專利名稱：用于蒸發(fā)有機(jī)電發(fā)光層的蒸發(fā)源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于蒸發(fā)有機(jī)電發(fā)光層的蒸發(fā)源。本發(fā)明特別涉及一種蒸發(fā)源，其通過(guò)限制熱量向外傳輸，可防止用于發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)的孔口堵塞。
背景技術(shù)：
熱物理真空蒸發(fā)是一種通過(guò)發(fā)散出汽化的蒸發(fā)物質(zhì)(有機(jī)材料)，在基片上形成有機(jī)電發(fā)光層的技術(shù)。在蒸發(fā)過(guò)程中，將裝在容器中的蒸發(fā)物質(zhì)加熱到蒸發(fā)溫度，在從容器發(fā)散出后，汽化的蒸發(fā)物質(zhì)就附在基片上。此過(guò)程在壓力保持在10-7到10-2托的室中進(jìn)行，其中容納蒸發(fā)物質(zhì)的容器和基片都安裝在室中。
一般地，蒸發(fā)源，其為容納蒸發(fā)物質(zhì)的容器，是由電阻材料組成，其中當(dāng)電流流過(guò)蒸發(fā)物質(zhì)壁時(shí)，電阻材料的溫度將升高。當(dāng)電流用于蒸發(fā)物質(zhì)時(shí)，在此容納的蒸發(fā)物質(zhì)將通過(guò)從蒸發(fā)源傳輸?shù)妮椛錈岷蛡鲗?dǎo)熱而加熱。用于向外發(fā)散出汽化的蒸發(fā)物質(zhì)的孔口在蒸發(fā)源上表面形成。
圖1是配備了傳統(tǒng)蒸發(fā)源的真空蒸發(fā)裝置內(nèi)部結(jié)構(gòu)的截面圖。蒸發(fā)源1安裝在蒸發(fā)裝置的室3中，且基片2布置在蒸發(fā)源1上方。
基片2安裝在室3的上板3-1上，有機(jī)電發(fā)光層在其上蒸發(fā)，其中基片2可以固定或安裝以便橫向移動(dòng)。真空蒸發(fā)裝置的一般結(jié)構(gòu)是裝配在上板3-1上的基片2可水平移動(dòng)，省略了此結(jié)構(gòu)的說(shuō)明。
蒸發(fā)源1是安裝在固定于室3底部3-2上的絕緣結(jié)構(gòu)4上，并與提供電能的電纜相連。蒸發(fā)源1可水平橫向移動(dòng)，同時(shí)也固定在絕緣結(jié)構(gòu)4上。真空蒸發(fā)裝置的另一個(gè)一般結(jié)構(gòu)是安裝在絕緣結(jié)構(gòu)4上的蒸發(fā)源1可水平移動(dòng)，省略了此結(jié)構(gòu)的說(shuō)明。
在蒸發(fā)源1的上表面形成的孔口1A-1如圖1所示，其中蒸發(fā)源1中汽化的蒸發(fā)物質(zhì)通過(guò)孔口1A-1朝基片2的方向向外發(fā)散出。一般地，蒸發(fā)源根據(jù)蒸發(fā)源和孔口的形狀分為點(diǎn)蒸發(fā)源和線蒸發(fā)源。
點(diǎn)蒸發(fā)源的整體形狀是圓柱形的，而其孔口的形狀是圓形的。線蒸發(fā)源的整體形狀是六面體的，而其孔口的形狀是矩形的。
蒸發(fā)源的選擇是考慮蒸發(fā)過(guò)程和孔口的情況以及要形成的蒸發(fā)層形狀而確定的。為了方便，下文將說(shuō)明點(diǎn)蒸發(fā)源。
圖2是傳統(tǒng)點(diǎn)蒸發(fā)源的截面圖。點(diǎn)蒸發(fā)源1包括室1C，底部1D和室蓋1A。蒸發(fā)物質(zhì)，其為有機(jī)材料，是容納在由室1C，底部1D和室蓋1A形成的內(nèi)部空間內(nèi)。
加熱裝置1B-1，例如與電力相連的電阻線圈，是布置在室1C和外壁1B之間來(lái)加熱容納在內(nèi)部空間內(nèi)的蒸發(fā)物質(zhì)。安裝加熱裝置1B-1是為了使全部高度的室1C加熱整個(gè)蒸發(fā)物質(zhì)M。
室蓋孔口1A-1是在室蓋1A的中心形成，其中通過(guò)加熱裝置1B-1加熱的汽化蒸發(fā)物質(zhì)M是通過(guò)室蓋孔口1A-1向外發(fā)散出，也就是朝基片2的方向。
因?yàn)槭疑w1A并無(wú)另外的加熱裝置安裝其上，且暴露在外，室蓋孔口1A-1周圍的溫度低于產(chǎn)生汽化蒸發(fā)物質(zhì)的內(nèi)部空間的溫度。因此，由于此處低溫，通過(guò)室蓋孔口1A-1發(fā)散出的部分汽化蒸發(fā)物質(zhì)將在室蓋孔口1A-1附近沉積。
當(dāng)蒸發(fā)過(guò)程繼續(xù)時(shí)，沉積的蒸發(fā)物質(zhì)增多。因此，將不能流暢的進(jìn)行汽化蒸發(fā)物質(zhì)的發(fā)散出，最后，室蓋孔口1A-1將由于沉積的蒸發(fā)物質(zhì)增多而堵塞。
