上述現(xiàn)有的基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法存在的缺陷，而提供一種新的基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法，所要解決的主要技術(shù)問(wèn)題是使其可以提高基板的熱傳導(dǎo)速率，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的次一目的在于，提供一種基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其可以提高基板的延展性及硬度。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其藉由改變絕緣層的結(jié)構(gòu)，可以使基板能夠回收再制，而具有符合環(huán)保的功效。
本發(fā)明的再一目的在于，提供一種基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其可以提高基板的耐熱性。
本發(fā)明的還一目的在于，提供一種基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其可以提升孔洞的制作品質(zhì)，而具有產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。
本發(fā)明的目的及解決其主要技術(shù)問(wèn)題是采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種基板結(jié)構(gòu)，其至少包括一金屬層，具有至少一凹口，凹陷于該金屬層；一絕緣表層，位在該金屬層上，并暴露出該凹口；以及一圖案化線路層，位在該絕緣表層上，并暴露出該凹口。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可以采用以下的技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的基板結(jié)構(gòu)，其中所述的金屬層的材質(zhì)是為鋁。
前述的基板結(jié)構(gòu)，其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為氧化鋁。
前述的基板結(jié)構(gòu)，其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為該金屬層的表面氧化物。
前述的基板結(jié)構(gòu)，其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為氧硅化合物及氮硅化合物，二者擇一。
前述的基板結(jié)構(gòu)，其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是選自于由玻璃環(huán)氧基樹(shù)脂(FR-4、FR-5)、雙順丁烯二酸醯亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine，BT)、環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)及聚亞醯胺所組成的族群中的其中一種材質(zhì)。
本發(fā)明的目的及解決其主要技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其至少包括以下步驟提供一金屬層；形成一絕緣表層到該金屬層上；形成一圖案化線路層到該絕緣表層上；以及去除部份的該絕緣表層，并形成一凹口到該金屬層上。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可以采用以下的技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其中是利用加熱氧化該金屬層的方式藉以形成該絕緣表層。
前述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其中是利用化學(xué)氣相沉積的方式形成該絕緣表層。
前述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其中在形成該絕緣表層到該金屬層上時(shí)，是將該金屬層沉浸在一絕緣液體中，而該絕緣液體會(huì)殘留在該金屬層上，藉以形成該絕緣表層。
前述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其中是以機(jī)械鉆孔的方式及激光鉆孔的方式，二者擇一，去除部份的該絕緣表層，并形成該凹口到該金屬層上。
本發(fā)明的目的及解決其主要技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其至少包括以下步驟提供一金屬層，該金屬層具有一凹口；形成一絕緣表層到該金屬層上及該凹口上；形成一圖案化線路層到該絕緣表層上，而該圖案化線路層是暴露出位在該凹口處的該絕緣表層；以及去除位在該凹口處的該絕緣表層。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可以采用以下的技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其中是利用加熱氧化該金屬層的方式藉以形成該絕緣表層。
前述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其中是利用化學(xué)氣相沉積的方式形成該絕緣表層。
前述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其中在形成該絕緣表層到該金屬層上及該凹口上時(shí)，是將該金屬層沉浸在一絕緣液體中，而該絕緣液體會(huì)殘留在該金屬層上及該凹口上，藉以形成該絕緣表層。
