專利名稱：高頻裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有金屬屏蔽罩構(gòu)造的高頻裝置。
背景技術(shù)：
近年來，信息通信所起到的作用非常之大，而且對于移動通信系統(tǒng)的需求也快速增長起來。在這樣的情況下，在便攜電話和無繩電話中，從對于系統(tǒng)小型化的要求來看，構(gòu)成高頻電路塊的各種儀器的小型化就不斷地變得非常重要。
在作為以往的PDC(Personal Digital Cellular system)方式的便攜電話的高頻電路塊內(nèi)的儀器之一的高頻裝置，尤其是作為發(fā)送用高頻放大器的放大元件中，使用著具有良好的高頻特性的砷化鎵場效果晶體管。
在圖7表示了現(xiàn)有技術(shù)的一個(gè)高頻裝置的剖面構(gòu)造(例如，參見特開平11-220226號公報(bào)(第3-5頁，圖1、圖7))。該高頻裝置，在例如四邊形的介電體多層電路基板2的背面的凹部安裝例如砷化鎵場效果晶體管3，并用樹脂9來密封該晶體管3。此外，用在介電體多層電路基板2的表面(圖7的上側(cè))的基板圖形10上安裝的高頻電路器件5和帶狀線6來構(gòu)成晶體管3的高頻匹配電路。進(jìn)而，用介電體多層電路基板2的表面(圖7的上側(cè))的高頻電路器件5和微帶線路7來構(gòu)成晶體管3的電源電路。這些電路通過將導(dǎo)體膠等的導(dǎo)電體填充到過孔用微細(xì)孔中而形成的內(nèi)層的過孔8來互相連接，由此就形成了高頻立體電路。
介電體多層電路基板2的表面的高頻電路器件5和帶狀線6，由金屬屏蔽罩1屏蔽著。此外，金屬屏蔽罩1通過焊接或熔接等來與位于介電體多層電路基板2的上面端部或者端面上的接地圖形4導(dǎo)電性地接合著。另外，接地圖形4也存在于介電體多層基板的背面。
下面，在圖8上表示了考慮到在現(xiàn)有技術(shù)的高頻裝置中的金屬屏蔽罩1、介電體多層電路基板2、高頻電路器件5和基板圖形10的各自的位置和尺寸錯位，而在設(shè)計(jì)上成為必要的距離。
這里，表示了在介電體多層電路基板2的上面端部裝上了金屬屏蔽罩1的側(cè)壁的結(jié)構(gòu)。在介電體多層電路基板2的介電體材料里，大多使用從放熱的角度看熱傳導(dǎo)性良好的氧化鋁。為了在介電體多層電路基板2的表面上做成安裝高頻電路器件5的基板圖形10和帶狀線6，就需要實(shí)施以下的步驟即，通過將該介電體材料進(jìn)行印刷電路基板化并對其網(wǎng)板印刷以銅為主要成分的厚膜導(dǎo)體，把其積層壓接并燒成介電體和導(dǎo)體，來完成上述的構(gòu)造。
但是，在印刷、壓接、燒成的過程中，用于安裝高頻電路器件5的基板圖形10和帶狀線6的位置，相對于設(shè)計(jì)的CAD圖面尺寸卻錯位了最大0.100mm(圖8的尺寸D)。此外，還存在著在把燒成后的介電體多層電路基板2分割成個(gè)體片時(shí)的外形尺寸錯位了最大0.100mm(圖8的尺寸A)、高頻電路器件5的安裝位置錯位了最大0.150mm(圖8的尺寸E)、金屬屏蔽罩1的外形尺寸錯位了最大0.050mm(圖8的尺寸B)、以及在介電體多層電路基板2上焊接或熔接金屬屏蔽罩1時(shí)的位置錯位了最大0.150mm(圖8的尺寸C)等。
為此，在現(xiàn)有技術(shù)的金屬屏蔽罩構(gòu)造中，考慮到帶狀線6的位置精度與金屬屏蔽罩1的安裝位置精度和介電體多層電路基板2與金屬屏蔽罩1的尺寸精度的關(guān)系，為了使帶狀線6和金屬屏蔽罩1不相接觸，就必須設(shè)置一定的距離0.450mm，而這也成為了小型化的障礙。
同樣地，在現(xiàn)有技術(shù)的金屬屏蔽罩構(gòu)造中，考慮到高頻電路器件5與金屬屏蔽罩1的安裝位置精度和介電體多層電路基板2與金屬屏蔽罩1的尺寸精度的關(guān)系，為了使高頻電路器件5和金屬屏蔽罩1不接觸，就必須設(shè)置一定的距離0.550mm(圖8的尺寸F)，而這就成為了小型化的障礙。
進(jìn)而，由于存在上述這些位置和尺寸的錯位，就不能使高頻電路器件5和金屬屏蔽罩1的距離保持恒定，如果這樣，就會給高頻電路器件5的阻抗值帶來影響。而這也就給晶體管的高頻匹配帶來了影響，是高頻裝置的特性惡化的重要原因。
