專利名稱：主動矩陣顯示裝置及其檢查方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過在基板上制造電致發(fā)光(電致發(fā)光在下文中被稱為“EL”)元件而形成的電子顯示裝置(電光裝置)。具體而言，本發(fā)明涉及諸如使用主動矩陣TFT(薄膜晶體管)的有機EL(有機電致發(fā)光或OEL)顯示器之類的顯示裝置，以及用于檢查該顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
具有能夠自己發(fā)光的EL元件的主動矩陣EL顯示裝置最近已被研制。該EL顯示裝置還被稱為有機EL顯示器或者有機發(fā)光二極管(有機發(fā)光二極管OLED)。EL元件通常具有堆疊式結(jié)構(gòu)，其中EL層被夾在一對電極(陽極和陰極)之間。典型示例包括由Kodak Eastman公司的Tang等人所提出的如下堆疊式結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括空穴(hole)傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。使用這種EL元件的主動矩陣顯示裝置是自發(fā)光式的并且很薄，它可以以低功耗驅(qū)動，并且因此被認為是用于下一代顯示器的有前途候選。
對于這樣的顯示電路，在將自發(fā)光式有機EL元件設(shè)置在形成于玻璃基板上的TFT驅(qū)動電路上之前，希望預先檢查用于每個像素的TFT驅(qū)動電路是否被正確地形成。這是因為在將有機EL元件驅(qū)動電路形成于玻璃基板上的階段，出現(xiàn)缺陷的可能性相對較高。因此，在較早階段消除缺陷有利于提高產(chǎn)量等等。但是，以高準確性低成本實現(xiàn)有效檢查的裝置還未提出。
為了克服上述問題，在以下描述的日本未實審專利申請公布No.2002-108243(第9頁，圖2在下文中被稱為“專利文件1”)中提出了一種方法。該方法公開了通過沉積具有導電性的薄膜而不是有機EL元件來評價電路特性的方法。但是，在專利文件1中的方法要求在測試后除去導電薄膜的額外過程。如果導電薄膜無法被完全除去，則會降低最終產(chǎn)品的質(zhì)量。
作為替代，在日本未實審專利申請公布No.2002-297053(第3頁，圖1在下文中被稱為“專利文件2”)和日本未實審專利申請公布No.2002-32035(第5到6頁，圖1在下文中被稱為“專利文件3”)中公開了將電容器(電容)預先并入到每個電路的驅(qū)動電路中的做法。下面以示例方式，將使用專利文件2中的電路進行描述。圖20示出了在專利文件2所公開的主動矩陣顯示裝置中，用標號150指出的每個像素的等效電路。該電路包括用于開關(guān)的第一晶體管Tr1、用于元件激勵的第二晶體管Tr2、用于保持數(shù)據(jù)的電容器C1和為電路測試而附接的電容器C2。像素將OEL用作顯示元件，并且構(gòu)成以矩陣形式形成在TFT基板上的矩陣陣列基板。第一晶體管Tr1的漏極端子(D)連接到數(shù)據(jù)電壓信號(Vdata)的輸入線，柵極端子(G)接收從外部輸入的柵極信號(GateSig)。第一晶體管Tr1的源極端子(S)連接到存儲電容器C1的一端，以及第二晶體管Tr2的柵極端子(G)。存儲電容器C1的另一端連接到Vsc線。電源電壓PVdd被提供到第二晶體管Tr2的源極端子(S)。漏極端子(D)連接到OEL元件的陽極以及附加電容器C2的一端。附加電容器C2的另一端連接到Vsc線。注意，在圖20中被指示為二極管152的元件僅僅示意性地代表發(fā)光元件(例如EL元件或LCD)的負載或驅(qū)動電路的負載。
下面，將簡要描述圖20所示電路的操作。對應于所需灰度值的數(shù)據(jù)電壓信號被提供到第一晶體管Tr1的漏極端子(D)，并且柵極信號被輸入到柵極端子(G)，以接通第一晶體管Tr1，從而將對應于數(shù)據(jù)電壓信號的電壓的電荷存儲到存儲電容器C1中。存儲在存儲電容器C1中的電荷量控制第二晶體管Tr2的源極端子(S)和漏極端子(D)之間的電連接狀態(tài)(電阻)。由電源電壓PVdd確定的電流和受控電阻激勵OEL元件。這時，功率還被提供到附加電容器C2的另一端，從而對應于功率的電荷被累積到存儲電容器C2中。因此，通過檢查累積到附加電容器C2中的電荷來確定晶體管的質(zhì)量，從而檢查TFT基板上像素的驅(qū)動電路的故障。
如圖21所示，專利文件3公開了一個示例，在該示例中，在被包括在主動矩陣顯示裝置160中的每個像素(類似于圖20所示像素)中，對應于上述電容器(或電容)的電容器9108連接到驅(qū)動電極9105(例如EL元件)以及相鄰發(fā)光元件的柵極線(G2)。
但是，上述專利文件2和3的示例具有以下問題。首先，可以檢查驅(qū)動電路是正常還是不正常(損壞或其他缺陷)，但是難以準確判斷該電路是否具有所需特性，例如由驅(qū)動電路輸出的電流是否滿足對于發(fā)光元件多個灰度值的設(shè)計規(guī)范。也難以檢查某些特性，例如瞬態(tài)響應。對于使用電容器的電路配置，通常難以檢查直流電等的特性。
如上所述，傳統(tǒng)方法難以評價在實際使用的顯示條件下的電流和電壓特性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述事實而研制的，并且本發(fā)明的目的在于提供一種顯示裝置，該顯示裝置允許在實際顯示條件下，或者在接近實際顯示條件的情況下執(zhí)行容易的故障檢查。具體而言，本發(fā)明提供了一種主動矩陣顯示裝置，其包含基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到電極和第一電流源線(Is(m))的第一晶體管(Q2)，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定所述顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到第一晶體管(Q2)的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線(Data(m))的第二晶體管(Q1)，所述第二晶體管通過使用連接到其柵極的柵極信號線(Gate(n))中的電壓，來確定第一晶體管的柵極電壓；連接到電流源線(Is(m))和第一晶體管的柵極的存儲電容器(C1)，該存儲電容器用于存儲在第二晶體管處于接通狀態(tài)時，經(jīng)由第二晶體管從數(shù)據(jù)存儲信號線(Date(m))提供的電壓信號；以及第三晶體管(Qt)，其中該第三晶體管的源極和漏極被連接到電極和除所述顯示元件之外的另一顯示元件的柵極信號線(Gate(n-1)或Gate(n+1))，并且該第三晶體管的柵極被控制，以便將從第一晶體管流到電極的電流引導至另一顯示元件的柵極信號線(Gate(n-1)或Gate(n+1))。
這里，優(yōu)選地，第三晶體管的柵極被連接到除所述顯示元件之外的另一顯示元件的第二電流源線(Is(m+1))，從而執(zhí)行控制，以便將所述柵極帶入接通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)。優(yōu)選地，所述第三晶體管的柵極被連接到另一顯示元件的柵極信號線(Gate(n-1)或Gate(n+1))，從而執(zhí)行控制，以便將所述柵極帶入接通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)。
本發(fā)明還提供了一種主動矩陣顯示裝置，其包含基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到電極和第一電流源線(Is(m))的第一晶體管(Q2)，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到第一晶體管(Q2)的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線(Data(m))的第二晶體管(Q1)，所述第二晶體管通過使用連接到其柵極的柵極信號線(Gate(n))中的電壓，來確定第一晶體管的柵極電壓；連接到電流源線(Is(m))和第一晶體管的柵極的存儲電容器(C1)，該存儲電容器用于存儲在第二晶體管處于接通狀態(tài)時，經(jīng)由第二晶體管從數(shù)據(jù)存儲信號線(Data(m))提供的電壓信號；以及第三晶體管(Qt)，其中該第三晶體管的源極和漏極被連接到電極和柵極信號線(Gate(n))，并且該第三晶體管的柵極通過改變除所述顯示元件之外的另一顯示元件的柵極信號線(Gate(n+1))的電勢而被帶入接通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)，從而將從第一晶體管流到所述電極的電流引導至柵極信號線(Gate(n))。
這里，優(yōu)選地，顯示元件是有機EL元件。優(yōu)選地，第三晶體管的柵極被連接到附加提供的電源供應線(Gate(Common))。優(yōu)選地，第三晶體管的柵極被連接到附加提供的電流釋放線(Drain(n))。優(yōu)選地，第三晶體管是p型晶體管。優(yōu)選地，來自第三晶體管的線路被連接到用于在顯示裝置處于操作狀態(tài)時，同時控制兩個或更多個顯示元件的外圍電路，并且多個第三晶體管經(jīng)由所述外圍電路而被順序開關(guān)。
本發(fā)明還提供了一種用于檢查任意顯示裝置的方法。具體而言，本發(fā)明提供了一種用于檢查上述主動矩陣顯示裝置中的任意一種的每個顯示元件的方法。該方法包括通過控制第二晶體管(Q1)的柵極電壓，將電荷存儲到存儲電容器(C1)中的步驟；通過改變除將被檢查的顯示元件之外的另一顯示元件的第一線路的電勢，來控制第三晶體管(Qt)的柵極的步驟；以及通過使用連接到將被檢查的顯示元件的第一電流源線的測量單元，來測量經(jīng)由第三晶體管(Qt)而從電極流過的電荷或電流量的步驟。
本發(fā)明還提供了第二顯示裝置，其允許根據(jù)實際顯示狀態(tài)來容易地執(zhí)行故障檢查。具體而言，本發(fā)明提供了一種顯示裝置，其包括基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到電極和電流源線(Is(m))的第一晶體管(Q2)，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到第一晶體管(Q2)的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線(Data(m))的第二晶體管(Q1)，所述第二晶體管通過使用連接到其柵極的柵極信號線(Gate(n))中的電壓，來確定第一晶體管的柵極電壓；連接到電流源線和第一晶體管的柵極的存儲電容器(C1)，該存儲電容器用于存儲在第二晶體管處于接通狀態(tài)時，經(jīng)由第二晶體管從數(shù)據(jù)存儲信號線(Data(m))提供的信號；以及被連接到電極(ITO)和除所述顯示元件之外的另一顯示元件的柵極信號線(Gate(n-1)或Gate(n+1))的二極管(DT)。
這里，優(yōu)選地顯示元件是有機EL元件。優(yōu)選地，所述二極管被連接到附加提供的電流釋放線(Drain(n))。
