專利名稱：一種布線基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有直徑較小的盲孔和盲孔導(dǎo)體的布線基板，及該布線基板的制造方法。
背景技術(shù)：
根據(jù)近年來高性能和高信號處理速率的趨勢，迫切要求制作更小尺寸的布線基板，更精細(xì)間距的布線圖層和更小的盲孔導(dǎo)體半徑。
例如一個布線圖層與兩鄰近布線圖層間的絕緣樹脂層通常限于25μm×25μm的長×寬實(shí)際截面。然而，要求長寬分別小于等于20μm。
為滿足以上要求，不僅需要減小用以連接上下側(cè)布線圖層的盲孔導(dǎo)體直徑，而且需要減小用于容納盲孔導(dǎo)體的盲孔(via hole)。
例如，當(dāng)下焊盤直徑為132μm，上焊盤為138μm時，按現(xiàn)有技術(shù)，盲孔和形成在其中的盲孔導(dǎo)體下端直徑約為60μm，而上端直徑約為68μm(例如，參見JP-A-2003-258430(第4頁，圖1和2))。
當(dāng)形成精細(xì)間距布線圖層，如下層焊盤直徑為103μm，而上層焊盤為110μm時，需要將盲孔和形成在焊盤間的盲孔導(dǎo)體的下端直徑限制在約40到60μm范圍內(nèi)，而將其上端直徑限制在小于或等于約65μm。
然而，在現(xiàn)有技術(shù)的含有18％(重量％)無機(jī)填充物絕緣樹脂層上，在激光照射下(例如，輸出0.4mJ，激光加工設(shè)備狹縫開口的孔直徑0.5μm，照射次數(shù)2)，不可能在該絕緣樹脂層上形成具有前述小直徑的盲孔。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明試圖解決前面在背景技術(shù)中所述問題，目的在于提供一種具有直徑較小的盲孔和盲孔導(dǎo)體的布線基板，和一種該布線基板的可靠的制造方法。
為實(shí)現(xiàn)前述目的，本發(fā)明構(gòu)想通過注意在其中形成盲孔的絕緣樹脂層的選擇和優(yōu)化激光條件。
具體的，根據(jù)本發(fā)明，提供一種布線圖層，包括下部絕緣樹脂層；形成在下部絕緣樹脂層表面上的布線圖層；形成在下部絕緣樹脂層和布線圖層表面上的上部絕緣樹脂層；延伸貫穿至少一層上部絕緣樹脂層的盲孔；和形成在盲孔內(nèi)的與至少一個布線圖層電連接的盲孔導(dǎo)體，其中至少一個上部絕緣樹脂層(優(yōu)選的，每個上部絕緣樹脂層)含有一種環(huán)氧樹脂，該環(huán)氧樹脂含有占重量30到50％的平均粒徑為大于或等于1.0μm到小于或等于10.0μm的無機(jī)填充物SiO2，其中在布線圖層一側(cè)，至少一個盲孔(優(yōu)選的，每個盲孔)下端開口直徑大于等于40μm小于60μm。優(yōu)選的，基于各上部絕緣樹脂層的重量，包含在至少一個上部絕緣樹脂層(優(yōu)選的，在每個絕緣樹脂層中)中的環(huán)氧樹脂占重量的50到70％。
基于這種布線基板，可以在含有大量無機(jī)填充物的上部絕緣樹脂層中高度精確的形成較小直徑的盲孔。即使下部布線圖和上部布線圖均以精細(xì)間距布置，仍可減小這些用于導(dǎo)通圖形的盲孔導(dǎo)體的直徑并精確布置它們。因而，布線圖層可以采用精細(xì)的間距從而在尺寸上減小布線基板。
這里，布線圖層形成在下部絕緣樹脂層表面，而其中貫穿有盲孔的上部絕緣樹脂層則形成在布線圖層和下部絕緣樹脂層表面上。下部絕緣樹脂層包括在中心基板或疊加層中的絕緣樹脂。另一方面，上部絕緣樹脂層形成在布線圖層和下部絕緣樹脂層表面上，且有盲孔貫穿其中。上部絕緣樹脂層和下部絕緣樹脂層是彼此相對應(yīng)而命名的。
