專利名稱：場致發(fā)光顯示器,包括這種顯示器的電子裝置和場致發(fā)光顯示器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及場致發(fā)光顯示器，它包括至少一個顯示像素，所述顯示像素至少包括-襯底-淀積在所述襯底上或橫跨所述襯底的第一電極；-場致發(fā)光層；以及-第二電極。
本發(fā)明還涉及包括這種場致發(fā)光顯示器的電子裝置并涉及場致發(fā)光顯示器的制造方法。
日本公開特許公報11-214162公開了一種場致發(fā)光顯示器，它包括在襯底上形成的顯示像素。顯示像素由絕緣層和夾在第一和第二電極之間的場致發(fā)光層構(gòu)成。通過在第一電極上設(shè)置多個細(xì)小的突出物來改善場致發(fā)光顯示器的光輸出。這些突出物導(dǎo)致第二電極的一些部分傾斜。第二電極的這些傾斜表面有助于提高場致發(fā)光顯示器各顯示像素的光輸出效率。
但旨在優(yōu)化光輸出的場致發(fā)光顯示器的顯示結(jié)構(gòu)常常需要若干附加的制造步驟。
本發(fā)明的一個目的是提供一種場致發(fā)光顯示器，它能改善光輸出，而不需要或僅需要極少的附加制造步驟。或者，對于同樣的光輸出可以使用較小的顯示像素孔徑，這對于制造過程的強(qiáng)壯性很有利，或者可以對顯示像素加較小的驅(qū)動電流，于是可以降低功率或減緩?fù)嘶?br> 此目的通過提供一種場致發(fā)光顯示器來實(shí)現(xiàn)，所述顯示器的特征在于所述顯示像素還包括在所述顯示像素內(nèi)的至少一個絕緣結(jié)構(gòu)，所述絕緣結(jié)構(gòu)適合于增強(qiáng)所述顯示像素的光輸出。所述絕緣結(jié)構(gòu)在下文中又稱為光輸出增強(qiáng)結(jié)構(gòu)(LOES)。
在場致發(fā)光顯示器的制造過程中要進(jìn)行數(shù)個構(gòu)成步驟?？梢栽趥鹘y(tǒng)制造步驟之一中獲得絕緣結(jié)構(gòu)，所以不需要附加的工藝步驟。絕緣結(jié)構(gòu)最好由分隔第一和第二電極的絕緣層獲得。在此實(shí)施例中，可以在為了建立第一電極和隨后要淀積的發(fā)光層之間的接觸而在絕緣層中形成接觸孔的同一步驟中實(shí)現(xiàn)絕緣結(jié)構(gòu)。也可以通過構(gòu)成一個或多個上襯底層來獲得絕緣結(jié)構(gòu)。此實(shí)施例也很容易制造。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，顯示像素包括至少一個側(cè)光輸出增強(qiáng)結(jié)構(gòu)(SLOES)。SLOES可以捕獲試圖從像素逸出到鄰近像素的光。這種SLOES可以和顯示像素內(nèi)的LOES組合，以便更進(jìn)一步地改善光輸出。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，SLOES包括傾斜的壁，以便增加顯示像素的光輸出并阻止從該場致發(fā)光顯示器的鄰近顯示像素接收的光輸出出現(xiàn)在所述顯示像素上。因此，在此實(shí)施例中，SLOES具有多重任務(wù)，以便最佳地改善場致發(fā)光顯示器的性能。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，和像素的橫向尺寸相比，襯底或在其上形成顯示像素的上襯底層很薄。此特征增強(qiáng)了顯示像素的光輸出，因?yàn)闇p小襯底厚度增加了光在離開顯示像素前在折射率不匹配的上襯底層界面處或在襯底-空氣界面處由LOES或SLOES反射的全內(nèi)反射(TIR)的光的概率。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，場致發(fā)光顯示器工作時LOES或SLOES在顯示像素內(nèi)提供不同亮度級的區(qū)域。這些區(qū)域可以用來獲得顯示器上不同亮度級的圖像，例如圖形或圖標(biāo)，這樣可以顯示更生動的圖像，或者可以降低功率。