為了防止汽化蒸發(fā)物質(zhì)將在室蓋孔口1A-1附近沉積，需要將室蓋孔口1A-1或室蓋1A的溫度保持在預(yù)定溫度之上。因此，如圖2所示，為了達(dá)到此目的，由金屬材料制造的蓋罩1E將裝配在外壁1B的上端，其中蓋罩1E的形狀時(shí)圓板。
裝配在外壁1B上端的蓋罩1E時(shí)布置在室蓋1A上，并與室蓋1A保持預(yù)定距離。用于發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)的蓋罩孔口1E-1對(duì)應(yīng)室蓋孔口1A-1在蓋罩1E上形成。因此，由于蓋罩1E可防止從室蓋1A傳輸?shù)臒崃肯蛲獍l(fā)散出，室蓋1A可保持預(yù)定溫度。
但是，因?yàn)樯w罩1E是金屬的，從室蓋1A傳輸?shù)臒崃靠上蛲獍l(fā)散出。因此，室蓋1A不能保持預(yù)定溫度，且不能完全防止汽化蒸發(fā)物質(zhì)將在室蓋孔口1A-1附近的沉積。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種蒸發(fā)源，其通過(guò)抑制從加熱裝置傳輸?shù)骄哂锌卓诘氖疑w的熱量向外發(fā)散出，而防止了汽化蒸發(fā)物質(zhì)在室蓋上形成的孔口附近沉積，因此使室蓋保持預(yù)定溫度。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，蒸發(fā)源包括在其中容納蒸發(fā)物質(zhì)的室；安裝在室上部，并具有用于發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)的室蓋孔口的室蓋；布置在室外部、用于支撐在室外部設(shè)立的加熱裝置的外壁；布置在室蓋上方，固定在外壁上端并具有對(duì)應(yīng)室蓋孔口的蓋孔口的蓋罩；以及布置在蓋罩和室蓋之間的阻斷板，其在阻斷板中心具有對(duì)應(yīng)室蓋孔口和蓋罩孔口的阻斷板孔口。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，蒸發(fā)源包括在其中容納蒸發(fā)物質(zhì)的室；安裝在室上部，并具有用于發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)的室蓋孔口的室蓋；布置在室外部用于支撐在室外部設(shè)立的加熱裝置的外壁；布置在室蓋上方，固定在外壁上端并具有對(duì)應(yīng)室蓋孔口的蓋罩孔口的蓋罩；以及上、下反射體，其中心的上、下孔口分別對(duì)應(yīng)蓋罩孔口，且布置在蓋罩上方來(lái)防止熱量向蓋罩外發(fā)散出，其中上反射體布置在下反射體上方。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，蒸發(fā)源包括在其中容納蒸發(fā)物質(zhì)的室；安裝在室上部，并具有用于發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)的室蓋孔口的室蓋；布置在室外部用于支撐在室外部設(shè)立的加熱裝置的外壁；以及反射體，其包括布置在室蓋上方的主體，布置在主體下表面上的金屬層和裝配在主體上用于接觸室蓋表面的支撐件，其中由低傳導(dǎo)性材料制造的主體具有在其中心對(duì)應(yīng)室蓋孔口的反射體孔口，且金屬層具有低發(fā)射率值。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，蒸發(fā)源包括在其中容納蒸發(fā)物質(zhì)的室；安裝在室上部，并具有用于發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)的室蓋孔口的室蓋；布置在室外部用于支撐在室外部設(shè)立的加熱裝置的外壁；以及接觸室蓋上表面，固定在外壁上端，并具有對(duì)應(yīng)室蓋孔口的蓋罩孔口的蓋罩。
因此，當(dāng)汽化蒸發(fā)物質(zhì)向外發(fā)散出時(shí)，由于室蓋溫度保持預(yù)定溫度，汽化蒸發(fā)物質(zhì)并不會(huì)在室蓋孔口附近沉積，且蒸發(fā)層在孔口上形成。


由下面的詳細(xì)說(shuō)明，結(jié)合附圖，可更清楚地理解本發(fā)明上述及其它的特征和優(yōu)點(diǎn)。
圖1是配備了傳統(tǒng)蒸發(fā)源的真空蒸發(fā)裝置內(nèi)部結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖2是顯示一個(gè)傳統(tǒng)點(diǎn)蒸發(fā)源的截面圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的點(diǎn)蒸發(fā)源的截面圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的點(diǎn)蒸發(fā)源的截面圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的點(diǎn)蒸發(fā)源的上反射體的仰視圖。
