專利名稱：雙板型有機電致發(fā)光裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一有機電致發(fā)光裝置，更具體涉及一雙板型有機電致發(fā)光裝置及其制造方法。
背景技術：
在平板顯示裝置(FEDs)中，有機電致發(fā)光顯示裝置(ELD)作為發(fā)光型顯示器與液晶顯示(LCD)裝置相比具有寬視角和令人滿意的對比度所以在研發(fā)中受到青睞。因為該有機ELDs不需要背光，所以與其他類型的顯示裝置相比具有小而輕的特點。有機ELDs還有其他令人滿意的特點，如能耗低，亮度高和響應時間短。當驅(qū)動ELDs時，只需要一低直流(DC)電壓。而且，還能得到一個比較快的響應速度。可以理解因為在工業(yè)上有機ELDs完全用固體材料形成，這一點與LCD不同，因此他們有足夠的抗撞擊能力和比較寬的操作溫度范圍。此外，因為生產(chǎn)有機ELDs是一個只需要幾個生產(chǎn)步驟的相對簡單的過程，所以生產(chǎn)有機ELDs比生產(chǎn)LCD顯示裝置和等離子體顯示面板(PDPs)便宜很多。特別的是，生產(chǎn)有機ELDs只需要淀積和密封裝置。
有源矩陣有機ELD在每一象素間有一存儲電容以使提供給象素的電壓維持到下一幀，而不管掃描線的數(shù)量。因為通過象素得到均勻的亮度，該象素由于存儲電容而具有一低應用電流，所以有源矩陣有機ELD可以被制造成具有低能耗、高分辨率和大面積的特點。
圖1示出了現(xiàn)有技術中一有機ELD的橫截面示意圖。根據(jù)圖1，第一和第二基板10和20以一定間隔彼此面對設置。一陣列元件層“AL”形成在第一基板10上，并且包括多個薄膜晶體管(TFTs)“T”。雖然在圖1中未示出，陣列元件層“AL”進一步包括多條柵極線和多條與柵極線交叉排列的數(shù)據(jù)線。一象素區(qū)域“P”被限定在柵極線和數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域。TFTs“T”設置于象素區(qū)域“P”中。另外，多個第一電極22，有機電致發(fā)光(EL)層24和第二電極層26依次形成在陣列元件層“AL”上。第一電極22連接到TFT“T”。第一電極22、有機電致發(fā)光(EL)層24和第二電極層26在象素區(qū)域“P”上組成有機EL二極管“DEL”。
同時，第二基板20是一具有一后退部分“RP”的密封板。后退部分“RP”上具有吸收劑28以防止有機ELD受潮。一密封圖形29形成在第一和第二基板10和20之間，具體地講，是在它們的最外邊沿。憑借密封圖形29，第一和第二基板10和20彼此連接。
圖2A示出了現(xiàn)有技術中有機電致發(fā)光裝置的平面示意圖。在圖2A中，柵極線37與數(shù)據(jù)線51和電源線42交叉形成，數(shù)據(jù)線51和電源線42以一定間隔形成。一象素區(qū)域“P”通過柵極線37，數(shù)據(jù)線51和電源線42限定。一開關薄膜晶體管(TFT)“TS”設置于柵極線37和數(shù)據(jù)線51交叉的附近區(qū)域。一驅(qū)動TFT“TD”連接到開關TFT“TS”和電源線42上。一存儲電容“CST”將電源線42的一部分作為其第一電容電極并且將從開關TFT“TS”的有源層31延伸出來的有源圖形34作為其第二電容電極。一第一電極58連接到驅(qū)動TFT“TD”，并且有機電致發(fā)光層(EL)(未示出)和第二電極(未示出)依次形成在第一電極58上。第一和第二電極與有機EL層互相穿插形成一有機EL二極管“DEL”。
圖2B示出了沿著圖2A中的“II-II”線的橫截面示意圖。在圖2B中，驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)“TD”包括形成在基板10上的一有源層32，一柵極38、源極50和漏極52。源極50連接到電源線42，并且漏極52連接到第一電極58。一與有源層32的形成材料相同的有源圖形34形成在電源線42的下面并且絕緣層40設置在它們之間。有源圖形34和電源線42組成存儲電容“CST”。一有機電致發(fā)光(EL)層64和第二電極層66依次形成在第一電極58上，并且組成一有機發(fā)光EL二極管“DEL”。一第一絕緣層30形成在基板10和有源層32之間。該第一絕緣層30可以用作緩沖層。一第二絕緣層36形成在有源層32和柵極38之間。一第三絕緣層40形成在有源圖形34和電源線42之間。一第四絕緣層44形成在電源線42和源極50之間。一第五絕緣層54形成在漏極52和第一電極58之間。一第六絕緣層60形成在第一電極58和有機EL層64之間。第三到第六絕緣層40、44、54和60都包括用于電連接的接觸孔。