本發(fā)明還提供了一種用于檢查任意上述第二顯示裝置的方法。具體而言，本發(fā)明提供了一種用于檢查上述主動矩陣顯示裝置中的任意一種的每個像素的方法。該方法包括通過控制第二晶體管(Q1)的柵極，將電荷存儲到存儲電容器(C1)中的步驟；以及通過改變除將被檢查的顯示元件之外的另一顯示元件的第一線路的電勢，并且使用連接到除將被檢查的顯示元件之外的另一顯示元件的第二線路的測量單元，來測量經(jīng)由二極管(Dt)而從電極流過的電荷或電流量。
另外，本發(fā)明提供了第三顯示裝置，其允許根據(jù)實際顯示狀態(tài)來容易地執(zhí)行故障檢查。具體而言，本發(fā)明提供了一種主動矩陣顯示裝置，其中被包括在該顯示裝置中的每個像素包括連接到像素的顯示元件的電極；連接到電極和像素的第一線路(Is)的第一晶體管(Q2)；連接到第一晶體管的柵極和用于提供電壓信號的數(shù)據(jù)存儲信號線(Data(m))的第二晶體管(Q1)；連接到第一晶體管的柵極和像素的第二線路(Common)的存儲電容器(C1)，以及連接到電極和第一晶體管的柵極，從而利用從第一晶體管流到電極的電流來累積電荷的負載電容器(Cfb)。
這里，優(yōu)選地，所述顯示元件是有機EL元件。
本發(fā)明還提供了一種用于檢查任意第三顯示裝置的方法。具體而言，本發(fā)明提供了一種用于檢查上述主動矩陣顯示裝置中的任意一種的每個像素的方法。該方法包括將第一電壓(V1)提供到第一晶體管(Q2)的步驟；通過利用對連接到第二晶體管的柵極的柵極信號線(Gate(n))的控制暫時接通和關(guān)斷第二晶體管(Q1)，從而將數(shù)據(jù)存儲信號線(Data(m))的電壓提供到第一晶體管(Q2)的柵極，而將電荷存儲到存儲電容器(C1)和負載電容器(Cfb)中的步驟；降低第一電壓(V1)的步驟；通過接通第二晶體管(Q1)，并且使用連接到數(shù)據(jù)存儲信號線(Data(m))的電荷測量單元，來測量存儲在存儲電容器(C1)中的電荷量的步驟；在每個像素中，獲得測量出的電荷量和在提供第一電壓時的電荷量之間的差值的步驟；以及判斷所述差值是否在預定范圍內(nèi)的步驟。
這里，在降低第一電壓(V1)的步驟中，優(yōu)選地，第一電壓被降低到預定電壓，該預定電壓低于在存儲電荷的步驟中的電極電壓。優(yōu)選地，該方法還包括預先復位存儲電容器(C1)中存儲的電荷量的步驟，該步驟在將第一電壓(V1)提供到第一晶體管(Q2)的步驟之前。在降低第一電壓(V1)的步驟中，優(yōu)選地，第一電壓被降低，直到第一晶體管由于第一晶體管(Q2)的閾值電壓而被關(guān)斷為止。
此外，本發(fā)明提供了第四顯示裝置，其允許根據(jù)實際顯示狀態(tài)來容易地執(zhí)行故障檢查。具體而言，本發(fā)明提供了一種主動矩陣顯示裝置，其包括基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到電極和電流源線(Is(m))的第一晶體管(Q2)；連接到第一晶體管(Q2)的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線(Date(m))的第二晶體管(Q1)，柵極信號線(Gate(n))被連接到所述第二晶體管的柵極；連接到第一晶體管(Q2)的柵極和電流源線(Is(m))的存儲電容器(C1)；以及連接到電極和另一顯示元件的第二晶體管(Q1)的柵極所連接的線路(Gate(n-1))，從而利用在第一晶體管(Q2)接通時流過的電流來累積電荷的負載電容器(Ct)。
本發(fā)明還提供了一種主動矩陣顯示裝置，其包括基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到電極和電流源線(Is(m))的第一晶體管(Q2)；連接到第一晶體管(Q2)的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線(Data(m))的第二晶體管(Q1)，柵極信號線(Gate(n))被連接到所述第二晶體管的柵極；連接到第一晶體管(Q2)的柵極和電流源線(Is(m))的存儲電容器(C1)；以及連接到電極和同一顯示元件的第二晶體管(Q1)的柵極，并且連接到柵極信號線(Gate(n))，從而利用在第一晶體管(Q2)接通時流過的電流來累積電荷的負載電容器(Ct)。
這里，優(yōu)選地，所述顯示元件是有機EL元件。
本發(fā)明還提供了一種用于檢查任意第四顯示裝置的方法。具體而言，本發(fā)明提供了一種用于檢查上述第四主動矩陣顯示裝置中的任意一種的每個顯示元件的方法。該方法包括通過控制第二晶體管(Q1)的柵極，將電荷存儲到存儲電容器(C1)中的步驟；以及通過改變除將被檢查的顯示元件之外的另一顯示元件的柵極信號線(Gate(n+1))的電勢，并且使用連接到將被檢查的顯示元件的電流源線(Is(m))的測量單元，來測量從電極流過的電荷或電流量的步驟。
對于根據(jù)上述方面的主動矩陣顯示裝置中的任意一個，本發(fā)明提供了如下的主動矩陣顯示裝置，其中所述另一顯示元件與將被檢查的顯示元件相鄰。此外，對于根據(jù)上述方面的主動矩陣顯示裝置中的任意一個，本發(fā)明還提供了如下的用于檢查主動矩陣顯示裝置的方法，其中所述另一顯示元件與將被檢查的顯示元件相鄰。
另外，本發(fā)明提供了第五顯示裝置，其允許執(zhí)行容易的故障檢查，其中可以通過執(zhí)行對感興趣的像素的寫入，從而同時構(gòu)成電流測量電路，來根據(jù)實際顯示狀態(tài)執(zhí)行電流測量。
具體而言，本發(fā)明提供了一種主動矩陣顯示裝置，其包括基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到電極和第一電流源線的第一晶體管，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，所述第二晶體管通過使用連接到其柵極的柵極信號線中的電壓，來確定第一晶體管的柵極電壓；以及第三晶體管，其漏極被連接到電極，并且其源極和柵極被連接到顯示元件的柵極信號線，從而將從所述第一晶體管流到電極的電流引導至顯示元件的柵極信號線。
本發(fā)明還提供了一種主動矩陣顯示裝置，其包括基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到電極和電流源線的第一晶體管，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，所述第二晶體管通過使用連接到第二晶體管的柵極的柵極信號線中的電壓，來確定第一晶體管的柵極電壓；以及連接到電極和顯示元件的柵極信號線的二極管。
本發(fā)明還提供了使用上述第五顯示裝置中的任意一種的檢查方法。具體而言，本發(fā)明提供了一種用于檢查上述顯示裝置中的任意一種的每個顯示元件的方法。該方法包括通過改變將被檢查的顯示元件的柵極信號線的電勢來控制第二晶體管的柵極電壓，將由數(shù)據(jù)存儲信號線確定的電壓提供到第一晶體管的柵極，以及控制第三晶體管的柵極或二極管的步驟；以及通過使用連接到柵極信號線或第一電流源線的測量單元，來測量經(jīng)由第三晶體管或二極管而從電極流過的電荷或電流量的步驟。
本發(fā)明提供了第六顯示裝置，其允許執(zhí)行容易的故障檢查，其中可以通過執(zhí)行對感興趣的像素的寫入，從而同時構(gòu)成電流測量電路，來根據(jù)實際顯示狀態(tài)執(zhí)行電流測量。
具體而言，本發(fā)明提供了一種主動矩陣顯示裝置，其包括基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到電極和第一電流源線的第一晶體管，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，所述第二晶體管通過使用連接到其柵極的柵極信號線中的電壓，來確定第一晶體管的柵極電壓；以及第三晶體管，該第三晶體管的柵極和漏極被連接到電極和除所述顯示元件之外的另一顯示元件的柵極線，并且該第三晶體管的柵極被控制，以便將從第一晶體管流到電極的電流引導至另一顯示元件的柵極信號線。這里，優(yōu)選地，第三晶體管的柵極被連接到顯示元件的柵極線，從而執(zhí)行控制，以便將柵極帶入接通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)。
本發(fā)明還提供了用于檢查第六顯示裝置中的任意一種的每個顯示元件的方法。該方法包括通過改變將被檢查的顯示元件的柵極信號線的電勢來控制第二晶體管的柵極電壓，將由數(shù)據(jù)存儲信號線確定的電壓提供到第一晶體管的柵極，以及控制第三晶體管的柵極的步驟；以及通過使用連接到將被檢查的顯示元件的第一電流源線，或者連接到除將被檢查的顯示元件之外的另一顯示元件的柵極信號線的測量單元，來測量經(jīng)由第三晶體管從電極流過的電流的步驟。
對于在上述顯示裝置中使用的晶體管，當不具體限制其類型時，可以使用p型晶體管或n型晶體管。
本發(fā)明一般被應用于測試形成在基板上的顯示裝置，所述基板具有電極和對應于每個像素的顯示元件的驅(qū)動設(shè)備，并且本發(fā)明不必局限于如下類型的顯示裝置在該顯示裝置中，使用當前流行的透明電極以允許從基板側(cè)進行察看。因此，本發(fā)明還針對如下的顯示裝置該顯示裝置允許從發(fā)光材料一側(cè)，或者從被設(shè)置在具有電極和驅(qū)動設(shè)備的基板上的反向電極一側(cè)進行察看。因此，被設(shè)置在基板上的電極并不局限于透明電極。
在上述顯示裝置中，優(yōu)選地，將自發(fā)光有機EL元件的打開面積設(shè)計得盡可能大，即，將電極的面積設(shè)計得盡可能大。因此，優(yōu)選地，為了評價每個像素而并入的元件的面積要盡可能小。還優(yōu)選地，為每個顯示元件提供獨立的寫入，從而可以分別測量對應于單獨元件的顯示元件組，以提高電流/電壓測量的分辨率。
被設(shè)置在陰極和陽極之間的所有層被統(tǒng)稱為EL層。因此，EL層可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層和電子注入層。這里，由陽極、EL層和陰極所構(gòu)成的發(fā)光元件被稱為EL元件。在本發(fā)明中的EL元件可以包括利用來自單態(tài)激子的光發(fā)射(熒光)的類型，和利用來自三態(tài)激子的光發(fā)射(磷光)的類型。


圖1是本發(fā)明的主動矩陣顯示裝置的示意圖，其中A到C示出了使用晶體管(Qt)的情況，D到E示出了使用二極管(Dt)的情況，并且F示出了使用電容器(Ct)的情況。
圖2示出了對應于圖1中的A并且根據(jù)本發(fā)明第一實施例的主動矩陣顯示裝置的基板上的電路的電路圖。
圖3示出了對應于圖1中的B并且根據(jù)本發(fā)明第二實施例的主動矩陣顯示裝置的基板上的電路的電路圖。
圖4示出了對應于圖1中的C并且根據(jù)本發(fā)明第三實施例的主動矩陣顯示裝置的基板上的電路的電路圖。
圖5示出了在根據(jù)圖4所示本發(fā)明第一實施例的主動矩陣顯示裝置的基板上的電路中，晶體管Qt的漏極和源極互連的形式的電路圖。
圖6示出了在根據(jù)圖5所示本發(fā)明第一實施例的主動矩陣顯示裝置的基板上的電路中，晶體管Qt的漏極和柵極互連，并且其連接端被連接到顯示像素的柵極線Gate(n)的形式的電路圖。
圖7示出了在根據(jù)圖4所示本發(fā)明第一實施例的主動矩陣顯示裝置的基板上的電路中，改變晶體管Qt的漏極和柵極的連接端的形式的電路圖。
