專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光面板的制作方法
技術(shù)區(qū)域本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光面板，特別是涉及一種該有機(jī)電致發(fā)光面板的有機(jī)層。
背景技術(shù)：
將屬于自發(fā)光組件的電致發(fā)光(Electroluminescence以下稱EL)組件用在各像素作為發(fā)光組件的EL面板，除了具有自發(fā)光的特點(diǎn)外，并同時具有薄型且低消耗電力等優(yōu)點(diǎn)，目前作為取代液晶顯示裝置(LCD)及CRT等顯示裝置的顯示裝置而受到矚目，其研究亦正在進(jìn)行中。
此外，在其中亦有一種將薄膜晶體管(TFT)等設(shè)置在各像素以作為個別控制有機(jī)EL組件的開關(guān)組件，采用按每個像素控制EL組件的主動矩陣型EL面板，作為一種高精密面板而深受期待。
有機(jī)EL組件是一種在陽極與陰極之間層疊包含有機(jī)發(fā)光分子的有機(jī)層的構(gòu)造，其利用由陽極注入的電洞與由陰極注入的電子在有機(jī)層中再結(jié)合而激活有機(jī)發(fā)光分子，在使該分子回到基底狀態(tài)之際產(chǎn)生發(fā)光的原理。
在上述的主動矩陣型EL面板中，為了依每個像素控制EL組件，通常是將陽極與陰極其中一方連接至TFT以作為每個像素的個別電極，將另一方作為共通電極。尤其是，已知有一種將通常采用透明電極的陽極連接至TFT以作為下層電極，而將通常采用金屬電極的陰極構(gòu)成為共通電極，并依陽極(下部電極)、有機(jī)層、陰極(上部電極)的順序?qū)盈B，再使其由陽極側(cè)透過基板而將光線射出外部的構(gòu)造。
在這種已知的構(gòu)造中，由于上述陽極是依每個像素個別予以圖案化，故必然在每個像素均存在陽極的端部(邊緣)。在此陽極的端部，易于產(chǎn)生電場的集中，而且通常有機(jī)層極薄，故陽極與陰極有可能會發(fā)生短路而造成顯示不良的情形，故有人提出通過將絕緣膜平坦化來覆蓋陽極的端部的構(gòu)想。例如，在專利文獻(xiàn)(日本專利特開平11-24606號公報)中即揭示了一種利用由絕緣材料所構(gòu)成的平坦層來覆蓋陽極的端部的構(gòu)造。
在此，由于在有機(jī)EL組件的有機(jī)層中具有整流性，而且電阻較高等理由，故使陽極與陰極至少在其間層疊有機(jī)發(fā)光層而直接互相對向的區(qū)域形成發(fā)光區(qū)域。因此，有機(jī)層在原理上并無須如電極那樣做成個別圖案，而通常形成于整個基板全面。
另一方面，由于欲獲得R、G、B的各發(fā)光色而必須分別采用不同的有機(jī)發(fā)光材料，因此在有機(jī)發(fā)光層上需依R、G、B所用的各色來個別形成，而進(jìn)行彩色顯示。
在通過真空蒸鍍法形成有機(jī)層時，膜的圖案化是采用蒸鍍屏蔽與成膜同時實(shí)行，并在蒸鍍時要進(jìn)行組件形成基板與蒸鍍屏蔽之間的對位，而使蒸鍍屏蔽的開口部與基板的發(fā)光層形成位置正確一致。

發(fā)明內(nèi)容
一、發(fā)明欲解決的問題基板與蒸鍍屏蔽之間的對位，實(shí)際上是在使蒸鍍屏蔽接觸基板的發(fā)光層形成表面的狀態(tài)下對蒸鍍屏蔽的位置進(jìn)行微調(diào)整。在發(fā)光層形成時，至少已經(jīng)形成了覆蓋陽極及平坦化絕緣膜的電洞傳輸層，故在發(fā)光層形成時所進(jìn)行蒸鍍屏蔽的對位之時，蒸鍍屏蔽會摩擦此電洞傳輸層。
由于有機(jī)層含有電洞傳輸層且其機(jī)械強(qiáng)度較低，故經(jīng)常會發(fā)生電洞傳輸層在進(jìn)行蒸鍍屏蔽的對位時發(fā)生剝離，或電洞傳輸層的切削碎屑成為塵埃附著在發(fā)光層形成區(qū)域的情形。此外，附著在蒸鍍屏蔽的塵埃，亦會發(fā)生在對位時附著在發(fā)光層形成區(qū)域的情形。由于這種電洞傳輸層的剝離，或是塵埃附著在該電洞傳輸層的發(fā)光層形成區(qū)域，因而形成在該電洞傳輸層上方的有機(jī)發(fā)光層會因?yàn)閴m埃的混入而產(chǎn)生變質(zhì)，或使發(fā)光層的膜無法完全覆蓋因塵埃所引起的段差(高度差)，而導(dǎo)致被切斷而造成發(fā)光不良等問題。