在現(xiàn)有技術的有機ELD中，具有TFTs的陣列元件層和有機電致發(fā)光(EL)二極管形成在第一基板上，并且將第二基板固定在第一基板上用于封裝。然而，當具有TFTs的陣列元件層和有機電致發(fā)光(EL)二極管按上述方式形成在第一基板上時，有機ELD的產(chǎn)量就會由陣列元件層的產(chǎn)量和有機EL二極管的產(chǎn)量來共同決定。因為有機EL二極管的產(chǎn)量相對較低，所以整體ELD的產(chǎn)量將受到有機EL二極管產(chǎn)量的限制。例如，即使TFTs制作好，利用薄膜厚度大約是1000的有機ELD也會因為有機發(fā)光層的缺陷而存在缺陷。這就會導致材料浪費和生產(chǎn)成本提高。
同時，根據(jù)用于經(jīng)有機ELDs而顯示圖像的發(fā)光方向，有機ELDs分為底部發(fā)光型和頂部發(fā)光型。底部發(fā)光型有機ELDs具有例如密封的高度穩(wěn)定性和制造工序的高度靈活性的特點。然而，底部發(fā)光型有機ELDs由于其孔徑比低而對于高分辨率的裝置而言效率比較低。相比較，頂部發(fā)光型有機ELDs由于其更易于設計和具有高的孔徑比所以具有長的使用壽命。然而，在頂部發(fā)光型有機ELDs中，陰極常常形成在有機發(fā)光層上。結(jié)果，由于其可選擇的材料有限所以該頂部發(fā)光型有機ELDs的透光率和光效減小。當形成一薄膜鈍化層用于克服光透率的減小時，薄膜鈍化層可能就將不能阻止外部空氣向裝置內(nèi)部滲透。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光裝置及其制造方法，它們能夠基本上克服由于現(xiàn)有技術的局限和缺點而引起的一個或多個問題。
本發(fā)明中的一個優(yōu)點是提供一具有改進的生產(chǎn)量、高分辨率和高孔徑比的有機ELD。根據(jù)本發(fā)明的有機ELD是雙板型結(jié)構，以使具有TFTs的陣列元件層和有機EL二極管分別形成在兩個基板上。
本發(fā)明的另一個優(yōu)點是提供一具有吸收能力的吸收層的雙板型有機ELD。
通過以下的說明或本發(fā)明的實踐將會了解本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點。通過說明書，權利要求書以及附圖中具體描述的結(jié)構將會更好地理解本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并按照本發(fā)明，如具體和廣泛的描述，有機電致發(fā)光裝置包括以一定間隔彼此面對形成的第一和第二基板，第一和第二基板分別具有一第一區(qū)域和在第一區(qū)域的外圍部分的第二區(qū)域；一在第一基板內(nèi)表面的陣列元件層，該陣列元件層具有薄膜晶體管；一形成在第二基板的第一區(qū)域內(nèi)表面上的有機電致發(fā)光二極管；一在第一和第二基板的第一部分間的連接電極，該連接電極電連接第一和第二基板；一形成在第一基板第二區(qū)域內(nèi)表面的襯墊料，該襯墊料具有與連接電極的高度相一致的厚度；一形成在第二基板的第二區(qū)域內(nèi)表面的吸收層；和一粘結(jié)第一和第二基板的密封圖形，密封圖形在吸收層的外面，其中第二基板第一區(qū)域上的包括有機電致發(fā)光二極管的第一疊層與第二基板第二區(qū)域上的包括有吸收層的第二疊層具有相同的厚度。
在另一方面，一種制造有機電致發(fā)光裝置的方法，包括形成一陣列元件，該陣列元件包括在具有第一區(qū)域和在第一區(qū)域外圍的第二區(qū)域的第一基板上的薄膜晶體管；在第一基板的第二區(qū)域上形成一襯墊料；在具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的第二基板上形成一有機電致發(fā)光二極管，該有機電致發(fā)光二極管在第一區(qū)域上；在第二基板的第二區(qū)域上形成一吸收層；在第一和第二基板的其中之一上形成一連接電極，通過連接電極電連接第一和第二基板，其中第二基板的第一區(qū)域上的包括有機電致發(fā)光二極管的第一疊層與第二基板的第二區(qū)域上的包括有吸收層的第二疊層具有相同的厚度。
可以理解，本發(fā)明的上述說明和接下來的詳細描述都是示范性的和解釋性的，意圖對所要保護的本發(fā)明提供進一步的解釋。


通過所包括的附圖能進一步理解本發(fā)明，附圖包含在說明書中成為本說明書的一部分，表示了本發(fā)明的實施例，并與說明書一起解釋本發(fā)明的原理。附圖中圖1示出了現(xiàn)有技術中一有機ELD的橫截面示意圖；圖2A示出了圖1中的有機電致發(fā)光裝置的平面示意圖；圖2B示出了沿著圖1中的“II-II”線的橫截面示意圖；圖3示出了本發(fā)明第一實施例中的雙板型有機電致發(fā)光裝置的橫截面示意圖；
