專利名稱:層疊型電子元器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及層疊型電子元器件,特別是涉及在朝外部露出的面上設(shè)置外部導體膜的層疊型電子元器件。
背景技術(shù):
圖5所示為日本專利特開2001-267448號公報所揭示的對于本發(fā)明感興趣的以往的層疊型電子元器件1的剖視圖。
層疊型電子元器件1是安裝在用點劃線所示的安裝基板2上的元器件,具有層疊體4,該層疊體4具有將電氣絕緣性的多個絕緣層3沿厚度方向?qū)盈B的結(jié)構(gòu)。絕緣層3典型的是由陶瓷構(gòu)成。
在層疊體4上,在其至少1個主面、例如面向安裝基板2一側(cè)的第1主面5上,設(shè)置位于開口6位置的空腔7,在空腔7內(nèi)放入例如IC芯片或彈性表面波濾波器等片狀元器件8,還有的情況下,在空腔7內(nèi)放入片狀元器件8之后,用電氣絕緣性的樹脂填入空腔7,這在圖中未畫出。
在層疊體4的內(nèi)部設(shè)置若干內(nèi)部導體膜及若干通孔導體,在該層疊型電子元器件1中進行必要的布線,這在圖中未詳細畫出。也有的情況下配置這些內(nèi)部導體膜及通孔導體,使它們構(gòu)成電容器、電感器、延遲線或濾波器等。也有的情況下在層疊體4的內(nèi)部,除了上述的內(nèi)部導體膜之外,還設(shè)置構(gòu)成電阻器的電阻體膜。
圖5中所示的狀態(tài)是,作為上述的內(nèi)部導體膜配置了構(gòu)成電容器的1對電容形成用導體膜9及10,使它隔著特定的絕緣層3相對配置。
層疊體4上作為露出在絕緣層3的外部的表面,有例如前述的第1主面5、與該主面5相對的第2主面11、以及空腔7的底面12。而且,在第1主面5上設(shè)置外部導體膜13,在第2主面11上設(shè)置外部導體膜14,在空膜7的底面12上設(shè)置外部導體膜15。
外部導體膜13起到的功能是在與安裝該層疊型電子元器件1用的安裝基板(母板)之間作為實現(xiàn)電氣連接用的導電性焊盤。外部導體膜14起到的功能是在與安裝在第2主面11上的片狀元器件16之間作為實現(xiàn)電氣連接用的導電性焊盤。外部導體膜15起到的功能是提供與放入空腔內(nèi)的片狀元器件8接合用的芯片接合面。
另外,作為裝在層疊體4的主面11上的片狀元器件16,例如包括具有電容器、電感器、電阻器、二極管、IC、存儲器、SAW濾波器及晶振器等功能的電子元器件。
例如,對于外部導體膜13在將層疊型電子元器件1安裝在安裝基板2上時,對于外部導體膜14在安裝片狀元器件16時,或者對于外部導體膜15在安裝片狀元器件8時,分別受到一定程度的沖擊,因此而產(chǎn)生應(yīng)力,結(jié)果在緊靠各外部導體膜13-15下面的絕緣層3常常產(chǎn)生裂紋。特別是絕緣層3由陶瓷構(gòu)成時,將容易產(chǎn)生這樣的裂紋。
另外,例如在層疊型電子元器件1掉下時,或與其它的元器件碰撞時,有時也產(chǎn)生上述的裂紋。
這樣,在緊靠外部導體膜下面的陶瓷產(chǎn)生裂紋時,常常會引起以下的問題。
例如,假設(shè)緊靠外部導體膜15的下面的絕緣層3產(chǎn)生裂紋,并維持該狀態(tài)不變,對外部導體膜15加上接地電位,同時使用該層疊型電子元器件1。在這種情況下,在外部導體膜15與例如電容形成用導體膜10之間,由于加上一定的直流偏置,因此有時在外部導體膜15與電容形成用導體膜10之間產(chǎn)生構(gòu)成這些導體膜的金屬材料的電位移,導致短路或泄漏等不良情況,有損層疊型電子元器件1的功能。
上述進行的說明是與外部導體膜15有關(guān)的情況,對于外部導體膜13及14,也會遇到同樣的問題。