下面將指出，可以將前述實(shí)施例或前述實(shí)施例的一些方面組合起來。
本發(fā)明還涉及包括按照本發(fā)明的場致發(fā)光顯示器的電子裝置。這種裝置可以例如是移動電話或個人數(shù)字助理(PDA)。
本發(fā)明還涉及包括至少一個顯示像素的場致發(fā)光顯示器的制造方法，所述方法至少包括以下步驟-提供襯底；-在襯底上淀積第一電極層；-在第一電極層上淀積場致發(fā)光層；-在場致發(fā)光層上或橫跨場致發(fā)光層淀積第二電極層；其中，所述方法還包括一個構(gòu)成步驟，在所述步驟中，在顯示像素內(nèi)設(shè)置適合于增強(qiáng)顯示像素的光輸出的至少一個絕緣結(jié)構(gòu)。
所述方法的優(yōu)點(diǎn)是此構(gòu)成步驟常常可以結(jié)合到傳統(tǒng)的制造過程中，或僅需要一個或少數(shù)幾個附加的或改動的工藝步驟。在優(yōu)選實(shí)施例中，此構(gòu)成步驟是當(dāng)在絕緣層中或橫跨絕緣層淀積所述第一電極時進(jìn)行的。此構(gòu)成步驟可以和為了建立第一電極和隨后要淀積的發(fā)光層之間的接觸而在此中間層中形成接觸孔的步驟結(jié)合進(jìn)行。這樣，就不需要附加的制造步驟來獲得具有增強(qiáng)光輸出的場致發(fā)光顯示器。
在一個實(shí)施例中，場致發(fā)光顯示器中的層厚各有不同，以便控制能增強(qiáng)光輸出的各種效應(yīng)。這樣，就可以實(shí)現(xiàn)最佳控制。
US6,091,195公開了一種具有臺面式像素配置的彩色顯示器，這種配置能捕獲在像素邊緣由鏡面或全內(nèi)反射的光。這些鏡面與襯底構(gòu)成一定的角度，使入射到這些鏡面的光離開顯示像素，從而增加了光輸出。與本發(fā)明的場致發(fā)光顯示器相比，制造這種場致發(fā)光顯示器很復(fù)雜，需要附加的工藝步驟。
以下將參閱附圖對本發(fā)明的實(shí)施例作更詳細(xì)的說明，附圖中

圖1示出按照本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示像素。
圖2A、B和C示出包括不同層結(jié)構(gòu)的LOES。
圖3示出表示顯示像素的電氣圖。
圖4示出按照本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示像素。
圖5A、B和C示出各種像素內(nèi)圖像圖6示出圖解說明各種像素內(nèi)亮度級的示意圖。
圖1是按照本發(fā)明第一實(shí)施例的有源矩陣發(fā)光顯示器的部分截面圖(未按比例)。有源顯示器包括承載第一電極2的襯底1；介質(zhì)絕緣層3；發(fā)光層4；以及第二反射電極5。在所示配置中，場致發(fā)光顯示器呈現(xiàn)包括子像素6、7的顯示像素P。
襯底1可以包括底襯底1’和幾個上襯底層，如圖2A-C所示。底襯底最好用透明材料例如玻璃或塑料制成，襯底的總厚度在100-700μm范圍內(nèi)，而各上襯底層的總厚度通常為1-3μm。
第一電極2對于在發(fā)光層4中產(chǎn)生的光是透明的。通常第一電極2由氧化銦錫(ITO)制成，但也可以使用不同的導(dǎo)電和透明材料。制造場致發(fā)光顯示器時，將絕緣層3淀積在第一電極2上，隨后將要形成顯示像素P的位置上的絕緣層3去除。舉例來說，介質(zhì)絕緣層3由氮化硅或氧化硅制成，厚度為0.5μm。
第一電極2和介質(zhì)絕緣層3由場致發(fā)光層4或包括場致發(fā)光材料(例如某些有機(jī)材料，像聚對苯撐亞乙烯(PPV)或其衍生物)的層覆蓋。場致發(fā)光層4可以利用真空淀積、化學(xué)汽相淀積或使用液體的技術(shù)(例如旋涂、浸涂或噴墨打印)來淀積。通常在聚合物有機(jī)場致發(fā)光顯示器中，將由導(dǎo)電聚合物(聚苯胺(PANI)或poly-3，4-ethylenedioxythiopene(PEDOT)制成的附加層加到第一電極2和場致發(fā)光層4之間。