圖6是圖4的部分“A”的詳圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例的點(diǎn)蒸發(fā)源的截面圖。
圖8是圖7的部分“B”的詳圖。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例的點(diǎn)蒸發(fā)源的截面圖。
圖10是圖9的部分“C”的詳圖。
圖11是根據(jù)本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例的另一個(gè)點(diǎn)蒸發(fā)源的截面圖。
圖12是圖11的部分“D”的詳圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行更詳細(xì)地說(shuō)明。
第一個(gè)實(shí)施例圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的點(diǎn)蒸發(fā)源的截面圖。根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例，點(diǎn)蒸發(fā)源10包括圓柱形的室11，在上面形成室蓋孔口12A用于發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)的室蓋12，圓柱形的外壁13，以及底部14。加熱裝置13A布置在室11和外壁13之間。
固定在外壁13上端的蓋罩15布置在室蓋12上，并與室蓋保持預(yù)定距離，其中蓋罩15的形狀是圓板。在蓋罩15上形成的蓋罩孔口15A對(duì)應(yīng)室蓋孔口12A。
為了防止室蓋12的熱量向外傳輸，阻斷板16布置在蓋罩15和室蓋12之間，并與蓋罩15和室蓋12相平齊，其中阻斷板16的外圓面固定在蓋罩15的內(nèi)圓面上。另外，通過(guò)將多個(gè)支撐桿的兩端(未顯示)都固定在阻斷板16上表面和蓋罩15下表面上，阻斷板16可布置在蓋罩15和室蓋12之間。
阻斷板16在其中心具有對(duì)應(yīng)室蓋孔口12A和蓋罩孔口15A的阻斷板孔口。因此，從室蓋孔口12A發(fā)散出的汽化蒸發(fā)物質(zhì)是朝孔口的方向，通過(guò)阻斷板孔口和蓋罩孔口15A向外發(fā)散出。
在根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的蒸發(fā)源中，從熱量產(chǎn)生汽化蒸發(fā)物質(zhì)的室11內(nèi)表面?zhèn)鞯绞疑w12，此后從室蓋12傳到蓋罩15的熱量將通過(guò)布置在室蓋12上方的阻斷板16而阻斷。因此，室蓋12和阻斷板16之間的溫度保持在阻斷板16和蓋罩15之間的溫度之上。
另外，室蓋12和室蓋孔口12A的溫度保持在預(yù)定溫度，且因此，由于室蓋孔口12A的溫度并未降低而防止了室蓋孔口12A周圍汽化蒸發(fā)物質(zhì)的沉積。
理想的是阻斷板16由低傳導(dǎo)性材料制造，例如，SUS材料或鉭。
根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例，點(diǎn)蒸發(fā)源的上述構(gòu)造適用于線蒸發(fā)源。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例，通過(guò)在室蓋和蓋罩之間布置由低傳導(dǎo)性材料制造的阻斷板，切斷了熱量從室蓋向外的傳輸和熱量向室蓋的傳輸，蒸發(fā)源可適當(dāng)保持室蓋孔口周圍的溫度。因此，可有效防止由于升高的溫度而使通過(guò)室蓋孔口向外發(fā)散出的汽化蒸發(fā)物質(zhì)在室蓋孔口周圍沉積的問(wèn)題。
第二個(gè)實(shí)施例圖4是根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的點(diǎn)蒸發(fā)源的截面圖。根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例，點(diǎn)蒸發(fā)源20包括圓柱形的室21，在上面形成室蓋孔口22A用于發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)M的室蓋22，圓柱形的外壁23，以及底部24。加熱裝置23A布置在室21和外壁23之間。