因此,本發(fā)明的目的在于要提供能夠解決上述那樣的問題的層疊型電子元器件。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的層疊型電子元器件,包括層疊體,所述層疊體具有將電氣絕緣性的多個絕緣層與沿所述絕緣層間的特定界面形成的內(nèi)部導體膜沿厚度方向?qū)盈B的結(jié)構(gòu),以及設(shè)置在露出在所述層疊體外部的面上的外部導體膜;沿所述絕緣層間的特定界面設(shè)置與所述外部導體膜相同電位的輔助導體膜,使其與所述外部導體膜相對。
最好使得在輔助導體膜與外部導體膜之間隔著1層絕緣層。
另外,最好輔助導體膜與外部導體膜之間的絕緣層的厚度設(shè)為10-150μm。
最好這樣形成輔助導體膜,使其具有至少覆蓋外部導體膜的面積,即具有與外部導體膜相等或其以上的面積,而且在平面透視時,輔助導體膜包圍外部導體膜。
為了使輔助導體膜與外部導體膜如上所述相互具有同電位,可以采用例如通過通孔導體將它們相互電氣連接的結(jié)構(gòu),或者通過在層疊體的外表面上設(shè)置的導體將它們相互電氣連接的結(jié)構(gòu)。
在層疊型電子元器件使用狀態(tài)下在外部導體膜與內(nèi)部導體膜之間加上直流偏置時,采用本發(fā)明特別有效。
例如層疊體具有第1主面及與其相對的第2主面,上述外部導體膜設(shè)置在第1主面及第2主面中的至少1個主面上。在這種情況下,外部導體膜是為了實現(xiàn)在與安裝在層疊體的1個主面上的片狀元器件之間進行電氣連接用的,或者是為了實現(xiàn)在與安裝該層疊型電子元器件的安裝基板(母板)之間進行電氣連接用的。
另外,層疊體上也可以在其至少1個主面上設(shè)置位于開口位置的空腔。在這種情況下,外部導體膜例如設(shè)置在空腔的底面上。在還具有放入空腔內(nèi)的片狀元器件的情況下,上述外部導體膜也可以是為了接合該片狀元器件用的芯片接合面。
另外,上述的情況下,外部導體膜與片狀元器件也有時不進行電氣連接,外部導體膜也有時用作片狀元器件機械固定,或者用作屏蔽。
另外,在設(shè)置上述那樣的空腔的情況下,在輔助導體膜與外部導體膜通過通孔導體相互電氣連接時,為了確??涨坏酌娴钠教剐?,該通孔導體最好位于空腔底面延伸區(qū)域之外。
在絕緣層由陶瓷構(gòu)成時,采用本發(fā)明特別有效。
圖1所示為根據(jù)本發(fā)明第1實施形態(tài)的層疊型電子元器件21的剖面圖。
圖2所示為根據(jù)本發(fā)明第2實施形態(tài)的層疊型電子元器件51的剖面圖。
圖3所示為根據(jù)本發(fā)明第3實施形態(tài)的層疊型電子元器件61的剖面圖。
圖4所示為根據(jù)本發(fā)明第4實施形態(tài)的層疊型電子元器件71的剖面圖。
圖5所示為對于本發(fā)明感興趣的以往的層疊型電子元器件1的剖面圖。
標號說明21、51、61、71 層疊型電子元器件22 安裝基板23 絕緣層24、52、62、72 層疊體25、29 主面26 開口27 空腔28、33 片狀元器件30 底面31、32、63、73 外部導體膜42、53、64、74 輔助導體膜43、54、75 通孔導體65 導體具體實施方式
圖1所示為根據(jù)本發(fā)明的第1實施形態(tài)的層疊型電子元器件21的剖面圖。
層疊型電子元器件21是安裝在用點劃線所示的安裝基板22上的元器件,具有層疊體24,該層疊體24具有將電氣絕緣性的多層絕緣層23沿厚度方向?qū)盈B的結(jié)構(gòu)。絕緣層23典型的是由陶瓷構(gòu)成,但也可以由樹脂等其它電氣絕緣性材料構(gòu)成。
在層疊體24上,在其至少1個主面、例如面向安裝基板22一側(cè)的第1主面25上,設(shè)置位于開口26位置的空膜27。在空腔27內(nèi)放入并安裝IC芯片或彈性表面波濾波器等片狀元器件28。片狀元器件28利用例如引線接合或倒裝芯片接合(凸點連接)等,與層疊體24一側(cè)的導電焊盤電氣連接。另外,在片狀元器件28裝在空腔27內(nèi)之后,也可以將電氣絕緣性樹脂填入空腔27。