本發(fā)明是針對上述問題而研制，以一種更高的可靠性形成有機(jī)層的有機(jī)EL面板。
二、解決問題的手段本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光面板，在基板上方形成多個有機(jī)電致發(fā)光組件，該有機(jī)電致發(fā)光組件是在依每個像素個別圖案化的下部個別電極與上部電極之間的至少包含有機(jī)發(fā)光材料的有機(jī)層，其包括用以覆蓋所述下部個別電極的周邊端部的端部覆蓋絕緣層；以及設(shè)置在所述端部覆蓋絕緣層更靠近外邊側(cè)的位置，且比所述端部覆蓋絕緣層更厚的屏蔽支持絕緣層，用于在形成所述有機(jī)層時支撐蒸鍍屏蔽；同時，所述有機(jī)層位于所述端部覆蓋絕緣層與所述下部個別電極間的邊界更靠近外邊側(cè)的位置，而終止于所述屏蔽支持絕緣層的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)，且依每個像素予以個別圖案化。
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光面板，在基板上方形成多個有機(jī)電致發(fā)光組件，該有機(jī)電致發(fā)光組件是在依每個像素個別圖案化的下部個別電極與上部電極之間的至少包含有機(jī)發(fā)光材料的有機(jī)層，其包括用以覆蓋所述下部個別電極的周邊端部的端部覆蓋絕緣層；以及設(shè)置在所述端部覆蓋絕緣層更靠近外邊側(cè)的位置，且比所述端部覆蓋絕緣層更厚的上層絕緣層；同時，所述有機(jī)層位于所述端部覆蓋絕緣層與所述下部個別電極間的邊界更靠近外側(cè)的位置，而終止于所述上層絕緣層的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)，且依每個像素予以個別圖案化。
本發(fā)明的另一實(shí)施例，是在上述有機(jī)電致發(fā)光面板中，所述有機(jī)層至少包括分別通過真空蒸鍍法所形成的電洞注入層及有機(jī)發(fā)光層，同時各層均終止于所述屏蔽支持絕緣層的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)。
本發(fā)明的另一實(shí)施例，是在上述有機(jī)電致發(fā)光面板中，在所述電洞注入層與所述有機(jī)發(fā)光層的層間、以及所述有機(jī)發(fā)光層與所述上部電極的層間的其中一方或雙方形成電荷傳輸層，而所述電荷傳輸層位于所述端部覆蓋絕緣層與所述下部個別電極間的邊界更靠近外邊側(cè)的位置，并終止于所述屏蔽支持絕緣層的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)，且依每個像素予以個別圖案化。
由于下部個別電極的周邊端部被端部覆蓋絕緣層所覆蓋，因此在該上方夾著有機(jī)層而形成的上部電極與下部電極之間即可確實(shí)絕緣。在該端部覆蓋絕緣層的外周邊側(cè)，有比端部覆蓋絕緣層更厚并可支撐蒸鍍屏蔽的屏蔽支持絕緣層，這樣，有機(jī)層終止于屏蔽支持絕緣層所圍成的的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)，而不是形成在屏蔽支持絕緣層的支撐蒸鍍屏蔽的支持面上。因此，在屏蔽定位時有機(jī)層與蒸鍍屏蔽不會產(chǎn)生接觸，而可防止已形成的有機(jī)層因蒸鍍屏蔽而被摩刮剝離、或產(chǎn)生塵埃的問題。
此外，本發(fā)明并不限定于屏蔽支持絕緣層，亦可在端部覆蓋絕緣層的更外周邊側(cè)設(shè)置比端部覆蓋絕緣層更厚的上層絕緣層，并使有機(jī)層終止于該上層絕緣層的形成區(qū)域內(nèi)側(cè)，例如，在有機(jī)層形成后，到上部電極形成前，甚或是在組件完成前之間的基板運(yùn)送時或是上層形成時等，可通過該上層絕緣層而防止有機(jī)層與外部接觸。
此外，由于有機(jī)層是形成到端部覆蓋絕緣層與下部個別電極間的邊界的外側(cè)，因此即使在有機(jī)層的形成位置產(chǎn)生少許的偏移，亦可防止下部個別電極與有機(jī)層間的接觸面積，亦即發(fā)光面積變動的情形。再者，由于屏蔽支持部是形成在比上層絕緣層更薄(低)的端部覆蓋絕緣層，故下部個別電極與端部覆蓋絕緣層間的邊界的段差較小，而可降低在此邊界位置產(chǎn)生有機(jī)層產(chǎn)生龜裂的可能性。
