專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
在將半導(dǎo)體裝置面朝下地安裝在基板上時，重要的是緩和施加在由焊錫等構(gòu)成的外部端子上的應(yīng)力。以往，采用在應(yīng)力緩和層(樹脂層)上形成外部端子的結(jié)構(gòu)，無法得到充分的效果。特別是，期待著用以晶片為單位進(jìn)行封裝的晶片級CSP(Chip Size/Scale Package)，來提高可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種有效地緩和施加在配線層或外部端子上的應(yīng)力的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
(1)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，包括形成了集成電路的半導(dǎo)體芯片；裝載了所述半導(dǎo)體芯片的基板；具有線路部及與其連接的接地部的配線層；和所述配線層的基底層，所述接地部具有與基底層接觸而成的第1部分和與所述基底層未接觸而成的第2部分。
根據(jù)本發(fā)明，接地部的第2部分與基底層未接觸。即，接地部的第2部分的正下方?jīng)]有形成基底層。因而，能夠使接地部追從來自外部的應(yīng)力，變形或工作，從而可以有效地緩和應(yīng)力。
(2)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置包括形成了集成電路的半導(dǎo)體基板；具有線路部及與其連接的接地部的配線層；和所述配線層的基底層，所述接地部具有與基底層接觸而成的第1部分和與所述基底層未接觸而成的第2部分。
根據(jù)本發(fā)明，接地部的第2部分與基底層未接觸。即，接地部的第2部分的正下方?jīng)]有形成基底層。因而，能夠使接地部追從來自外部的應(yīng)力，變形或工作，從而可以有效地緩和應(yīng)力。
(3)在該半導(dǎo)體裝置中，還包括形成于所述半導(dǎo)體基板上的樹脂層，所述接地部隔著所述基底層形成于所述樹脂層上，所述接地部的所述第2部分可以配置為從所述樹脂層開始空出間隔。利用樹脂層，可以緩和施加在接地部上的應(yīng)力。
(4)在該半導(dǎo)體裝置中，還可以包括在覆蓋所述線路部的同時，具有露出所述接地部一部分的開口部的絕緣層。
(5)在該半導(dǎo)體裝置中，可以在所述樹脂層和所述接地部的所述第2部分的間隔中填充所述絕緣層。由此，在絕緣層比基底層還柔軟時，可以更加提高接地部的自由度，以緩和應(yīng)力。
(6)在該半導(dǎo)體裝置中，所述接地部的所述第1部分的寬度，可以比從所述接地部的所述絕緣層露出的部分的寬度還小。由此，相對于施加在接地部的露出部的應(yīng)力，更提高接地部的自由度，可以有效地緩和應(yīng)力。
(7)在該半導(dǎo)體裝置中，還可以包括在覆蓋所述線路部的同時，具有露出所述接地部全部的開口部的絕緣層。
(8)在該半導(dǎo)體裝置中，所述接地部可以在中央部具有所述第1部分，而在端部具有所述第2部分。由此，接地部能夠以其平面形狀的中心為軸傾斜并工作，且可以緩和施加在接地部上的應(yīng)力。
(9)在該半導(dǎo)體裝置中，所述接地部的所述第1部分的平面形狀，可以是沿所述線路部的延伸方向形成為細(xì)長狀。由此，例如可以容易地使接地部以線路部的延長線為軸傾斜并工作。因此，可以防止線路部及接地部的連接部的斷線。
(10)在該半導(dǎo)體裝置中，所述基底層可以只作為所述接地部的基底而形成。
(11)在該半導(dǎo)體裝置中，所述基底層，可以作為所述線路部和所述接地部的基底而形成。
(12)在該半導(dǎo)體裝置中，所述基底層的厚度可以比所述配線層的厚度還大。由此，因?yàn)榭梢詳U(kuò)大接地部的第2部分正下方的空間，故進(jìn)一步提高接地部的自由度。
(13)在該半導(dǎo)體裝置中還包括設(shè)置在所述接地部上的外部端子。由此，可以增加外部端子的自由度，且相對于施加在外部端子根部上的應(yīng)力，更加提高接地部和外部端子的自由度，有效地緩和應(yīng)力。
(14)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造方法包括(a)在基板上形成導(dǎo)電層的工序；(b)將具有線路部及與其連接的接地部的配線層形成為，至少使所述接地部將所述導(dǎo)電層作為基底的工序；(c)對所述導(dǎo)電層進(jìn)行比所述接地部區(qū)域更大的過蝕刻，以形成基底層的工序；和(d)將形成了集成電路的半導(dǎo)體芯片裝載在所述基板上的工序，所述接地部具有與基底層接觸而成的第1部分和與基底層未接觸而成的第2部分。