此外，在通過焊接或熔接金屬屏蔽罩1的側(cè)壁和位于介電體多層電路基板2的側(cè)面的接地圖形，來接合金屬屏蔽罩1和介電體多層電路基板2的結(jié)構(gòu)中，有如下的問題即，在金屬屏蔽罩1的尺寸和介電體多層電路基板2的外形尺寸有錯位時(shí)，就會產(chǎn)生金屬屏蔽罩1無法裝配到介電體多層電路基板2上的問題，或者在金屬屏蔽罩1和介電體多層電路基板2的接合部產(chǎn)生拱起(間隙)而發(fā)生接觸不良。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是，鑒于以上的相關(guān)點(diǎn)，來提供一種能夠在不使高頻特性惡化的情況下實(shí)現(xiàn)小型化，而且能夠使金屬屏蔽罩和介電體多層電路基板的接合變得良好的高頻裝置。
第1發(fā)明的高頻裝置，具備在表面具有接地圖形的電路基板、配置在電路基板正面的高頻電路器件和傳送線路、以及固定到所述電路基板上的用以覆蓋高頻電路器件和傳送線路的金屬屏蔽罩。該金屬屏蔽罩由蓋板和接地側(cè)壁構(gòu)成，該蓋板被配置在高頻電路器件的上方與電路基板大致平行，該接地側(cè)壁被設(shè)置成從該蓋板的邊緣的一部分垂下的狀態(tài)、具有彈性并被具有導(dǎo)電性連接地接合到電路基板的接地圖形上，接地側(cè)壁以外的側(cè)面呈開放狀。
如果根據(jù)該結(jié)構(gòu)，就是在金屬屏蔽罩的側(cè)面上部分地設(shè)有接地側(cè)壁，在其以外的部分呈開放狀不設(shè)置側(cè)壁。其結(jié)果是，對于金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分，就沒有必要考慮金屬屏蔽罩的外形尺寸錯位和在把金屬屏蔽罩固定到電路基板時(shí)的位置錯位。因此，就可以擴(kuò)大在電路基板的表面上的高頻電路器件或者傳送線路等的可安裝區(qū)域。其結(jié)果是，能夠使電路基板變小，能夠使高頻裝置小型化。此外，通過接地側(cè)壁的板簧效果，就能夠吸收掉金屬屏蔽罩和電路基板之間的尺寸的誤差，能夠使金屬屏蔽罩和介電體多層電路基板的接合變得良好。
此外，第2發(fā)明的高頻裝置，具備在表面具有接地圖形的電路基板、配置在電路基板正面的高頻電路器件和傳送線路、以及固定到所述電路基板上的用以覆蓋高頻電路器件和傳送線路的金屬屏蔽罩。該金屬屏蔽罩由蓋板、接地側(cè)壁和非接地側(cè)壁構(gòu)成，該蓋板被配置在高頻電路器件的上方與電路基板大致平行，該接地側(cè)壁被設(shè)置成從該蓋板的邊緣的一部分垂下的狀態(tài)、具有彈性并被具有導(dǎo)電性連接地接合到電路基板的接地圖形上，該非接地側(cè)壁鄰接接地側(cè)壁并被設(shè)置成從蓋板的邊緣的其他部分垂下、而且比接地側(cè)壁還要短的狀態(tài)，在接地側(cè)壁和非接地側(cè)壁的邊界上具有朝下方開放的切口，接地側(cè)壁和非接地側(cè)壁以外的側(cè)面呈開放狀。
如果根據(jù)該結(jié)構(gòu)，就是在金屬屏蔽罩的側(cè)面上，部分地設(shè)有接地側(cè)壁和非接地側(cè)壁，在其以外的部分呈開放狀不設(shè)置側(cè)壁。其結(jié)果是，對于金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分，就沒有必要考慮金屬屏蔽罩的外形尺寸錯位和在把金屬屏蔽罩固定到電路基板時(shí)的位置錯位。因此，就可以擴(kuò)大在電路基板的表面上的高頻電路器件或者傳送線路等的可安裝區(qū)域。其結(jié)果是，能夠使電路基板變小，能夠使高頻裝置小型化。
此外，通過接地側(cè)壁的板簧效果，就能夠吸收掉金屬屏蔽罩和電路基板之間的尺寸的誤差，能夠使金屬屏蔽罩和電路基板的接合變得良好。
在上述第2發(fā)明的高頻裝置中，在非接地側(cè)壁形成為比高頻電路器件的高度長，而且非接地側(cè)壁的下端對接到電路基板的正面的狀態(tài)下，接地側(cè)壁最好被接合到電路基板的接地圖形上。
如果根據(jù)該結(jié)構(gòu)，金屬屏蔽罩的非接地側(cè)壁成為支柱，那么對于從金屬屏蔽罩的上方施加的力，就能夠提高金屬屏蔽罩的強(qiáng)度，能夠防止金屬屏蔽罩由外力產(chǎn)生變形而接觸高頻電路器件。