本發(fā)明的另一實(shí)施例是一種有機(jī)電致發(fā)光面板，在其基板上方形成多個有機(jī)電致發(fā)光組件，該有機(jī)電致發(fā)光組件在依每個像素個別圖案化的下部個別電極與上部電極之間至少包括電洞注入層與有機(jī)發(fā)光層，其包括用以覆蓋所述下部個別電極的周邊端部的端部覆蓋絕緣層；以及設(shè)置在該端部覆蓋絕緣層更靠近外邊側(cè)的位置，且比該端部覆蓋絕緣層更厚的屏蔽支持絕緣層，用于在有機(jī)層形成時將蒸鍍屏蔽支撐在該屏蔽支持絕緣層的上面；同時，所述電洞注入層是覆蓋所述下部個別電極、所述端部覆蓋絕緣層、所述屏蔽支持絕緣層而形成，而所述有機(jī)發(fā)光層形成在比所述電洞注入層更靠近上部電極一側(cè)的位置，且位于比所述端部覆蓋絕緣層與所述下部個別電極間的邊界更靠近外邊側(cè)處，并終止于所述屏蔽支持絕緣層的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)，且依每個像素予以個別圖案化。
依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，所述電洞注入層的厚度小于10nm，而所述有機(jī)發(fā)光層的總厚度為10nm以上。
電洞注入層與其它的有機(jī)層不同，通?？刹捎梅浅１?，而且與位于下層的絕緣層及下部個別電極具有良好密接性且機(jī)械強(qiáng)度較高的材料來形成。因此就電洞注入層而言，在其上方采用蒸鍍屏蔽而形成電洞傳輸層或發(fā)光層等個別圖案之時，即使與蒸鍍屏蔽接觸，亦難以產(chǎn)生剝離或是被摩刮而產(chǎn)生對上層的有機(jī)層造成不良影響的塵埃。因此，不使電洞注入層終止于屏蔽支持絕緣層的內(nèi)側(cè)，而僅使其上方的發(fā)光層及電荷傳輸層終止于屏蔽支持絕緣層的內(nèi)側(cè)，這樣可以有效且高可靠性地形成有機(jī)層。
本發(fā)明的另一實(shí)施例，是在上述有機(jī)EL面板中，所述端部覆蓋絕緣層與所述屏蔽支持絕緣層，通過多段曝光或灰調(diào)(gray tone)曝光將同一絕緣層做成厚度分別不同的預(yù)定圖案而形成。
利用此種多段曝光，即可在不增加作業(yè)制作過程下，將屏蔽支持絕緣層與端部覆蓋絕緣層形成在所需的區(qū)域。


圖1為本發(fā)明的主動矩陣型有機(jī)EL面板的平均每一像素的概略電路構(gòu)成圖。
圖2為本發(fā)明的實(shí)施例1的主動矩陣型有機(jī)EL面板的像素部的主要部分的概略剖面圖。
圖3為本發(fā)明的實(shí)施例1的主動矩陣型有機(jī)EL面板的發(fā)光區(qū)域的概略配置說明圖。
圖4為本發(fā)明的實(shí)施例1采用的蒸鍍屏蔽的有機(jī)層的形成步驟說明圖。
圖5為本發(fā)明的實(shí)施例2的主動矩陣型有機(jī)EL面板的像素部的主要部分之概略剖面圖。
具體實(shí)施例方式
以下根據(jù)附圖描述本發(fā)明的較佳實(shí)施例。
實(shí)施例1圖1顯示本發(fā)明實(shí)施例的主動矩陣型的有機(jī)EL面板的平均每一像素的具有代表性的電路構(gòu)成。在主動矩陣型的有機(jī)EL面板中，在基板上具有多條閘極線GL朝列方向延伸，且有多條數(shù)據(jù)線DL及電源線VL朝行方向延伸。各像素是在閘極線GL與數(shù)據(jù)線DL相交叉的附近分別構(gòu)成，并包括有機(jī)EL組件50、開關(guān)用TFT(第一TFT)10、EL組件驅(qū)動用TFT(第二TFT)20及保持電容Cs。
第一TFT 10系與閘極線GL及數(shù)據(jù)線DL相連接，并在閘極電極接收閘極信號(選擇信號)而導(dǎo)通。此時，供給至數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號保持在連接于第一TFT 10與第2TFT 20間的保持電容Cs。對于第二TFT 20的閘極電極，供給與隔著上述第一TFT 10所供給的數(shù)據(jù)信號相對應(yīng)的電壓，且第二TFT 20將與該電壓值相對應(yīng)的電流，由電源線VL供給至有機(jī)EL組件50。通過此動作，而能依各像素以與數(shù)據(jù)信號相對應(yīng)的輝度使有機(jī)EL組件50發(fā)光，顯示所期望的影像。