前述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其中是以機(jī)械鉆孔的方式及激光鉆孔的方式，二者擇一，形成該凹口到該金屬層上。
前述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其中是以機(jī)械鉆孔的方式及激光鉆孔的方式，二者擇一，形成該凹口到該金屬層上。
前述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其中是利用灌模鑄造的方式直接形成具有該凹口的該金屬層。
本發(fā)明的目的及解決其主要技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種基板的絕緣層結(jié)構(gòu)，其至少包括一金屬層，具有至少一孔洞，貫穿該金屬層；以及一絕緣表層，位在該孔洞的孔壁上并包覆該金屬層。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可以采用以下的技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的基板的絕緣層結(jié)構(gòu)，其中所述的金屬層的材質(zhì)是為鋁。
前述的基板的絕緣層結(jié)構(gòu)，其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為氧化鋁。
前述的基板的絕緣層結(jié)構(gòu)，其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為該金屬層的表面氧化物。
前述的基板的絕緣層結(jié)構(gòu)，其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為氧硅化合物及氮硅化合物，二者擇一。
前述的基板的絕緣層結(jié)構(gòu)，其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是選自于由玻璃環(huán)氧基樹(shù)脂(FR-4、FR-5)、雙順丁烯二酸醯亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine，BT)、環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)及聚亞醯胺所組成的族群中的其中一種材質(zhì)。
本發(fā)明的目的及解決其主要技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種基板，其至少包括復(fù)數(shù)層圖案化線路層；以及復(fù)數(shù)層絕緣層，該些圖案化線路層與該些絕緣層交互疊合而成，而至少一該些絕緣層包括一金屬層，具有至少一孔洞，貫穿該金屬層；以及一絕緣表層，位在該孔洞的孔壁上并包覆該金屬層。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可以采用以下的技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的基板結(jié)構(gòu)，其中其它的該些絕緣層的材質(zhì)是為高分子聚合物。
前述的基板結(jié)構(gòu)，其中其它的該些絕緣層的材質(zhì)是選自于由玻璃環(huán)氧基樹(shù)脂(FR-4、FR-5)、雙順丁烯二酸醯亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine，BT)、環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)、聚亞醯胺(polyimide)及陶瓷所組成的族群中的其中一種材質(zhì)。
前述的基板結(jié)構(gòu)，其中所述的金屬層的材質(zhì)是為鋁。
前述的基板結(jié)構(gòu)，其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為氧化鋁。
前述的基板結(jié)構(gòu)，其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為該金屬層的表面氧化物。
前述的基板結(jié)構(gòu)，其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為氮硅化合物及氧硅化合物，二者擇一。
前述的基板結(jié)構(gòu)，其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是選自于由玻璃環(huán)氧基樹(shù)脂(FR-4、FR-5)、雙順丁烯二酸醯亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine，BT)、環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)及聚亞醯胺所組成的族群中的其中一種材質(zhì)。
前述的基板結(jié)構(gòu)，其中所述的該些圖案化線路層的材質(zhì)包括銅。
本發(fā)明的目的及解決其主要技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種基板的絕緣層結(jié)構(gòu)的制作方法，其至少包括提供一金屬層；形成至少一孔洞貫穿該金屬層；以及形成一絕緣表層于該孔洞的孔壁上并包覆該金屬層。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可以采用以下的技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的基板的絕緣層制作方法，其中是以機(jī)械鉆孔的方式形成該孔洞貫穿該金屬層。
前述的基板的絕緣層制作方法，其中是以激光鉆孔的方式形成該孔洞貫穿該金屬層。
前述的基板的絕緣層制作方法，其中是利用加熱氧化該金屬層的方式藉以形成該絕緣表層。
前述的基板的絕緣層制作方法，其中是利用化學(xué)氣相沉積的方式形成該絕緣表層。