圖8示出了在圖7所示主動矩陣顯示裝置的基板上的電路中，晶體管Qt的漏極和柵極的連接端與圖7中的連接端相反的形式的電路圖。
圖9示出了對應于圖1中的D并且根據(jù)本發(fā)明第四實施例的主動矩陣顯示裝置的基板上的電路的電路圖。
圖10示出了在對應于圖9并且根據(jù)本發(fā)明第四實施例的主動矩陣顯示裝置的基板上的電路中，其連接端被連接到顯示像素的柵極線Gate(n)的形式的電路圖。
圖11示出了對應于圖1中的E并且根據(jù)本發(fā)明第五實施例的主動矩陣顯示裝置的基板上的電路的電路圖。
圖12是根據(jù)本發(fā)明第六實施例的主動矩陣顯示裝置的電路圖，其中添加了附加反饋電容器(Cfb)。
圖13中的A是當n型晶體管被用作圖12所示第六實施例中的Q1和Q2時，像素驅(qū)動電路的示意圖。
圖13中的B是用于示出圖13的A中的電壓驅(qū)動型電路的操作的時序圖。
圖14中的A是在將n型晶體管用作Q1并且將p型晶體管用作Q2的情況下，像素驅(qū)動電路的示意圖。
圖14中的B是用于示出圖14的A中的電流驅(qū)動型電路的操作的時序圖。
圖15示出了根據(jù)對應于圖1中的F的本發(fā)明，第七實施例的電路圖，其中在圖9所示實施例中的二極管Dt被電容器Ct所取代。
圖16示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，其中在圖1所示電路中的電容器Ct被連接到感興趣的柵極線Gate(n)。
圖17中的A示出了用于圖15所示的感興趣的像素的驅(qū)動電路的示意圖。
圖17中的B是用于示出圖17中的A所示電路的操作的時序圖。
圖18中的A示出了在圖16所示的感興趣的像素中，將n型晶體管用作晶體管Q1并且將p型晶體管用作晶體管Q2的驅(qū)動電路的示意圖。
圖18中的B是用于示出圖18中的A所示電路的操作的時序圖。
圖19中的A示出了在圖16所示的感興趣的像素中，將n型晶體管用作晶體管Q1和Q2的驅(qū)動電路的示意圖。
圖19中的B是用于示出圖19中的A中電路的操作的時序圖。
圖20示出了在使用電容器的傳統(tǒng)主動矩陣顯示裝置中每個像素的等效電路的電路圖。
圖21示出了使用電容器的傳統(tǒng)主動矩陣顯示裝置的像素部分的電路配置的電路圖。
具體實施例方式
下面首先參考圖1來描述本發(fā)明的某些實施例。圖1示出了在像素外圍部分的負載元件的某些類型和連接，所述負載元件被連接到電極，以使諸如EL顯示器或液晶顯示器(LCD)之類的元件發(fā)光或驅(qū)動這類元件。這里的示例示出了采用所謂的ITO電極(即通過將銦錫氧化物蒸鍍到包含玻璃等的基板上而形成的透明電極)的情況。因此，在基板上的電極被簡單地指示為“ITO”，尤其是在附圖中。但是，本發(fā)明并不局限于諸如ITO電極之類的透明電極，并且可普遍應用于通過在基板上形成電極和包括晶體管的驅(qū)動電路而制成的顯示裝置。作為負載元件，圖1中的A到C示出了使用晶體管(Qt)的形式，D和E示出了使用二極管(Dt)的形式，并且F示出了使用電容器(Ct)的形式。在圖1的A到F中以虛線圍繞的部分示出了用于被包括在主動矩陣顯示裝置中的一個像素的驅(qū)動電路。而且，在下述圖3到圖12、圖15和圖16中以虛線圍繞的部分同樣示出了用于被包括在主動矩陣顯示裝置中的一個像素的驅(qū)動電路。
下面，將參考圖1中的A來描述將晶體管(Qt)用作本發(fā)明的驅(qū)動電路的負載元件的顯示裝置的基本電路配置。在圖1的A中，被包括在主動矩陣顯示裝置中的像素的驅(qū)動電路包括電極、第一晶體管(Q2)、第二晶體管(Q1)、存儲電容器(C1)和第三晶體管(Qt)。電極被連接到EL元件等等，并且通常由導電性的透明ITO構(gòu)成。第一晶體管(Q2)連接到該電極以及用于像素的電流源線(Is(m))，并且根據(jù)提供到其柵極的電壓在EL元件等等的接通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)之間切換。第二晶體管(Q1)連接到第一晶體管(Q2)柵極以及用于提供電壓信號的數(shù)據(jù)存儲信號線(Data(m))，并且根據(jù)提供到其柵極的電壓在第一晶體管(Q2)的接通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)之間切換。存儲電容器(C1)連接到電流源線(Is(m))以及第一晶體管(Q2)的柵極，并且在第二晶體管(Q1)處于接通狀態(tài)時，存儲經(jīng)由第二晶體管(Q1)提供的數(shù)據(jù)的電壓信號。第三晶體管(Qt)連接到電極以及用于除感興趣的像素之外的另一像素的線路(Gate(n-1))或用于相鄰像素的線路(Gate(n-1))，并且通過改變用于另一像素的線路(Is(m+1))的電勢而將柵極設(shè)置為接通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)，從而將從第一晶體管(Q2)流到電極的電流引導至用于另一像素的線路。在像素的外圍部分中，布置了連接到外圍電路20和30的焊盤10和12、用于接通或關(guān)斷每個像素的電源的開關(guān)14等等。圖2示出了比圖1中的A所示電路更詳細的電路，并且包括外圍電路20和30等等。
這里，本發(fā)明的上述電路與傳統(tǒng)電路的不同之處在于，添加了上述第三晶體管Qt以作為負載元件。而且，本發(fā)明還可應用于將晶體管Qt的部分改為二極管Dt或電容器Ct(如下所述)的情況。
當添加晶體管Qt、二極管Dt或電容器Ct以作為負載元件時，優(yōu)選地經(jīng)由電極來連接第一晶體管(Q2)和上述負載元件，從而使電極和晶體管Q2之間的連接狀態(tài)也可以被檢查。
下面，將參考圖2來描述圖1的A中所示的使用晶體管的電路的操作。在圖2中以虛線圍繞的部分對應于圖1的A中以虛線圍繞的部分。在該圖中，由_n指示的標號指代n型晶體管，而由_p指示的標號指代p型晶體管。首先，晶體管(Q2)的柵極電壓被控制，以控制去往電極(ITO電極)的電流量。在這種情況下，獲得所需的線路Data(m)的電壓，并且線路Gate(n)被用于控制Q1的暫時接通和關(guān)斷，從而將電荷累積在用于數(shù)據(jù)存儲的電容器C1中。接下來，在電容器C1處的電壓被保持，直到狀態(tài)改變。因此，在這種狀態(tài)中，如果EL元件是在這種狀態(tài)中形成的，則經(jīng)由電極將功率提供到EL元件等等(未示出)，以導致發(fā)光。
接下來，用于除了感興趣的像素之外的另一像素的電流源線(例如與感興趣的像素相鄰的電流源線Is(m+1))被用于控制晶體管(Qt)的柵極，以將晶體管(Qt)的漏極連接到與感興趣的像素相鄰的柵極線Gate(n+1)。隨后，連接到線路Is(m)的電表(未示出)被用于測量流過電極的電流(即流過EL元件的電流)。
在圖1中的A或圖2所示的實施例中，晶體管Qt優(yōu)選地是p型晶體管。這是因為優(yōu)選地，在晶體管Q2的柵極電壓和源極電壓為零時，流過晶體管Qt的電流被關(guān)斷，以避免故障，因為在實際致使EL元件發(fā)光(或被驅(qū)動)時，從晶體管Q2提供的用于EL光發(fā)射的電流會經(jīng)由晶體管Qt而流出。這里，當p型晶體管也被用于晶體管Q1和Q2時，包括晶體管Qt在內(nèi)的所有晶體管都可以被配置為p型晶體管。
在這種情況下，當n型晶體管被用于晶體管Q2時，驅(qū)動電路用于設(shè)置電極的電壓，而當p型晶體管被用于晶體管Q2時，驅(qū)動電路用于設(shè)置(ITO)電極的電流。在任一情況下，操作原理相同。
下面將參考圖3來描述本發(fā)明的第二實施例，該實施例是對第一實施例的改進。在上述第一實施例中，晶體管Qt受控于另一像素(例如相鄰像素)的電流源線(Is(m+1))。但是，在第二實施例中，提供了作為附加電源供應線的線路L_gate(對應于圖1的B中所示的Gate(common))，以控制晶體管Qt。如上述情況，對于作為附加的電源供應線的線路L_gate，電壓控制等等也可以從外圍電路執(zhí)行。因此，可以消除在第一實施例中對晶體管Qt的限制，并且還可以將n型晶體管用于晶體管Qt。
下面將參考圖4來描述本發(fā)明的第三實施例。在第三實施例中，將作為附加線路的電流釋放線，即Drain(n)線路添加到第二實施例中。晶體管Qt的輸出連接到附加線路Drain(n)。如第一和第二實施例，將電表(未示出)連接到電流源線(Is(m))或附加線路Drain(n)的做法允許流過電極的電流被測量。
在這種情況下，不需要使用另一像素的柵極線(例如相鄰像素的柵極線Gate(n-1)或Gate(n+1))來測量流過電極的電流。這樣做的優(yōu)點在于，消除了在電流測量期間的限制，并且提高了測量的自由度。
沒有如圖2所示那樣提供用于除了感興趣的像素之外的另一像素的電流源線(Is(m+1))，而是可以采用如下布置將晶體管Qt的漏極與晶體管Qt的柵極相連，并且將連接到晶體管Qt的漏極和柵極的線路連接到用于驅(qū)動像素的柵極線Gate(n)，或用于驅(qū)動相鄰像素的柵極線Gate(n+1)或Gate(n-1)。在圖5中示出了這種情況。這種配置可應用于晶體管Q1和Qt是p型晶體管的情況。在這種情況下，當晶體管Qt的連接端的柵極線被選擇并且電壓降低時，晶體管Qt接通。因此，這種配置可以以相同方式被用于晶體管Qt是二極管的情況。
下面，將參考圖5描述用于評價電流特性的方法。首先，晶體管Q2的柵極電壓被控制，以控制去往電極的電流量。在這種情況下，獲得用于存儲感興趣的像素的數(shù)據(jù)所需的電壓信號線Data(m)的電壓，感興趣的像素的柵極線Gate(n)中的電壓被降低，并且晶體管Q1被暫時接通，然后被關(guān)斷，從而電荷被存儲在數(shù)據(jù)存儲電容器C1中。接下來，電壓被存儲在電容器C1中，直到狀態(tài)改變。這樣，如果EL元件是在處于該狀態(tài)的電極上形成的，則經(jīng)由電極將功率提供到EL元件等等(未示出)。這樣一來，電子和空穴在EL元件中被重新組合，從而EL元件繼續(xù)被驅(qū)動或發(fā)光。
隨后，除感興趣的像素之外的另一像素的柵極線Gate(n+1)(例如相鄰像素的柵極線Gate(n+1))導致在晶體管Qt處的柵極電壓降低，從而接通晶體管Qt，從而在晶體管Qt中流動的電流經(jīng)由晶體管Q2而流到Gate(n+1)中。這時，連接到電流源線Is(m)的電表(未示出)被用于測量流過電極的電流(即在形成EL元件時流過該EL元件的電流)。
利用這種布置，在使用Data(m)和Gate(n)來接通和關(guān)斷晶體管Q1的操作之后，即在執(zhí)行寫入感興趣的像素的操作之后，可以在導致Gate(n+1)的電壓降低并且將數(shù)據(jù)信號寫入除了感興趣的像素之外的另一像素(例如相鄰像素)時，評價流過感興趣的像素的電流值。換句話說，控制除了感興趣的像素之外的另一像素的柵極線或相鄰像素的柵極線的做法允許測量處于保持狀態(tài)的感興趣的像素的驅(qū)動電路的電特性。
這里，雖然在上述測量中使用了除感興趣的像素之外的另一像素的柵極線Gate(n+1)，但是未使用另一像素的電流源線Is(m+1)。因此，控制簡單，并且減小了元件的電路設(shè)計的負擔。
接下來，圖6示出了如下情況沒有提供除感興趣的像素之外的另一像素的電流源線(Is(m+1))，而是將晶體管Qt的漏極與晶體管Qt的柵極相連，并且將連接到晶體管Qt的漏極和柵極的線路連接到用于驅(qū)動像素的柵極線Gate(n)。這種配置可應用于晶體管Q1和Qt是p型晶體管的情況。在這種情況下，當晶體管Qt的連接端的柵極線被選擇，并且電壓降低時，晶體管Qt接通。因此，該配置可以以相同方式被用于晶體管Qt是二極管的情況。