圖2顯示上述所示的主動矩陣型的有機(jī)EL面板的主要部分的剖視圖。具體而言，顯示形成在玻璃基板10上的第二TFT 20，以及在該第二TFT 20連接有陽極52的有機(jī)EL組件50。此外，圖3顯示主動矩陣型的有機(jī)EL面板的一個像素中發(fā)光區(qū)域的概略配置圖。
有機(jī)EL組件50是在陽極52與陰極54之間形成的包括有機(jī)發(fā)光材料的有機(jī)層60的構(gòu)造，在圖2所示的例子中，依序在下層側(cè)層疊有依每個像素個別圖案形成的陽極(下部個別電極)52、有機(jī)層60、各像素共通形成的陰極(上部電極)54。
在玻璃基板10上全面形成有依SiNx、SiO2順序所層疊的二層緩沖層12，用以防止雜質(zhì)由玻璃基板10侵入。在該緩沖層12上，形成有多個依各像素控制有機(jī)EL組件的薄膜晶體管，而在圖2中只如上述所示顯示了第二TFT 20，而省略了第一TFT及保持電容Cs。另外，在顯示部的周邊形成有與向各像素供給數(shù)據(jù)信號或閘極信號的驅(qū)動電路用的同樣的TFT。
在緩沖層12上，形成有由包括多晶硅所構(gòu)成的半導(dǎo)體層14，并形成有覆蓋該半導(dǎo)體層14而依SiO2、SiNx順序?qū)盈B的二層膜所構(gòu)成的閘極絕緣膜16。在閘極絕緣膜16之上形成有由包括Cr或Mo所構(gòu)成的閘極電極18，而半導(dǎo)體層14的閘極電極18的正下方區(qū)域即為信道區(qū)域，而信道區(qū)域的兩側(cè)是當(dāng)p-ch型時摻雜有B，當(dāng)n-ch型時則摻雜有P而形成的源極·漏極區(qū)域。在閘極電極18之上形成有依SiNx、SiO2順序?qū)盈B所成的層間絕緣膜20，并覆蓋包括該電極18的整面基板。此外，貫穿層間絕緣膜20與閘極絕緣膜16而形成接觸孔，而在接觸孔內(nèi)則形成有由Al等所構(gòu)成的源極電極22s、漏極電極22d，且分別在露出于接觸孔下部的半導(dǎo)體層14的源極區(qū)域連接源極電極22s，以及在漏極區(qū)域連接漏極電極22d。另外，源極電極22s(視第二TFT 20的導(dǎo)電性，亦可是漏極電極22d)是兼作電源線VL。
然后，覆蓋層間絕緣膜20及源極電極22s、漏極電極22d，在整面基板形成由丙烯酸樹脂等有機(jī)材料所構(gòu)成的第一平坦化絕緣層28。此外，在該第一平坦化絕緣層28、上述層間絕緣膜20及源極電極22s、漏極電極22d之間，亦可形成由SiNx或TEOS膜所構(gòu)成的防水層。
在第一平坦化絕緣層28之上，形成有依每個像素做成個別圖案化的有機(jī)EL組件的下部電極52，而該下部電極(以下稱像素電極)，如上所述具有陽極的功能，并采用ITO等透明導(dǎo)電材料。此外，像素電極52在第1平坦化絕緣層28開口的接觸孔，與露出在接觸孔底面的漏極電極22d(視第二TFT 20的導(dǎo)電性亦可是源極電極22s)相連接。
像素電極52依每個像素獨(dú)立，例如形成為圖3所示的圖案。然后，為使該像素電極52僅在其端部被覆蓋，而在整面基板形成第二平坦化絕緣層32。該第二平坦化絕緣層32包括在像素電極52的發(fā)光區(qū)域開口，且覆蓋像素電極52的四周邊端部分的端部覆蓋部32a；以及在該端部覆蓋部32a的外側(cè)較厚的上層絕緣層32b。在這里，該上層絕緣層32b具有屏蔽支持部的功能，該屏蔽支持部是用來將通過真空蒸鍍形成上述有機(jī)層60之時所用的蒸鍍屏蔽支撐在其上面的第二平坦化絕緣層32較厚的部分。(以下將所述上層絕緣層32b作為屏蔽支持部32b加以說明)。另外，當(dāng)像素電極52的長度乘以寬度例如為60μm×60μm時，第二平坦化絕緣層的端部覆蓋部32a的寬度，設(shè)定在10μm至20μm的范圍，該端部覆蓋部32a在圖2中作了強(qiáng)化描繪，但只要與像素電極52重疊達(dá)數(shù)μm程度，則足以保護(hù)像素電極52日端部。而且，屏蔽支持部32b的形狀可以是柱狀(包括錐形)、壁狀、或是包圍端部覆蓋部32a的外側(cè)四周的框狀的任一種，而屏蔽支持部32b的寬度并無特別限制，只要是能夠盡量支撐蒸鍍屏蔽而不會有變形情況產(chǎn)生即可。