此外，在上述第2發(fā)明的高頻裝置中，金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分最好被設(shè)置為一定的高度和寬度，以使其不接觸配置在電路基板上的高頻電路器件。
如果根據(jù)該結(jié)構(gòu)，就能夠在金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分配置高頻電路器件，還能夠擴(kuò)大在電路基板的表面上的高頻電路器件的可安裝區(qū)域，并能夠使高頻裝置變得小型化。
綜上所述，當(dāng)金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分被設(shè)置為一定的高度和寬度，以使其不接觸配置在電路基板上的高頻電路器件時(shí)，金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分最好呈拱形狀。
如果根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于側(cè)壁的開放部分呈拱形狀，就能夠抑制并減少通過開放金屬屏蔽罩的側(cè)面的一部分而造成的金屬屏蔽罩的強(qiáng)度下降。因此，對于來自金屬屏蔽罩的上方的力就能夠不斷保持強(qiáng)度，并能夠?qū)崿F(xiàn)對電路基板的高頻電路器件的安裝數(shù)的增加或者高頻裝置的小型化。
此外，如上所述，當(dāng)金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分被設(shè)置為一定的高度和寬度，以使其不接觸配置在電路基板上的高頻電路器件時(shí)，在金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分，最好配置其阻抗值對其與所述金屬屏蔽罩之間的距離的影響很敏感的高頻電路器件。
如果根據(jù)該結(jié)構(gòu)，就能夠把由于金屬屏蔽罩的電磁場干涉而產(chǎn)生的高頻電路器件的高頻特性惡化限制到最小。
此外，如上所述，當(dāng)金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分被設(shè)置為一定的高度和寬度，以使其不接觸配置在電路基板上的高頻電路器件時(shí)，最好在臨近金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分的位置上配置流過小的高頻信號功率的小功率用高頻電路器件，在臨近金屬屏蔽罩的側(cè)面的非開放部分的位置上配置流過大的高頻信號功率的大功率用高頻電路器件。
如果根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過在臨近金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分的位置上配置流過小的高頻信號功率的小功率用高頻電路器件，在臨近金屬屏蔽罩的側(cè)面的非開放部分的位置上配置流過大的高頻信號功率的大功率用高頻電路器件，就能夠在維持與現(xiàn)有技術(shù)的高頻裝置同樣的密封特性的情況下，來實(shí)現(xiàn)小型化。
在上述第2發(fā)明的高頻裝置中，最好是金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分被設(shè)置為一定的高度和寬度，以使其不接觸配置在電路基板上的高頻電路器件。
如果根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分被設(shè)置為一定的高度和寬度，以使其不接觸配置在電路基板上的高頻電路器件，所以就能夠在電路基板的表面中擴(kuò)大設(shè)置傳送線路的區(qū)域，能夠使高頻裝置變得小型。對于傳送線路，只要確保開放金屬屏蔽罩的側(cè)壁的高度比高頻電路器件低0.050～0.150mm的程度就足夠了。