接下來，將參考圖6來描述用于評價電流特性的方法。首先，晶體管Q2的柵極電壓被控制，以控制去往電極的電流量。就是說，獲得用于存儲感興趣的像素的數(shù)據(jù)所需的電壓信號線Data(m)的電壓，并且感興趣的像素的柵極線Gate(n)中的電壓被降低，從而接通晶體管Q1。這樣一來，由電壓信號線Data(m)確定的電壓被提供到晶體管Q2的柵極。這時，電荷也被存儲在電容器C1中。因此，在該狀態(tài)中，如果在電極上形成EL元件，則功率經(jīng)由電極被提供到EL元件等等(未示出)。這樣一來，電子和空穴在EL元件中被重新組合，從而EL元件繼續(xù)被驅(qū)動或發(fā)光。
這意味著用于驅(qū)動感興趣的像素的電極的晶體管(Q2)的電特性可以基于由Date(m)確定的Q2柵極電壓來測量。該測量提供了如下優(yōu)點例如為Data(m)設(shè)置至少兩個設(shè)置電壓值，并且使用電表測量在一定等待時間之后流過的電流的做法允許詳細測量晶體管(Q2)的電流特性，該特性不同于感興趣的像素在保持狀態(tài)中的特性。這里，電表被連接到感興趣像素的電流源線Is(m)或者感興趣像素的柵極線Gate(n)。由于該測量沒有使用另一像素的任意線路，因此控制簡單，并且減小了在元件的電路設(shè)計期間的負擔。
當執(zhí)行對感興趣像素的寫入時，該晶體管(Qt)接通。晶體管(Qt)可以作為用于像素過程管理的TEG(測試元件組)而被設(shè)置在顯示裝置上，以用于評價顯示裝置。包括該測試電路的像素可以與包括另一測試電路的像素一起使用。
另外，如圖7所示，布置可以是這樣的沒有如圖2所示那樣提供除感興趣的像素之外的另一像素的電流源線(Is(m+1))，而是如觸點(A)所指示的，將晶體管Qt的柵極連接到用于驅(qū)動除感興趣的像素之外的另一像素的柵極線(例如用于驅(qū)動相鄰像素的柵極線Gate(n+1))，并且如觸點(B)所指示的，將晶體管Qt的源極連接到用于驅(qū)動該像素的另一柵極線Gate(n)。圖7中的配置可應用于晶體管Q1和晶體管Qt都是n型晶體管的情況。
下面將參考圖7來描述用于測量電特性的方法。首先，晶體管Q2的柵極電壓被控制，以控制去往電極的電流量。這是通過以下方式實現(xiàn)的獲得用于存儲感興趣的像素的電壓所需的電壓信號線Data(m)的電壓，感興趣的像素的柵極線Gate(n)中的電壓被升高，并且暫時接通并隨后關(guān)斷晶體管Q1，從而將電荷存儲在數(shù)據(jù)存儲電容器C1中。接下來，在電容器C1處的電壓被保持，直到狀態(tài)改變。這樣，如果在該狀態(tài)中形成EL元件，功率則經(jīng)由電極被提供到EL元件等等(未示出)。這樣一來，電子和空穴在EL元件中被重新組合，從而EL元件繼續(xù)被驅(qū)動或發(fā)光。
隨后，與感興趣的像素相鄰的像素的柵極線Gate(n+1)致使在晶體管Qt處的柵極電壓升高，從而接通晶體管Q2，從而使在晶體管Qt中流動的電流經(jīng)由晶體管Q2而流到Gate(n)中。這時，連接到線路Is(m)的電表(未示出)被用于測量流過電極的電流，即如果形成EL元件，則將流過該EL元件的電流。
這種布置，在使用Data(m)和Gate(n)接通和關(guān)斷晶體管Q1的操作之后，即在執(zhí)行寫入感興趣的像素的操作之后，可以在導致Gate(n+1)的電壓升高并且將數(shù)據(jù)信號寫入其相鄰像素時，評價流到感興趣的像素的電流值。換句話說，控制與感興趣的像素相鄰的像素的柵極線的做法允許測量處于保持狀態(tài)的感興趣的像素的驅(qū)動電路的電特性。
這種測量使用了相鄰像素的柵極線Gate(n+1)，但是沒有使用相鄰像素的電流源線Is(m+1)。因此，控制簡單，并且減小了元件的電路設(shè)計上的負擔。
另外，如圖8所示，布置可以是這樣的沒有如圖2所示那樣提供除感興趣的像素之外的另一像素的電流源線(Is(m+1))，而是如觸點(B)所指示的，將晶體管Qt的柵極連接到用于驅(qū)動與感興趣的像素相同的像素的柵極線Gate(n)，并且如觸點(A)所指示的，將晶體管Qt的源極連接到用于驅(qū)動像素的另一柵極線Gate(n+1)。圖8中的配置可應用于晶體管Q1和晶體管Qt都是n型晶體管的情況。
接下來，將參考圖8來描述用于測量其電特性的方法。首先，晶體管Q2的柵極電壓被控制，以控制去往電極的電流量。就是說，獲得用于存儲感興趣的像素的數(shù)據(jù)所需的電壓信號線Data(m)的電壓，并且感興趣的像素的柵極線Gate(n)中的電壓被升高，從而接通晶體管Q1。這樣一來，由電壓信號線Data(m)確定的電壓被提供到晶體管Q2的柵極。這時，電荷也被存儲在電容器C1中。這樣，在該狀態(tài)中，如果在電極上形成EL元件，功率則經(jīng)由電極被提供到EL元件等等(未示出)。這樣一來，電子和空穴在EL元件中被重新組合，從而EL元件繼續(xù)被驅(qū)動或發(fā)光。
這意味著用于驅(qū)動感興趣的像素的電極的晶體管(Q2)的電特性可以基于由Date(m)確定的Q2柵極電壓來測量。該測量提供了如下優(yōu)點例如為Data(m)設(shè)置至少兩個設(shè)置電壓值，并且使用電表測量在一定等待時間之后流過的電流的做法允許詳細測量晶體管(Q2)的電流特性，該特性不同于感興趣的像素在保持狀態(tài)中的特性。這里，電表被連接到感興趣像素的電流源線Is(m)或者感興趣像素的柵極線Gate(n)。由于該測量沒有使用另一像素的任意線路，因此控制簡單，并且減小了在元件的電路設(shè)計期間的負擔。
當執(zhí)行對感興趣像素的寫入時，該晶體管(Qt)接通。晶體管(Qt)可以作為用于像素過程管理的TEG而被設(shè)置在顯示裝置上，以用于評價顯示裝置。包括該測試電路的像素可以與包括另一測試電路的像素一起使用。
雖然上面已經(jīng)描述了使用晶體管Qt的驅(qū)動電路以及用于使用驅(qū)動電路來檢查電路的方法，但是下面將參考圖9來描述本發(fā)明的第四實施例，其使用二極管來取代晶體管Qt。第四實施例具有與圖2所示的第一實施例基本相同的配置，其中以二極管Dt取代第一實施例中的晶體管Qt。當與三端元件晶體管Qt相比較時，二極管是兩端元件，它不需要用于控制柵極的線路等等。因此，該電路具有稍微簡單的配置。
下面將描述第四實施例的電路的操作。首先，晶體管Q2的柵極電壓被控制，以控制去往電極的電流量。因此，如上所述，獲得用于存儲數(shù)據(jù)所需的Data(m)的電壓，并且控制Gate(n)暫時接通并隨后關(guān)斷晶體管Q1，從而電荷被存儲在數(shù)據(jù)信號存儲電容器C1中。在存儲電容器C1處的預定電壓被保持，直到該狀態(tài)改變，從而經(jīng)由電極連接的EL元件繼續(xù)被驅(qū)動或發(fā)光。
與第一實施例相同，當n型晶體管被用于晶體管Q2時，驅(qū)動電路用于設(shè)置電極的電壓，而當p型晶體管被用于晶體管Q2時，驅(qū)動電路用于設(shè)置電極的電流。在任一情況下，操作原理相同。
這里，二極管Dt的陽極被連接到電極，并且其陰極連接到除感興趣的像素之外的另一像素的柵極線Gate(n+1)，例如相鄰像素的柵極線Gate(n+1)。這里，致使Gate(n+1)具有二極管Dt的接通電壓，并且連接到電流源線Is(m)的電表(未示出)被用于測量流過電極的電流。二極管Dt優(yōu)選地被設(shè)計為使得在安裝EL元件之后的實際使用期間，使該二極管的接通周期盡可能的短(即使得在實際使用期間，電流經(jīng)由電極而流到EL元件(未示出)，并且電流只在非常短的時間周期中從二極管Dt流到Gate(n+1))。在這種情況下，優(yōu)選地將p型晶體管用于晶體管Q1。就是說，滿足如下條件就足夠了即使在與感興趣的像素相鄰的像素的晶體管Q1的柵極Gate(n+1)被關(guān)斷時，感興趣的像素的二極管Dt也不會被接通。具體而言，為了避免電流流到二極管Dt中，可以將二極管Dt陰極一側(cè)保持在高于電極的電勢上。但是，在圖9的情況下，連接端是與感興趣的像素相鄰的柵極線Gate(n+1)。這里，為了操作與感興趣的像素相鄰的晶體管Q1，柵極線Gate(n+1)需要獨立于感興趣的像素而被接通或關(guān)斷。這樣，在圖9的情況下，存在對電路配置的限制。
下面，將參考圖10來描述將二極管Dt的陽極連接到電極，并且將陰極連接到與感興趣的像素相同的像素的柵極線Gate(n)的情況。首先，致使感興趣的像素的柵極線Gate(n)中的電壓降低，并且p型晶體管(Q1)和二極管(Dt)被接通。隨后，獲得用于存儲感興趣的像素的數(shù)據(jù)所需的電壓信號線Data(m)的電壓，并且將該電壓值用于控制晶體管(Q2)的柵極。
這里，由于二極管(Dt)的陽極被連接到電極，而陰極被連接到Gate(n)，因此電流根據(jù)Data(m)的電壓值，經(jīng)由晶體管(Q2)和二極管(Dt)而流到Gate(n)。Gate(n)的電壓被控制，從而二極管Dt發(fā)送電流，并且連接到感興趣的像素的電流源線Is(m)或柵極線Gate(n)的電表(未示出)被用于測量流過電極的電流(即流過EL元件的電流)。
利用這種布置，可以基于Data(m)所確定的電壓來測量用于驅(qū)動感興趣的像素的電極的晶體管Q2的電特性。該測量提供了如下優(yōu)點例如為Data(m)設(shè)置至少兩個設(shè)置電壓值，并且使用電表或電荷測量儀測量在一定等待時間之后流過的電流的做法允許詳細測量晶體管(Q2)的電流特性，該特性不同于感興趣的像素在保持狀態(tài)中的特性。由于該測量沒有使用另一像素的任意線路，因此控制簡單，并且減小了在元件的電路設(shè)計期間的負擔。
這里，當執(zhí)行對感興趣的像素的寫入時，二極管(Dt)被接通。二極管(Dt)可以作為用于像素過程管理的TEG而被設(shè)置在顯示裝置上，以用于評價顯示裝置。包括該測試電路的像素可以與包括另一測試電路的像素一起使用。
二極管Dt還優(yōu)選地被設(shè)計為使得在安裝EL元件之后的實際使用期間，使該二極管的接通周期盡可能的短(即使得在實際使用期間，電流經(jīng)由電極而流到EL元件(未示出)，并且電流只在非常短的時間周期中從二極管Dt流到Gate(n))。在這種情況下，優(yōu)選地將p型晶體管用于晶體管Q1。就是說，滿足如下條件就足夠了在感興趣的像素的晶體管Q1的柵極Gate(n)被關(guān)斷時，感興趣的像素的二極管Dt不會被接通。具體而言，為了允許電流只在很短的時間周期中流到二極管Dt，可以在除了使用Gate(n)的時間之外，將二極管Dt陰極一側(cè)保持在高于電極的電勢上。在圖10的情況下，連接端是感興趣的像素的柵極線Gate(n)。這樣，在圖10的情況下，如圖9一樣，存在對電路配置的限制。
下面將參考圖11來描述本發(fā)明的第五實施例，該實施例消除了對電路配置的限制。在第五實施例中，附加的電壓供應線Vd(n)被添加到第四實施例中。二極管Dt的陰極被連接到附加的電壓供應線Vd(n)。雖然需要附加線路，但是這種情況提供了如下優(yōu)點，即消除了對晶體管Q1類型的限制。
為了檢查像素驅(qū)動電路，可以使用連接到電壓供應線Vd(n)或電流源線Is(m)的電表(未示出)進行評價。在前一種情況下，電壓供應線Vd(n)被保持在高電勢，從而防止被提供到電極(ITO)的電流經(jīng)由二極管Dt而流出。