圓板形的、固定在外壁23上端的蓋罩25是裝配在室蓋22上來(lái)接觸其表面。下反射體26和上反射體27是按順序布置在蓋罩25上方。下反射體26接觸蓋罩25的上表面，上反射體27以預(yù)定距離布置在下反射體26上方。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的點(diǎn)蒸發(fā)源的上反射體的仰視圖。圖6是圖4的部分“A”的詳圖。圖5和圖6顯示了下反射體26和上反射體27之間的相互關(guān)系。
圓板形的下反射體26和上反射體27在其中心具有分別對(duì)應(yīng)蓋罩孔口25A和室蓋孔口22A的下孔口和上孔口。因此，下反射體26和上反射體27對(duì)發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)的功能并無(wú)影響。
多個(gè)突起27B在上反射體27的下表面上形成，其中每個(gè)突起27B末端形成尖。另外，多個(gè)凹坑26B在下反射體26的上表面上形成，其中每個(gè)凹坑26B對(duì)應(yīng)每個(gè)突起27B。上反射體27的每個(gè)突起27B以點(diǎn)接觸容納在下反射體26的每個(gè)凹坑26B中。
在下反射體26的上表面形成的每個(gè)凹坑26B是橢圓形，其中長(zhǎng)主軸是周向定向的，短主軸是徑向定向的。多個(gè)蒸發(fā)源是圓形分布在真空蒸發(fā)裝置上，且沿圓形路線移動(dòng)時(shí)發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)。在此情況下，為補(bǔ)償上反射體27和下反射體26的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，后者與蓋罩25一起作圓形運(yùn)動(dòng)，也就是為了防止點(diǎn)接觸凹坑26B的突起27B與凹坑26B分離，將每個(gè)凹坑26B都制造成橢圓形。
此后，將說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例，蒸發(fā)源的功能。
通過(guò)下反射體26防止從蒸發(fā)源內(nèi)表面向室蓋22和蓋罩25傳輸?shù)臒崃肯蛲獍l(fā)散出，可將室蓋22保持在預(yù)定溫度。由于上反射體27通過(guò)突起27B與下反射體26保持預(yù)定距離，向下反射體26傳輸?shù)臒崃坎⑽聪蛏戏瓷潴w27傳輸。另外，由于突起27B是點(diǎn)接觸凹坑26B，通過(guò)突起27B向上反射體27傳輸?shù)臒崃繉⒎浅Ｉ佟?br> 理想的是凹坑26B和突起27B至少在三對(duì)以上，以便于上反射體27在下反射體26上保持平衡。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例，通過(guò)減少熱量通過(guò)下反射體和上反射體向蒸發(fā)源外部的發(fā)散出，并通過(guò)將室蓋和蓋罩布置在下反射體之下以及上反射體在任何時(shí)候保持預(yù)定溫度，蒸發(fā)源可防止汽化蒸發(fā)物質(zhì)在室蓋孔口周圍沉積的現(xiàn)象。
第三個(gè)實(shí)施例圖7是根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例的點(diǎn)蒸發(fā)源的截面圖。圖8是圖7的部分“B”的詳圖。根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例，點(diǎn)蒸發(fā)源30包括圓柱形的室31，在上面形成室蓋孔口32A用于發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)的室蓋32，圓柱形的外壁33，以及底部34。加熱裝置33A布置在室31和外壁33之間。
固定在外壁33的內(nèi)圓面上的反射體35是裝配在室蓋32上，并與室蓋32相平齊。反射體35在其中心具有對(duì)應(yīng)室蓋孔口32A的反射體孔口35A。
反射體35包括布置在主體35B下表面上的金屬層35D，以及裝配在主體35B上用于接觸室蓋32表面的支撐件35C，其中主體35B由低傳導(dǎo)性金屬或陶瓷材料制造。
具有低傳導(dǎo)性的主體35B可防止熱量從室蓋32向外傳輸。另外，具有低發(fā)射率值的金屬層35D是在主體35B的下表面上形成，用來(lái)向室蓋32再次傳輸熱量。因此，室蓋32保持了預(yù)定溫度。
來(lái)自室蓋32的熱量也向支撐件35C傳輸。因此，為了抑制熱量傳輸，支撐件35C由低傳導(dǎo)性金屬或陶瓷材料制造。
支撐件35C和主體35B可整體成形。但是，如果是陶瓷材料，則因?yàn)楹茈y整體成形，而需要分開(kāi)制造支撐件35C和主體35B，其中螺釘形式或密封裝配形式是所希望的。