如以上說明，如果根據(jù)本發(fā)明的高頻裝置，通過開放金屬屏蔽罩的側(cè)壁的一部分，就能夠?qū)崿F(xiàn)增加可沒置在電路基板的表面的高頻電路器件和傳送線路的占有率，并能夠?qū)崿F(xiàn)高頻裝置的小型化。
此外，通過進(jìn)行與金屬屏蔽罩的側(cè)壁的有無對應(yīng)的高頻電路器件的配置場所的最佳設(shè)計(jì)，就能夠使特性更加穩(wěn)定，或者，不使密封性能惡化就能夠?qū)崿F(xiàn)高頻裝置的小型化。
此外，由于通過部分地形成側(cè)壁或者在接地側(cè)壁和非接地側(cè)壁的邊界上加入切口，就使接地側(cè)壁起到了板簧的功能，所以即使在電路基板和金屬屏蔽罩之間有尺寸錯位，也能夠被吸收。


圖1是表示在本發(fā)明的第1實(shí)施例中的高頻裝置的1個(gè)例子的概略圖。
圖2是表示在本發(fā)明的第2實(shí)施例中的高頻裝置的第1個(gè)例子的概略圖。
圖3是表示在本發(fā)明的第2實(shí)施例中的高頻裝置的第2個(gè)例子的概略圖。
圖4是表示在本發(fā)明的第2實(shí)施例中的高頻裝置的第3個(gè)例子的概略圖。
圖5是表示在本發(fā)明的第2實(shí)施例中的高頻裝置的第4個(gè)例子的概略圖。
圖6是表示在本發(fā)明的第5實(shí)施例中的高頻裝置的1個(gè)例子的概略圖。
圖7是表示現(xiàn)有技術(shù)的高頻裝置的1個(gè)例子的剖面圖。
圖8是表示現(xiàn)有技術(shù)的高頻裝置的放大剖面圖。
圖9是表示在使金屬屏蔽罩和片狀線圈靠近時(shí)的片狀線圈的電感值的變化的特性圖。
具體實(shí)施例方式
(第1實(shí)施例)
圖1表示了本發(fā)明的第1實(shí)施例的高頻裝置的構(gòu)造的一個(gè)例子。該高頻裝置，如圖1所示，具備在表面設(shè)有接地圖形(參見圖7)的例如由氧化鋁構(gòu)成的比如四邊形的介電體多層電路基板2、在介電體多層電路基板2的正面上配置的高頻電路器件5和傳送線路(參見圖7)、以及例如由鎳構(gòu)成的金屬屏蔽罩1。
金屬屏蔽罩1是通過板金成形或者沖壓加工等來制造，由例如四邊形的蓋板12和接地側(cè)壁11來構(gòu)成的，接地側(cè)壁11以外的側(cè)面呈開放狀。蓋板12被配置在高頻電路器件5的上方與介電體多層電路基板2大致平行。此外，接地側(cè)壁11被設(shè)置成從蓋板12的四個(gè)邊中相對的兩邊的分別一部分，在本例中是從中央部分垂下的狀態(tài)、具有彈性并且被具有導(dǎo)電性連接地接合到介電體多層電路基板2的接地圖形上。另外，在蓋板12和高頻電路器件5的上面之間設(shè)有預(yù)定的間隙。
更詳細(xì)地說，該高頻裝置是把金屬屏蔽罩1的接地側(cè)壁11導(dǎo)電性的機(jī)械的接合到設(shè)在例如四邊形的介電體多層電路基板2的端面(表面)上的接地圖形(參見圖7)。金屬屏蔽罩1具有只留下了一對用于接地的接地側(cè)壁11，并除去其他四個(gè)側(cè)壁的結(jié)構(gòu)。金屬屏蔽罩1的接地側(cè)壁11通過焊接或者熔接被固定到設(shè)在介電體多層電路基板2的端面上的接地圖形上。
由此，就確保了在介電體多層電路基板2和金屬屏蔽罩1之間設(shè)置高頻電路器件5的空間。這樣，在金屬屏蔽罩1中的沒有接地側(cè)壁11的部分，就能夠擴(kuò)大在介電體多層電路基板2的正面上的高頻電路器件5的可安裝區(qū)域，并能實(shí)現(xiàn)高頻裝置的小型化。在圖1中，實(shí)線G表示現(xiàn)有技術(shù)中的高頻電路器件的可安裝區(qū)域，虛線H表示在第1實(shí)施例中增加了的高頻電路器件的可安裝區(qū)域。此外，圖1表示在把金屬屏蔽罩1固定到介電體多層電路基板2之前的狀態(tài)。在金屬屏蔽罩1被固定到介電體多層電路基板2之后，在兩者的連接部分就變成了與圖7同樣的剖面狀態(tài)。
也就是說，在金屬屏蔽罩1的側(cè)面，部分地設(shè)有接地側(cè)壁11，但在其以外的部分沒有設(shè)側(cè)壁。其結(jié)果是，對于沒有設(shè)側(cè)壁的部分，即金屬屏蔽罩1的側(cè)面的開放部分，為了避免高頻電路器件5或傳送線路與金屬屏蔽罩1相接觸，沒有必要考慮金屬屏蔽罩1的外形尺寸錯位和在把金屬屏蔽罩1固定到介電體多層電路基板2時(shí)的位置錯位。因此，就能夠擴(kuò)大在介電體多層電路基板2的表面上的高頻電路器件5或者傳送線路的可安裝領(lǐng)域。其結(jié)果是，能夠使介電體多層電路基板2變小，能夠使高頻裝置小型化。