在這種情況下，對于數(shù)據(jù)信號線Data(m)的電壓設(shè)置，例如，當希望將流過晶體管Q2的電流設(shè)置為1μA時，存在如下情況經(jīng)預測，將Data(m)的電壓設(shè)置為1V是有利的。在這種情況下，當以這種方式設(shè)置Data(m)的電壓時，連接到電壓供應線Vd(n)或者電流源線Is(m)的電表可以被用于檢測流過晶體管Q2的電流水平，從而判斷電流值是否滿足產(chǎn)品規(guī)范。
下面將參考圖12描述使用負載電容器Cfb的本發(fā)明第六實施例。在第六實施例中，電容器Cfb被連接到電極，并且電容器Cfb的另一端連接到晶體管Q2的柵極以實現(xiàn)反饋。此外，用于存儲數(shù)據(jù)信號的存儲電容器C1被連接到不同于電源供應線的附加電源供應線(Common)。
在第六實施例中存在兩種類型的電路操作，即電壓驅(qū)動型和電流驅(qū)動型。下面將描述各個情況的操作原理。
(電壓驅(qū)動型操作的描述)將參考圖13來描述電壓驅(qū)動型操作。這里，將n型晶體管用于晶體管Q1和Q2。首先，作為初始化例程，電容器Cfb被復位。具體而言，在將電源供應線V1(對應于圖12所示的Is)設(shè)置為零電勢的狀態(tài)中，晶體管Q2的柵極被接通一次，并且電容器Cfb被復位。這樣做的意圖是想要消除電容器Cfb中固有的電荷所引起的不利影響，從而以高準確度執(zhí)行電荷測量。接下來，電流供應電壓V1被提供到晶體管Q2。另外，利用從數(shù)據(jù)信號線Data(m)提供的預定電壓，晶體管Q1的柵極被接通，并且晶體管Q2被接通。而且，在將電壓供應到存儲電容器C1之后，晶體管Q1關(guān)斷。
該狀態(tài)被保持一段預定時間，從而使指示電極處電壓的V_ITO和在電容器Cfb處的電壓飽和至某種狀態(tài)。作為響應，晶體管Q2也進入關(guān)斷狀態(tài)。從該狀態(tài)開始，電壓V1逐步下降。這里，在V1與V_ITO變?yōu)楸舜讼嗟戎?，電壓V_ITO不產(chǎn)生波動。但是，當V1和V_st之差超過晶體管Q2的閾值電壓Vth時(即當電壓V1變得低于V_ITO時)，晶體管Q2進入接通狀態(tài)，并且隨后，V_ITO跟隨V1降低。在這種情況下，根據(jù)電壓V_ITO中的壓降，電容器Cfb放電，并且因此其電壓降低。這樣，在數(shù)據(jù)存儲電容器C1和Cfb之間交點處的電壓V_st隨著電容器Cfb的電壓降低而降低。隨后，V1降低，直到V1達到預定電壓。該預定電壓是這樣確定的，即使得電壓V_st的改變量ΔV_st可以容易地獲得。
獲得該交點處電壓V_st的改變量ΔV_st的操作能夠確定驅(qū)動電路的特性。具體而言，在通過V1的操作而達到預定電壓之后，再次利用Gate(n)接通晶體管Q1的柵極，并且可以通過使用連接到數(shù)據(jù)線Data(m)的電表或電荷測量儀(未示出)來測量電壓V_st。將最初存儲在存儲電容器C1的用于數(shù)據(jù)信號電壓的電荷量與從ΔV_st確定的電荷量相比較。當在電壓V_ITO中的改變量被定義為ΔV_ITO時，被測電荷量滿足以下關(guān)系ΔV_st＝ΔV_ITO×(Cfb/(C1+Cfb))。因此，在每個像素中，判斷錯誤是否在一個周期范圍內(nèi)，從而可以檢查像素的驅(qū)動電路的操作。
(電流驅(qū)動型操作的描述)下面將參考圖14來描述電流驅(qū)動型操作。在這種情況下，p型晶體管被用于晶體管Q1和Q2。不同于上述電壓驅(qū)動型操作，這里不必執(zhí)行電容器Cfb的復位。預定電壓也被提供到電源供應線V2(對應于圖12所示的Common)。這里，控制柵極信號線Gate(n)以接通晶體管Q1。預先向數(shù)據(jù)信號線Data(m)提供預定電壓的操作也將晶體管Q2帶入接通狀態(tài)。這時，連接到晶體管Q2的源極的V1的電壓(對應于圖12所示的Is的電壓)被設(shè)置為高于柵極電壓。從該狀態(tài)開始，電源供應線V1(Is)的電壓被降低。電極(ITO電極)的電壓V_ITO也相應降低，直到晶體管Q2被關(guān)斷。如上所述，在這種情況下，電流從存儲電容器C1流到電容器Cfb。當電源供應線V1的電勢下降到比關(guān)斷晶體管Q2的柵極電勢的電壓(閾值電壓Vth)更低的值時，沒有電荷從C1中流出。在這種狀態(tài)中，晶體管Q1接通，連接到數(shù)據(jù)信號線Data(m)的電表或電荷測量儀(未示出)被用來測量存儲在存儲電容器C1中的電荷量。然后，對于每個像素，確定提供到(寫入)存儲電容器C1的電荷量與所讀取的電荷量之差。判斷該差值是否在預定范圍內(nèi)的操作可以檢查像素的驅(qū)動電話的操作。
在上述第六實施例中，可以利用單個測量操作來確定晶體管Q2的閾值電壓Vth的值。因此，與傳統(tǒng)電路相比，第六實施例的優(yōu)點在于測量吞吐量(throughput)很高?，F(xiàn)在參考圖20，在專利文件2中，用于數(shù)據(jù)存儲的存儲電容器C1被連接到另一線路(Vsc)。在專利文件2中，如圖20所示，n型晶體管可以被用作晶體管Tr2，并且該Tr2僅僅充當開關(guān)。從而，將只能確定晶體管Tr2的接通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)，即只能判斷晶體管Tr2是正常工作，還是發(fā)生故障。因此，為了確定本發(fā)明中晶體管Q2的閾值電壓Vth，需要在改變提供的電壓值的同時，多次重復相似的測量操作。在上述專利文件3中，對應于上述電容的電容被連接到相鄰的柵極線。注意，即使在電容被反饋到晶體管9106的柵極端子時，電路也不能正常操作。
下面將描述本發(fā)明的第七實施例。第七實施例涉及用于確定使用電容器Ct的驅(qū)動電路的瞬態(tài)響應的方法。圖15和圖16示出了在這種情況下所使用的電路。在圖15中所示的電路配置對應于圖1的F中的電路配置，并且基本上與圖9中所示的使用二極管的電路配置相同。圖16與圖15的不同之處在于，電容器Ct的連接端被連接到電容器Ct所屬顯示元件的柵極線Gate(n)。在這種方式中，優(yōu)選地，連接到電極的電容器Ct的另一端例如是(1)除電容器所屬顯示元件之外的另一顯示元件的柵極線，或者(2)電容器所屬顯示元件的柵極線。其原因在于，這些線路總是存在于像素周邊以驅(qū)動或控制EL元件，并且因此可被用于有意地改變電壓。連接到電極的電容器Ct的另一連接端并不局限于這些示例，因此該連接端可被連接到另一線路，例如像素電極等等。
在這樣的電路配置中，在發(fā)生瞬態(tài)響應期間，通過使用連接到線路Is的電表等等來測量瞬態(tài)響應電流、存儲在電容器中的電荷量等等的做法可以評價每個像素的電極(ITO)的電壓V_ITO的瞬態(tài)響應。
(第七實施例的操作描述)(1)在電容器Ct被連接到除電容器所屬顯示元件之外的另一顯示元件的柵極線的情況下。
參考圖17進行描述。首先，正在討論的柵極線(Gate(n))被控制為致使來自數(shù)據(jù)信號線Dataz(m)的電荷被存儲在存儲電容器C1中，并且執(zhí)行寫入和數(shù)據(jù)設(shè)置。接下來，電壓被提供到相鄰柵極線(Gate(n+1))以在電容器Ct中存儲電荷。當在預定時間之后操作進入穩(wěn)定狀態(tài)時，在ITO電極處的電勢達到某個值(Vdd)。在相鄰柵極線(Gate(n+1))中的電壓下降到預定電壓，以產(chǎn)生瞬態(tài)響應。在發(fā)生瞬態(tài)響應期間，連接到電流供應線Is(對應于圖15中所示的Is(m))的電表A1被用于測量將被檢查的像素中的瞬態(tài)響應電流(I-Is)。在這種方式中，可以評價每個像素的像素驅(qū)動電路的電流驅(qū)動能力。在本實施例中，p型晶體管被用作圖17所示的晶體管Q1和Q2。
(2)在電容器Ct被連接到電容器所屬顯示元件的柵極線的情況下。
參考圖18進行描述。在這種情況下，正在討論的顯示元件的柵極線(Gate(n))的電壓被改變，從而以與情況(1)相同的方式產(chǎn)生瞬態(tài)響應。到發(fā)生瞬態(tài)響應時，利用連接到電流供應線Is(對應于圖16中所示的Is(m))的電表來測量此時的瞬態(tài)響應電流。這里，當電容器Ct被連接到正在討論的柵極線時，在圖18中，n型晶體管(Q1_n)被用作晶體管Q1，并且p型晶體管(Q2_p)被用作晶體管Q2，并且在圖19中，將n型晶體管(Q1_n和Q2_n)用作晶體管Q1和Q2。
這里，首先描述圖18的情況。首先，正在討論的柵極線(Gate(n))的電壓被控制，以接通晶體管Q1，從而電荷被存儲在Ct中。隨后，在一段預定時間之后，在電極(ITO電極)處的電壓(V_ITO)進入穩(wěn)定狀態(tài)，并且隨后正在討論的柵極線(Gate(n))的電壓下降到預定電壓。在上述情況下，連接到電流供應線的電表被用于允許測量存儲在電容器Ct中的電荷的瞬態(tài)響應(I_Is)。這里，預定電壓需要致使電勢差達到產(chǎn)生瞬態(tài)響應的程度。
接下來，將參考圖19來描述將n型晶體管用作晶體管Q1和Q2的情況。首先，正在討論的柵極線(Gate(n))的電壓被控制，以接通晶體管Q1，從而電荷被存儲在Ct中。隨后，在一段預定時間之后，在電極處的電壓(V_ITO)進入穩(wěn)定狀態(tài)，并且隨后正在討論的數(shù)據(jù)信號線(Data(m))的電壓上升到預定電壓。隨后，在一段預定時間之后，正在討論的柵極線(Gate(n))的電壓下降到預定電壓。在上述情況下，連接到電流供應線的電表被用于允許測量存儲在電容器Ct中的電荷的瞬態(tài)響應(I_Is)。
上述實施例提供了如下優(yōu)點通過對瞬態(tài)響應電流的測量，甚至能夠評價電流驅(qū)動能力。注意，利用專利文件2中所公開的電路，無法執(zhí)行上述操作。
在實踐中優(yōu)選的做法是在評價驅(qū)動電路時，接通被添加到實施例所述各電極中的元件，而在將其用作產(chǎn)品時，關(guān)斷這些元件。這是因為存在如下風險，即無法提供用于點亮或驅(qū)動EL元件所需的足夠功率的風險。還優(yōu)選地，如果可能，則利用現(xiàn)有線路來實現(xiàn)連接，而不要添加附加線路。這是因為可以避免增大線路數(shù)量。
雖然在上述附圖中示出了用于執(zhí)行接通/關(guān)斷轉(zhuǎn)換的開關(guān)，但是注意，這些開關(guān)不是本發(fā)明中的主要元件。這是因為，通過以增加線路數(shù)量并且分離像素來替代提供開關(guān)，也可以實現(xiàn)測量方案的改善和并行處理。類似地，注意，外圍電路不是用于本發(fā)明的評價的特別主要的元件。
在上述實施例中，ITO(銦錫氧化物)被用作用于驅(qū)動有機EL元件的電極。該ITO在可視光區(qū)域內(nèi)具有透明的光學屬性，并且被用作需要使用背光的液晶顯示器(LCD)中的透明電極。但是，由于有機EL元件自己發(fā)光，因此在本發(fā)明中使用的ITO被用作用于驅(qū)動有機EL元件像素的電極，但是它并不局限于此。例如，也可以使用導電金屬等等來替代ITO。還要注意，ITO可以被用作有機EL元件的陰極。
利用上述布置，根據(jù)本發(fā)明，可以在不使用特殊裝置的情況下，評價有機EL元件的驅(qū)動電路的直流特性、瞬態(tài)響應特性等等。因此，可以根據(jù)實際使用狀態(tài)而以高準確度和低成本執(zhí)行評價。
由本發(fā)明所保護的范圍并不局限于上述實施例，而是還可以擴展到在權(quán)利要求及其等同物中所描述的發(fā)明。