圖4示出了解釋平板下垂問題的橫截面示意圖；圖5示出了本發(fā)明第二實施例中的雙板型有機電致發(fā)光裝置的平面示意圖；圖6和圖7分別示出了沿圖5中的“VI-VI”線和“VII-VII”線的橫截面示意圖；圖8示出了根據(jù)本發(fā)明改進的第二實施例沿著圖5中“VI-VI”線的橫截面示意圖；圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例中的圖6和圖7中所示的雙板型有機ELD的制造流程圖。
具體實施例方式
在接下來的附圖中描述的例子將作為參考用于詳細介紹本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖3示出了本發(fā)明第一實施例中的雙板型有機電致發(fā)光(EL)裝置的橫截面示意圖。
圖3中的雙板型有機EL裝置包括一全色元件。該全色元件可以是具有紅、綠和藍色濾色片的單層彩色濾色片，或者是一包括一濾色片層和一色彩轉(zhuǎn)換媒介的雙層濾色片。當單層濾色片用作有機EL裝置的全色元件時，用于有機電致發(fā)光(EL)二極管的有機電致發(fā)光(EL)層包括一單色發(fā)光材料(例如，一白色發(fā)光材料)。另一方面，當雙層濾色片用作有機EL裝置的全色元件時，用于有機電致發(fā)光二極管的有機電致發(fā)光層包括一單色發(fā)光材料(例如，一藍色發(fā)光材料如一天藍色材料或綠光藍色材料)。在圖3中，雙板型有機EL裝置包括用作其全色元件的單層濾色片。
參見圖3，第一和第二基板110和130以一定間隔彼此面對設置。第一區(qū)域“DR”和在第一區(qū)域“DR”外圍的第二區(qū)域“SR”均被限定在第一和第二基板110和130中。特別的是，第一區(qū)域“DR”對應于顯示區(qū)域，第二區(qū)域“SR”對應于第一和第二基板110和130粘結(jié)區(qū)域的邊緣區(qū)域。
仍參見圖3，一具有多個薄膜晶體管(TFTs)“T”的陣列元件層“AL”形成在第一基板110上。雖然在圖3中未示出，陣列元件層“AL”包括多條在第一方向上的柵極線和在第二方向上的與多條柵極線交叉形成的多條數(shù)據(jù)線。另外，一象素區(qū)域“P”限定在柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域，并且象素區(qū)域“P”與相鄰的象素區(qū)域間有一定間隔。多個連接電極120形成在象素陣列層“AL”上。除此之外，TFT“T”和連接電極120連接到象素區(qū)域“P”。TFT“T”包括一開關TFT(未示出)和一連接到開關TFT的驅(qū)動TFT(未示出)，并且TFT“T”可以是一非晶硅TFT或一多晶硅TFT。TFT“T”中連接到連接電極120上的是驅(qū)動TFT。
同時，一濾色片層131，一涂覆層132和一阻擋層134依次形成在第二基板130上，并且第一電極136形成在阻擋層134的整個表面上。除此之外，一中間層138形成在象素區(qū)域“P”的邊界上無象素區(qū)域(為示出)的第一電極136上，并且一隔離器140形成在無象素區(qū)域上的中間層138上。隔離器140具有與第一基板和第二基板110和130間的間隔一致的厚度。另外，多個有機EL層142和多個第二電極144依次形成在象素區(qū)域“P”中被隔離器140包圍的第一電極136上。有機EL層142和第二電極144通過隔離器140自動構圖。第一電極136、有機EL層142和第二電極144組成一有機EL二極管“DEL”。當有機EL二極管“DEL”是頂部發(fā)光型時，第一電極136可以包括一透明導電材料。例如，當?shù)谝浑姌O136作為陽極，并且第二電極144作為陰極時，第一電極136可以由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)和銦錫鋅氧化物(ITZO)中的一種形成。
同時，濾色片層131包括紅、綠和藍色濾波片131a、131b和131c，其中上述中的每一個置于各自相應的象素區(qū)域“P”中。雖然在圖3中未示出，一黑色矩陣(未示出)可以形成在第二電極上的紅、綠和藍色濾波器131a、131b和131c的邊界部分。涂覆層132可以整平由于紅、綠和藍色濾波片131a、131b和131c間的交疊或空隙部分造成的高度的不同。而且，阻擋層134可以阻止來自于濾色片層131的空氣進入并穩(wěn)定其上的薄膜圖形，并且中間層138可以防止第一電極136和第二電極144之間短路。第一基板110和第二基板130通過密封圖形150沿其最外部邊沿粘結(jié)。