在此，第二平坦化絕緣層32雖在是采用丙烯酸樹脂等樹脂而形成，但并不限定于這些平坦化材料，亦可采用能夠覆蓋像素電極52的端部，且能夠形成較厚的TEOS(四乙基硅酸鹽；tetraethyl orthosilicate)等的絕緣材料。
此外，如欲采用相同的絕緣材料而幾乎同時形成端部覆蓋部32a與屏蔽支持部32b時，則以采用多段曝光或灰調(diào)曝光等方法為佳。
多段曝光時，首先對整面基板全面旋轉(zhuǎn)涂布由包括感光劑的丙烯酸樹脂劑所構(gòu)成的第二平坦化絕緣材料，而覆蓋形成在第1平坦化絕緣層28之上的像素電極52。其次，則是采用例如在屏蔽支持部形成區(qū)域以外開口的第一光罩進(jìn)行第一曝光，進(jìn)一步采用在屏蔽支持部形成區(qū)域及端部覆蓋部形成區(qū)域以外開口的第二光罩進(jìn)行第二曝光。曝光后，即以蝕刻液去除第二平坦化絕緣材料感光的區(qū)域。依據(jù)此種方法，即可將第二平坦化絕緣材料從二次曝光的部分，亦即從發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)部分完全去除，并在接受到一次曝光的端部覆蓋部形成區(qū)域降低該區(qū)域的厚度，而在未曾曝光的屏蔽支持部形成區(qū)域中殘留所希望的厚度的第二平坦化材料。因此，在第二平坦化絕緣層32，即可形成開口部、端部覆蓋部32a、屏蔽支持部32b。
此外，在灰調(diào)曝光時，與多段曝光時相同，全面旋轉(zhuǎn)涂布由包括感光劑的丙烯酸樹脂劑所構(gòu)成的第二平坦化絕緣材料，且使用具備有完全開口的部分、與依照目的的厚度而通過像點(diǎn)(dot)或開縫(slit)調(diào)整開口數(shù)的灰調(diào)的開口部分的單一灰調(diào)屏蔽以作為光罩。由于曝光是采用該灰調(diào)屏蔽而進(jìn)行一次，故完全開口的部分的曝光量最大，而灰調(diào)部分則形成與開口數(shù)相對應(yīng)的曝光量，例如最大曝光區(qū)域的第二平坦化材料被完全去除，灰調(diào)部分的曝光區(qū)域即得以減少對應(yīng)于該曝光量的厚度，且會殘留未曝光的區(qū)域而不被去除。因此，以此方式亦可在第二平坦化絕緣層32形成開口部、端部覆蓋部32a、屏蔽支持部32b。
另外，當(dāng)以其它制造/制作過程或其它材料來形成端部覆蓋部32a與屏蔽支持部32b時，則無須采用上述所示的形成方法。
在通過以上方式在第二平坦化絕緣層32形成端部覆蓋部32a及更厚(高)的屏蔽支持部32b之后，在本實(shí)施例中，如圖4所示采用比露出像素電極52的表面的第二平坦化絕緣層32的開口部更大，但終止于屏蔽支持部32b的內(nèi)側(cè)的開口圖案的蒸鍍屏蔽70，將蒸鍍源加熱并層疊有機(jī)層60而覆蓋基板的像素電極52的露出表面。有機(jī)層60在此是從陽極52側(cè)依序?qū)盈B有電洞注入層62、電洞傳輸層64、發(fā)光層66、電子傳輸層68。
在本實(shí)施例中，如上所述，對于例如電洞注入層62、屬于電荷傳輸層的電洞傳輸層64及電子傳輸層68等，即使在可使用發(fā)光色不同但為相同材料的情況下，不僅是只有發(fā)光層66，而且所述各層均通過帶有每個像素的開口圖案的蒸鍍屏蔽70，形成每個像素的圖案，且在每個像素在屏蔽支持部32b的內(nèi)側(cè)形成終止于此的圖案。尤其是，在本實(shí)施例中，比發(fā)光層66更先形成的電洞注入層62與電洞傳輸層64，通過形成在屏蔽支持部32b的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)終止的圖案，而使這些層與發(fā)光層66同樣地不會形成在屏蔽支持部32b的上面，以防止當(dāng)蒸鍍屏蔽70定位時會使這些有機(jī)層遭受損傷或產(chǎn)生塵埃。再且，在隨后的制作過程，例如在陰極54的形成時，或即使在該陰極54形成以后，該較厚的屏蔽支持部32b亦可防止有機(jī)層在基板運(yùn)送中直接碰撞到某處而造成損傷。