前述的基板的絕緣層制作方法，其中在形成該絕緣表層于該孔洞的孔壁上并包覆該金屬層時(shí)，是將該金屬層沉浸在一絕緣液體中，而該絕緣液體會(huì)殘留在該金屬層上，藉以形成該絕緣表層。
本發(fā)明的目的及解決其主要技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種由上述基板的絕緣層制作方法制成的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其至少包括一金屬層；一絕緣表層，位在該金屬層上，且該絕緣表層具有一開(kāi)口，暴露出該金屬層；一圖案化線路層，位在該絕緣表層上；一發(fā)光二極管芯片，位在該絕緣表層的該開(kāi)口所暴露出的該金屬層上，該發(fā)光二極管芯片是與該圖案化線路層電性連接；以及一封裝膠體，是包覆該發(fā)光二極管芯片。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可以采用以下的技術(shù)措施來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的金屬層的材質(zhì)是為鋁。
前述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為氧化鋁。
前述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為該金屬層的表面氧化物。
前述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為氧硅化合物及氮硅化合物，二者擇一。
前述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是選自于由玻璃環(huán)氧基樹(shù)脂(FR-4、FR-5)、雙順丁烯二酸醯亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine，BT)、環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)及聚亞醯胺所組成的族群中的其中一種材質(zhì)。
前述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的金屬層具有一凹口，該絕緣表層的該開(kāi)口是暴露出的該金屬層的該凹口，該發(fā)光二極管芯片是位在該凹口中。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法的主要技術(shù)內(nèi)容如下在敘述本發(fā)明之前，首先對(duì)空間介詞的用法做界定，所謂空間介詞“上”是指兩物的空間關(guān)系是為可接觸或不可接觸均可。舉例而言，A物在B物上，其所表達(dá)的意思是為A物可以直接配置在B物上，A物有與B物接觸；或者A物是配置在B物上的空間中，A物沒(méi)有與B物接觸。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提出一種基板結(jié)構(gòu)，至少包括一金屬層、一絕緣表層及一圖案化線路層。金屬層具有至少一凹口，凹陷于金屬層。絕緣表層是位在金屬層上，并暴露出金屬層的凹口，而圖案化線路層是位在絕緣表層上。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明還提出一種基板結(jié)構(gòu)制程，至少包括下列步驟。首先要提供一金屬層，然后要形成一絕緣表層到金屬層上，之后要形成圖案化線路層到絕緣表層上，接著可以利用機(jī)械鉆孔或激光鉆孔的方式，鉆過(guò)絕緣表層而形成一凹口，凹陷于金屬層上。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明還提出另一種基板結(jié)構(gòu)制程，至少包括下列步驟。首先比如可以利用灌模鑄造的方式直接形成具有凹口的金屬層；或者，亦可以利用機(jī)械鉆孔或激光鉆孔的方式，形成凹口，凹陷于金屬層。然后要形成一絕緣表層到金屬層上及凹口上，之后要形成圖案化線路層到絕緣表層上，圖案化線路層是暴露出位在凹口處的絕緣表層，接下來(lái)將位在凹口處的絕緣表層去除。
另外，為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提出一種基板的絕緣層結(jié)構(gòu)，至少包括一金屬層及一絕緣表層。金屬層具有至少一孔洞，貫穿金屬層。絕緣表層是位在金屬層的孔洞的孔壁上并包覆金屬層。
依照本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，其中金屬層的材質(zhì)比如是鋁，而絕緣表層的材質(zhì)可以是金屬層的表面氧化物，其材質(zhì)比如是氧化鋁。在另一較佳實(shí)施例中，絕緣表層的材質(zhì)比如為氧硅化合物或氮硅化合物。而在其它較佳實(shí)施例中，絕緣表層的材質(zhì)比如是玻璃環(huán)氧基樹(shù)脂(FR-4、FR-5)、雙順丁烯二酸醯亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine，BT)、環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)或聚亞醯胺。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明還提出一種基板的絕緣層制作方法，至少包括下列步驟。首先要提供一金屬層，然后要形成多個(gè)孔洞貫穿金屬層，接著要形成一絕緣表層于孔洞的孔壁上并包覆金屬層。
依照本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，其中比如利用機(jī)械鉆孔或激光鉆孔的方式形成孔洞貫穿金屬層，或是在形成金屬層時(shí)，利用灌模鑄造的方式直接形成具有孔洞的金屬層。此外，可以利用加熱氧化金屬層的方式藉以形成絕緣表層；或者，可以利用化學(xué)氣相沉積的方式形成絕緣表層；另外，還可以將金屬層沉浸在一絕緣液體中，而絕緣液體會(huì)殘留在金屬層上，藉以形成絕緣表層。