根據(jù)本發(fā)明，接地部的第2部分與基底層未接觸。即，在接地部的第2部分的正下方?jīng)]有形成基底層。因而，可以使接地部追從來自外部的應(yīng)力變形或工作，從而可以有效地緩和應(yīng)力。
(15)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造方法包括(a)在形成了集成電路的半導(dǎo)體基板上形成導(dǎo)電層的工序；(b)將具有線路部及與其連接的接地部的配線層形成為，至少使所述接地部將所述導(dǎo)電層作為基底的工序；和(c)對所述導(dǎo)電層進(jìn)行比所述接地部區(qū)域更大的過蝕刻，以形成基底層的工序，所述接地部具有與基底層接觸而成的第1部分和與基底層未接觸而成的第2部分。
根據(jù)本發(fā)明，接地部的第2部分與基底層未接觸。即，在接地部的第2部分的正下方?jīng)]有形成基底層。因而，可以使接地部追從來自外部的應(yīng)力變形或工作，從而可以有效地緩和應(yīng)力。
(16)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造方法包括(a)在基板上形成基底層的工序；(b)避開所述基底層而在其周邊區(qū)域形成平整層的工序；(c)將具有線路部及與其連接的接地部的配線層形成為，使所述接地部具有與基底層接觸而成的第1部分和與基底層未接觸而成的第2部分的工序；和(d)將已形成集成電路的半導(dǎo)體芯片裝配在所述基板上的工序。
根據(jù)本發(fā)明，接地部的第2部分與基底層未接觸。即，沒有在接地部的第2部分的正下方形成基底層。因而，可以使接地部追從來自外部的應(yīng)力變形或工作，從而可以有效地緩和應(yīng)力。
(17)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造方法包括(a)在形成了集成電路的半導(dǎo)體基板上形成基底層的工序；(b)避開所述基底層而在其周邊區(qū)域形成平整層的工序；和(c)將具有線路部及與其連接的接地部的配線層形成為，使所述接地部具有與基底層接觸而成的第1部分和與基底層未接觸而成的第2部分的工序。
根據(jù)本發(fā)明，接地部的第2部分與基底層未接觸。即，沒有在接地部的第2部分的正下方形成基底層。因而，可以使接地部追從來自外部的應(yīng)力變形或工作，從而可以有效地緩和應(yīng)力。
(18)在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置制造方法中，還可以包括在所述(c)工序后除去所述平整層的工序。


圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖2是表示圖1的II-II線剖面圖。
圖3是表示圖1的III-III線剖面圖。
圖4是說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖5是說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖6是說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖7是說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖8是說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖9A～圖9D是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖10A～圖10D是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的11A～圖11D是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖12A及圖12B是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖13是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖14是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖15是表示本發(fā)明的第5實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖16是表示本發(fā)明的第5實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖17是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的電路基板的圖。