此外，有機(jī)層60的終止位置，除了在屏蔽支持部32b的形成區(qū)域內(nèi)側(cè)之外，還包括第二平坦化絕緣層32的開口部(與發(fā)光區(qū)域相對應(yīng))的外側(cè)，亦即比端部覆蓋部32a與像素電極52的邊界更靠近外側(cè)之處。通過形成有機(jī)層60而覆蓋開口部的外側(cè)，亦即覆蓋到端部覆蓋部32a的形成區(qū)域上，即使有機(jī)層60的形成位置產(chǎn)生少許的偏移，亦能確實(shí)覆蓋第二平坦化絕緣層32的開口部區(qū)域，并抑制發(fā)光面積的每個像素的參差不齊。再者，當(dāng)有機(jī)層60的終止部位于該開口部區(qū)域與端部覆蓋部32a間的邊界時，雖可能會使段差變得很大，而使各像素共通形成于有機(jī)層60上的陰極54會于該段差部分?jǐn)嗑€，或使所露出的陽極52與陰極54產(chǎn)生短路，但通過上述方式即可確實(shí)防止上述情形。
有機(jī)層60的各層的大小(面積)關(guān)系雖并無特別限制，但通過將上層設(shè)計(jì)成稍小于下層，即能更確實(shí)防止上層覆蓋下層的終止部的角部而使上層在該角部產(chǎn)生龜裂等，導(dǎo)致龜裂部分形成發(fā)光不良區(qū)域的開始點(diǎn)。
在采用相同的蒸鍍屏蔽70以形成有機(jī)層60的各層時，在形成第二平坦化絕緣層32(32a、32b)后，使蒸鍍屏蔽70接觸屏蔽支持部32b的上面(在圖4中位于下方)，并視需要移動蒸鍍屏蔽70的位置以進(jìn)行微調(diào)整，而使與蒸鍍屏蔽70的各開口部所對應(yīng)的各像素電極52的露出面(發(fā)光區(qū)域)相重疊。在定位后，再將添加有電洞注入材料的蒸鍍源予以加熱而在像素電極52的表面層疊電洞注入層62，再依電洞傳輸材料、發(fā)光層、電子傳輸材料的順序變更蒸鍍材料，或變更蒸鍍室以層疊電洞傳輸層64、發(fā)光層66、電子傳輸層68。另外，在有機(jī)層60的各層、或是任一層，采用開口部(如大小)相異的蒸鍍屏蔽70時，除了在每次變更蒸鍍屏蔽70之時，須一面通過屏蔽支持部32b予以支撐一面微調(diào)整蒸鍍屏蔽70的位置來進(jìn)行定位之外，其余皆以與采用同一蒸鍍屏蔽70時大致相同的制造制作過程即可形成所述各層。
此外，陰極54具備從如Al等的金屬層、或是從電子傳輸層68側(cè)依序?qū)盈B有LiF/Al的構(gòu)造，所述陰極54覆蓋包括以上述方式所形成的有機(jī)層最上層的電子傳輸層68、端部覆蓋部32a及屏蔽支持部32b的幾乎整面基板而形成。陰極54的形成方法是在將有機(jī)層形成時所使用的蒸鍍屏蔽70卸除之后，與有機(jī)層同樣地采用真空蒸鍍法。
在此，以有機(jī)EL組件50的各層的材料及厚度為例加以說明，從下層起依序?yàn)?1)由ITO等所構(gòu)成的陽極5260nm至200nm；(2)由銅鈦菁(CuPc；copper phthalocyanine)、CFx等所構(gòu)成的電洞注入層620.5nm；(3)由NPB(N，N’-di(naphthalene-l-y1)-N，N’-diphenyl-benzidine)等所構(gòu)成的電洞傳輸層64150nm至200nm；(4)由每一RGB相異的材料或其組合所構(gòu)成的發(fā)光層66分別為15nm至35nm；(5)由Alq(喹啉醇(quinolinol)復(fù)合體)等所構(gòu)成的電子傳輸層6835nm；(6)由LiF(電子注入層)與Al的層疊構(gòu)造所構(gòu)成的陰極54LiF層0.5nm至1.0nm、Al層300nm至400nm。
在此，第二平坦化絕緣層32的屏蔽支持部32b與端部覆蓋部32a間的高低差以設(shè)定為大于有機(jī)層60的總厚度為佳。通過設(shè)定為此種高低差，在形成有機(jī)層60的任一層之時，都能在對位及蒸鍍時，在屏蔽支持部32b的上面確實(shí)地支撐蒸鍍屏蔽，而防止蒸鍍屏蔽70接觸有機(jī)層中的已經(jīng)結(jié)束形成的下層表面，而確實(shí)減低因與蒸鍍屏蔽70的接觸所導(dǎo)致的有機(jī)層的剝離或混入塵埃等。
舉例而言，有機(jī)層60的層厚，通常比采用低分子有機(jī)材料時的300nm更薄(在上述例子中有機(jī)層為200nm至271nm)，此時，端部覆蓋部32a與屏蔽支持部32b的上面(屏蔽支持面)間的高低差僅為300nm即可。