在現(xiàn)有技術(shù)的高頻裝置中，必須從介電體多層電路基板2的端面到基板圖形10分開來0.550mm的距離，但是在本發(fā)明的第1實(shí)施例中，從介電體多層電路基板2的端面到基板圖形10只要分開來0.350mm的距離就可以。
此外，通過做成圖1所示的形狀的接地側(cè)壁11，就能使接地側(cè)壁11起到板簧功能，能夠使其具有彈性。因此，即使在介電體多層電路基板2和金屬屏蔽罩1之間有尺寸錯位，也能夠利用板簧所具有柔韌效果來吸收尺寸錯位。即，通過側(cè)壁11的板簧效果，就能夠吸收金屬屏蔽罩1和介電體多層電路基板2之間的尺寸的誤差，能夠使金屬屏蔽罩1和介電體多層電路基板2的接合變得良好。
綜上所述，如果根據(jù)本發(fā)明的第1實(shí)施例的高頻裝置，通過利用在用于和介電體多層電路基板2的接地圖形相接合的接地側(cè)壁11以外沒有側(cè)壁的金屬屏蔽罩1，就能夠?qū)崿F(xiàn)對介電體多層電路基板2的高頻電路器件5等的安裝數(shù)的增加或者高頻裝置的小型化，并且能夠吸收介電體多層電路基板2和金屬屏蔽罩1之間的尺寸錯位。
(第2實(shí)施例)在圖2表示了本發(fā)明的第2實(shí)離例的高頻裝置的構(gòu)造的1個(gè)例子。該高頻裝置，如圖2所示，具備在表面設(shè)有接地圖形(沒有圖示)的例如由氧化鋁構(gòu)成的比如四邊形的介電體多層電路基板2、在介電體多層電路基板2的正面上配置的高頻電路器件5和傳送線路(沒有圖示)、以及例如由鎳構(gòu)成的金屬屏蔽罩1。
該金屬屏蔽罩1是通過板金成形或者沖壓加工等來制造，由例如四邊形的蓋板12、接地側(cè)壁11和非接地側(cè)壁14來構(gòu)成的，在接地側(cè)壁11和非接地側(cè)壁14的邊界，設(shè)有向下方開放的切口13，接地側(cè)壁11和非接地側(cè)壁14以外的側(cè)面呈開放狀。蓋板12被配置在高頻電路器件5的上方與介電體多層電路基板2大致平行。此外，接地側(cè)壁11被設(shè)置成從蓋板12的四個(gè)邊中相對的兩邊的分別一部分，在本例中是從中央部分垂下的狀態(tài)并具有彈性，而且被具有導(dǎo)電性連接地接合到介電體多層電路基板2的接地圖形上。非接地側(cè)壁14鄰接著接地側(cè)壁并被設(shè)置成從蓋板12的邊緣的其他部分垂下、而且比接地側(cè)壁還要短的狀態(tài)。
更詳細(xì)地說，該高頻裝置是把金屬屏蔽罩1的接地側(cè)壁11導(dǎo)電性的機(jī)械的接合到設(shè)在例如四邊形的介電體多層電路基板2的端面(表面)上的接地圖形(參見圖7)。金屬屏蔽罩1把接地側(cè)壁11設(shè)置為從例如四邊形的蓋板12的四邊中相對的兩邊的各自的中央部垂下的狀態(tài)，在其兩側(cè)通過切口13來設(shè)置非接地側(cè)壁14。該非接地側(cè)壁14蔓延到蓋板12的其他兩邊而形成。在蓋板12的其他兩邊的中央部分，設(shè)有開放部15，該開放部被設(shè)定為一定寬度和高度，以使不接觸高頻器件5。在蓋板12和高頻器件5的上面之間設(shè)有預(yù)定的間隔。
金屬屏蔽罩1的接地側(cè)壁11通過附著軟焊料焊接或者熔接被固定到與介電體多層電路基板2的接地圖形相接合的狀態(tài)，確保了在介電體多層電路基板2和金屬屏蔽罩1之間設(shè)置高頻電路器件5的空間。
此外，在金屬屏蔽罩1中，通過使非接地側(cè)壁14的長度比高頻電路器件5的高度長，使非接地側(cè)壁14的下端對接到介電體多層電路基板2的邊緣的上面，來使其具有支柱的功能。該支柱確保了在介電體多層電路基板2和金屬屏蔽罩1之間設(shè)置高頻電路器件5的空間。由此，就能夠提高對來自金屬屏蔽罩1的上方的力的強(qiáng)度。其結(jié)果是，能夠防止金屬屏蔽罩1由于外力產(chǎn)生變形而接觸高頻電路器件。