層疊體24上作為沿絕緣層23的展開方向而展開的而且朝外部露出的面,除了前述的第1主面25以外,還具有與該第1主面25相對的第2主面29及空腔27的底面30。然后,在第2主面29設(shè)置外部導體膜31,在空腔27的底面30上設(shè)置外部導體膜32。
外部導體膜31起到的功能是在與安裝在層疊體24的第2主面29上的片狀元器件33之間作為實現(xiàn)電氣連接用的導電焊盤。另外,外部導體膜32是提供與放入空腔27內(nèi)的片狀元器件28接合用的芯片接合面。另外,外部導體膜32為了與后述的內(nèi)部導體膜或通孔導體連接,不僅在空腔27的底面30上形成,而且延伸到層疊體24的內(nèi)部,但不一定必須這樣延伸。
作為裝在上述第2主面29上的片狀元器件33,例如包括具有電容器、電感器、電阻器、二極管、IC、存儲器、SAW濾波器及晶振等功能的電子元器件。
在層疊體24的側(cè)面上的第1主面25一側(cè)的端部,設(shè)置起到作為輸入輸出用端子功能的端子導體34及與其連接的外部導體膜63。端子導體34及外部導體膜63是用來實現(xiàn)在與安裝基板22之間的電氣連接。端子導體34是這樣形成的,在得到多個層疊體24的母層疊體階段形成通孔導體,在分割母層疊體時,將該通過導體分割,通過這樣而形成。在本實施形態(tài)中,在分割母層疊體之前,形成分割上述通孔導體用的溝槽,在層疊體24的側(cè)面形成因該溝槽形成而產(chǎn)生的臺階部分35。
另外,端子導體34也可以通過對分割后的層疊體24的側(cè)面附加導電性糊膏等導體而形成。另外,也可以不一定形成上述外部導體膜63。
層疊型電子元器件21也可以具有用雙點劃線所示形狀的金屬罩36。金屬罩36安裝在層疊體24的第2主面29上,使其覆蓋片狀元器件33。金屬罩36在與端子導體34的特定部分、例如具有接地電位的端子導體34之間進行焊接,并因此而對該特定的端子導體34進行電氣連接而且進行機械固定。
在層疊體24的內(nèi)部沿絕緣層23之間的特定界面設(shè)置若干內(nèi)部導體膜,另外設(shè)置若干通孔導體,使其貫通特定的絕緣層23,這在圖1中未詳細畫出。這些內(nèi)部導體膜及通孔導體在該層疊型電子元器件21中進行必要的布線,同時根據(jù)需要配置,使其構(gòu)成電容器、電感器、延遲線及濾波器等。也有的情況下在層疊體24的內(nèi)部,除了上述內(nèi)部導體膜之外,還設(shè)置構(gòu)成電阻器的電阻體膜。
在圖1中,作為上述的內(nèi)部導體膜。圖中所示的有內(nèi)部導體膜37、38、39及40,作為通孔導體,圖中所示的有通孔導體41。
再有,作為本發(fā)明的特征性的結(jié)構(gòu),是在層疊體24的內(nèi)部沿絕緣層23之間的特定界面設(shè)置輔助導體膜42,使其與外部導體膜32相對。輔助導體膜42通過通孔導體43與外部導體膜32電氣連接,通過這樣相對于外部導體膜32處于同電位。通過設(shè)置這樣的輔助導體膜42,具有下述的效果。
前述的內(nèi)部導體膜37-39例如是為了形成電容而設(shè)置的,另外在該層疊型電子元器件21的使用狀態(tài)下,在對外部導體膜32加上接地電位時,有時對外部導體膜32加上一定的直流偏置。在這樣的狀況下,即使在緊靠外部導體膜32的下面的絕緣層23產(chǎn)生裂縫,但由于外部導體膜32與輔助導體膜42相互為同電位,因此相互之相不產(chǎn)生電場,所以也不會產(chǎn)生電位移。結(jié)果,能夠防止層疊型電子元器件21產(chǎn)生短路或泄漏等致命的不良缺陷。