圖18是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的電子機(jī)器的圖。
圖19是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的電子機(jī)器的圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
(第1實(shí)施方式)圖1～圖9D是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的圖。圖1是省略了半導(dǎo)體裝置的一部分(絕緣層34及覆蓋層38等)的俯視圖，圖2是圖1的II-II線剖面圖，圖3是圖1的III-III線剖面圖。圖4是配線層及基底層的俯視圖。
本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體基板10。半導(dǎo)體基板10可以是圖1所示的半導(dǎo)體芯片，或者可以是半導(dǎo)體晶片。如圖2所示，在半導(dǎo)體基板10上形成集成電路12，并形成有與集成電路12電連接的多個電極(例如墊片pad)14。在半導(dǎo)體芯片上形成有一個集成電路12、一組的多個電極14。在半導(dǎo)體晶片上形成多個集成電路12、多組的多個電極14。如圖1所示，多個電極14可以沿著半導(dǎo)體芯片(若為半導(dǎo)體晶片，則是在單片后成為半導(dǎo)體芯片的區(qū)域)的端部(例如相對的2邊或4邊)進(jìn)行排列。在半導(dǎo)體基板10的表面(已形成電極14的面)上形成有鈍化膜(例如SiN、SiO2、MgO)16。
在半導(dǎo)體裝置10的形成電極14的面(例如鈍化膜16上)上形成有至少由一層構(gòu)成的樹脂層18。樹脂層18避開電極14而形成。如圖1所示，樹脂層18可以形成在由電極14包圍的范圍內(nèi)。樹脂層18可以形成為側(cè)面傾斜的形狀，以使其反面(底面)比上面還大。樹脂層18可以具有應(yīng)力緩和功能。樹脂層18可以由聚酰亞胺樹脂、硅改性聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂、硅改性環(huán)氧樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB；benzo cyclobutene)、聚苯并惡唑(polybenzoxazole)等樹脂形成。
半導(dǎo)體裝置具有配線層20。配線層20形成在半導(dǎo)體基板10的電極14側(cè)。配線層20是導(dǎo)電層(例如銅(Cu)層)，并形成為單層或多層。配線層20與電極14電連接。如圖2所示配線層20可以重疊(over lap)在電極14上。配線層20延伸至樹脂層18的上面。
如圖1所示，配線層20具有線路部22及與線路部22連接的接地部24。線路部22和接地部24形成為一體。線路部22從電極14延伸至接地部24。接地部24是電連接部。接地部22可以呈直線狀延伸，也可以彎曲。接地部24設(shè)于樹脂層18上?？梢栽诮拥夭?4中設(shè)置外部端子32。接地部24的平面形狀的寬度比線路部22的寬度還大。接地部24的平面形狀多為圓形，但也不限于這一種形狀。線路部22和接地部24的連接部的平面形狀的寬度可以比線路部22的平面形狀的寬度還大。
如圖2所示，半導(dǎo)體裝置包括配線層20的基底層30?；讓?0成為配線層20的基底?；讓?0形成于接地部24的一部分的正下方?；讓?0也可以形成于線路部22的全部或一部分(例如，比線路部22還細(xì)的區(qū)域)的正下方?；讓?0可以是導(dǎo)電層，并形成為單層或多層?；讓?0可以包括阻擋層(barrier)。阻擋層防止配線層20或后述的晶種層(seed)擴(kuò)散到樹脂層18等。阻擋層可以由例如鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈦鎢(TiW)等形成。用電鍍方式形成配線層20時，基底層30可以包含晶種層。晶種層形成于阻擋層上。晶種層以與配線層20相同的材料(例如銅(Cu))形成?；讓?0的厚度可以與配線層20的厚度同樣或者比其還小。
半導(dǎo)體裝置可以具有外部端子32。外部端子32與配線層20電連接。可以在接地部24上形成外部端子32。外部端子32是具有導(dǎo)電性的金屬(例如合金)，且使其熔化以用來達(dá)到電連接目的的物質(zhì)(如焊錫)。外部端子32可以由軟焊料(soft solder)或是硬焊料(hard solder)中任何一種形成。外部端子32可以形成為球狀，例如可以是焊錫球。