因?yàn)橹渭?5C是點(diǎn)接觸室蓋32，理想的是，為便于支撐件35C支撐主體35B，支撐件35C至少在四個(gè)以上。另外，為了減小和室蓋32的接觸面積，希望將支撐件35C作成釘子形，但并不另外限定。
理想的是，將主體35B和支撐件35C由陶瓷材料制造，例如ZrO2，Al2O3，TiO2，和/或低傳導(dǎo)性的材料，例如Mn或Ti。此外，理想的是，金屬層35D由Au，Ag，或Al制造。
金屬層35D在主體35B下表面上形成可通過(guò)熱噴涂法，ECM(電化學(xué)噴涂法)，或電鍍法，其中熱噴涂法包括火焰噴涂法，等離子噴涂法，或HVOF(高速氧氣-燃料熱噴涂)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施例的蒸發(fā)源通過(guò)由不同材料制造的反射體，可保持室蓋孔口溫度在預(yù)定水平上，防止了熱量向外發(fā)散出。因此，由于降低了溫度，通過(guò)室蓋孔口向外發(fā)散出的汽化蒸發(fā)物質(zhì)在室蓋孔口周圍沉積的問(wèn)題可有效解決。
第四個(gè)實(shí)施例圖9是根據(jù)本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例的點(diǎn)蒸發(fā)源的截面圖。根據(jù)本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例，點(diǎn)蒸發(fā)源40包括圓柱形的室41，在上面形成室蓋孔口42A用于發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)的室蓋42，圓柱形的外壁43，以及底部44。加熱裝置43A布置在室41和外壁43之間，且室蓋42裝配在室41上端。
固定在外壁43上的蓋罩45接觸其上表面而裝配在室蓋42上用于向室蓋42平穩(wěn)傳輸熱量。蓋罩45具有對(duì)應(yīng)室蓋孔口42A的蓋罩孔口45A。
從加熱裝置43A產(chǎn)生的熱量將傳到蓋罩45上。傳到蓋罩45的熱量將傳輸?shù)浇佑|蓋罩45的室蓋42上。因此，室蓋孔口42A的溫度，其在室蓋42中心形成，將由于從蓋罩45傳輸?shù)臒崃慷粫?huì)降低。
理想的是，蓋罩孔口45A和室蓋孔口42A具有相同尺寸。通過(guò)加熱裝置43A產(chǎn)生的熱量將通過(guò)蓋罩45和室蓋42傳輸?shù)绞疑w孔口42A，因此，更有效地將室蓋孔口42A的溫度保持在預(yù)定溫度上。
圖10是圖9的部分“C”的詳圖。如果蓋罩孔口45A和室蓋孔口42A具有相同尺寸，為了防止蒸發(fā)過(guò)程中汽化蒸發(fā)物質(zhì)在蓋罩45上沉積，希望蓋罩45的厚度朝蓋罩孔口45A的方向減小。因此，蓋罩孔口45A的內(nèi)圓面具有尖銳的邊緣。
圖11是根據(jù)本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例的另一個(gè)點(diǎn)蒸發(fā)源的截面圖。阻斷層46是在固定在外壁43上端的蓋罩45的上表面上形成，其中阻斷層46由低傳導(dǎo)性材料制造。阻斷層46在蓋罩孔口45A的對(duì)應(yīng)位置，具有用于發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)的阻斷層孔口46A。
從加熱裝置43A產(chǎn)生的熱量將傳到由陶瓷材料制造的蓋罩45上。傳到蓋罩45的熱量將傳輸?shù)浇佑|蓋罩45的室蓋42上。在蓋罩45的上表面上形成阻斷層46可防止熱量從蓋罩45向外發(fā)散出。因此，大部分熱量都傳到室蓋42上。
阻斷層46由低傳導(dǎo)性材料制造，例如陶瓷材料或金屬材料，其中陶瓷材料可以是Al2O3，TiO2，SiC，或ZrO2，金屬材料可以是Mn或Ti。理想的是，阻斷層46通過(guò)電鍍法在蓋罩45上形成。
圖12是圖11的部分“D”的詳圖。如果阻斷層孔口46A小于蓋罩孔口45A，通過(guò)室蓋42A向外發(fā)散出的汽化蒸發(fā)物質(zhì)將在阻斷層孔口46A上沉積。因此，阻斷層孔口46A要大于蓋罩孔口45A，以便于汽化蒸發(fā)物質(zhì)不會(huì)在阻斷層孔口46A上沉積。
如果阻斷層孔口46A和蓋罩孔口45A具有相同尺寸，為了防止蒸發(fā)過(guò)程中汽化蒸發(fā)物質(zhì)在阻斷層46上沉積，希望阻斷層46的厚度朝阻斷層孔口46A的方向減小。因此，阻斷層孔口46A的內(nèi)圓面具有尖銳的邊緣。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例，通過(guò)將蓋罩布置的接觸室蓋，蒸發(fā)源可將室蓋孔口保持在預(yù)定溫度，因此通過(guò)蓋罩將加熱裝置中產(chǎn)生的熱量傳輸?shù)绞疑w孔口。另外，在蓋罩上表面形成的阻斷層可防止熱量向外發(fā)散出。因此，由于溫度降低，可有效解決通過(guò)室蓋孔口向外發(fā)散出的汽化蒸發(fā)物質(zhì)在室蓋孔口周圍沉積的問(wèn)題。