因此，陣列元件層“AL”和有機EL二極管“DEL”形成在各自的基板上，因而提高了生產(chǎn)量和生產(chǎn)效率。除此之外，包括TFTs的陣列層的全部設計都可以被簡化。當雙板型有機ELD是頂部發(fā)光型時，還進一步具有如孔徑比高、分辨率高和使用壽命長的優(yōu)點。
同時，第一區(qū)域“DR”被定義為包括多個象素區(qū)域“P”的區(qū)域，并且第二區(qū)域“SR”被定義為第一區(qū)域“DR”的邊界區(qū)域。第二區(qū)域“SR”置于第一區(qū)域“DR”和密封圖形150的一部分之間。多個襯墊料152形成在第一基板110和第二基板130的第二區(qū)域“SR”之間。襯墊料152與連接電極120使用相同的材料并同時形成。雖然圖3中未示出，襯墊料152形成在周圍部分以防止第一基板和/或第二基板110和/或130的板下垂。
圖4示出了板下垂問題的橫截面示意圖。參見圖4，一雙板型有機ELD160在第一區(qū)域“DR”上具有第一疊層162，并且在第二區(qū)域“SR”上具有第二疊層164。第一基板110和第二基板130粘結(jié)在一起以后，第一疊層162和第二疊層164有一厚度差“d1”。因為在第二基板130的第二區(qū)域“SR”的一部分上不包括任何疊層，所以第一疊層162的厚度“d2”要比第二疊層164的厚度“d3”大。結(jié)果是，板下垂問題就可能出現(xiàn)在部分“PS”上，并且于第二區(qū)域“SR”相鄰的象素區(qū)域“P”就可能受板下垂問題的影響。如果對第一和第二基板110和130在比正常壓力大的壓力下施壓并且在粘結(jié)過程中偏移，板下垂問題可能會加劇。更進一步，因為包括全色元件的有機ELD160需要在第二基板130和有機EL二極管“DEL”(圖3)之間設置涂覆層132(圖3中)和阻擋層134(圖3中)，這就意味著，涂覆層132(圖3中)和阻擋層134(圖3中)必須具有足夠的厚度以實現(xiàn)其功能，而由于第一和第二區(qū)域“DR”和“SR”之間的厚度差導致的板下垂問題會進一步加劇。
除此之外，與現(xiàn)有技術中的有機ELD相比，雙板型有機ELD160可能沒有足夠的附加的空間去容納吸收層。因為現(xiàn)有技術中的有機ELD的在作為密封板的第二基板上不包括任何薄膜圖形，所以在其第二基板的內(nèi)表面上就有足夠的空間來容納具有吸收功能的吸收層。然而，因為在圖4第一實施例中的第一和第二基板上分別排列有陣列元件層和有機EL二極管，所以就沒有足夠的空間給吸收層。
下文中將要描述根據(jù)本發(fā)明第二實施例的具有吸收層的雙板型有機ELD，它能解決上述不足。一吸收層置于邊界區(qū)域并且具有減小板下垂問題的緩沖功能。
圖5示出了本發(fā)明第二實施例中的雙板型有機ELD的平面示意圖，圖6和圖7分別示出了沿著圖5中的“VI-VI”線和“VII-VII”線所取的截面示意圖。
參見圖5，第一和第二基板210和250以一定間隔彼此面對設置。第一和第二基板210和250通過密封圖形270在其最外部邊沿部分粘結(jié)到一起。第一區(qū)域“DR”，在第一區(qū)域“DR”外圍的第二區(qū)域“SR”形成在第一和第二基板210和250上。雖然圖5中未示出，有機EL二極管“DEL”形成在第二基板250的內(nèi)表面，該有機EL二極管“DEL”包括第一電極和第二電極以及在第一和第二電極間的有機EL層。當?shù)谝浑姌O形成在第二基板的整個表面時，第一電極可以作為公共電極連接到外部IC(未示出)上，并且第二基板250的第二區(qū)域“SR”包括外部IC的連接部分“OP”。除此之外，吸收層276形成在第二基板250上。吸收層276包圍了第二區(qū)域“SR”中除了外部IC連接部分“OP”的部分，以提高吸收能力。這是因為吸收能力與吸收層276的大小成比例。吸收層可以形成為單層或包括多個薄膜圖形的多層結(jié)構，并且可以形成為需要的各種形式。吸收層276具有吸收能力。因而，它能防止板內(nèi)部受潮并且能防止因第一區(qū)域“DR”和第二區(qū)域“SR”的厚度差造成的板下垂問題。吸收層276可以由非溶解型吸收材料形成。
同時，一虛擬層278形成在第二基板250上第二區(qū)域“SR”的外部IC連接部分“OP”上。雖然圖5中未示出，虛擬層278可以延伸到第二基板250上第一區(qū)域“DR”的疊層(未示出)上。如圖5所示，吸收層276和虛擬層278形成在第二基板250的第二區(qū)域“SR”上，但它們是各自獨立設置的。
下文中將詳細描述本發(fā)明第二實施例的雙板型有機ELD的橫截面結(jié)構。