在半導(dǎo)體基板10上形成有絕緣層(例如焊錫抗蝕劑層)34。絕緣層34覆蓋配線層20的一部分。也可以用絕緣層34覆蓋配線層20中、設(shè)置了外部端子32的部分以外的全部。由此，可以防止配線層20的氧化、腐蝕、電學(xué)的不良。絕緣層34可以不包括接地部24的一部分(例如中央部)而形成。即，絕緣層34可以具有露出接地部24的一部分(例如中央部)的開口部36。絕緣層34可以覆蓋接地部24的端部。如圖4所示，開口部36的平面形狀(接地部24的露出部的平面形狀)可以是接地部24的平面形狀的相似形狀(例如圓形)。外部端子32可以形成于開口部36內(nèi)(接地部24的露出部)。絕緣層34可以覆蓋線路部22及接地部24的連接部。由此，可以防止線路部22及接地部24的連接部的斷線。
可以在絕緣層34上設(shè)置覆蓋層38。覆蓋層38具有絕緣層，例如可以由樹脂形成。覆蓋層38也覆蓋外部端子32的根部(下端部)。覆蓋層38具有形成于絕緣層34上的部分和從這個部分上升并覆蓋外部端子32的根部的部分。由覆蓋層38至少加固外部端子32的根部。在將半導(dǎo)體裝置安裝到電路基板之后，可以通過覆蓋層38，緩和施加在外部端子32上的應(yīng)力。
如圖3所示，接地部24具有與基底層30接觸而形成的第1部分26和與基底層30未接觸而形成的第2部分28。即，第1部分26與基底層30重疊(overlap)，而第2部分28未與基底層30重疊。由此，由于接地部24的第2部分28的正下方?jīng)]有形成基底層30，故可以使接地部24追從應(yīng)力變形或工作，從而能有效地緩和應(yīng)力?？梢詫⒌?部分26配置在接地部24的中央部，將第2部分28配置在接地部24的端部。由此，接地部24能夠?qū)⑵淦矫嫘螤畹闹行淖鳛檩S傾斜并工作，且可以緩和施加在接地部24上的應(yīng)力。另外，在接地部24上設(shè)置了外部端子32的情況下，可以增加外部端子32的自由度，同時減少施加在外部端子32的根部上的應(yīng)力。如圖4所示，可以在除了線路部22和接地部24的連接部之外的第1部分26的整個周邊配置第2部分28。此時，可以在第1部分26的整個周邊上，具有大致一定的寬度地配置第2部分28(不包括線路部22和接地部24的連接部附近)。在隔著基底層30將接地部24形成于樹脂層18上時，接地部24的第2部分28配置為從樹脂層18空出間隔。如圖3所示，可以在該間隔中填充絕緣層34。由此，在絕緣層34比基底層30還柔軟的情況下，可以進(jìn)一步提高接地部24的自由度，并緩和應(yīng)力。
如圖3或圖4所示，第1部分26的平面形狀的寬度(例如最大寬度)A和接地部24的露出部的平面形狀(開口部36的平面形狀)的寬度(例如最大寬度)B之間優(yōu)選具有A＜B的關(guān)系。由此，通過在接地部24和外部端子32的接觸部分的內(nèi)側(cè)配置基底層30，從而相對于施加在接地部24的露出部上的應(yīng)力(施加在外部端子32的根部上的應(yīng)力)，可以進(jìn)一步提高接地部24和外部端子32的自由度，并有效地緩和應(yīng)力。第1部分26的平面形狀可以是接地部24的平面形狀的相似形狀(例如圓形)。第1部分26的平面形狀可以是開口部36的平面形狀的相似形狀(例如圓形)。
圖5～圖8是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的變形例的圖，是配線層及基底層的俯視圖。在下面的變形例中，省略了上述實(shí)施方式中已說明的內(nèi)容。
如圖5的變形例所示，接地部50的平面形狀可以是方形(例如四角形)。此時，基底層30接觸的第1部分26的平面形狀可以是開口部36的平面形狀的相似形狀(如圓形)。
如圖6的變形例所示，基底層52可以僅作為接地部24的基底而形成?；讓?2可以僅形成于接地部24的一部分的正下方。在本變形例中，基底層52未形成于線路部22的正下方?；讓?2的其他構(gòu)成可應(yīng)用基底層30的內(nèi)容。在圖6所示的例子中，在第1部分26的整個周邊配置有第2部分28。
如圖7及圖8所示，第1部分54的平面形狀沿線路部22的延伸方向細(xì)長地形成。例如，第1部分54的平面形狀可以成為橢圓形或長方形。由此，可確保第2部分56的橫向?qū)挾?線路部22的寬度方向的寬度)比縱向?qū)挾?線路部22的延伸方向的寬度)還大，接地部24將線路部22的延長線作為軸傾斜，容易工作。因此，可以防止配線層20(詳細(xì)地說，是線路部22和接地部24的連接部)的斷線。如圖7所示，基底層58可以形成于線路部22的一部分的正下方。或者，如圖8所示，基底層60可以僅形成于接地部24的一部分的正下方。
本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具有如上所述的構(gòu)成，并可以有效地緩和施加在配線層20或外部端子32上的應(yīng)力。其詳細(xì)的效果如同已經(jīng)說明的那樣。