通過(guò)上述用于蒸發(fā)有機(jī)電發(fā)光層的蒸發(fā)源的優(yōu)選實(shí)施例，表明本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)上述說(shuō)明可以有改進(jìn)和變化。因此，在本發(fā)明所附的權(quán)利要求確定的范圍和精神內(nèi)，對(duì)本發(fā)明具體的實(shí)施例可以有改變。
權(quán)利要求
1.一種應(yīng)用電力加熱的蒸發(fā)源，其加熱容納在蒸發(fā)源中的蒸發(fā)物質(zhì)，并發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)以在基片上形成蒸發(fā)物質(zhì)層，包括在其中容納蒸發(fā)物質(zhì)的室；安裝在室上部的室蓋，它具有用于發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)的室蓋孔口；布置在室外部用于支撐在室外部設(shè)立的加熱裝置的外壁；布置在室蓋上方的蓋罩，它固定在外壁上端并具有對(duì)應(yīng)室蓋孔口的蓋罩孔口；以及布置在蓋罩和室蓋之間的阻斷板，其具有在阻斷板中心的、對(duì)應(yīng)室蓋孔口和蓋罩孔口的阻斷板孔口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源，其中阻斷板的外圓面固定在蓋罩的內(nèi)圓面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的蒸發(fā)源，其中阻斷板由低傳導(dǎo)性材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的蒸發(fā)源，其中阻斷板由SUS材料或鉭制成。
5.一種應(yīng)用電力加熱的蒸發(fā)源，其加熱容納在蒸發(fā)源中的蒸發(fā)物質(zhì)，并發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)以在基片上形成蒸發(fā)物質(zhì)層，包括在其中容納蒸發(fā)物質(zhì)的室；安裝在室上部的室蓋，它具有用于發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)的室蓋孔口；布置在室外部用于支撐在室外部設(shè)立的加熱裝置的外壁；布置在室蓋上方的蓋罩，它固定在外壁上端并具有對(duì)應(yīng)室蓋孔口的蓋罩孔口；以及上反射體和下反射體，其中心的上、下孔口分別對(duì)應(yīng)蓋罩孔口，且布置在蓋罩上方來(lái)防止熱量向蓋罩外發(fā)散出，其中上反射體布置在下反射體上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蒸發(fā)源，其中上反射體在其下表面上具有多個(gè)突起，下反射體在其上表面上具有多個(gè)凹坑，用于容納上反射體的突起。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蒸發(fā)源，其中下反射體的凹坑是橢圓形的，其中長(zhǎng)主軸是周向定向的而短主軸是徑向定向的。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蒸發(fā)源，其中上反射體的突起與下反射體的凹坑點(diǎn)接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蒸發(fā)源，其中在上反射體和下反射體上各自至少形成三對(duì)突起和凹坑。
10.一種應(yīng)用電力加熱的蒸發(fā)源，其加熱容納在蒸發(fā)源中的蒸發(fā)物質(zhì)，并發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)以在基片上形成蒸發(fā)物質(zhì)層，包括在其中容納蒸發(fā)物質(zhì)的室；安裝在室上部的室蓋，它具有用于發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)的室蓋孔口；布置在室外部用于支撐在室外部設(shè)立的加熱裝置的外壁；以及反射體，其包括布置在室蓋上方的主體，布置在主體下表面上的金屬層和裝配在主體上用于接觸室蓋表面的支撐件，其中由低傳導(dǎo)性材料制造的主體具有在其中心對(duì)應(yīng)室蓋孔口的反射體孔口，且金屬層具有低發(fā)射率值。