因此可知，本發(fā)明基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法，其中，該基板結(jié)構(gòu)，至少包括一金屬層、一絕緣表層及一圖案化線路層。金屬層具有至少一凹口，凹陷于金屬層。絕緣表層是位在金屬層上，并暴露出金屬層的凹口，而圖案化線路層是位在絕緣表層上。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明至少具有下列優(yōu)點(diǎn)1、本發(fā)明的基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法，由于基板的絕緣層是由絕緣表層包覆金屬層所構(gòu)成，且金屬層具有甚佳的導(dǎo)熱速率且亦具有甚佳的延展性及硬度，因此藉由本發(fā)明的絕緣層所制作的基板亦具有甚佳的導(dǎo)熱速率、延展性及硬度。
2、本發(fā)明的基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法，由于其絕緣層包覆有金屬，且圖案化線路層亦是金屬，因此在基板回收后可以藉由加熱溶解基板，藉以解析出金屬，而可進(jìn)行再制利用。
3、本發(fā)明的基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法，由于絕緣層是由具有高耐熱性的金屬層及高耐熱性的絕緣表層所構(gòu)成，因此藉由本發(fā)明的絕緣層所制作出的基板亦具有甚佳的耐熱性。
4、本發(fā)明的基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法，由于在將金屬層進(jìn)行鉆孔時(shí)，退屑較為容易，因此再繼續(xù)往下鉆時(shí)，鉆針較不會(huì)因?yàn)榭锥磧?nèi)的屑料阻塞而使孔洞鉆歪。再者，當(dāng)利用鉆針或激光在鉆金屬層時(shí)，亦可以避免在孔洞的孔壁上產(chǎn)生焦黑的現(xiàn)象。
綜上所述，本發(fā)明特殊的基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法，由于基板的絕緣層是由絕緣表層包覆金屬層所構(gòu)成，且金屬層具有甚佳的導(dǎo)熱速率且亦具有甚佳的延展性及硬度，因此藉由本發(fā)明的絕緣層所制作的基板，亦具有甚佳的導(dǎo)熱速率、延展性及硬度。另外，由于絕緣層包覆有金屬，且圖案化線路層亦是金屬，因此在基板回收后可藉由加熱溶解基板，藉以解析出金屬，進(jìn)行可以再制利用。再者，由于絕緣層是由具有高耐熱性的金屬層及高耐熱性的絕緣表層所構(gòu)成，因此藉由本發(fā)明的絕緣層所制作出的基板亦具有甚佳的耐熱性。此外，由于在將金屬層鉆孔時(shí)，退屑較為容易，因此再繼續(xù)往下鉆時(shí)，鉆針較不會(huì)因?yàn)榭锥磧?nèi)的屑料阻塞而使孔洞鉆歪。再者，當(dāng)利用鉆針或激光在鉆金屬層時(shí)，亦可以避免在孔洞的孔壁上產(chǎn)生焦黑的現(xiàn)象。
本發(fā)明可以提高基板的熱傳導(dǎo)速率，從而更加適于實(shí)用，還可以提高基板的延展性及硬度，使得基板能夠回收再制，而具有符合環(huán)保要求的功效，其另還可提高基板的耐熱性，而可提升孔洞的制作品質(zhì)，具有產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，在基板結(jié)構(gòu)及制造方法上確屬創(chuàng)新，較現(xiàn)有的基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值。其不論在基板結(jié)構(gòu)、制造方法上或功能上皆有較大改進(jìn)，且在技術(shù)上有較大進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，而確實(shí)具有增進(jìn)的功效，從而更加適于實(shí)用，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。


圖1是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的基板的絕緣層的制程示意圖一。
圖2是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的基板的絕緣層的制程示意圖二。
圖3是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的基板的剖面示意圖。
圖4A至圖4G是發(fā)光二極管的制程剖面示意圖。
圖5A到圖5D是另一種應(yīng)用于發(fā)光二極管的基板制程的剖面示意圖。
110金屬層 112孔洞120絕緣表層 130絕緣層200基板 202貫孔204接點(diǎn) 206接點(diǎn)211絕緣層 212絕緣層213絕緣層 214絕緣層215絕緣層 217開(kāi)口219開(kāi)口 221圖案化線路層222圖案化線路層 223圖案化線路層224圖案化線路層 225金屬層310金屬層 312凹口320絕緣表層 330導(dǎo)電層360圖案化線路層 370基板380銀膠 390發(fā)光二極管芯片400導(dǎo)線 410封裝膠體510金屬層 512凹口520絕緣表層 522開(kāi)口530導(dǎo)電層 560圖案化線路層570基板具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法其具體結(jié)構(gòu)、制造方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。
請(qǐng)參閱圖1、圖2所示，是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的基板的絕緣層的制程示意圖。
