專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示器件的透明陽(yáng)極和電極引出線的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子顯示器件的技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的基板制造。
背景技術(shù)：
目前的有機(jī)電致發(fā)光器件一般是由上，下兩個(gè)電極和夾在其中間的具有半導(dǎo)體性質(zhì)的有機(jī)材料薄膜組成，其中的有機(jī)層薄膜可以通過(guò)熱蒸發(fā)，旋涂或其他成膜方法制備，其中的陽(yáng)極是透明導(dǎo)電的氧化銦錫ITO。當(dāng)在器件的兩端加上正向直流電壓時(shí)，通過(guò)電子和空穴載流子的注入和復(fù)合而發(fā)光。有機(jī)電致發(fā)光顯示器件是一種平板型矩陣器件，需要將陽(yáng)極與陰極隔離柱圖案化的刻在具有一定尺寸與形狀的基板上。另外如圖1所示，為了更好的增加有機(jī)發(fā)光器件與驅(qū)動(dòng)IC模塊的連接性能，往往會(huì)在已覆蓋有ITO透明導(dǎo)電薄膜2的玻璃基板1上再濺射上一層導(dǎo)電性能優(yōu)良的金屬層9以便形成覆蓋有金屬的電極引出線7。在這種制造工藝中透明陽(yáng)極即氧化銦錫ITO的像素線8以及電極引出線7均是通過(guò)傳統(tǒng)的濕法光刻法分別實(shí)現(xiàn)的。在圖1中，A表示一次曝光并刻蝕金屬層9，B表示二次曝光并刻蝕透明導(dǎo)電薄膜2；由于使用了兩次濕法光刻法，從工藝上說(shuō)非常繁復(fù)，生產(chǎn)效率低，更重要的是由于兩次涂覆有機(jī)光刻膠，多次烘烤，以及脫膜導(dǎo)致ITO表面殘留有機(jī)物質(zhì)和其他雜質(zhì)的概率大大增加，即使進(jìn)行了深度的UV紫外清洗以及多次的濕法清洗也無(wú)法徹底去除已存在的表面沾污。另外由于兩次曝光的圖形不同，必然存在引出線與陽(yáng)極線條的對(duì)位誤差。當(dāng)進(jìn)行小分子有機(jī)材料進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜時(shí)，由于有機(jī)薄膜層(一般包括空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層)的疏松結(jié)構(gòu)和一般小于1500的較薄的總厚度使得基板本身的清潔程度尤為重要。ITO表面殘留的有機(jī)物質(zhì)和其他雜質(zhì)在有機(jī)電致發(fā)光顯示器件中會(huì)造成陰極和陽(yáng)極的短路和斷路，形成顯示屏上的斷線和串線，而對(duì)位誤差同樣會(huì)造成串線，這些都會(huì)影響器件的發(fā)光亮度、發(fā)光效率、器件壽命等性能，降低器件的成品率。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種可以克服現(xiàn)有有機(jī)電致發(fā)光器件基板制造技術(shù)中重復(fù)加工的不足，以提高成品率和生產(chǎn)效率，而改進(jìn)的有機(jī)發(fā)光顯示器件的透明陽(yáng)極和電極引出線的制造方法。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)技術(shù)方案，提供的一種有機(jī)發(fā)光顯示器件的透明陽(yáng)極和電極引出線的制造方法，其步驟如下制作掩膜板根據(jù)設(shè)計(jì)方案制作一個(gè)金屬濺射用的掩膜板；濺射金屬層用該掩膜板在ITO透明導(dǎo)電薄膜的玻璃基板上按照厚度及材料等技術(shù)指標(biāo)直接濺射上所需的電極引出線部分的金屬層，在需要形成像素線條的曝光區(qū)域不能存在金屬層；涂布正性光刻膠采用旋涂的方法在金屬及ITO表面覆蓋上一層均勻分布的膠膜，只有用旋涂的方法才能獲得薄而均勻的光刻膠層；曝光曝光所用的掩膜板必須與濺射用掩膜板是匹配的；顯影、烘烤；對(duì)金屬層進(jìn)行刻蝕；對(duì)ITO透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行刻蝕；脫膜；所述的金屬層采用導(dǎo)電性能優(yōu)良的鉻。
本發(fā)明提供的有機(jī)發(fā)光顯示器件的透明陽(yáng)極和電極引出線的制造方法中，由于使用的是一次涂布光刻膠，所以相應(yīng)只用了一次顯影一次烘烤和脫膜過(guò)程，減少了有機(jī)材料在有機(jī)電致發(fā)光器件基板上殘留的概率，同時(shí)也減少了其他雜質(zhì)沾污的可能性，并且縮短了生產(chǎn)時(shí)間，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝，提高了生產(chǎn)效率；另外由于只用一種圖形進(jìn)行曝光排除了陽(yáng)極同陽(yáng)極引出線之間的對(duì)位誤差，提高了成品率；通過(guò)其后的有機(jī)功能層的蒸發(fā)制備及后蓋封裝，所獲得的有機(jī)電致發(fā)光器件明顯減少了顯示屏上的斷線和串線數(shù)量，從而提高了器件的性能和壽命。
以下結(jié)合