另外,輔助導體膜42還具有抑制功能,使得上述裂紋不在層疊體24的內(nèi)部進一步擴大。
輔助導體膜42與外部導體膜32之間的絕緣層23的厚度越厚,裂紋越難以產(chǎn)生,另外電位移也越難以產(chǎn)生,但另一方面卻不利于層疊型電子元器件21降低高度。因而,比較考慮到這兩個主面因素時,輔助導體膜42與外部導體膜32之間的絕緣層23的厚度比較理想的為10-150μm左右,但最好是25μm及25μm以上。另外,在輔助導體膜42與外部導體膜32之間最好設(shè)計為僅隔著1層絕緣層23。
另外,為了更有效地發(fā)揮輔助導體膜42的所產(chǎn)生的前述那樣的效果,輔助導體膜42最好這樣形成,使其具有與外部導體膜32的面積相等或其以上的面積,而且在平面透視時,包圍外部導體膜32。通過這樣,例如即使通過裂紋有鍍液滲入,對于這樣的鍍液滲入的情況,利用輔助導體膜42也能夠期望它具有更有效的抑制的效果。
另外,輔助導體膜42還最好這樣形成,使其在平面透視時包圍內(nèi)部導體膜37-39。
另外,通孔導體42最好位于內(nèi)腔27的底面30延伸的區(qū)域之外。即,由于在緊靠內(nèi)腔27的底面30的下面不配置通孔導體43,因此能夠減少上述鍍液沿通孔導體43產(chǎn)生滲入的可能性,同時能夠防止因通孔導體43而損壞底面30的平坦性。
圖2所示為根據(jù)本發(fā)明第2實施形態(tài)的層疊型電子元器件51的剖面圖。在圖2中,對于與圖1所示的要素相當?shù)囊馗郊油瑯拥膮⒄諛颂?,并省略重?fù)的說明。
沿絕緣層23之間的特定界面設(shè)置輔助導體膜53,使其與層疊型電子元器件51所具的層疊體52的第2主面29上設(shè)置的外部導體膜31相對。輔助導體膜53通過通孔導體54與外部導體膜31電氣連接,通過這樣相對于外部導體膜31處于相同電位。
在圖2中,作為在層疊體52的內(nèi)部形成的內(nèi)部導體膜,圖中所示的有內(nèi)部導體膜55、56及57。這些內(nèi)部導體膜55-57具有例如電容形成或布線等功能,也有時在這些內(nèi)部導體膜55-57與外部導體膜31之間加上一定的直流偏置的狀態(tài)下使用。因此,在緊靠外部導體膜31的下面的絕緣層23中產(chǎn)生裂紋的情況下,將引起前述那樣的因電位移而引起的短路或泄漏等問題。
利用圖2所示輔助導體膜53,也與圖1所示的輔助導體膜42的情況本質(zhì)上相同,能夠使上述問題難以產(chǎn)生。另外,圖2所示輔助導體膜53還有助于提高強度,以防止外部導體膜31的剝離或脫落。
圖3所示為根據(jù)本發(fā)明第3實施形態(tài)層疊型電子元器件61的剖面圖。在圖3中,對于與圖1所示的要素相當?shù)囊馗郊油瑯拥膮⒄諛颂枺⑹÷灾貜?fù)的說明。
在圖3所示的層疊型電子元器件61所具有的層疊體62的面向安裝基板22一側(cè)的第1主面25上,設(shè)置起到作為輸入輸出用端子的功能的外部導體膜63,使其在與安裝基板22之間實現(xiàn)電氣連接。而且沿絕緣層23之間的特定界面設(shè)置輔助導體膜64,使其與該外部導體膜63相對。
另外,輔助導體膜64與外部導體膜63通過在層疊體62的外表面、例如側(cè)面上設(shè)置的導體65相互進行電氣連接,通過這樣相互處于同電位。該導體65可以采用與圖1所示的端子導體34本質(zhì)上相同的方法形成。
在圖3中,作為在層疊體62的內(nèi)部形成的內(nèi)部導體膜,圖中所示的有內(nèi)部導體膜66、67及68。這些內(nèi)部導體膜66-68具有例如電容形成、賦予接地電位或布線等功能。因而,外部導體膜63有時處于對它加上一定的直流偏置的狀況下。因此,在緊靠外部導體膜63的下面的絕緣層23中產(chǎn)生裂紋的情況下,將引起前述那樣的因電位移而引起的短路或泄漏等問題。