如圖2所示，開放部15雖然是使金屬屏蔽罩1的非接地側(cè)壁14的一部分不接觸高頻電路器件5而開放著，但是通過使該開放部15在金屬屏蔽罩1的側(cè)面中央，在其兩側(cè)留下一部分非接地側(cè)壁14，就能夠?qū)崿F(xiàn)高頻電路器件5的安裝面積的擴(kuò)大和高頻裝置的密封強(qiáng)度的提高。如果對高頻裝置有進(jìn)一步小型化的希望，其就能通過擴(kuò)大金屬屏蔽罩1的非接地側(cè)壁14的開放部15來實(shí)現(xiàn)。
此外，通過如圖2所示的在接地側(cè)壁11加入切口13就能夠使側(cè)壁起到板簧的功能，引出彈性，即使在介電體多層電路基板2和金屬屏蔽罩1之間有尺寸錯位，也可以利用板簧所具有的柔韌效果來吸收尺寸錯位。在圖2中，實(shí)線G表示現(xiàn)有技術(shù)中的高頻電路器件的可安裝區(qū)域，虛線H表示在第2實(shí)施例中增加了的高頻電路器件的可安裝區(qū)域。此外，圖2表示在把金屬屏蔽罩1固定到介電體多層電路基板2之前的狀態(tài)。在金屬屏蔽罩1被固定到介電體多層電路基板2之后，在兩者的連接部分就變成了與圖7同樣的剖面狀態(tài)。
此外，如果根據(jù)本發(fā)明的第2實(shí)施例，通過使金屬屏蔽罩1的側(cè)面的中央部分不接觸高頻電路器件5而開放，和在其兩側(cè)部分設(shè)置非接地側(cè)壁14，就可以與第1實(shí)施例同樣地，能夠?qū)崿F(xiàn)對介電體多層電路基板2的高頻電路器件5的安裝數(shù)的增加或者高頻裝置的小型化和密封強(qiáng)度的提高。此外，通過在接地側(cè)壁11和非接地側(cè)壁14的邊界上加入切口13，就可以吸收在介電體多層電路基板2和金屬屏蔽罩1之間的尺寸錯位。
另外，在第2實(shí)施例中，雖然在圖2中把金屬屏蔽罩1的側(cè)面中開放的地方放到了側(cè)面中央，但是在如圖3所示在對角位置具有開放部15的結(jié)構(gòu)，或者如圖4所示在中央部具有非接地側(cè)壁14的結(jié)構(gòu)，也能獲得同樣的效果。進(jìn)而，通過如圖5所示把金屬屏蔽罩1的側(cè)面的開放部15做成拱形，就能夠?qū)碜越饘倨帘握?的上方的力不斷保持強(qiáng)度，同時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)對介電體多層電路基板2的高頻電路器件5的安裝數(shù)的增加或者高頻裝置的小型化。
另外，在第1實(shí)施例和第2實(shí)施例中，雖然使接地側(cè)壁11成為1對，但是1個(gè)或者多個(gè)也都可以。
此外，在第2實(shí)施例中，記載了在金屬屏蔽罩1的1個(gè)側(cè)面中，接地側(cè)壁11和非接地側(cè)壁14在大、小的兩個(gè)階段上長度不同。但是，這只是1個(gè)例子，在3種以上的多個(gè)階段長度不同，或者長度在中間連續(xù)地變化，也就是說，從接地側(cè)壁11到非接地側(cè)壁14的過程中長度連續(xù)地變化，也都可以。
(第3實(shí)施例)下面，針對本發(fā)明的第3實(shí)施例進(jìn)行說明。
本發(fā)明的第3實(shí)施例，在圖2所示的高頻裝置中，在使金屬屏蔽罩1的非接地側(cè)壁14的一部分以不接觸高頻電路器件5而開放著的狀態(tài)下，具有設(shè)置例如片狀線圈的高頻電路器件5的構(gòu)造，該高頻電路器件5的阻抗值隨其與鄰接金屬屏蔽罩1的非接地側(cè)壁14的金屬屏蔽罩1的距離而敏感地受影響。
在圖9表示了在靠近金屬屏蔽罩1和作為高頻電路器件5的片狀線圈(片狀電感線圈)時(shí)的片狀線圈的電感值的變化。雖然也對片狀線圈的圖形構(gòu)造和方向性有依賴，但是金屬屏蔽罩1在片狀線圈的旁邊從0.80mm到0.10mm的距離靠近時(shí)的電感值的標(biāo)稱值在1nH變化約20％。該電感值的變化是使高頻裝置的特性惡化的原因。
根據(jù)本發(fā)明的第3實(shí)施例，就能夠回避由于現(xiàn)有技術(shù)的高頻裝置中具有的高頻電路器件5與金屬屏蔽罩1的安裝位置精度和介電體多層電路基板2與金屬屏蔽罩1的尺寸精度不合規(guī)格的發(fā)生，而產(chǎn)生的高頻電路器件5和金屬屏蔽罩1的距離的變動對高頻電路器件5的阻抗值的影響。