在采用有機(jī)樹脂作為第二平坦化材料時，端部覆蓋部32a的厚度(高度)例如為200nm程度，屏蔽支持部32b的厚度(高度)例如為1μm。即使在采用如TEOS等的絕緣材料的情況下，通過將端部覆蓋部32a的高度設(shè)定為例如200nm，而將屏蔽支持部32b的高度設(shè)定為500nm至700nm，即可將屏蔽支持部32b與屏蔽支持部32b間的高低差增加成大于有機(jī)層60的總厚度，因而可一方面保護(hù)有機(jī)層另一方面確實(shí)支持蒸鍍屏蔽70。
此外，通過將端部覆蓋部32a的高度設(shè)定成較低的200nm以作為平坦化絕緣層，而使端部覆蓋部32a與第二平坦化絕緣層32的開口部之間的邊界的段差縮小且變得較為緩和，因此得以確實(shí)防止有機(jī)層在此邊界產(chǎn)生龜裂等。
實(shí)施例2圖5為顯示實(shí)施例2的有機(jī)EL面板的像素部的主要部分的剖面概略圖。與上述實(shí)施例1的不同點(diǎn)是，當(dāng)下部個別電極為陽極時，僅僅是有機(jī)層60中形成在最下層的電洞注入層62，被形成在整面基板，亦即屏蔽支持部32b的屏蔽支持面。當(dāng)然，有機(jī)層60的其它層均以與實(shí)施例1同樣的每個像素的個別圖案終止于屏蔽支持部32b的支持面的內(nèi)側(cè)。
電洞注入層62如上所述與發(fā)光色無關(guān)，而采用如CuPc或CFx(x為自然數(shù))等的機(jī)械強(qiáng)度較高，且與下層間的密接性較高的材料，將此材料設(shè)定成0.5nm的厚度，相較于其它有機(jī)層，其厚度極薄。因此，電洞注入層62在使蒸鍍屏蔽70接觸屏蔽支持部32b的支持面的狀態(tài)下移動位置而進(jìn)行微調(diào)整之時，亦可承受與蒸鍍屏蔽70的接觸。
因此，在本實(shí)施例2中，電洞注入層62不使用每個像素個別圖案的蒸鍍屏蔽而是形成于基板整面，對于機(jī)械強(qiáng)度低且比1nm更厚的電洞傳輸層64、發(fā)光層66、電子傳輸層68，均做成每個像素的個別圖案，而使其不形成在屏蔽支持部32b的屏蔽支持面上。
由于未將電洞注入層62做成每個像素的個別圖案而是設(shè)定成各像素共用，故可省略專用的蒸鍍屏蔽的對位步驟，而且由于在下層的陽極52與上層的陰極54之間多出了一層電洞注入層62，故可提高陰極54的覆蓋性及該兩電極的耐壓。
綜上所述，依據(jù)本發(fā)明，可防止在有機(jī)層形成后的制作過程中因有機(jī)層與制作過程中所使用的構(gòu)件等接觸而使有機(jī)層損傷。而且，在有機(jī)層形成時的蒸鍍屏蔽定位中，可通過形成在用以覆蓋下部個別電極端部的端部覆蓋絕緣層的外側(cè)的屏蔽支持絕緣層來支持該蒸鍍屏蔽，可防止有機(jī)層與蒸鍍屏蔽接觸，而確實(shí)防止因與蒸鍍屏蔽的接觸所造成的機(jī)械強(qiáng)度較低的有機(jī)層剝離，或產(chǎn)生塵埃等情況。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光面板，在基板上方形成多個有機(jī)電致發(fā)光組件，該有機(jī)電致發(fā)光組件是位于依每個像素個別圖案化的下部個別電極與上部電極之間的至少包含有機(jī)發(fā)光材料的有機(jī)層，其包括用以覆蓋所述下部個別電極的周邊端部的端部覆蓋絕緣層；以及設(shè)置在所述端部覆蓋絕緣層更靠近外邊側(cè)的位置，且比所述端部覆蓋絕緣層更厚的屏蔽支持絕緣層，用于在形成所述有機(jī)層時支撐蒸鍍屏蔽；同時，所述有機(jī)層位于所述端部覆蓋絕緣層與所述下部個別電極間的邊界更靠近外邊側(cè)的位置，而終止于所述屏蔽支持絕緣層的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)，且依每個像素予以個別圖案化。
2.一種有機(jī)電致發(fā)光面板，在基板上方形成多個有機(jī)電致發(fā)光組件，該有機(jī)電致發(fā)光組件是位于依每個像素個別圖案化的下部個別電極與上部電極之間的至少包含有機(jī)發(fā)光材料的有機(jī)層，其包括用以覆蓋所述下部個別電極的周邊端部的端部覆蓋絕緣層；以及設(shè)置在所述端部覆蓋絕緣層更靠近外邊側(cè)的位置，且比所述端部覆蓋絕緣層更厚的上層絕緣層；同時，所述有機(jī)層位于所述端部覆蓋絕緣層與所述下部個別電極間的邊界更靠近外側(cè)的位置，而終止于所述上層絕緣層的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)，且依每個像素予以個別圖案化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的有機(jī)電致發(fā)光面板，其特征在于，所述有機(jī)層至少包括分別通過真空蒸鍍法所形成的電洞注入層及有機(jī)發(fā)光層，同時各層均終止于所述屏蔽支持絕緣層或所述上層絕緣層的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)。