請(qǐng)參閱圖1所示，本發(fā)明較佳實(shí)施例的基板的絕緣層的制作方法，主要包括以下步驟首先要提供一金屬層110，其材質(zhì)比如是鋁。接著，比如利用機(jī)械鉆孔的方式或激光鉆孔的方式，形成多個(gè)孔洞112貫穿金屬層110。或是在形成金屬層110時(shí)，可以利用灌模鑄造的方式直接形成具有孔洞112的金屬層110。
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D2所示，比如可以利用加熱氧化的方式，形成一絕緣表層120于金屬層110的孔洞112的孔壁上并包覆該金屬層110，如此絕緣表層120的材質(zhì)是為金屬層110的表面氧化物，而在本實(shí)施例中，絕緣表層120的材質(zhì)比如是氧化鋁。
然而，本發(fā)明的應(yīng)用并非限于此，亦可以利用化學(xué)氣相沉積的方式，沉積氧硅化合物或氮硅化合物到金屬層110的表面上，作為絕緣表層120。
或者，亦可以將金屬層110沉浸到一絕緣液體(圖中未示)中，然后再將金屬層110拿起來(lái)，此時(shí)絕緣液體會(huì)附著于金屬層110上，接著再經(jīng)過(guò)烘烤等步驟，使得金屬層110上的絕緣液體可以固化，而形成絕緣表層120，其中絕緣液體比如是玻璃環(huán)氧基樹(shù)脂(FR-4、FR-5)、雙順丁烯二酸醯亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine，BT)、環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)或聚亞醯胺等的高分子聚合物。
如此，基板的絕緣層130便制作完成，其中藉由絕緣表層120可以使金屬層110與外界電路電性隔離。如上所述，本發(fā)明的基板的絕緣層130是由金屬層110及絕緣表層120所構(gòu)成，由于金屬層110具有甚佳的導(dǎo)熱速率且亦具有甚佳的延展性及硬度，因此藉由本發(fā)明的絕緣層130所制作的基板亦具有甚佳的導(dǎo)熱速率、延展性及硬度。
另外，就環(huán)保的考量而言，由于絕緣層130包覆有金屬，且圖案化線路層亦是金屬，因此在基板回收后，可以藉由加熱溶解基板，藉以解析出金屬，進(jìn)行再制利用。
此外，由于絕緣層130是由具有高耐熱性的金屬層110及高耐熱性的絕緣表層130所構(gòu)成，其中高耐熱性的絕緣表層130比如是氧化鋁、氧硅化合物或氮硅化合物等，因此藉由絕緣層130所制作出的基板亦具有甚佳的耐熱性。
另外，就加工而言，由于在將金屬層110鉆孔時(shí)，退屑較為容易，因此再繼續(xù)往下鉆時(shí)，鉆針較不會(huì)因?yàn)榭锥?12內(nèi)的屑料阻塞而使孔洞120鉆歪。再者，當(dāng)利用鉆針或激光在鉆金屬層110時(shí)，亦可以避免在孔洞112的孔壁上產(chǎn)生焦黑的現(xiàn)象。
請(qǐng)參閱圖3所示，是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的基板的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。本發(fā)明的基板200，比如是由多層絕緣層211、212、213、214、215及多層圖案化線路層221、222、223、224所疊合而成，其中該圖案化線路層221、222、223、224的材質(zhì)比如是銅。其中在一實(shí)施例應(yīng)用上，該每一絕緣層211、212、213、214、215可以是如前所述的絕緣表層包覆金屬層的結(jié)構(gòu)；而在另一實(shí)施例應(yīng)用上，可以是僅有部份的絕緣層(比如是213)是類(lèi)似如前所述的絕緣表層包覆金屬層的結(jié)構(gòu)，而其它的絕緣層(比如是211、212、214、215)可以是其它材質(zhì)，比如是玻璃環(huán)氧基樹(shù)脂(FR-4、FR-5)、雙順丁烯二酸醯亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine，BT)、環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)、聚亞醯胺或陶瓷等。上述的基板200還具有多個(gè)貫孔202，該貫孔202貫穿基板200，并且在貫孔202的孔壁上，還形成設(shè)有一金屬層225，藉以使圖案化線路層221、222、223、224之間相互電性連接。而絕緣層211、215還分別具有多個(gè)開(kāi)口217、219，暴露出圖案化線路層221、224，藉以形成多個(gè)接點(diǎn)204、206，該基板200可以通過(guò)接點(diǎn)204、206與外界電路電性連接。
另外，在制作發(fā)光二極管時(shí)，可以應(yīng)用上述的基板制程，如圖4A至圖4G所示，其是發(fā)光二極管的制程剖面示意圖。
請(qǐng)先參閱圖4A所示，首先要提供一金屬層310，其中該金屬層310的材質(zhì)比如是鋁。然后，可以利用前述的加熱氧化的方式、化學(xué)氣相沉積的方式或?qū)⒔饘賹?10沉浸到絕緣液體中的方式，藉以形成絕緣表層320于金屬層310上。如此，絕緣表層320的材質(zhì)比如為氧化鋁或是其它金屬層310的表面氧化物；而絕緣表層320的材質(zhì)亦可以是氧硅化合物或氮硅化合物；另外，絕緣表層320的材質(zhì)亦可以是玻璃環(huán)氧基樹(shù)脂(FR-4、FR-5)、雙順丁烯二酸醯亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine，BT)、環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)或聚亞醯胺等。
接著，請(qǐng)參閱圖4B所示，可以利用無(wú)電電鍍、電鍍或?yàn)R鍍等方式形成一導(dǎo)電層330到絕緣表層320上，其中導(dǎo)電層330的材質(zhì)比如是銅。