參見圖6，第一和第二基板210和250以一定間隔彼此面對設置。第一基板和第二基板210和250通過密封圖形270在其最外部邊沿粘結(jié)到一起。如圖5所示的第一區(qū)域“DR”和在第一區(qū)域“DR”外圍的第二區(qū)域“SR”形成在第一基板210和第二基板250上。一具有多個TFTs(T)的陣列元件層“AL”形成在第一基板210的內(nèi)表面，并且在陣列元件層“AL”上形成多個連接電極220。TFT“T”具有一開關TFT(未示出)和一驅(qū)動TFT(未示出)，雖然圖6中未示出，連接電極220連接到驅(qū)動TFT上。另外，TFT“T”可以由非晶硅TFT或多晶硅TFT以任何需要的形式形成。另外，多個襯墊料222形成在第一基板210的第二區(qū)域“SR”上。襯墊料具有與連接電極220的高度一致的厚度。
一濾色片層252被形成在第二基板250的第一區(qū)域“DR”的內(nèi)表面，并且多個有機EL二極管“DEL”形成在濾色片層252上。有機EL二極管“DEL”包括第一電極264和第二電極268和在它們間的有機EL層266。一涂覆層260和一阻擋層262依次形成在濾色片層252和第一電極264之間。而且，一吸收層276形成在第二基板第二區(qū)域“SR”的內(nèi)表面。因此，從濾色片層252到第二電極268的所有層組成第一疊層253。
本發(fā)明第二實施例的吸收層276具有與第一疊層253的厚度“D1”相一致的厚度。換句話說，第一疊層253的厚度“D1”與吸收層276的厚度“D2”完全相等。例如，“D1”和“D2”間的厚度差可以小于500nm。因而，吸收層276可以在板內(nèi)部起到吸收作用并具有減小第一區(qū)域“DR”和第二區(qū)域“SR”間的厚度差的緩沖能力。除此之外，在外部IC連接部分“OP”上的虛擬層278(圖5中的)用于控制有機ELD面板的整個厚度。
參見圖7，圖6所示的第一疊層253形成在第二基板250的第一區(qū)域“DR”的內(nèi)表面，并且虛擬層278形成在第二基板250的第二區(qū)域“SR”上。虛擬層278與第一疊層253由相同的材料形成，因此虛擬層278的厚度完全等于厚度“D1”，如圖6所示。在圖7中，圖5所示的外部IC連接部分“OP”置于第二區(qū)域“SR”上(圖5中)。雖然圖7中未示出，第一電極264(圖6中)在外部IC連接部分“OP”連接到外部IC(未示出)。此外，陣列元件“AL”(圖6所示)的主要部分形成在第一區(qū)域“DR”上，并且陣列元件“AL”的側(cè)面部分如連接到外部IC(未示出)的焊盤形成在第二區(qū)域“SR”上(圖5中)。
接下來將描述本發(fā)明第二實施例中的第二區(qū)域“SR”上的其他的疊層結(jié)構。
圖8示出了本發(fā)明中改進的第二實施例中沿著圖5中的“VI-VI”線所取的橫截面示意圖。因為圖8是在第二區(qū)域“SR”上改進的疊層結(jié)構，所以與圖6相比只描述部分特征。參見圖8，一緩沖層382和一吸收層376依次形成在第二基板350的第二區(qū)域“SR”上。厚度“D3”與厚度“D1”完全相等。例如，厚度“D3”與“D1”的厚度差可以小于500nm，與圖6中“D1”和“D2”的厚度關系一樣。雖然圖8中未示出，吸收層376沒有置于外部IC連接部分“OP”上(圖7中)。
仍參見圖8，緩沖層382和吸收層376與第一疊層353以一定距離隔開。然而，當吸收層376包括非導電材料時，它可以連接第一疊層353。因此，吸收層376比圖6中的吸收層276可以更容易制造。此外，緩沖層382由組成第一疊層353的材料中的至少一種材料形成。吸收層376可以由與涂覆層360、阻擋層362或中間層366的材料相同的材料形成，也可以從其他透明材料中選擇。
本發(fā)明中的雙板型有機ELD可以包括相互獨立的發(fā)光型有機EL層，該相互獨立的發(fā)光型有機EL層包括紅、綠和藍色發(fā)光層，而不包括涂覆層、阻擋層和全色元件。對于具有全色元件的雙板型有機ELD來說，顯示部分與顯示部分的外圍部分的厚度差將大于相互獨立的發(fā)光型的厚度差。因而，具有一吸收層結(jié)構或具有一緩沖層和一吸收層結(jié)構的雙板型有機ELD比具有全色元件的雙板型有機ELD效果要好。
圖9示出了制造本發(fā)明第二實施例中的如圖6和圖7所示的雙板型有機ELD的流程圖。參見圖9，圖6所示的第一區(qū)域“DR”和第二區(qū)域“SR”形成在第一基板210和第二基板250上。
在步驟ST1中，具有多個TFTs“T”的陣列元件層“AL”形成在第一基板210上，并且在象素陣列層“AL”上形成多個連接電極220。如圖6所示，連接電極220連接到第一區(qū)域“DR”上的TFTs“T”上。此外，多個襯墊料222形成在第一基板210的第二區(qū)域“SR”上。連接電極220具有與襯墊料222相同的厚度，因為它們?nèi)鐖D6所示由相同的材料并以相同的過程形成。