權(quán)利要求書(按照條約第19條的修改)1.一種主動矩陣顯示裝置，包含基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在所述基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到所述電極和第一電流源線的第一晶體管，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定所述顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到所述第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，所述第二晶體管通過使用連接到所述第二晶體管的柵極的柵極信號線中的電壓，來確定所述第一晶體管的柵極電壓；連接到所述電流源線和所述第一晶體管的柵極的存儲電容器，該存儲電容器用于存儲在所述第二晶體管處于接通狀態(tài)時，經(jīng)由所述第二晶體管從所述數(shù)據(jù)存儲信號線提供的電壓信號；以及第三晶體管，該第三晶體管的源極和漏極被連接到所述電極和除所述顯示元件之外的另一顯示元件的柵極信號線，并且該第三晶體管的柵極被控制，以便將從所述第一晶體管流到所述電極的電流引導至另一顯示元件的柵極信號線。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第三晶體管的柵極被連接到除所述顯示元件之外的另一顯示元件的第二電流源線，從而執(zhí)行控制，以便將所述柵極帶入接通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第三晶體管的柵極被連接到所述另一顯示元件的柵極信號線，從而執(zhí)行控制，以便將所述柵極帶入接通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)。
4.一種主動矩陣顯示裝置，包含基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在所述基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；
連接到所述電極和第一電流源線的第一晶體管，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定所述顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到所述第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，所述第二晶體管通過使用連接到所述第二晶體管的柵極的柵極信號線中的電壓，來確定所述第一晶體管的柵極電壓；連接到所述電流源線和所述第一晶體管的柵極的存儲電容器，該存儲電容器用于存儲在所述第二晶體管處于接通狀態(tài)時，經(jīng)由所述第二晶體管從所述數(shù)據(jù)存儲信號線提供的電壓信號；以及第三晶體管，該第三晶體管的源極和漏極被連接到所述電極和所述柵極信號線，并且該第三晶體管具有柵極，通過改變除所述顯示元件之外的另一顯示元件的柵極信號線的電勢，該柵極被帶入接通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)，從而將從所述第一晶體管流到所述電極的電流引導至所述柵極信號線。
5.如權(quán)利要求1到4中的一個所述的顯示裝置，其中所述顯示元件是有機EL元件。
6.如權(quán)利要求1到4中的一個所述的顯示裝置，其中所述第三晶體管的柵極被連接到附加提供的電源供應線。
7.一種主動矩陣顯示裝置，包含基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在所述基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到所述電極和第一電流源線的第一晶體管，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定所述顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到所述第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，所述第二晶體管通過使用連接到其柵極的柵極信號線中的電壓，來確定所述第一晶體管的柵極電壓；連接到所述電流源線和所述第一晶體管的柵極的存儲電容器，該存儲電容器用于存儲在所述第二晶體管處于接通狀態(tài)時，經(jīng)由所述第二晶體管從所述數(shù)據(jù)存儲信號線提供的電壓信號；以及第三晶體管，該第三晶體管的源極和漏極被連接到所述電極和附加提供的電源供應線，并且該第三晶體管的柵極被控制，以便將從所述第一晶體管流到所述電極的電流引導至所述附加提供的電源供應線。
8.如權(quán)利要求1到4或7中的一個所述的顯示裝置，其中所述第三晶體管是p型晶體管。
9.如權(quán)利要求1到4或7中的一個所述的顯示裝置，其中來自所述第三晶體管的線路被連接到用于在所述顯示裝置處于操作狀態(tài)時，同時控制兩個或更多個所述顯示元件的外圍電路，并且多個所述第三晶體管經(jīng)由所述外圍電路而被順序開關(guān)。
10.一種用于檢查如權(quán)利要求1到4或7中的一個所述的主動矩陣顯示裝置的每個顯示元件的方法，該方法包括以下步驟通過控制所述第二晶體管的柵極電壓，將電荷存儲到所述存儲電容器中；通過改變除將被檢查的顯示元件之外的另一顯示元件的第一線路的電勢，來控制所述第三晶體管的柵極；以及通過使用連接到將被檢查的顯示元件的所述第一電流源線的測量單元，來測量經(jīng)由所述第三晶體管而從所述電極流過的電荷或電流量。
11.一種顯示裝置，包括基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在所述基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到所述電極和電流源線的第一晶體管，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定所述顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到所述第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，所述第二晶體管通過使用連接到所述第二晶體管的柵極的柵極信號線中的電壓，來確定所述第一晶體管的柵極電壓；連接到所述電流源線和所述第一晶體管的柵極的存儲電容器，該存儲電容器用于存儲在所述第二晶體管處于接通狀態(tài)時，經(jīng)由所述第二晶體管從所述數(shù)據(jù)存儲信號線提供的信號；以及連接到所述電極和除所述顯示元件之外的另一顯示元件的柵極信號線的二極管。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中所述顯示元件是有機EL元件。
13.一種顯示裝置，包含基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在所述基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到所述電極和電流源線的第一晶體管，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定所述顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到所述第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，所述第二晶體管通過使用連接到所述第二晶體管的柵極的柵極信號線中的電壓，來確定所述第一晶體管的柵極電壓；連接到所述電流源線和所述第一晶體管的柵極的存儲電容器，該存儲電容器用于存儲在所述第二晶體管處于接通狀態(tài)時，經(jīng)由所述第二晶體管從所述數(shù)據(jù)存儲信號線提供的信號；以及連接到所述電極和附加提供的電流釋放線的二極管。
14.一種用于檢查如權(quán)利要求11或13中的一個所述的主動矩陣顯示裝置的每個像素的方法，該方法包括以下步驟通過控制所述第二晶體管的柵極，將電荷存儲到所述存儲電容器中；以及通過改變除將被檢查的顯示元件之外的另一顯示元件的第一線路的電勢，并且使用連接到除將被檢查的顯示元件之外的另一顯示元件的第二線路的測量單元，來測量經(jīng)由所述二極管而從所述電極流過的電荷或電流量。
15.一種主動矩陣顯示裝置，包括在所述顯示裝置中的每個像素包含連接到所述像素的顯示元件的電極；連接到所述電極和所述像素的第一線路的第一晶體管；連接到所述第一晶體管的柵極和用于提供電壓信號的數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管；連接到所述第一晶體管的柵極和所述像素的第二線路的存儲電容器，以及連接到所述電極和所述第一晶體管的柵極，從而利用從所述第一晶體管流到所述電極的電流來累積電荷的負載電容器。
16.如權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中所述顯示元件是有機EL元件。
17.一種用于檢查如權(quán)利要求15所述的主動矩陣顯示裝置的每個像素的方法，該方法包括以下步驟將第一電壓提供到所述第一晶體管；通過利用對連接到所述第二晶體管的柵極的所述柵極信號線的控制暫時接通和關(guān)斷所述第二晶體管，從而將所述數(shù)據(jù)存儲信號線的電壓提供到所述第一晶體管的柵極，而將電荷存儲到所述存儲電容器和所述負載電容器中；將所述第一電壓降低到預定電壓；以及通過接通所述第二晶體管，并且使用連接到所述數(shù)據(jù)存儲信號線的電荷測量單元，來測量存儲在所述存儲電容器中的電荷量。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中在降低所述第一電壓的步驟中，所述第一電壓被降低到預定電壓，所述預定電壓低于在所述存儲電荷的步驟中的電極電壓。
19.如權(quán)利要求17或18所述的方法，還包括預先復位所述存儲電容器中存儲的電荷量的步驟，該步驟在將所述第一電壓提供到所述第一晶體管的步驟之前。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，其中在降低所述第一電壓的步驟中，所述第一電壓被降低，直到所述第一晶體管由于所述第一晶體管的閾值電壓而被關(guān)斷為止。
21.一種主動矩陣顯示裝置，包括基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在所述基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到所述電極和電流源線的第一晶體管；連接到所述第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，柵極信號線被連接到所述第二晶體管的柵極；連接到所述第一晶體管的柵極和所述電流源線的存儲電容器；以及連接到所述電極和另一顯示元件的第二晶體管的柵極，從而利用在所述第一晶體管接通時流過的電流來累積電荷的負載電容器。