之后，請(qǐng)參閱圖4C所示，可以對(duì)導(dǎo)電層330進(jìn)行微影蝕刻的步驟，藉以形成圖案化線路層360于絕緣表層320上，其中在較佳的情況下，該圖案化線路層360是暴露出將來(lái)金屬層310欲形成凹口的位置。
接著，請(qǐng)參閱圖4D所示，可以利用機(jī)械鉆孔的方式或是激光鉆孔的方式，鉆過(guò)絕緣表層320而形成一凹口312，凹陷于金屬層310上。至此，基板370便制作完成。其中絕緣表層320具有一開(kāi)口322，是暴露出金屬層310的凹口312。
接著，請(qǐng)參閱圖4E所示，可以利用銀膠380將發(fā)光二極管芯片390黏附到凹口312的底部上，如此可以藉由控制凹口312的深度及側(cè)壁形狀，來(lái)調(diào)整發(fā)光二極管芯片390欲聚焦的位置及光通量強(qiáng)度。故在較佳的情況下，金屬層310是選用反光性佳的金屬，其反光強(qiáng)度至少要大于絕緣表層320的反光強(qiáng)度。
接下來(lái)，請(qǐng)參閱圖4F所示，可以利用打線的方式，藉以形成導(dǎo)線400使發(fā)光二極管芯片390與圖案化線路層360電性連接。
接著，請(qǐng)參閱圖4G所示，可以進(jìn)行灌膠的作業(yè)，使得一封裝膠體410可以包覆發(fā)光二極管芯片390及導(dǎo)線400，如此便完成發(fā)光二極管的封裝作業(yè)。在上述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)420中，由于基板370大部分是由金屬所構(gòu)成，因此可以大幅增加發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)420的散熱效率。
然而，本發(fā)明應(yīng)用于發(fā)光二極管的基板制程并不限于此，其亦可以藉由其它的方法所制成，如圖5A到圖5D所示，其是應(yīng)用于發(fā)光二極管的基板制程的剖面示意圖。
請(qǐng)參閱圖5A所示，本發(fā)明的應(yīng)用于發(fā)光二極管的基板制程，其包括以下步驟首先要提供具有凹口512的一金屬層510，其中在形成金屬層510時(shí)，可以利用灌模鑄造的方式直接形成具有凹口512的金屬層510；或者，亦可以利用機(jī)械鉆孔或激光鉆孔的方式，形成凹口512，凹陷于金屬層510，而金屬層510的材質(zhì)比如是鋁。
然后，可以利用前述的加熱氧化的方式、化學(xué)氣相沉積的方式或?qū)⒔饘賹?10沉浸到絕緣液體中的方式，藉以形成絕緣表層520于金屬層510上。如此，絕緣表層520的材質(zhì)比如為氧化鋁或是其它金屬層510的表面氧化物；而絕緣表層520的材質(zhì)亦可以是氧硅化合物或氮硅化合物；另外，絕緣表層520的材質(zhì)亦可以是玻璃環(huán)氧基樹(shù)脂(FR-4、FR-5)、雙順丁烯二酸醯亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine，BT)、環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)或聚亞醯胺等。
接著，請(qǐng)參閱圖5B所示，可以利用無(wú)電電鍍、電鍍或?yàn)R鍍等方式形成一導(dǎo)電層530到絕緣表層520上，其中導(dǎo)電層530的材質(zhì)比如是銅。
之后，請(qǐng)參閱圖5C所示，可以對(duì)導(dǎo)電層530進(jìn)行微影蝕刻的步驟，藉以形成圖案化線路層560于絕緣表層520上，其中在較佳的情況下，圖案化線路層560是暴露出金屬層510的凹口512處。
接著，請(qǐng)參閱圖5D所示，可以利用微影蝕刻的方式，將位于金屬層510的凹口512處的絕緣表層520去除。至此，基板570便制作完成。其中絕緣表層520具有一開(kāi)口522，是暴露出金屬層510的凹口512。接下來(lái)便可以將發(fā)光二極管芯片(圖中未示)封裝到金屬層510的凹口512上，其制程如前所述，在此便不再贅述。如上所述的更詳盡的發(fā)光二極管芯片封裝方法，可以參考臺(tái)灣專(zhuān)利公告第465808號(hào)。然而，本發(fā)明的應(yīng)用并不限于此，亦可以將發(fā)光二極管芯片貼附到不具凹口的金屬層上。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種基板結(jié)構(gòu)，其特征在于其至少包括一金屬層，具有至少一凹口，凹陷于該金屬層；一絕緣表層，位在該金屬層上，并暴露出該凹口；以及一圖案化線路層，位在該絕緣表層上，并暴露出該凹口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的金屬層的材質(zhì)是為鋁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為氧化鋁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為該金屬層的表面氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為氧硅化合物及氮硅化合物，二者擇一。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是選自于由玻璃環(huán)氧基樹(shù)脂(FR-4、FR-5)、雙順丁烯二酸醯亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine，BT)、環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)及聚亞醯胺所組成的族群中的其中一種材質(zhì)。