接著，對本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。如圖9A所示，在形成了集成電路(參照圖2)、形成了鈍化膜16的半導(dǎo)體基板10上形成導(dǎo)電層62。導(dǎo)電層62可以形成于半導(dǎo)體基板10上已形成電極(參照圖2)的面?zhèn)?。?dǎo)電層62可以形成為與電極電連接(例如被電極重疊)?？梢栽诎雽?dǎo)體基板10(鈍化膜16)上形成樹脂層18，并在樹脂層18及除此之外的鈍化膜16的全部區(qū)域上形成導(dǎo)電層62。導(dǎo)電層62可以利用濺射、鍍(電鍍或無電解電鍍)或它們的組合而形成?；蛘?，可以采用噴墨方式或印刷方式形成導(dǎo)電層62。導(dǎo)電層62成為配線層20的基底層30(參照圖9D)。
如圖9B所示，形成配線層20。也可以應(yīng)用光刻技術(shù)形成配線層20。例如，可以將抗蝕劑層64進(jìn)行圖案形成，使之具有開口部66，以在露出于開口部66內(nèi)的導(dǎo)電層62的部分上形成配線層20。配線層20可以利用鍍(例如電鍍)的方法形成。可以將導(dǎo)電層62作為供電層進(jìn)行電鍍，從而形成配線層20。將配線層20進(jìn)行圖案形成，以便具有線路部(參照圖2)和接地部24。也可以將線路部和接地部24兩者(即配線層20的全部)形成為將導(dǎo)電層62作為基底。在進(jìn)行電鍍時，在接地部24整體的正下方配置導(dǎo)電層62。在形成了抗蝕劑層64時，之后如圖9C所示，除去抗蝕劑層64。由此，可以在導(dǎo)電層62上形成配線層20。也可以與所述的不同，采用噴墨方式、印刷方式等形成配線層20。配線層20形成為至少接地部24將導(dǎo)電層62作為基底。
如圖9D所示，對導(dǎo)電層62進(jìn)行比接地部24的還大區(qū)域的過蝕刻，以形成基底層30。即，對蝕刻量進(jìn)行控制(例如通過時間)，以使腐蝕劑進(jìn)入到比接地部24區(qū)域還內(nèi)側(cè)。可以通過濕式蝕刻形成基底層30。如圖9D所示，也可以在腐蝕劑(例如蝕刻液)中摻進(jìn)表面活性劑(例如肥皂)，以使腐蝕劑易于進(jìn)入接地部24和樹脂層18(或是鈍化膜16)的間隔內(nèi)。這樣，可以形成具有接觸基底層30而成的第1部分26和未接觸基底層30而成的第2部分28的接地部24。如圖9D所示，第1部分26可以配置在接地部24的中央部，第2部分28配置在接地部24的端部。而且，同樣可以對導(dǎo)電層62的成為線路部的基底的部分進(jìn)行過蝕刻，或者可以沿著線路部的區(qū)域?qū)ζ溥M(jìn)行適當(dāng)蝕刻(just eching)。然后，可以根據(jù)需要，形成絕緣層34、外部端子32以及覆蓋層38(參照圖3)。
也可以對作為半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體基板10，應(yīng)用上述工序。此時，在完成上述工序之后，按每個集成回路12切斷半導(dǎo)體裝置10。由此，可以將具有半導(dǎo)體芯片的多個半導(dǎo)體裝置形成單片。由此，由于以晶片為單位進(jìn)行封裝，故生產(chǎn)率高。另外，關(guān)于其他的事項(xiàng)，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，與對上述半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明的內(nèi)容相對應(yīng)。
(第2實(shí)施方式)圖10A～圖11D是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖，圖12A和圖12B是表示半導(dǎo)體裝置的制造方法的變形例的圖。
首先，在半導(dǎo)體基本10上形成基底層30(參照圖10C)。例如，如圖10A所示，在半導(dǎo)體基板10的形成電極的面?zhèn)刃纬蓪?dǎo)電層70，如圖10B所示，例如采用蝕刻(例如干式蝕刻或濕式蝕刻)除去導(dǎo)電層70的一部分?？梢圆捎霉饪碳夹g(shù)，用抗蝕劑層72覆蓋導(dǎo)電層70的一部分，再除去導(dǎo)電層70的剩下部分。之后，除去抗蝕劑層72，如圖10C所示形成基底層30。另外，作為導(dǎo)電層70的形成方法，也可以采用第1實(shí)施方式中說明過的導(dǎo)電層62的形成方法。
接著，如圖10D所示，避開基底層30，在其周邊區(qū)域上形成平整層74。周邊區(qū)域可以是包圍基底層30的區(qū)域。平整層74可以與基底層30的外壁面密接。通過形成平整層74，從而可以消除(或是減少)基底層30和其周邊區(qū)域間的高度差，使配線層90易于形成。