綜上所述，如果根據(jù)本發(fā)明的第3實(shí)施例，通過在以不使金屬屏蔽罩1的側(cè)面接觸高頻電路器件5而開放的開放部15，尤其是在金屬屏蔽罩1接近時(shí)配置在特性上受影響的高頻電路器件5，就能夠提供不受金屬屏蔽罩1的影響的特性穩(wěn)定的并且小型的高頻裝置。
(第4實(shí)施例)下面，針對本發(fā)明的第4實(shí)施例進(jìn)行說明。
本發(fā)明的第4實(shí)施例，在如圖2所述的高頻裝置中，在使用作為確保金屬屏蔽罩1和介電體多層電路基板2之間能夠設(shè)置高頻電路器件5的空間的支柱的金屬屏蔽罩1的非接地側(cè)壁14的結(jié)構(gòu)中，具有如下電路設(shè)計(jì)的構(gòu)造即，在金屬屏蔽罩1的側(cè)面的中央部分以高頻電路器件5不接觸的高度和寬度來形成開放部15，其兩側(cè)部分(非接地側(cè)壁14)作為支柱殘留的結(jié)構(gòu)中，在臨近開放部15并配置DC電源電路器件和流過小的高頻信號功率的高頻電路器件5。此外，使流過大的高頻信號功率的高頻電路器件5臨近并配置在金屬屏蔽罩1中的側(cè)壁殘留的地方。
綜上所述，如果根據(jù)本發(fā)明的第4實(shí)施例，通過對應(yīng)于金屬屏蔽罩1的側(cè)壁的有無，在有側(cè)壁時(shí)就設(shè)置流過大的高頻信號功率的高頻電路器件5，在沒有側(cè)壁時(shí)就設(shè)置流過小的高頻信號功率的高頻電路器件5，就能夠維持與現(xiàn)有技術(shù)的高頻裝置同樣的屏蔽特性，并且能夠變得小型化。
(第5實(shí)施例)下面，針對本發(fā)明的第5實(shí)施例進(jìn)行說明。
圖6表示了本發(fā)明的第5實(shí)施例的構(gòu)造。如圖6所示，第5實(shí)施例與在第2實(shí)施例中說明的構(gòu)造相類似。圖6的高頻裝置具有以使不接觸設(shè)置在介電體多層電路基板的表面的帶狀線等的傳送線路16而開放只有0.050～0.150mm的高度的結(jié)構(gòu)。其他與第2實(shí)施例是相同的。另外，在圖6中，實(shí)線I表示現(xiàn)有技術(shù)中的傳送線路的可接地區(qū)域，實(shí)線J表示通過第5實(shí)施例增加了的傳送線路的可接地區(qū)域。
在現(xiàn)有技術(shù)的高頻裝置中，為了使金屬屏蔽罩1不與傳送線路16相接觸就必須從介電體多層電路基板2的端面到傳送線路16分開0.400mm的距離，而為了不需要考慮有關(guān)金屬屏蔽罩1的影響(與在第1實(shí)施例中的說明相同)，在本發(fā)明的第5實(shí)施例中，從介電體多層電路基板2的端面到傳送線路16只要分開0.200mm的距離就可以了。
綜上所述，如果根據(jù)本發(fā)明的第5實(shí)施例，通過在高頻裝置中設(shè)有以使傳送線路16不接觸而開放金屬屏蔽罩1的非接地側(cè)壁14的結(jié)構(gòu)，就可以實(shí)現(xiàn)對介電體多層電路基板2的傳送線路16的設(shè)置面積的增加或者高頻裝置的小型化。
另外，在上述各實(shí)施例中，雖然是用介電體多層電路基板2進(jìn)行說明的，但是對于通常的電路基板也是通用的。
權(quán)利要求
1.一種高頻裝置，具備在表面具有接地圖形的電路基板；配置在所述電路基板正面的高頻電路器件和傳送線路；以及固定到所述電路基板上的用以覆蓋所述高頻電路器件和傳送線路的金屬屏蔽罩，其特征在于所述金屬屏蔽罩由蓋板和接地側(cè)壁構(gòu)成，該蓋板被配置在所述高頻電路器件的上方與電路基板大致平行，該接地側(cè)壁被設(shè)置成從該蓋板的邊緣的一部分垂下的狀態(tài)、具有彈性并被具有導(dǎo)電性連接地接合到所述電路基板的接地圖形上，所述接地側(cè)壁以外的側(cè)面呈開放狀。
2.一種高頻裝置，具備在表面具有接地圖形的電路基板；配置在所述電路基板正面的高頻電路器件和傳送線路；以及固定到所述電路基板上的用以覆蓋所述高頻電路器件和傳送線路的金屬屏蔽罩，其特征在于所述金屬屏蔽罩由蓋板、接地側(cè)壁和非接地側(cè)壁構(gòu)成，該蓋板被配置在所述高頻電路器件的上方與電路基板大致平行，該接地側(cè)壁被設(shè)置成從該蓋板的邊緣的一部分垂下的狀態(tài)、具有彈性并被具有導(dǎo)電性連接地接合到所述電路基板的接地圖形上，該非接地側(cè)壁鄰接所述接地側(cè)壁并被設(shè)置成從所述蓋板的邊緣的其他部分垂下、而且比所述接地側(cè)壁還要短的狀態(tài)，在所述接地側(cè)壁和所述非接地側(cè)壁的邊界上具有朝下方開放的切口，所述接地側(cè)壁和所述非接地側(cè)壁以外的側(cè)面呈開放狀。