7.一種基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于其至少包括以下步驟提供一金屬層；形成一絕緣表層到該金屬層上；形成一圖案化線路層到該絕緣表層上；以及去除部份的該絕緣表層，并形成一凹口到該金屬層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于其中是利用加熱氧化該金屬層的方式藉以形成該絕緣表層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于其中是利用化學(xué)氣相沉積的方式形成該絕緣表層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于其中在形成該絕緣表層到該金屬層上時(shí)，是將該金屬層沉浸在一絕緣液體中，而該絕緣液體會(huì)殘留在該金屬層上，藉以形成該絕緣表層。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于其中是以機(jī)械鉆孔的方式及激光鉆孔的方式，二者擇一，去除部份的該絕緣表層，并形成該凹口到該金屬層上。
12.一種基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于其至少包括以下步驟提供一金屬層，該金屬層具有一凹口；形成一絕緣表層到該金屬層上及該凹口上；形成一圖案化線路層到該絕緣表層上，而該圖案化線路層是暴露出位在該凹口處的該絕緣表層；以及去除位在該凹口處的該絕緣表層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于其中是利用加熱氧化該金屬層的方式藉以形成該絕緣表層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于其中是利用化學(xué)氣相沉積的方式形成該絕緣表層。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于其中在形成該絕緣表層到該金屬層上及該凹口上時(shí)，是將該金屬層沉浸在一絕緣液體中，而該絕緣液體會(huì)殘留在該金屬層上及該凹口上，藉以形成該絕緣表層。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于其中是以機(jī)械鉆孔的方式及激光鉆孔的方式，二者擇一，形成該凹口到金屬層上。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于其中是以機(jī)械鉆孔的方式及激光鉆孔的方式，二者擇一，形成該凹口到金屬層上。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于其中是利用灌模鑄造的方式直接形成具有該凹口的該金屬層。
19.一種基板的絕緣層結(jié)構(gòu)，其特征在于其至少包括一金屬層，具有至少一孔洞，貫穿該金屬層；以及一絕緣表層，位在該孔洞的孔壁上并包覆該金屬層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的基板的絕緣層結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的金屬層的材質(zhì)是為鋁。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的基板的絕緣層結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為氧化鋁。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的基板的絕緣層結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為該金屬層的表面氧化物。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的基板的絕緣層結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為氧硅化合物及氮硅化合物，二者擇一。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的基板的絕緣層結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是選自于由玻璃環(huán)氧基樹(shù)脂(FR-4、FR-5)、雙順丁烯二酸醯亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine，BT)、環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)及聚亞醯胺所組成的族群中的其中一種材質(zhì)。
25.一種基板結(jié)構(gòu)，其特征在于其至少包括復(fù)數(shù)層圖案化線路層；以及復(fù)數(shù)層絕緣層，該些圖案化線路層與該些絕緣層交互疊合而成，而至少一該些絕緣層包括一金屬層，具有至少一孔洞，貫穿該金屬層；以及一絕緣表層，位在該孔洞的孔壁上并包覆該金屬層。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于其中其它的該些絕緣層的材質(zhì)是為高分子聚合物。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于其中其它的該些絕緣層的材質(zhì)是選自于由玻璃環(huán)氧基樹(shù)脂(FR-4、FR-5)、雙順丁烯二酸醯亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine，BT)、環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)、聚亞醯胺(polyimide)及陶瓷所組成的族群中的其中一種材質(zhì)。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的金屬層的材質(zhì)是為鋁。