接著，形成配線層90(參照圖11D)。首先，如圖11A所示，形成第1導(dǎo)電層76。第1導(dǎo)電層76是用來通過電鍍形成后述的第2導(dǎo)電層82的供電層，其詳細(xì)說明可以采用第1實(shí)施方式中說明過的導(dǎo)電層62的內(nèi)容。
如圖11B所示，在第1導(dǎo)電層76上形成第2導(dǎo)電層82。例如，可以采用光刻技術(shù)對抗蝕劑層78進(jìn)行圖案形成，以便具有開口部80，并在露出于開口部80內(nèi)的第1導(dǎo)電層76的部分上形成第2導(dǎo)電層82。第2導(dǎo)電層82的詳細(xì)內(nèi)容，可以采用第1實(shí)施方式中說明過的配線層20的內(nèi)容。
然后，如圖11C所示，除去抗蝕劑層78，并將第1導(dǎo)電層76的非必要部分，例如利用蝕刻而除去?？梢詫Φ?導(dǎo)電層76進(jìn)行圖案形成，以使其具有與在所述的工序中進(jìn)行過圖案形成的第2導(dǎo)電層82的平面形狀相同的平面形狀。
由此，如圖11D所示，可以形成由第1及第2導(dǎo)電層82、84構(gòu)成的多層配線層90。配線層90具有線路部和與其連接的接地部92。而且，接地部92具有與基底層30接觸而成的第1部分86和與基底層30未接觸而成的第2部分88。如圖11D所示，可以除去平整層74。此時，也可以除去平面化層74中介于第2部分88和樹脂層18之間的部分。也可以在第2部分88和樹脂層18的間隔中形成其他材料(例如絕緣層34(參照圖3))。作為變形例，可以不除去平整層74，而將其保留。也可以至少在第2部分88和樹脂層18的間隔中保留平整層74。這種情況下，平整層74優(yōu)選用比基底層30還柔軟的材料形成。由此，利用平整層74，可以提高接地部92或設(shè)置在其上的外部端子的自由度，緩和應(yīng)力。平整層74例如可以是樹脂(例如與所述的樹脂層18是同一材料)，最好具有應(yīng)力緩和功能。
如圖12A和12B的變形例所示，避開基底層30，在其周邊區(qū)域內(nèi)形成平整層74(參照圖10D)之后，形成配線層100。在本變形例中，通過實(shí)施無電解電鍍(例如無電解銅鍍)，從而形成配線層100。如圖12A所示，可以不形成抗蝕劑層(掩模)，而是形成剖面為蘑菇狀(mushroom)的配線層100?；蛘?，可以形成抗蝕劑層(掩模)，再沿著抗蝕劑層開口部的內(nèi)壁，形成剖面為蘑菇狀的配線層100。配線層100具有線路部和與其連接的接地部102，而接地部102具有與基底層30接觸而成的第1部分94和與基底層30未接觸而成的第2部分96。另外，如圖12B所示，可以除去平整層74，或者也可以不除去而保留其。其他的詳細(xì)內(nèi)容，可以采用上述內(nèi)容。
(第3實(shí)施方式)圖13是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的圖。在本實(shí)施方式中，取代基底層30，而形成基底層130。基底層130的厚度比配線層(例如接地部24)的厚度還大?；讓?30可以利用無電解電鍍(例如無電解鎳電鍍)形成。由此，與利用濺射而形成時相比，易于形成厚的層。或者，還可以在采用濺射而形成的薄膜上實(shí)施無電解電鍍，再形成比配線層還厚的基底層130。根據(jù)本實(shí)施方式，由于可以擴(kuò)大接地部24的第2部分28的正下方的空間(例如第2部分28及樹脂層18的間隔)，故可以提高接地部24或外部端子32的自由度，并有效地緩和應(yīng)力。其他的詳細(xì)內(nèi)容，可以采用上述內(nèi)容。
(第4實(shí)施方式)圖14是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的圖。在本實(shí)施方式中，取代絕緣層34，而形成有絕緣層134。絕緣層134形成為除去接地部24的全部。即，絕緣層134具有露出接地部24全部的開口部136。開口部136的平面形狀可以是接地部24的平面形狀的相似形狀(例如圓形)。外部端子32是開口部136的內(nèi)側(cè)，可以設(shè)置為與接地部24的全部接觸。由于在本實(shí)施方式中，在接地部24的第2部分28的正下方也沒有形成基底層30，故可以有效地緩和應(yīng)力。另外，在設(shè)置覆蓋層38時，可以在第2部分28和樹脂層18的間隔內(nèi)填充覆蓋層38。覆蓋層38可以用比基底層30還柔軟的材料形成。其他的詳細(xì)情況，可采用上述內(nèi)容。
(第5實(shí)施方式)圖15及圖16是表示應(yīng)用了本發(fā)明的第5實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的圖。圖15是圖16所示的半導(dǎo)體裝置的部分放大圖。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體芯片200、裝載了半導(dǎo)體芯片200的基板210、形成于基板(例如插入物interposer)210的配線層220和配線層220的基底層230。