22.一種主動矩陣顯示裝置，包括基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在所述基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到所述電極和電流源線的第一晶體管；連接到所述第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，柵極信號線被連接到所述第二晶體管的柵極；連接到所述第一晶體管的柵極和所述電流源線的存儲電容器；以及連接到所述電極和同一顯示元件的第二晶體管的柵極，并且連接到所述柵極信號線，從而利用在所述第一晶體管接通時流過的電流來累積電荷的負載電容器。
23.如權(quán)利要求22所述的顯示裝置，其中所述顯示元件是有機EL元件。
24.一種用于檢查如權(quán)利要求22中的主動矩陣顯示裝置的每個顯示元件的方法，該方法包括以下步驟通過控制所述第二晶體管的柵極，將電荷存儲到所述存儲電容器中；以及通過改變除將被檢查的顯示元件之外的另一顯示元件的柵極信號線的電勢，并且使用連接到將被檢查的顯示元件的電流源線的測量單元，來測量從所述電極流過的電荷或電流量。
25.如權(quán)利要求1到4、權(quán)利要求7、權(quán)利要求11、權(quán)利要求13、權(quán)利要求15、權(quán)利要求21和22中的一個所述的主動矩陣顯示裝置，其中所述另一顯示元件與將被檢查的顯示元件相鄰。
26.一種主動矩陣顯示裝置，包括基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在所述基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到所述電極和第一電流源線的第一晶體管，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定所述顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到所述第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，所述第二晶體管通過使用連接到所述第二晶體管的柵極的柵極信號線中的電壓，來確定所述第一晶體管的柵極電壓；以及第三晶體管，該第三晶體管的漏極被連接到所述電極，并且其源極和柵極被連接到所述顯示元件的柵極信號線，從而將從所述第一晶體管流到所述電極的電流引導至所述顯示元件的柵極信號線。
27.一種主動矩陣顯示裝置，包括基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在所述基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到所述電極和電流源線的第一晶體管，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定所述顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到所述第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，所述第二晶體管通過使用連接到所述第二晶體管的柵極的柵極信號線中的電壓，來確定所述第一晶體管的柵極電壓；以及連接到所述電極和所述顯示元件的柵極信號線的二極管。
28.一種用于檢查如權(quán)利要求26或27所述的顯示裝置的每個顯示元件的方法，該方法包括以下步驟通過改變將被檢查的顯示元件的柵極信號線的電勢來控制所述第二晶體管的柵極電壓，將由所述數(shù)據(jù)存儲信號線確定的電壓提供到所述第一晶體管的柵極，以及控制所述第三晶體管的柵極或所述二極管；以及通過使用連接到所述柵極信號線或所述第一電流源線的測量單元，來測量經(jīng)由所述第三晶體管或所述二極管而從所述電極流過的電荷或電流量。
29.一種主動矩陣顯示裝置，包括基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在所述基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到所述電極和第一電流源線的第一晶體管，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定所述顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到所述第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，所述第二晶體管通過使用連接到其柵極的柵極信號線中的電壓，來確定所述第一晶體管的柵極電壓；以及連接到所述電極的第三晶體管，該第三晶體管的柵極和漏極被連接到除所述顯示元件之外的另一顯示元件的柵極線，并且該第三晶體管的柵極被控制，以便將從所述第一晶體管流到所述電極的電流引導至所述另一顯示元件的柵極信號線。
30.一種主動矩陣顯示裝置，包括基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在所述基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到所述電極和第一電流源線的第一晶體管，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定所述顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到所述第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，所述第二晶體管通過使用連接到所述第二晶體管的柵極的柵極信號線中的電壓，來確定所述第一晶體管的柵極電壓；以及連接到所述電極的第三晶體管，該第三晶體管的柵極和漏極被連接到除所述顯示元件之外的另一顯示元件的柵極線以及所述顯示元件的柵極線，并且該第三晶體管的柵極被控制，以便將從所述第一晶體管流到所述電極的電流引導至所述顯示元件的柵極信號線。
31.一種用于檢查如權(quán)利要求29或30所述的顯示裝置的每個顯示元件的方法，該方法包括以下步驟通過改變將被檢查的顯示元件的柵極信號線的電勢來控制所述第二晶體管的柵極電壓，將由所述數(shù)據(jù)存儲信號線確定的電壓提供到所述第一晶體管的柵極，以及控制所述第三晶體管的柵極；以及通過使用連接到所述將被檢查的顯示元件的第一電流源線，或者連接到除將被檢查的顯示元件之外的另一顯示元件的柵極信號線的測量單元，來測量經(jīng)由所述第三晶體管從所述電極流過的電流。
權(quán)利要求
1.一種主動矩陣顯示裝置，包含基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在所述基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到所述電極和第一電流源線的第一晶體管，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定所述顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到所述第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，所述第二晶體管通過使用連接到所述第二晶體管的柵極的柵極信號線中的電壓，來確定所述第一晶體管的柵極電壓；連接到所述電流源線和所述第一晶體管的柵極的存儲電容器，該存儲電容器用于存儲在所述第二晶體管處于接通狀態(tài)時，經(jīng)由所述第二晶體管從所述數(shù)據(jù)存儲信號線提供的電壓信號；以及第三晶體管，該第三晶體管的源極和漏極被連接到所述電極和除所述顯示元件之外的另一顯示元件的柵極信號線，并且該第三晶體管的柵極被控制，以便將從所述第一晶體管流到所述電極的電流引導至另一顯示元件的柵極信號線。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第三晶體管的柵極被連接到除所述顯示元件之外的另一顯示元件的第二電流源線，從而執(zhí)行控制，以便將所述柵極帶入接通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第三晶體管的柵極被連接到所述另一顯示元件的柵極信號線，從而執(zhí)行控制，以便將所述柵極帶入接通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)。
4.一種主動矩陣顯示裝置，包含基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在所述基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到所述電極和第一電流源線的第一晶體管，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定所述顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到所述第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，所述第二晶體管通過使用連接到所述第二晶體管的柵極的柵極信號線中的電壓，來確定所述第一晶體管的柵極電壓；連接到所述電流源線和所述第一晶體管的柵極的存儲電容器，該存儲電容器用于存儲在所述第二晶體管處于接通狀態(tài)時，經(jīng)由所述第二晶體管從所述數(shù)據(jù)存儲信號線提供的電壓信號；以及第三晶體管，該第三晶體管的源極和漏極被連接到所述電極和所述柵極信號線，并且該第三晶體管具有柵極，該柵極通過改變除所述顯示元件之外的另一顯示元件的柵極信號線的電勢而被帶入接通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)，從而將從所述第一晶體管流到所述電極的電流引導至所述柵極信號線。
5.如權(quán)利要求1到4中的一個所述的顯示裝置，其中所述顯示元件是有機EL元件。
6.如權(quán)利要求1到5中的一個所述的顯示裝置，其中所述第三晶體管的柵極被連接到附加提供的電源供應線。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中所述第三晶體管的柵極被連接到附加提供的電流釋放線。
8.如權(quán)利要求1到7中的一個所述的顯示裝置，其中所述第三晶體管是p型晶體管。
9.如權(quán)利要求1到8中的一個所述的顯示裝置，其中來自所述第三晶體管的線路被連接到用于在所述顯示裝置處于操作狀態(tài)時，同時控制兩個或更多個顯示元件的外圍電路，并且多個所述第三晶體管經(jīng)由所述外圍電路而被順序開關(guān)。
10.一種用于檢查如權(quán)利要求1到9中的一個所述的主動矩陣顯示裝置的每個顯示元件的方法，該方法包括以下步驟通過控制所述第二晶體管的柵極電壓，將電荷存儲到所述存儲電容器中；通過改變除將被檢查的顯示元件之外的另一顯示元件的第一線路的電勢，來控制所述第三晶體管的柵極；以及通過使用連接到將被檢查的顯示元件的所述第一電流源線的測量單元，來測量經(jīng)由所述第三晶體管而從所述電極流過的電荷或電流量。