29.根據(jù)權(quán)利要求25所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為氧化鋁。
30.根據(jù)權(quán)利要求25所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為該金屬層的表面氧化物。
31.根據(jù)權(quán)利要求25所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為氮硅化合物及氧硅化合物，二者擇一。
32.根據(jù)權(quán)利要求25所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是選自于由玻璃環(huán)氧基樹(shù)脂(FR-4、FR-5)、雙順丁烯二酸醯亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine，BT)、環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)及聚亞醯胺所組成的族群中的其中一種材質(zhì)。
33.根據(jù)權(quán)利要求25所述的基板結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的該些圖案化線路層的材質(zhì)包括銅。
34.一種基板的絕緣層結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于其至少包括提供一金屬層；形成至少一孔洞貫穿該金屬層；以及形成一絕緣表層于該孔洞的孔壁上并包覆該金屬層。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的基板的絕緣層制作方法，其特征在于其中是以機(jī)械鉆孔的方式形成該孔洞貫穿該金屬層。
36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的基板的絕緣層制作方法，其特征在于其中是以激光鉆孔的方式形成該孔洞貫穿該金屬層。
37.根據(jù)權(quán)利要求34所述的基板的絕緣層制作方法，其特征在于其中是利用加熱氧化該金屬層的方式藉以形成該絕緣表層。
38.根據(jù)權(quán)利要求34所述的基板的絕緣層制作方法，其特征在于其中是利用化學(xué)氣相沉積的方式形成該絕緣表層。
39.根據(jù)權(quán)利要求34所述的基板的絕緣層制作方法，其特征在于其中在形成該絕緣表層于該孔洞的孔壁上并包覆該金屬層時(shí)，是將該金屬層沉浸在一絕緣液體中，而該絕緣液體會(huì)殘留在該金屬層上，藉以形成該絕緣表層。
40.一種由上述基板的絕緣層制作方法制成的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其至少包括一金屬層；一絕緣表層，位在該金屬層上，且該絕緣表層具有一開(kāi)口，暴露出該金屬層；一圖案化線路層，位在該絕緣表層上；一發(fā)光二極管芯片，位在該絕緣表層的該開(kāi)口所暴露出的該金屬層上，該發(fā)光二極管芯片是與該圖案化線路層電性連接；以及一封裝膠體，是包覆該發(fā)光二極管芯片。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的金屬層的材質(zhì)是為鋁。
42.根據(jù)權(quán)利要求40所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為氧化鋁。
43.根據(jù)權(quán)利要求40所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為該金屬層的表面氧化物。
44.根據(jù)權(quán)利要求40所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是為氧硅化合物及氮硅化合物，二者擇一。
45.根據(jù)權(quán)利要求40所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的絕緣表層的材質(zhì)是選自于由玻璃環(huán)氧基樹(shù)脂(FR-4、FR-5)、雙順丁烯二酸醯亞胺-三氮雜苯(Bismaleimide-Triazine，BT)、環(huán)氧樹(shù)脂(epoxy)及聚亞醯胺所組成的族群中的其中一種材質(zhì)。
46.根據(jù)權(quán)利要求40所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的金屬層具有一凹口，該絕緣表層的該開(kāi)口是暴露出的該金屬層的該凹口，該發(fā)光二極管芯片是位在該凹口中。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種基板結(jié)構(gòu)、基板的絕緣層結(jié)構(gòu)及其制作方法，該基板結(jié)構(gòu)，至少包括一金屬層、一絕緣表層及一圖案化線路層；金屬層具有至少一凹口，凹陷于金屬層；絕緣表層位在金屬層上，并暴露出金屬層的凹口，而圖案化線路層位在絕緣表層上。該制作方法，至少包括提供一金屬層；形成一絕緣表層到金屬層上；形成一圖案化線路層到絕緣表層上；及去除部分的絕緣表層，并形成一凹口到金屬層上。本發(fā)明基板絕緣層由絕緣表層包覆金屬層構(gòu)成，故制作的基板具甚佳導(dǎo)熱速率、延展性及硬度，亦具甚佳耐熱性。基板回收后可藉加熱溶解解析出金屬而可再制利用。另金屬層鉆孔時(shí)退屑容易，不會(huì)因阻塞而使孔洞鉆歪。再者用鉆針或激光鉆金屬層時(shí)，亦可避免在孔洞孔壁上產(chǎn)生焦黑現(xiàn)象。
文檔編號(hào)H05K3/00GK1571620SQ03149518
公開(kāi)日2005年1月26日 申請(qǐng)日期2003年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月14日
發(fā)明者劉惟滿 申請(qǐng)人:銀河光電股份有限公司