利用圖3所示的輔助導體膜64,也與圖1所示的輔助導體膜42的情況本質(zhì)上相同,能夠使上述問題難以產(chǎn)生。
圖4所示為根據(jù)本發(fā)明第4實施形態(tài)的層疊型電子元器件71的剖面圖。在圖4中,對于與圖1所示的要素相當?shù)囊馗郊酉嗤膮⒄諛颂?,并省略重?fù)的說明。
在圖4所示的層疊型電子元器件71所具有的層疊體72的面向安裝基板22一側(cè)的第1主面25上,設(shè)置例如具有LGA(Land Grid Array,焊盤柵陣列)結(jié)構(gòu)的外部導體膜73。外部導體膜73是用來在安裝基板22之間實現(xiàn)電氣連接的。沿絕緣層23之間的特定界面設(shè)置輔助導體膜74,使其與這些外部導體膜73相對。輔助導體膜74與外部導體膜73通過通孔導體73相互進行電氣連接,通過這樣相互處于同電位。
在圖4中,作為在層疊體72的內(nèi)部形成的內(nèi)部導體膜,圖中所示的有內(nèi)部導體膜76、77及78。這些內(nèi)部導體膜76-78具有例如電容形成、賦予接地電位或布線等功能。因而,外部導體膜73有時處于對它加上一定的直流偏置的狀況下。因此,在緊靠外部導體膜73的下面的絕緣層23中產(chǎn)生裂紋的情況下,將引起前述那樣的因電位移而引起的短路或泄漏等問題。
利用圖4所示的輔助導體膜74,也與圖1所示的輔助導體膜42的情況本質(zhì)上相同,能夠使上述問題難以產(chǎn)生。另外,輔助導體膜74還有助于提高強度,以防止外部導體膜73的剝離或脫落。
以上是對圖示的實施形態(tài)就本發(fā)明進行了說明,但在本發(fā)明的范圍內(nèi),可以有其它各種變形例子。
例如,關(guān)于圖示的實施形態(tài)的絕緣層層疊數(shù),與層疊體相關(guān)設(shè)置的內(nèi)部導體膜、通孔導體及外部導體膜等的配置,可以根據(jù)想要得到的層疊型電子元器件的設(shè)計進行任意的改變。
另外,也可以適當組合第1至第4實施形態(tài)的各具特征的結(jié)構(gòu)。
另外,在圖示的實施形態(tài)中,是對1個外部導體膜設(shè)置1個輔助導體膜,但也可以例如設(shè)置多個外部導體膜,使其相互相鄰,在這些外部導體膜相互為同電位時,設(shè)置1個輔助導體膜,使其共同與這多個外部導體膜相對。
如上所述,根據(jù)本發(fā)明,在層疊型電子元器件所具有層疊體中,由于沿絕緣層之間的特定界面設(shè)置與外部導體膜相同電位的輔助導體膜,使其與外部導體膜相對,因此即使在緊靠外部導體膜的下面的絕緣層產(chǎn)生裂紋的情況下,由于外部導體膜與輔助導體膜相互為同電位,因此相互間不產(chǎn)生電場,所以也不產(chǎn)生電位移,因而能夠有效防止產(chǎn)生的例如短路或泄漏等致命的不良缺陷。
另外,由于輔助導體膜能夠抑制裂紋的進一步擴大,因此能夠防止層疊型電子元器件達到機械性破壞的程度。
在本發(fā)明中,在輔助導體膜與外部導體膜之間隔著1層絕緣層,或者輔助導體膜與外部導體膜之間的絕緣層厚度為10-150μm左右,通過這樣不那么妨礙層疊型電子元器件降低高底,并能夠充分發(fā)揮輔助導體膜產(chǎn)生的效果。
另外,輔助導體膜若至少具有覆蓋外部導體膜的面積,則能夠確實發(fā)揮輔助導體膜產(chǎn)生的效果,同時對于例如通過裂紋滲入的鍍液,利用輔助導體膜也確實能夠加以阻止。
在外部導體膜與內(nèi)部導體膜之間加上直流偏置時,由于會遇到因電場而產(chǎn)生的電位移的問題,因此能夠更明顯發(fā)揮本發(fā)明產(chǎn)生的效果。
另外,在本發(fā)明有關(guān)的層疊型電子元器件所具有的層疊體上設(shè)置空腔的情況下,在該空腔的底面上設(shè)置的外部導體膜與輔助導體膜通過通孔導體相互進行電氣連接時,若通孔導體位于空腔底面延伸區(qū)域以外,則能夠減少沿通孔導體鍍液滲入的可能性,同時能夠防止因通孔導體而損傷空腔底面的平坦性。