在步驟ST2中，濾色片層252形成在第二基板250的第一區(qū)域“DR”上，并且多個有機EL二極管“DEL”形成在第一區(qū)域“DR”的濾色片層上。如圖6所示，涂覆層260和阻擋層262進一步依次形成在濾色片層252和有機EL二極管“DEL”之間。每一個有機EL二極管“DEL”包括第一電極264、有機EL層266和第二電極268。此外，吸收層276形成在第二部分上并包圍圖5和圖6所示的第二區(qū)域“SR”中除外部IC連接部分“OP”之外的部分。更進一步，如圖6所示，虛擬層278形成在第二基板250的第二區(qū)域“SR”的外部IC連接部分“OP”上，并且與濾色片層252、涂覆層260、阻擋層262、第一電極264、有機EL層266和第二電極268具有相同的材料，以與第一疊層253具有相同的厚度。
步驟ST1和ST2的順序可以互換，或以其他需要的形式同時形成。
在步驟ST3中，密封圖形270形成在第一基板210和第二基板250之一的基板的周圍部分的最外部邊沿上。密封圖形270置于第二區(qū)域“SR”的外部。然后，如圖6所示，第一基板210和第二基板250通過它們之間的密封圖形270粘結(jié)到一起。因為第一區(qū)域“DR”上的第一疊層253與第二區(qū)域“SR”上的吸收層276具有相同的厚度，如圖6所示，所以在粘結(jié)過程中減小了板下垂問題。而且，因為吸收層276也可以用來防止板下垂問題，所以本發(fā)明中的有機ELD不需要吸收材料的附加封裝工序而具有吸收能力。
在粘結(jié)步驟后，照射紫外線(UV)光的步驟可以使吸收層更加堅硬(例如在第二基板后面)。在這種情況下，由透明材料組成的緩沖層可以與吸收層一起形成在第二基板上。如圖8所示，緩沖層382可以形成在第二基板350和包圍在如圖5所示的第二區(qū)域“SR”除外部IC連接部分“OP”之外部分上的吸收層376之間。在這種情況下，如圖8所示，緩沖層382和吸收層376的厚度“D3”與第二基板350第一區(qū)域“DR”上的第一疊層353的厚度“D1”相一致。
因此，本發(fā)明實施例中的雙板型有機ELD及其制造方法具有很多優(yōu)點。第一，因為本發(fā)明實施例中的雙板型有機ELD可以是頂部發(fā)光型，所以可以得到高孔徑比。第二，因為包括薄膜晶體管的陣列元件層和有機EL二極管相互獨立地形成在各自的基板上，所以減小了由于有機EL二極管的制造條件帶來的不足，因此提高了整個生產(chǎn)量。第三，具有吸收能力的吸收層形成在沒有附加薄膜圖形的顯示區(qū)域的外圍區(qū)域，這不僅使板內(nèi)部具有吸收能力而且還防止了板下垂問題。因此，不需要設置吸濕層的空間。第四，因為第二基板的外圍區(qū)域可以是具有吸收層的單層結(jié)構，也可以是具有緩沖層和吸收層的多層結(jié)構，因此提高了吸收層的生產(chǎn)自由度。
對于本領域技術人員來說，很明顯，任何不脫離本發(fā)明的實質(zhì)和范圍的很明顯的修改和變化都可在本發(fā)明中的有機發(fā)光裝置及其制造方法中進行。因此，可以想到本發(fā)明覆蓋了本發(fā)明來自于所附的權利要求及其等同物的范圍之內(nèi)的修改和變化。
權利要求
1.一種有機電致發(fā)光裝置，包括以一定間隔彼此面對形成的第一和第二基板，第一和第二基板都分別具有第一區(qū)域和在第一區(qū)域外圍部分的第二區(qū)域；一在第一基板內(nèi)表面的陣列元件層，該陣列元件層具有一薄膜晶體管；一在第二基板的第一區(qū)域內(nèi)表面的有機電致發(fā)光二極管；一在第一和第二基板的第一區(qū)域之間的連接電極，所述連接電極電連接第一和第二基板；一在第一基板的第二區(qū)域內(nèi)表面的襯墊料，該襯墊料具有與連接電極的高度一致的厚度；一在第二基板的第二區(qū)域內(nèi)表面上的吸收層；和一粘結(jié)第一和第二基板的密封圖形，所述密封圖形位于吸收層的外部，其中第二基板第一區(qū)域上的包括有有機電致發(fā)光二極管的第一疊層具有與第二基板第二區(qū)域上的包括有吸收層的第二疊層完全相同的厚度。
2.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其特征在于，第二疊層包括在第二基板和第二區(qū)域上的吸收層之間的緩沖層。
3.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其特征在于，吸收層包括一非溶解型吸收材料。