場致發(fā)光層4由第二電極5覆蓋。第二電極是金屬的并且是強(qiáng)反射的。從場致發(fā)光顯示器的頂視圖看，第二電極或者呈現(xiàn)為橫跨各顯示像素的金屬條或者呈為基本上連續(xù)的不間斷的層。
應(yīng)當(dāng)指出，雖然圖1是有源場致發(fā)光顯示器的截面圖，但本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)也同樣適用于無源場致發(fā)光顯示器、單色和彩色顯示器。在無源矩陣顯示器中，可將附加的介質(zhì)層引入制造過程，因?yàn)榘l(fā)射層對有源或無源矩陣顯示器是共同的。甚至對于小分子有機(jī)場致發(fā)光顯示器，此過程也可以是通用的。
在啟動圖1所示的場致發(fā)光顯示器時，可以通過顯示器控制裝置將電壓加到各顯示像素P上(未示出，文章”passive and activematrix addressed polymer light-emitting diode displays”Proceedings SPIE Conference Vol.4295，p.134，2001提供了一個實(shí)例，所述文已作為參考包括在本文中)。如果沒有電壓加到電極2，5上，發(fā)光層4中就不產(chǎn)生光，因而像素處于”off”(斷開)狀態(tài)。如果將電流或電壓加到發(fā)光層4上，則在發(fā)光層4中或從所述像素產(chǎn)生光，光離開顯示像素P，穿過透明第一電極2和透明襯底1進(jìn)入大氣，產(chǎn)生用光線8表示的顯示像素P的直接圖像。但是，在顯示像素P中產(chǎn)生的光是以朗伯方式發(fā)射的，即，光發(fā)射在各個方向上是以幾乎同等的方式分配的。所以，光線從顯示子像素6、7發(fā)射，不產(chǎn)生直接圖像而是在以下說明的某些條件下穿過襯底層。
圖1所示的顯示像素P包括光輸出增強(qiáng)結(jié)構(gòu)(LOES)3’。LOES 3’具有適當(dāng)?shù)膱D案，以便在絕緣層3中形成分隔子像素6、7的小絕緣結(jié)構(gòu)。顯示子像素6、7發(fā)出的一些光線在襯底1的上襯底層和底襯底之間的界面或在襯底和空氣的界面呈現(xiàn)全內(nèi)反射(TIR)，然后從第二電極5反射。這些光線(以下也稱為全內(nèi)反射光線)以標(biāo)號9表示。由于有了LOES 3，全內(nèi)反射光線9被第二電極5反射到空氣中，結(jié)果顯示像素P的總光量增強(qiáng)。這種光輸出的增強(qiáng)在圖1中用光線10表示。
LOES 3’可以在有源矩陣制造過程中實(shí)現(xiàn)，不需任何附加的工藝步驟。在有源矩陣場致發(fā)光顯示器的制造過程中，對上介質(zhì)絕緣層3進(jìn)行刻蝕，以便形成顯示像素P的邊界。這些邊界限定了第一電極和由第二電極覆蓋的場致發(fā)光層4之間的接觸孔。利用用于限定在刻蝕過程中需去除的區(qū)域的掩模來，通過修改刻蝕過程來獲得LOES3’。
通過LOES 3’和第二電極5的光輸出增強(qiáng)導(dǎo)致以下現(xiàn)象來自LOES區(qū)域的光輸出高于來自周圍區(qū)域的光輸出，盡管除了由在LOES 3’的基底處電流密度局部增加引起的發(fā)光外LOES 3’上的發(fā)光層4實(shí)際上沒有發(fā)光，以下將參閱圖2和3加以說明。因此，雖然LOES 3’減小了顯示像素P的孔徑(即，以百分?jǐn)?shù)表示的整個顯示像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域)，但與沒有LOES 3’的顯示像素相比，總體的光輸出增強(qiáng)了。