權(quán)利要求
1.一種層疊型電子元器件,其特征在于,包括層疊體,所述層疊體具有將電氣絕緣性的多個絕緣層與沿所述絕緣層間的特定界面形成的內(nèi)部導體膜沿厚度方向?qū)盈B的結(jié)構(gòu),以及設(shè)置在露出在所述層疊體外部的面上的外部導體膜;沿所述絕緣層間的特定界面設(shè)置與所述外部導體膜相同電位的輔助導體膜,使其與所述外部導體膜相對。
2.如權(quán)利要求1所述的層疊型電子元器件,其特征在于,在所述輔助導體膜與所述外部導體膜之間隔著1層所述絕緣層。
3.如權(quán)利要求1所述的層疊型電子元器件,其特征在于,所述輔助導體膜與所述外部導體膜之間的所述絕緣層的厚度為10-150μm。
4.如權(quán)利要求1所述的層疊型電子元器件,其特征在于,所述輔助導體膜這樣形成,使其具有至少與所述外部導體膜相等或其以上的面積而且在平面透視時包圍所述外部導體膜。
5.如權(quán)利要求1所述的層疊型電子元器件,其特征在于,所述輔助導體膜與所述外部導體膜通過通孔導體相互電氣連接。
6.如權(quán)利要求1所述的層疊型電子元器件,其特征在于,所述輔助導體膜與所述外部導體膜通過在所述層疊體的外表面上設(shè)置的導體相互電氣連接。
7.如權(quán)利要求1所述的層疊型電子元器件,其特征在于,所述外部導體膜在與所述內(nèi)部導體膜之間加上直流偏置。
8.如權(quán)利要求1所述的層疊型電子元器件,其特征在于,所述層疊體具有第1主面及與其相對的第2主面,所述外部導體膜設(shè)置在第1主面及第2主面中的至少1個主面上。
9.如權(quán)利要求8所述的層疊型電子元器件,其特征在于,還包括安裝在所述層疊體的所述第1及第2主面中的至少1個主面上的片狀元器件,所述外部導體膜用來實現(xiàn)與所述片狀元器件之間的電氣連接。
10.如權(quán)利要求8所述的層疊型電子元器件,其特征在于,所述外部導體膜用來實現(xiàn)與安裝該層疊型電子元器件的安裝基板之間的電氣連接。
11.如權(quán)利要求1所述的層疊型電子元器件,其特征在于,所述層疊體上在其至少1個主面上設(shè)置位于開口位置的空腔,所述外部導體膜設(shè)置在所述空腔的底面上。
12.如權(quán)利要求11所述的層疊型電子元器件,其特征在于,還包括放入所述空腔內(nèi)的片狀元器件,所述外部導體膜提供為了接合所述片狀元器件用的芯片接合面。
13.如權(quán)利要求11所述的層疊型電子元器件,其特征在于,所述輔助導體膜與所述外部導體膜通過通孔導體相互電氣連接,同時所述通孔導體位于所述空腔底面展開區(qū)域之外。
14.如權(quán)利要求1所述的層疊型電子元器件,其特征在于,所述絕緣層由陶瓷構(gòu)成。
全文摘要
在將多個絕緣層層疊的層疊體的外表面上設(shè)置外部導體膜的層疊型電子元器件中,在緊靠外部電極的下面的絕緣層產(chǎn)生裂紋時,由于外部導體膜與內(nèi)部導體膜之間所加的直流偏置,有時將產(chǎn)生電位移,導致短路或泄漏等不良情況。隔著絕緣層23設(shè)置與外部導體膜32同電位的輔助導體膜42,使其與外部導體膜32相對,同時利用通孔導體43將輔助導體膜42與外部導體膜32相互進行電氣連接,這樣相互成為同電位。
文檔編號H05K1/18GK1505135SQ03159328
公開日2004年6月16日 申請日期2003年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月4日
發(fā)明者加藤充英, 兒堂義一, 小川圭二, 一, 二 申請人:株式會社村田制作所