在半導(dǎo)體芯片200上，形成集成電路202，并形成有與集成電路202電連接的多個電極204。電極204可以包含墊片和其上的突出(bump)。半導(dǎo)體芯片200可以倒裝焊接(facedown bonding)或是正面焊接(face upbonding)在基板210上。在倒裝焊接時，可在半導(dǎo)體芯片200和基板210之間填充底層填料(多數(shù)情況下是樹脂)206?？梢栽诨?10的兩個面上形成配線層220。此時，配線層220包含了用于和基板210的各面導(dǎo)通的通孔。裝配半導(dǎo)體芯片200，配線層220與集成電路202電連接。
配線層220具有線路部222及與線路部222連接的接地部224。接地部224可以配置于基板210的與半導(dǎo)體芯片200相反的面?zhèn)?。在配線層220(例如接地部224)上，可以設(shè)置有外部端子232。配線層220的基底層230可以形成在基板210的表面上?？梢栽诨?10上形成導(dǎo)電層和其上的配線層220之后，對導(dǎo)電層進(jìn)行比接地部224區(qū)域還大的過蝕刻，以形成基底層230(參照圖9A～9D)?；蛘?，可以在基板210上形成基底層230，并避開基底層230而在其周邊區(qū)域形成平整層(圖中未示出)，再在基底層230及平整層上形成配線層220(參照圖10A～12B)。平整層可以除去，也可以保留。另外，也可以在基板210上形成覆蓋配線層220的一部分的絕緣層234。在圖15所示的例子中，絕緣層234具有露出接地部224的一部分(例如中央部)的開口部236。配線層220、基底層230以及絕緣層234的詳細(xì)情況，可以采用上述內(nèi)容。
如圖15所示，接地部224具有與基底層230接觸而成的第1部分226和與基底層230未接觸而成的第2部分228。由于在本實(shí)施方式中，在接地部224的第2部分228的正下方也沒有形成基底層230，故接地部224可以追從應(yīng)力進(jìn)行變形或工作，從而可以有效地緩和應(yīng)力。此外，其他的詳細(xì)情況，可以應(yīng)用上述內(nèi)容(第1～第4實(shí)施方式所說明的內(nèi)容(包括變形例))。
圖17中展示了安裝了本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1的電路基板1000。作為具有本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的電子機(jī)器，圖18中展示了筆記本型個人計算機(jī)2000，而圖19中展示了移動電話3000。
本發(fā)明并未限于上述實(shí)施方式，能夠進(jìn)行各種變形。例如，本發(fā)明包括與在實(shí)施方式中說明過的構(gòu)成實(shí)質(zhì)上相同的構(gòu)成(例如，功能、方法以及結(jié)果相同的構(gòu)成，或者目的和結(jié)果相同的構(gòu)成)。另外，本發(fā)明包括對實(shí)施方式中說明過的構(gòu)成中的非本質(zhì)的部分進(jìn)行了置換的構(gòu)成。此外，本發(fā)明還包括可以達(dá)到與實(shí)施方式中所說明的構(gòu)成同樣的作用效果的構(gòu)成，或可以達(dá)到同樣目的的構(gòu)成。再有，本發(fā)明包括在實(shí)施方式所說明的構(gòu)成中附加了公知技術(shù)的構(gòu)成。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括形成了集成電路的半導(dǎo)體芯片；裝載了所述半導(dǎo)體芯片的基板；具有線路部及與其連接的接地部的配線層；和所述配線層的基底層，所述接地部具有與所述基底層接觸而成的第1部分和與所述基底層未接觸而成的第2部分。
2.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括形成了集成電路的半導(dǎo)體基板；具有線路部及與其連接的接地部的配線層；和所述配線層的基底層，所述接地部具有與所述基底層接觸而成的第1部分和與所述基底層未接觸而成的第2部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括形成于所述半導(dǎo)體基板上的樹脂層，所述接地部隔著所述基底層形成于所述樹脂層上，所述接地部的所述第2部分配置為從所述樹脂層開始空出間隔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括在覆蓋所述線路部的同時，具有露出所述接地部的一部分的開口部的絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述樹脂層和所述接地部的所述第2部分的間隔中填充所述絕緣層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述接地部的所述第1部分的寬度比從所述接地部的所述絕緣層露出的部分的寬度還小。