對(duì)本發(fā)明的實(shí)施作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中有機(jī)發(fā)光器件基板的透明陽(yáng)極和電極引出線的制造過(guò)程的示意圖；圖2為本發(fā)明中有機(jī)發(fā)光器件基板的透明陽(yáng)極和電極引出線的制造過(guò)程的示意圖。
圖3為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)示意圖；具體實(shí)施方式
參見(jiàn)圖2所示，在本發(fā)明的實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示器件的透明陽(yáng)極和電極引出線的制造方法的步驟如下制作掩膜板根據(jù)設(shè)計(jì)方案制作一個(gè)金屬濺射用的掩膜板；濺射金屬層9用該掩膜板在ITO透明導(dǎo)電薄膜2的玻璃基板1上按照厚度及材料等技術(shù)指標(biāo)直接濺射上所需的電極引出線部分的金屬層9；電極引出線一般常采用導(dǎo)電性能優(yōu)良的金屬，如鉻等。這種金屬與ITO玻璃襯底有很強(qiáng)的黏附性能，牢固度高，耐磨性強(qiáng)，另外它可以有較高的分辨率，此外鉻對(duì)有機(jī)溶劑具有非常好的抵抗性；在需要形成像素線條的曝光區(qū)域不能存在鉻金屬層。
涂布正性光刻膠采用旋涂的方法在金屬及ITO表面覆蓋上一層均勻分布的膠膜；只有用旋涂的方法才能獲得薄而均勻的光刻膠層；曝光曝光所用的掩膜板必須與濺射用掩膜板是匹配的，即使用同時(shí)包括有電極引出線及ITO像素圖形的鉻板進(jìn)行曝光；顯影、烘烤；由于顯影后的光刻膠圖形很好的保護(hù)住了器件需要的ITO(陽(yáng)極)像素線條8及電極引出線7，所以隨后的兩種刻蝕液對(duì)它們不會(huì)造成影響；對(duì)金屬鉻9的刻蝕；對(duì)ITO透明導(dǎo)電薄膜2的刻蝕；脫膜。
至此在透明導(dǎo)電玻璃1上形成了所有包括ITO(陽(yáng)極)像素線條8及電極引出線7的導(dǎo)電部分的圖形。在圖2中，C表示一次曝光，兩次刻蝕。
參見(jiàn)圖3所示，在有機(jī)發(fā)光器件的基板制作過(guò)程中，還需要在ITO透明導(dǎo)電薄膜2的玻璃基板1上制造絕緣層3，這需要通過(guò)正性光刻膠來(lái)形成，并在此基礎(chǔ)上制作陰極隔離柱4，在制作陰極隔離柱4時(shí)使用負(fù)性光刻膠經(jīng)過(guò)曝光，顯影形成倒三角的形狀，以起到很好的對(duì)陰極隔離的作用；在這種基板上還需要通過(guò)蒸發(fā)或旋涂的方法制備有機(jī)功能層5和金屬背電極6。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示器件的透明陽(yáng)極和電極引出線的制造方法，其步驟如下制作掩膜板；根據(jù)設(shè)計(jì)方案制作一個(gè)金屬濺射用的掩膜板；濺射金屬層用該掩膜板在ITO透明導(dǎo)電薄膜的玻璃基板上直接濺射上所需的電極引出線部分的金屬層；涂布正性光刻膠膠膜；曝光；曝光所用的掩膜板必須與濺射用掩膜板是匹配的；顯影、烘烤；對(duì)金屬層進(jìn)行刻蝕；對(duì)ITO透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行刻蝕；脫膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件的透明陽(yáng)極和電極引出線的制造方法，其特征是，所述的濺射金屬層的步驟中，在需要形成像素線條的曝光區(qū)域不能存在金屬層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件的透明陽(yáng)極和電極引出線的制造方法，其特征是，所述的涂布正性光刻膠的步驟中，采用旋涂的方法在金屬及ITO表面覆蓋上一層均勻分布的膠膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的有機(jī)發(fā)光顯示器件的透明陽(yáng)極和電極引出線的制造方法，其特征是，所述的金屬層采用鉻。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示器件的透明陽(yáng)極和電極引出線的制造方法，涉及有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的基板制造的技術(shù)領(lǐng)域；其步驟如下制作掩膜板；用該掩膜板在ITO透明導(dǎo)電薄膜的玻璃基板上直接濺射上所需的電極引出線部分的金屬層；旋涂正性光刻膠膠膜；曝光；顯影、烘烤；對(duì)金屬鉻刻蝕；對(duì)ITO透明導(dǎo)電薄膜刻蝕；脫膜。本發(fā)明的制造方法中，由于使用的是一次涂布光刻膠，所以相應(yīng)只用了一次顯影一次烘烤和脫膜過(guò)程，減少了有機(jī)材料及其他雜質(zhì)在器件基板上殘留的概率，從而縮短了生產(chǎn)時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率；另外由于只用一種圖形進(jìn)行曝光排除了陽(yáng)極同陽(yáng)極引出線之間的對(duì)位誤差，提高了成品率。
文檔編號(hào)H05B33/26GK1791287SQ20041009315
公開日2006年6月21日 申請(qǐng)日期2004年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月17日
發(fā)明者吳玉琦, 徐進(jìn) 申請(qǐng)人:上海廣電電子股份有限公司