光輸出的增強(qiáng)可以通過減小襯底1的厚度進(jìn)行優(yōu)化。如果襯底1太厚，許多全內(nèi)反射光線9會首先入射到場致發(fā)光顯示器的鄰近顯示像素上，不會被耦合出去，或甚至產(chǎn)生這些鄰近顯示像素之間的光交擾。通過減小襯底1的厚度，全內(nèi)反射光線9的輸出增強(qiáng)，因?yàn)閷τ诒〉囊r底，大部分全內(nèi)反射光線9在離開顯示像素P的區(qū)域前會打到LOES 3’上并在第二電極5上反射。
圖2A-C示出LOES的三個實(shí)施例。所示結(jié)構(gòu)具有襯底1，襯底1包括其上淀積有各種上襯底層(例如0.2μm的SiO2層1”)的底襯底1’。從襯底1的底襯底1’向上的各上襯底層可以包括例如0.2μm的SiN層(層1”)、0.1μm的SiN層和0.05μm的SiO2層。在圖2A中更詳細(xì)的示出圖1所示的LOES 3’。發(fā)光層4包括例如0.2μm的下PEDOT層和例如0.1μm的上PPV層。圖2B示出LOES 3’，LOES 3’不增強(qiáng)光輸出，因?yàn)樵谝r底空氣界面不發(fā)生全內(nèi)反射，使得光線停留在顯示像素P內(nèi)(由于例如襯底可能太厚，較薄的襯底會導(dǎo)致顯示像素內(nèi)的全內(nèi)反射)，或停留在第一電極2和襯底1的界面處(由于沒有設(shè)置上襯底層)。圖2C中，通過構(gòu)成上襯底層之一(例如SiO2層1”)來提供LOES。應(yīng)當(dāng)指出，并非需要圖2所示的所有上襯底層，只要能提供上襯底層即可。光輸出增強(qiáng)如箭頭所示，因?yàn)橛捎跇?gòu)成上襯底層1”的緣故，發(fā)射區(qū)域增大。
圖3中示出包括圖2A所示的LOES 3’的顯示像素P的電路表示法。虛線表示PPV和PEDOT層的界面。所述表示法圖解說明除了上述和圖1所示的光輸出增強(qiáng)外，電效應(yīng)也會導(dǎo)致和/或有助于光輸出的增強(qiáng)。電阻R1和R2代表PEDOT層的橫向電阻，電容C代表PEDOT/SiN/ITO的電容。二極管代表PPV層激活時的發(fā)射性能。由于電阻和電容效應(yīng)的緣故，點(diǎn)X處的電壓總是高于點(diǎn)Y處的電壓。但是，如果Y上的PPV層比X上的薄，則來自中間二極管(即LOES 3’上的發(fā)光層)的光輸出就較大。光效應(yīng)和電效應(yīng)是可調(diào)諧的，亦即，可以確定這些效應(yīng)對光輸出的貢獻(xiàn)或彼此之間所起作用的大小。這種調(diào)諧可以具體這樣實(shí)現(xiàn)改變襯底1的上襯底層的層厚來調(diào)諧光效應(yīng)，改變PEDOT和PPV層的層厚來調(diào)諧電效應(yīng)。這樣，就可以控制增強(qiáng)光輸出的效應(yīng)。
圖4示出本發(fā)明的第二實(shí)施例。該圖中使用相同的標(biāo)號來表示和圖1共用的相同的部件。除了直接光輸出8之外，全內(nèi)反射光線9也因LOES 3’而部分地在第二電極5反射，所以增強(qiáng)了總體光輸出。此外，圖4所示的本發(fā)明的實(shí)施例包括側(cè)光輸出增強(qiáng)結(jié)構(gòu)(SLOES)3”。如光線13所示，這些SLOES 3”也有助于光輸出的增強(qiáng)。
SLOES 3”包括相對于襯底1的傾斜壁11、12。由于在發(fā)光層4中產(chǎn)生的在襯底1和空氣的界面呈現(xiàn)全內(nèi)反射的光不能完全反射到LOES 3’，所以，全內(nèi)反射光線9就會打到SLOES 3”上。如果全內(nèi)反射光線9入射到傾斜壁11，光輸出就被增強(qiáng)，如光線13所示。于是，在LOES 3’區(qū)域中，除了在第二電極處反射到空氣中的全內(nèi)反射光線9外，試圖從顯示像素P逸出的全內(nèi)反射光線9也因SLOES 3”的存在而由第二電極反射到空氣中。