3.如權(quán)利要求2所述的高頻裝置，其特征在于在所述非接地側(cè)壁形成為比所述高頻電路器件的高度長，而且所述非接地側(cè)壁的下端對接到所述電路基板的正面的狀態(tài)下，所述接地側(cè)壁被接合到所述電路基板的接地圖形上。
4.如權(quán)利要求2所述的高頻裝置，其特征在于所述金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分被設(shè)定為使其不接觸配置在所述電路基板上的所述高頻電路器件的高度和寬度。
5.如權(quán)利要求3所述的高頻裝置，其特征在于所述金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分被設(shè)定為使其不接觸配置在所述電路基板上的所述高頻電路器件的高度和寬度。
6.如權(quán)利要求5所述的高頻裝置，其特征在于所述金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分成為拱形形狀。
7.如權(quán)利要求5所述的高頻裝置，其特征在于在所述金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分，配置其阻抗值對其與所述金屬屏蔽罩之間的距離的影響很敏感的高頻電路器件。
8.如權(quán)利要求6所述的高頻裝置，其特征在于在所述金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分，配置其阻抗值對其與所述金屬屏蔽罩之間的距離的影響很敏感的高頻電路器件。
9.如權(quán)利要求5所述的高頻裝置，其特征在于在臨近所述金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分的位置上配置流過小的高頻信號功率的小功率用高頻電路器件，在臨近所述金屬屏蔽罩的側(cè)面的非開放部分的位置上配置流過大的高頻信號功率的大功率用高頻電路器件。
10.如權(quán)利要求6所述的高頻裝置，其特征在于在臨近所述金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分的位置上配置流過小的高頻信號功率的小功率用高頻電路器件，在臨近所述金屬屏蔽罩的側(cè)面的非開放部分的位置上配置流過大的高頻信號功率的大功率用高頻電路器件。
11.如權(quán)利要求2所述的高頻裝置，其特征在于所述金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分被設(shè)定為使其不接觸配置在所述電路基板上的所述傳送線路的高度和寬度。
12.如權(quán)利要求3所述的高頻裝置，其特征在于所述金屬屏蔽罩的側(cè)面的開放部分被設(shè)定為使其不接觸配置在所述電路基板上的所述傳送線路的高度和寬度。
全文摘要
本高頻裝置是在表面設(shè)有接地圖形的電路基板的正面配置高頻電路器件和傳送線路，在電路基板上固定金屬屏蔽罩以覆蓋配置高頻電路器件和傳送線路。金屬屏蔽罩由蓋板和接地側(cè)壁構(gòu)成，該蓋板被配置在高頻電路器件的上方與電路基板大致平行，該接地側(cè)壁被設(shè)置成從該蓋板的邊緣的一部分垂下的狀態(tài)、具有彈性并被接合到電路基板的接地圖形上，接地側(cè)壁以外的側(cè)面呈開放狀。
文檔編號H05K3/34GK1558714SQ200410003528
公開日2004年12月29日 申請日期2004年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月28日
發(fā)明者山本興輝, 吉川則之, 大橋一彥, 之, 彥 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社