11.一種顯示裝置，包括基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在所述基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到所述電極和電流源線的第一晶體管，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定所述顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到所述第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，所述第二晶體管通過使用連接到所述第二晶體管的柵極的柵極信號線中的電壓，來確定所述第一晶體管的柵極電壓；連接到所述電流源線和所述第一晶體管的柵極的存儲電容器，該存儲電容器用于存儲在所述第二晶體管處于接通狀態(tài)時，經(jīng)由所述第二晶體管從所述數(shù)據(jù)存儲信號線提供的信號；以及連接到所述電極和除所述顯示元件之外的另一顯示元件的柵極信號線的二極管。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中所述顯示元件是有機EL元件。
13.如權(quán)利要求11或12所述的顯示裝置，其中所述二極管被連接到附加提供的電流釋放線。
14.一種用于檢查如權(quán)利要求10到13中的一個所述的主動矩陣顯示裝置的每個像素的方法，該方法包括以下步驟通過控制所述第二晶體管的柵極，將電荷存儲到所述存儲電容器中；以及通過改變除將被檢查的顯示元件之外的另一顯示元件的第一線路的電勢，并且使用連接到所述除將被檢查的顯示元件之外的另一顯示元件的第二線路的測量單元，來測量經(jīng)由所述二極管而從所述電極流過的電荷或電流量。
15.一種主動矩陣顯示裝置，包括在所述顯示裝置中的每個像素包含連接到所述像素的顯示元件的電極；連接到所述電極和所述像素的第一線路的第一晶體管；連接到所述第一晶體管的柵極和用于提供電壓信號的數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管；連接到所述第一晶體管的柵極和所述像素的第二線路的存儲電容器，以及連接到所述電極和所述第一晶體管的柵極，從而利用從所述第一晶體管流到所述電極的電流來累積電荷的負載電容器。
16.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其中所述顯示元件是有機EL元件。
17.一種用于檢查如權(quán)利要求15或16所述的主動矩陣顯示裝置的每個像素的方法，該方法包括以下步驟將第一電壓提供到所述第一晶體管；通過利用對連接到所述第二晶體管的柵極的所述柵極信號線的控制暫時接通和關(guān)斷所述第二晶體管，從而將所述數(shù)據(jù)存儲信號線的電壓提供到所述第一晶體管的柵極，而將電荷存儲到所述存儲電容器和所述負載電容器中；通過接通所述第二晶體管，并且使用連接到所述數(shù)據(jù)存儲信號線的電荷測量單元，來測量存儲在所述存儲電容器中的電荷量；對于每個像素，獲得測量出的電荷量和在提供所述第一電壓時的電荷量之間的差值；以及判斷所述差值是否在預定范圍內(nèi)。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中在降低所述第一電壓的步驟中，所述第一電壓被降低到預定電壓，所述預定電壓低于在存儲電荷的步驟中的所述電極電壓。
19.如權(quán)利要求17或18所述的方法，還包括預先復位所述存儲電容器中存儲的電荷量的步驟，該步驟在將所述第一電壓提供到所述第一晶體管的步驟之前。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，其中在降低所述第一電壓的步驟中，所述第一電壓被降低，直到所述第一晶體管的閾值電壓關(guān)斷所述第一晶體管為止。
21.一種主動矩陣顯示裝置，包括基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在所述基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到所述電極和電流源線的第一晶體管；連接到所述第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，柵極信號線被連接到所述第二晶體管的柵極；連接到所述第一晶體管的柵極和所述電流源線的存儲電容器；以及連接到所述電極和另一顯示元件的第二晶體管的柵極，從而利用在所述第一晶體管接通時流過的電流來累積電荷的負載電容器。
22.一種主動矩陣顯示裝置，包括基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在所述基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到所述電極和電流源線的第一晶體管；連接到所述第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，柵極信號線被連接到所述第二晶體管的柵極；連接到所述第一晶體管的柵極和所述電流源線的存儲電容器；以及連接到所述電極和同一顯示元件的第二晶體管的柵極，并且連接到所述柵極信號線，從而利用在所述第一晶體管接通時流過的電流來累積電荷的負載電容器。
23.如權(quán)利要求21或22所述的顯示裝置，其中所述顯示元件是有機EL元件。
24.一種用于檢查如權(quán)利要求21到23中的一個所述的主動矩陣顯示裝置的每個顯示元件的方法，該方法包括以下步驟通過控制所述第二晶體管的柵極，將電荷存儲到所述存儲電容器中；以及通過改變除將被檢查的顯示元件之外的另一顯示元件的柵極信號線的電勢，并且使用連接到所述將被檢查的顯示元件的電流源線的測量單元，來測量從所述電極流過的電荷或電流量。
25.如權(quán)利要求1到9、權(quán)利要求11到13、權(quán)利要求15和16以及權(quán)利要求21到23中的一個所述的主動矩陣顯示裝置，其中所述另一顯示元件與將被檢查的顯示元件相鄰。
26.如權(quán)利要求10、14、17、18、19、20和24中的一個所述的用于檢查主動矩陣顯示裝置的方法，其中所述另一顯示元件與將被檢查的顯示元件相鄰。
27.一種主動矩陣顯示裝置，包括基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在所述基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到所述電極和第一電流源線的第一晶體管，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定所述顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到所述第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，所述第二晶體管通過使用連接到所述第二晶體管的柵極的柵極信號線中的電壓，來確定所述第一晶體管的柵極電壓；以及第三晶體管，該第三晶體管的漏極被連接到所述電極，并且其源極和柵極被連接到所述顯示元件的柵極信號線，從而將從所述第一晶體管流到所述電極的電流引導至所述顯示元件的柵極信號線。
28.一種主動矩陣顯示裝置，包括基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在所述基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到所述電極和電流源線的第一晶體管，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定所述顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到所述第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，所述第二晶體管通過使用連接到所述第二晶體管的柵極的柵極信號線中的電壓，來確定所述第一晶體管的柵極電壓；以及連接到所述電極和所述顯示元件的柵極信號線的二極管。
29.一種用于檢查如權(quán)利要求27或28所述的顯示裝置的每個顯示元件的方法，該方法包括以下步驟通過改變將被檢查的顯示元件的柵極信號線的電勢來控制所述第二晶體管的柵極電壓，將由所述數(shù)據(jù)存儲信號線確定的電壓提供到所述第一晶體管的柵極，以及控制所述第三晶體管的柵極或所述二極管；以及通過使用連接到所述柵極信號線或所述第一電流源線的測量單元，來測量經(jīng)由所述第三晶體管或所述二極管而從所述電極流過的電荷或電流量。
30.一種主動矩陣顯示裝置，包括基板；用于提供顯示元件的電極，所述顯示元件被包括在所述基板上設(shè)置的多個像素中的每個像素內(nèi)；連接到所述電極和第一電流源線的第一晶體管，所述第一晶體管通過使用提供到其柵極的電壓來確定所述顯示元件的接通或關(guān)斷狀態(tài)；連接到所述第一晶體管的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線的第二晶體管，所述第二晶體管通過使用連接到所述第二晶體管的柵極的柵極信號線中的電壓，來確定所述第一晶體管的柵極電壓；以及第三晶體管，該第三晶體管的柵極和漏極被連接到所述電極和除所述顯示元件之外的另一顯示元件的柵極線，并且該第三晶體管的柵極被控制，以便將從所述第一晶體管流到所述電極的電流引導至所述另一顯示元件的柵極信號線。
31.如權(quán)利要求30所述的顯示裝置，其中所述第三晶體管的柵極被連接到所述顯示元件的柵極線，從而執(zhí)行控制，以便將所述柵極帶入接通狀態(tài)或關(guān)斷狀態(tài)。
32.一種用于檢查如權(quán)利要求30或31所述的顯示裝置的每個顯示元件的方法，該方法包括以下步驟通過改變將被檢查的顯示元件的柵極信號線的電勢來控制所述第二晶體管的柵極電壓，將由所述數(shù)據(jù)存儲信號線確定的電壓提供到所述第一晶體管的柵極，以及控制所述第三晶體管的柵極；以及通過使用連接到所述將被檢查的顯示元件的第一電流源線，或者連接到除將被檢查的顯示元件之外的另一顯示元件的柵極信號線的測量單元，來測量經(jīng)由所述第三晶體管從所述電極流過的電流。
全文摘要
在EL設(shè)備被安裝前，其驅(qū)動電路可被測試。一種主動矩陣顯示裝置，至少具有基板；第一顯示元件的電極，所述顯示元件構(gòu)成了在基板上設(shè)置的每個像素；連接到電極和電流源線(Is(m))的第一晶體管(Q2)；連接到第一晶體管(Q2)的柵極和數(shù)據(jù)存儲信號線(Data(m))的第二晶體管(Q1)；連接到電流源線(Is(m))和第一晶體管(Q2)的柵極的存儲電容器(C1)；以及第三晶體管(Qt)，該第三晶體管(Qt)被連接到電極和與所述第一顯示元件相鄰的第二顯示元件的柵極信號線(Gate(n－1))，從而將從第一晶體管(Q2)流到電極的電流引導至所述第二顯示元件的柵極信號線(Gate(n－1))。本發(fā)明還公開了一種用于測試這樣的顯示設(shè)備的測試方法。
文檔編號H05B33/14GK1726526SQ20038010636
公開日2006年1月25日 申請日期2003年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月16日
發(fā)明者乘松秀行 申請人:安捷倫科技有限公司