如果全內(nèi)反射光線9’沒有打到SLOES 3”的傾斜壁11上，那么，它們可能穿過襯底1到達(dá)鄰近的顯示像素。為了迫使這些全內(nèi)反射光線9’回到它們起源于其中的鄰近顯示像素，如光線14所示，SLOES3”配備有傾斜側(cè)壁12。光線14回到鄰近顯示像素并會有助于所述鄰近顯示像素的光輸出。
為了進(jìn)一步減少全內(nèi)反射光線9’穿過襯底到達(dá)鄰近像素，可以在顯示像素之間設(shè)置黑色掩模(例如黑色光致抗蝕劑或多晶硅)。這種黑色掩?？梢栽谌珒?nèi)反射光線9’穿過襯底到達(dá)鄰近像素之前吸收全內(nèi)反射光線9’。
下面將指出，可以將SLOES 3”單獨(dú)(即，在沒有LOES 3’的情況下)加在顯示像素P的側(cè)面。
圖5A、B和C示出通過加LOES 3’而可以在場致發(fā)光顯示器上的顯示像素P內(nèi)產(chǎn)生的不同圖像，例如圖形和圖標(biāo)等。圖標(biāo)可以是顯示器的必要部分，特別是在移動應(yīng)用中。圖標(biāo)可以代表通常呈現(xiàn)在移動電話或PDA的顯示器上的電池、字符或面孔。圖5A所示的實(shí)例包括條15、點(diǎn)16、圓環(huán)17、檢測板18和微笑圖標(biāo)19。也可以產(chǎn)生更復(fù)雜的圖形。圖5B示出在有機(jī)二極管顯示器上包括一位(比特)圖像的傳統(tǒng)圖形(即圖像中亮區(qū)的on(接通)狀態(tài)和暗區(qū)的off(斷開)狀態(tài))。中間亮度級通常是通過使用區(qū)域比技術(shù)(例如顯示像素中的吸光結(jié)構(gòu))或去除顯示像素電極的特定部分來獲得。這些中間亮度級20示于圖6。圖5c示出通過加LOES 3’和/或SLOES 3”可以產(chǎn)生的圖像。本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例提供了以下可能性圖像中具有亮度B的區(qū)域，亮度B高于在顯示像素的傳統(tǒng)on狀態(tài)所獲得的主亮度1，如圖6中亮度級B＝1.1和B＝1.2所示。這樣，可以獲得包括更多亮度級(即3比特)的圖像，于是在場致發(fā)光顯示器上得到更為生動和吸引人的圖像。這個結(jié)果的獲得沒有對圖標(biāo)額外作圖形或作更多的連接，那樣會導(dǎo)致用于場致發(fā)光顯示器的驅(qū)動程序更為復(fù)雜。不同的亮度級是通過光學(xué)結(jié)構(gòu)，例如建立在顯示像素結(jié)構(gòu)自身內(nèi)的LOES3’來獲得的。
為了說明本發(fā)明，以上已就顯示器件和包括這種顯示器件的電子裝置的優(yōu)選實(shí)施例作了說明。對于本專業(yè)的技術(shù)人員來說，顯然，可以設(shè)想本發(fā)明的其它可供選擇的和等效的實(shí)施例并將其付之實(shí)施而不會偏離本發(fā)明的真實(shí)精神，本發(fā)明的范圍僅僅受權(quán)利要求書的限制。
權(quán)利要求
1.一種場致發(fā)光顯示器，它包括至少一個顯示像素(P)，所述顯示像素(P)至少包括-襯底(1)；-淀積在所述襯底(1)上的第一電極(2)；-場致發(fā)光層(4)；以及-第二電極(5)，其中所述顯示像素(P)還包括在所述顯示像素(P)內(nèi)的適合于增強(qiáng)所述顯示像素(P)的光輸出的至少一個絕緣結(jié)構(gòu)(3’)。
2.如權(quán)利要求1所述的場致發(fā)光顯示器，其中所述絕緣結(jié)構(gòu)(3’)是淀積在所述第一電極(2)上或者橫跨所述第一電極(2)淀積的介質(zhì)絕緣層(3)的一部分。
3.如權(quán)利要求1所述的場致發(fā)光顯示器，其中所述絕緣結(jié)構(gòu)是所述襯底(1)的一部分，作為上襯底層(1”)。
4.如權(quán)利要求2或3所述的場致發(fā)光顯示器，其中所述第二電極(5)包括反射層，并且通過在所述反射層的反射來增強(qiáng)所述光輸出。