4.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其特征在于，第二區(qū)域包括第一到第四區(qū)域，第一到第三區(qū)域包括吸收層，并且第四區(qū)域不包括吸收層。
5.根據(jù)權利要求4所述的裝置，其特征在于，進一步包括第四區(qū)域上的一虛擬層，并且虛擬層延伸到第二疊層，虛擬層具有與第二疊層完全相同的厚度。
6.根據(jù)權利要求4所述的裝置，其特征在于，第四區(qū)域包括外部IC連接部分。
7.根據(jù)權利要求2所述的裝置，其特征在于，有機電致發(fā)光二極管包括第二基板上的第一電極、第一電極上的有機電致發(fā)光層和有機電致發(fā)光層上的第二電極。
8.根據(jù)權利要求7所述的裝置，其特征在于，第一區(qū)域包括多個矩陣排列的象素區(qū)域，并且第二電極形成在每一象素區(qū)域上。
9.根據(jù)權利要求8所述的裝置，其特征在于，有機電致發(fā)光層包括紅、綠和藍色有機電致發(fā)光層，并且每一個紅、綠和藍色有機電致發(fā)光層與多個象素區(qū)域中每一個相對應。
10.根據(jù)權利要求9所述的裝置，其特征在于，進一步包括一在第二基板和第一電極間的濾色片層。
11.根據(jù)權利要求10所述的裝置，其特征在于，緩沖層包括有與濾色片層、第一電極、有機電致發(fā)光層和第二電極中至少其中之一相同的材料。
12.根據(jù)權利要求10所述的裝置，其特征在于，有機電致發(fā)光層是單色。
13.根據(jù)權利要求10所述的裝置，其特征在于，進一步包括一在濾色片層和第一電極間的涂覆層，并且阻擋層在涂覆層上。
14.根據(jù)權利要求12所述的裝置，其特征在于，緩沖層包括有與濾色片層、涂覆層、阻擋層和有機電致發(fā)光二極管中至少其中之一相同的材料。
15.根據(jù)權利要求5所述的裝置，其特征在于，有機電致發(fā)光二極管包括第二基板上的第一電極、第一電極上的有機電致發(fā)光層和有機電致發(fā)光層上的第二電極。
16.根據(jù)權利要求15所述的裝置，其特征在于，虛擬層包括有與第一電極、有機電致發(fā)光層和第二電極相同的材料。
17.根據(jù)權利要求15所述的裝置，其特征在于，進一步包括一在第二基板和第一電極間的濾色片層。
18.根據(jù)權利要求17所述的裝置，其特征在于，虛擬層包括有與濾色片層、第一電極、有機電致發(fā)光層和第二電極相同的材料。
19.根據(jù)權利要求17所述的裝置，其特征在于，進一步包括一在濾色片層和第一電極間的涂覆層，并且阻擋層在涂覆層上。
20.根據(jù)權利要求17所述的裝置，其特征在于，虛擬層包括有與濾色片器、涂覆層、阻擋層、第一電極、有機電致發(fā)光層和第二電極相同的材料。
21.根據(jù)權利要求7所述的裝置，其特征在于，進一步包括在第二基板和有機電致發(fā)光二極管間的一濾色片層，一顏色轉(zhuǎn)換元件、一涂覆層和一阻擋層。
22.根據(jù)權利要求21所述的裝置，其特征在于，緩沖層包括有與濾色片層、顏色轉(zhuǎn)換元件、第一電極、有機電致發(fā)光層和第二電極中至少其中之一相同的材料。
23.根據(jù)權利要求15所述的裝置，其特征在于，進一步包括在第二基板和有機電致發(fā)光二極管間的一濾色片層，一顏色轉(zhuǎn)換元件、一涂覆層和一阻擋層。
24.根據(jù)權利要求15所述的裝置，其特征在于，虛擬層包括有與濾色片器、顏色轉(zhuǎn)換元件、第一電極、有機電致發(fā)光層和第二電極相同的材料。
25.根據(jù)權利要求2所述的裝置，其特征在于，緩沖層包括一透明導電材料。
26.根據(jù)權利要求7所述的裝置，其特征在于，第一電極作為陽極。
27.根據(jù)權利要求19所述的裝置，其特征在于，第一電極包括一透明導電材料。
28.根據(jù)權利要求7所述的裝置，其特征在于，第二電極作為陰極。
29.一種有機電致發(fā)光裝置的制造方法，包括以下步驟在具有第一區(qū)域和在第一區(qū)域的外圍部分的第二區(qū)域的第一基板上形成包括一薄膜晶體管的陣列元件；在第一基板的第二區(qū)域上形成一襯墊料在具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的第二基板上形成有機電致發(fā)光二極管，有機發(fā)光二極管在第一區(qū)域上；在第二基板的第二區(qū)域上形成一吸收層；在第一和第二基板的其中之一基板上形成一連接電極；和通過連接電極電連接第一和第二基板，其中在第二基板的第一區(qū)域上的包括有有機電致發(fā)光裝置的第一疊層具有與在第二基板的第二區(qū)域上的包括有吸收層的第二疊層完全相同的厚度。
30.根據(jù)權利要求29所述的方法，其特征在于，第二疊層包括在第二基板和第二區(qū)域上的吸收層之間的緩沖層。