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括在覆蓋所述線路部的同時，具有露出所述接地部的全部的開口部的絕緣層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述接地部在中央部具有所述第1部分，而在端部具有所述第2部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述接地部的所述第1部分的平面形狀，沿所述線路部的延伸方向形成為細(xì)長狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述基底層只作為所述接地部的基底而形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述基底層作為所述線路部及所述接地部的基底而形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述基底層的厚度比所述配線層的厚度還大。
13.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括設(shè)置在所述接地部上的外部端子。
14.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括(a)在基板上形成導(dǎo)電層的工序；(b)將具有線路部及與其連接的接地部的配線層形成為，至少使所述接地部將所述導(dǎo)電層作為基底的工序；(c)對所述導(dǎo)電層進(jìn)行比所述接地部區(qū)域更大的過蝕刻，以形成基底層的工序；和(d)將形成了集成電路的半導(dǎo)體芯片裝載在所述基板上的工序，所述接地部具有與所述基底層接觸而成的第1部分和與所述基底層未接觸而成的第2部分。
15.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括(a)在形成了集成電路的半導(dǎo)體基板上形成導(dǎo)電層的工序；(b)將具有線路部及與其連接的接地部的配線層形成為，至少使所述接地部將所述導(dǎo)電層作為基底的工序；和(c)對所述導(dǎo)電層進(jìn)行比所述接地部區(qū)域更大的過蝕刻，以形成基底層的工序，所述接地部具有與所述基底層接觸而成的第1部分和與所述基底層未接觸而成的第2部分。
16.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括(a)在基板上形成基底層的工序；(b)避開所述基底層而在其周邊區(qū)域形成平整層的工序；(c)將具有線路部及與其連接的接地部的配線層形成為，使所述接地部具有與所述基底層接觸而成的第1部分和與所述基底層未接觸而成的第2部分的工序；和(d)將已形成集成電路的半導(dǎo)體芯片裝配在所述基板上的工序。
17.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括(a)在形成了集成電路的半導(dǎo)體基板上形成基底層的工序；(b)避開所述基底層而在其周邊區(qū)域形成平整層的工序；和(c)將具有線路部及與其連接的接地部的配線層形成為，使所述接地部具有與所述基底層接觸而成的第1部分和與所述基底層未接觸而成的第2部分的工序。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，還包括在所述(c)工序后除去所述平整層的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種相對于電路基板及電子機(jī)器，有效地緩和施加在配線層或外部端子上的應(yīng)力的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。半導(dǎo)體裝置包括形成了集成電路(12)的半導(dǎo)體基板(10)、具有線路部(22)和與其連接的接地部(24)的配線層(20)、配線層(20)的基底層(30)，而接地部(24)具有與基底層(30)接觸而成的第1部分(26)和與基底層(30)未接觸而成的第2部分(28)。
文檔編號H05K3/34GK1577783SQ20041006195
公開日2005年2月9日 申請日期2004年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月30日
發(fā)明者黑澤康則 申請人:精工愛普生株式會社