4.一種有機(jī)電致發(fā)光面板，在基板上方形成多個有機(jī)電致發(fā)光組件，該有機(jī)電致發(fā)光組件位于依每個像素個別圖案化的下部個別電極與上部電極之間且至少包括電洞注入層與有機(jī)發(fā)光層，其包括用以覆蓋所述下部個別電極的周邊端部的端部覆蓋絕緣層；以及設(shè)置在該端部覆蓋絕緣層更靠近外邊側(cè)的位置，且比該端部覆蓋絕緣層更厚的屏蔽支持絕緣層，用于在形成所述有機(jī)層時支撐蒸鍍屏蔽；同時，所述電洞注入層覆蓋所述下部個別電極、所述端部覆蓋絕緣層、所述屏蔽支持絕緣層而形成；而所述有機(jī)發(fā)光層形成在比所述電洞注入層更靠近上部電極一側(cè)，且位于比所述端部覆蓋絕緣層與所述下部個別電極間的邊界更靠近外邊側(cè)的位置，而終止于所述屏蔽支持絕緣層的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)，且依每個像素予以個別圖案化。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的有機(jī)電致發(fā)光面板，其特征在于，所述電洞注入層的厚度小于10nm，而所述有機(jī)發(fā)光層的總厚度在10nm以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求3至5中任一項(xiàng)的有機(jī)電致發(fā)光面板，其特征在于，在所述電洞注入層與所述有機(jī)發(fā)光層的層間、以及在所述有機(jī)發(fā)光層與所述上部電極的層間的其中一方或雙方形成電荷傳輸層，而所述電荷傳輸層位于所述端部覆蓋絕緣層與所述下部個別電極間的邊界更靠近外邊側(cè)的位置，而終止于所述屏蔽支持絕緣層的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)，且依每個像素予以個別圖案化。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)的有機(jī)電致發(fā)光面板，其特征在于，所述端部覆蓋絕緣層與所述屏蔽支持絕緣層，是通過多段曝光或灰調(diào)曝光將同一絕緣層做成厚度分別不同的預(yù)定圖案而形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種主動矩陣型有機(jī)電致發(fā)光面板，在基板上方形成有機(jī)電致發(fā)光組件(50)，其位于依每個像素個別圖案化的下部個別電極(52)與上部電極(54)之間，且包括至少包含有機(jī)發(fā)光材料的有機(jī)層(60)。該面板形成有用以覆蓋所述下部個別電極(52)的周邊端部的端部覆蓋絕緣層(32a)；以及在該端部覆蓋絕緣層更外邊側(cè)形成比端部覆蓋絕緣層更厚的屏蔽支持絕緣層，用以支撐有機(jī)層形成時所用的蒸鍍屏蔽。有機(jī)層(60)形成到比端部覆蓋絕緣層(32a)與下部個別電極(52)的邊界更外邊側(cè)處，而且終止于屏蔽支持絕緣層(32b)的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)，并依每個像素個別予以圖案化。以此，可以防止以屏蔽支持絕緣層支撐蒸鍍屏蔽而進(jìn)行定位時，有機(jī)層與蒸鍍屏蔽的接觸而導(dǎo)致?lián)p傷或產(chǎn)生塵埃。
文檔編號H05B33/14GK1512825SQ20031011361
公開日2004年7月14日 申請日期2003年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月14日
發(fā)明者西川龍司 申請人:三洋電機(jī)株式會社