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的蒸發(fā)源，其中主體和支撐件由ZrO2，Al2O3，TiO2，Mn或Ti制造。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的蒸發(fā)源，其中支撐件和主體是整體或分別成形。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的蒸發(fā)源，其中金屬層由Au，Ag，或Al制造。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的蒸發(fā)源，其中，金屬層通過(guò)熱噴涂法，ECM-即電化學(xué)噴涂法，或電鍍法，在主體下表面上形成，其中熱噴涂法包括火焰噴涂法，等離子噴涂法，或HVOF-即高速氧氣-燃料熱噴涂法。
15.一種應(yīng)用電力加熱的蒸發(fā)源，其加熱容納在蒸發(fā)源中的蒸發(fā)物質(zhì)，并發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)以在基片上形成蒸發(fā)物質(zhì)層，包括在其中容納蒸發(fā)物質(zhì)的室；安裝在室上部的室蓋，它具有用于發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)的室蓋孔口；布置在室外部用于支撐在室外部設(shè)立的加熱裝置的外壁；以及接觸室蓋上表面的蓋罩，它固定在外壁上端，并具有對(duì)應(yīng)室蓋孔口的蓋罩孔口。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的蒸發(fā)源，其中蓋罩孔口和室蓋孔口具有相同尺寸。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的蒸發(fā)源，其中蓋罩的厚度沿蓋罩孔口的方向減小。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的蒸發(fā)源，進(jìn)一步包括在蓋罩上表面上形成的阻斷層，該阻斷層具有對(duì)應(yīng)蓋罩孔口的阻斷層孔口。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的蒸發(fā)源，其中阻斷層孔口的尺寸大于蓋罩孔口的尺寸。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的蒸發(fā)源，其中阻斷層孔口和蓋罩孔口具有相同尺寸。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的蒸發(fā)源，其中阻斷層的厚度沿阻斷層孔口的方向減小。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的蒸發(fā)源，其中阻斷層通過(guò)電鍍法形成。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的蒸發(fā)源，其中阻斷層由低傳導(dǎo)性材料制成。
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的蒸發(fā)源，其中阻斷層由陶瓷材料或金屬材料制成，其中陶瓷材料包括Al2O3，TiO2，SiC，或ZrO2，金屬材料包括Mn或Ti。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種用于蒸發(fā)有機(jī)電發(fā)光層的蒸發(fā)源。本發(fā)明特別涉及一種蒸發(fā)源，其通過(guò)限制熱量向外傳輸，可防止用于發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)的孔口堵塞。根據(jù)本發(fā)明的蒸發(fā)源包括在其中容納蒸發(fā)物質(zhì)的室；安裝在室上部，并具有用于發(fā)散出汽化蒸發(fā)物質(zhì)的室蓋孔口的室蓋；布置在室外部用于支撐在室外部設(shè)立的加熱裝置的外壁；布置在室蓋上方，固定在外壁上端并具有對(duì)應(yīng)室蓋孔口的蓋罩孔口的蓋罩；以及布置在蓋罩和室蓋之間的阻斷板，其在阻斷板中心具有對(duì)應(yīng)室蓋孔口和蓋罩孔口的阻斷板孔口。
文檔編號(hào)H05B33/10GK1590581SQ20041005601
公開(kāi)日2005年3月9日 申請(qǐng)日期2004年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月4日
發(fā)明者李京洙, 張哲榮, 鄭成在, 卓潤(rùn)興, 金成泰, 李杰熙 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社