31.根據(jù)權利要求29所述的方法，其特征在于，吸收層包括一非溶解型吸收材料。
32.根據(jù)權利要求29所述的方法，其特征在于，第二區(qū)域包括第一到第四區(qū)域，第一到第三區(qū)域包括吸收層，并且第四區(qū)域不包括吸收層。
33.根據(jù)權利要求32所述的方法，其特征在于，進一步包括第四區(qū)域上的一虛擬層，并且虛擬層延伸到第二疊層上，虛擬層具有與第二疊層完全相同的厚度。
34.根據(jù)權利要求32所述的方法，其特征在于，第四區(qū)域包括外部IC連接部分。
35.根據(jù)權利要求30所述的方法，其特征在于，形成有機電致發(fā)光二極管的步驟中包括在第二基板上形成一第一電極、在第一電極上形成有機電致發(fā)光層和在有機電致發(fā)光層上形成一第二電極的步驟。
36.根據(jù)權利要求35所述的方法，其特征在于，緩沖層包括有與第一電極、有機電致發(fā)光層和第二電極中至少其中之一相同的材料。
37.根據(jù)權利要求35所述的方法，其特征在于，進一步包括在第二基板和第一電極之間形成濾色片層的步驟。
38.根據(jù)權利要求37所述的方法，其特征在于，緩沖層包括有與濾色片層、第一電極、有機電致發(fā)光層和第二電極中至少其中之一相同的材料。
39.根據(jù)權利要求37所述的方法，其特征在于，進一步包括在濾色片層和第一電極間形成涂覆層的步驟，并且阻擋層在涂覆層上。
40.根據(jù)權利要求39所述的方法，其特征在于，緩沖層包括有與濾色片層、涂覆層、阻擋層和有機電致發(fā)光層中至少其中之一相同的材料。
41.根據(jù)權利要求33所述的方法，其特征在于，形成有機電致發(fā)光二極管的步驟中包括在第二基板上形成一第一電極、在第一電極上形成有機電致發(fā)光層和在有機電致發(fā)光層上形成一第二電極的步驟。
42.根據(jù)權利要求41所述的方法，其特征在于，虛擬層包括有與第一電極、有機電致發(fā)光層和第二電極相同的材料。
43.根據(jù)權利要求41所述的方法，其特征在于，進一步包括在第二基板和第一電極間形成一濾色片層的步驟。
44.根據(jù)權利要求41所述的方法，其特征在于，虛擬層包括有與濾色片層、第一電極、有機電致發(fā)光層和第二電極相同的材料。
45.根據(jù)權利要求43所述的方法，其特征在于，進一步包括在濾色片層和第一電極間形成涂覆層和在涂覆層上形成一阻擋層的步驟。
46.根據(jù)權利要求45所述的方法，其特征在于，虛擬層包括有與濾色片層、涂覆層、阻擋層、第一電極、有機電致發(fā)光層和第二電極相同的材料。
47.根據(jù)權利要求30所述的方法，其特征在于，進一步包括在第二基板和有機電致發(fā)光二極管間形成一濾色片層、一顏色轉(zhuǎn)換元件、一涂覆層和一阻擋層的步驟。
48.根據(jù)權利要求47所述的方法，其特征在于，緩沖層包括有與濾色片層、顏色轉(zhuǎn)換元件、第一電極、有機電致發(fā)光層和第二電極中至少其中之一相同的材料。
49.根據(jù)權利要求30所述的方法，其特征在于，進一步包括在第二基板和有機電致發(fā)光二極管間形成一濾色片層，形成一顏色轉(zhuǎn)換元件、形成一涂覆層和形成一阻擋層的步驟。
50.根據(jù)權利要求49所述的方法，其特征在于，虛擬層包括有與濾色片層、顏色轉(zhuǎn)換元件、第一電極、有機電致發(fā)光層和第二電極相同的材料。
全文摘要
一有機電致發(fā)光裝置包括以一定間隔彼此面對形成的第一和第二基板，第一和第二基板分別具有第一區(qū)域和在第一區(qū)域外圍部分的第二區(qū)域；一形成在第一基板內(nèi)表面的陣列元件，該陣列元件具有一薄膜晶體管；一形成在第二基板的第一區(qū)域內(nèi)表面的有機電致發(fā)光二極管；一在第一基板和第二基板上的第一區(qū)域間的連接電極，所述連接電極電連接第一和第二基板；一在第一基板的第二區(qū)域內(nèi)表面的襯墊料，該襯墊料具有與連接電極的高度一致的厚度；一在第二基板的第二區(qū)域內(nèi)表面上的吸收層；和一粘結(jié)第一和第二基板的密封圖形，所述密封圖形位于吸收層的外部，其中在第二基板第一區(qū)域上的包括有有機電致發(fā)光裝置的第一疊層具有與在第二基板第二區(qū)域上的包括有吸收層的第二疊層完全相同的厚度。
文檔編號H05B33/12GK1638551SQ200410062510
公開日2005年7月13日 申請日期2004年6月30日 優(yōu)先權日2003年12月30日
發(fā)明者樸宰用 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社