5.如權(quán)利要求1所述的場致發(fā)光顯示器，其中所述顯示像素(P)包括至少一個側(cè)光輸出增強(qiáng)結(jié)構(gòu)(3”)。
6.如權(quán)利要求5所述的場致發(fā)光顯示器，其中所述側(cè)光輸出增強(qiáng)結(jié)構(gòu)(3”)包括傾斜壁(11、12)，以便增強(qiáng)在所述顯示像素(P)的所述場致發(fā)光層中產(chǎn)生的光線(9)的光輸出，并防止從所述場致發(fā)光顯示器的其它顯示像素接收的光線(9’)的光輸出。
7.如權(quán)利要求1所述的場致發(fā)光顯示器，其中利用至少一個上襯底層來使所述襯底(1)適合于使所述顯示像素(P)的一部分光輸出能夠全內(nèi)反射。
8.如權(quán)利要求7所述的場致發(fā)光顯示器，其中與所述顯示像素(P)橫向尺寸相比，所述襯底很薄。
9.如權(quán)利要求7所述的場致發(fā)光顯示器，其中所述襯底包括適合于提供所述全內(nèi)反射的上襯底層。
10.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的場致發(fā)光顯示器，其中，工作時，所述絕緣結(jié)構(gòu)(3’)和/或所述側(cè)光輸出增強(qiáng)結(jié)構(gòu)(3”)在所述顯示像素P內(nèi)提供不同亮度級B的區(qū)域。
11.如權(quán)利要求10所述的場致發(fā)光顯示器，其中所述區(qū)域具有圖案以便提供具有不同亮度級B的圖像(15、16、17、18、19)。
12.一種包括上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的場致發(fā)光顯示器的電子裝置。
13.一種制造包括至少一個顯示像素(P)的場致發(fā)光顯示器的方法，所述方法至少包括以下步驟-提供襯底(1)-在所述襯底(1)上淀積第一電極層(2)；-在所述第一電極層(2)上淀積場致發(fā)光層(4)；-在所述場致發(fā)光層(4)上或者橫跨所述場致發(fā)光層(4)淀積第二電極層(5)，其中所述方法還包括一個構(gòu)成步驟，即，在所述顯示像素(P)內(nèi)設(shè)置適合于增強(qiáng)所述顯示像素(P)的光輸出的至少一個絕緣結(jié)構(gòu)(3’、3”、1”)。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中在所述第一電極(2)上或者橫跨所述第一電極(2)淀積絕緣層(3)時執(zhí)行所述構(gòu)成步驟。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中在所述襯底(1)中執(zhí)行所述構(gòu)成步驟。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述襯底(1)包括上襯底層并且所述場致發(fā)光層(4)包括發(fā)射層，所述方法包括以下步驟調(diào)諧所述上襯底層和所述發(fā)射層的厚度，以便控制所述增強(qiáng)光輸出的效應(yīng)。
全文摘要
本發(fā)明涉及包括至少一個顯示像素的場致發(fā)光顯示器，所述顯示像素包括至少一個襯底；淀積在襯底上的第一電極；場致發(fā)光層；以及第二電極。顯示像素還包括顯示像素內(nèi)的適合于增強(qiáng)所述顯示像素的光輸出的至少一個絕緣層。光輸出增強(qiáng)結(jié)構(gòu)可以用來產(chǎn)生具有不同亮度級的圖像。
文檔編號H05B33/22GK1672469SQ03817536
公開日2005年9月21日 申請日期2003年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月23日
發(fā)明者A·吉拉爾多, H·里夫卡, M·T·約翰遜 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司