進(jìn)一步，盲孔下端的開口直徑為大于等于40μm。這是因?yàn)槿绻露说拈_口直徑小于等于40μm，則可能使形成在盲孔內(nèi)的盲孔導(dǎo)體與下部布線圖層之間的電氣導(dǎo)通或附著不良。與此同時，如果開口直徑設(shè)為大于等于60μm，則由于開口直徑過大難于使布線圖層達(dá)到精細(xì)間距。
根據(jù)本發(fā)明，作為優(yōu)選實(shí)施例，還可提供一種布線基板，其中布線圖層相對側(cè)的盲孔的上端開口直徑大于等于60μm和小于等于65μm?；谶@種布線基板，可以保證形成在盲孔中的盲孔導(dǎo)體與上部布線圖層間的足夠的電氣導(dǎo)通或附著性能，并可容易地與布線圖層的精細(xì)間距相匹配。
作為優(yōu)選實(shí)施例，進(jìn)一步可提供一種布線基板，其中布線圖層中形成通常在頂視圖中為圓形、直徑大于等于60μm和小于等于110μm的盲孔焊盤?；谶@種布線基板，可以確保形成在盲孔中的盲孔導(dǎo)體與盲孔焊盤間的連通，并保持鄰近布線圖層間必要的距離以保證電氣絕緣。
盲孔焊盤的直徑不可超過110μm，因?yàn)橹睆竭^大將使布線圖層難于保持精細(xì)間距。
根據(jù)本發(fā)明，另一方面，作為優(yōu)選實(shí)施例，可以提供一種制造布線基板的方法，包括在下部絕緣樹脂層表面上形成布線圖層的步驟；在下部絕緣樹脂層和布線圖層表面上形成上部絕緣樹脂層的步驟；通過激光加工在至少一個上部絕緣樹脂層內(nèi)形成盲孔的步驟，其中，至少一個上部絕緣樹脂層(優(yōu)選的，每個上部絕緣樹脂層)含有一種環(huán)氧樹脂，該環(huán)氧樹脂含有占重量30到50％的平均粒徑大于等于1.0μm到小于等于10.0μm的無機(jī)填充物SiO2，其中在布線圖層一側(cè)，至少一個盲孔(優(yōu)選的，每個盲孔)下端開口直徑大于等于40μm小于60μm，盲孔是通過激光加工多次照射形成的。優(yōu)選的，基于每個上部絕緣樹脂層重量，至少一個上部絕緣樹脂層(優(yōu)選的，每個上部絕緣樹脂層)以重量計含有重量50到70％的環(huán)氧樹脂。
根據(jù)本方法，在含有大量無機(jī)填充物的上部絕緣樹脂層中可精確形成直徑較小的盲孔。即使下部和上部布線圖層以精細(xì)間距布線，仍可減小實(shí)現(xiàn)下部布線圖層與上部布線圖層的導(dǎo)通的盲孔導(dǎo)體的直徑，并精確布置它們。因而可以可靠形成精細(xì)間距的布線圖層和制造小尺寸布線基板。
根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實(shí)施例，布線基板的制造方法在形成盲孔步驟后進(jìn)一步包括粗化步驟，其中盲孔內(nèi)壁粗糙度為Ra大于等于0.2μm和小于等于1.0μm。根據(jù)本方法，在形成微小直徑盲孔后形成的減小直徑的盲孔導(dǎo)體可牢固的附著于上部絕緣樹脂層。
這里，最好使粗糙的盲孔內(nèi)壁表面具有Ra大于等于0.2μm小于等于1.0μm，Rz大于等于0.2μm小于等于1.0μm的表面粗糙度。這里，粗糙度Ra表示中心線平均粗糙度，粗糙度Rz表示10點(diǎn)平均粗糙度。
作為優(yōu)選實(shí)施例，進(jìn)一步提供一種布線基板制造方法，通過照射三次或以上，使用激光加工開孔。
根據(jù)本方法，具有下端開口直徑的盲孔可以可靠形成在含有大量無機(jī)填充物的上部絕緣樹脂層中。
作為優(yōu)選實(shí)施例，進(jìn)一步提供一種布線基板制造方法，其中照射上部絕緣樹脂層的激光的參數(shù)是輸出能量為約0.4mJ，激光加工設(shè)備狹縫開口孔徑大于等于約0.55μm小于等于0.64μm。
還是根據(jù)本方法，具有下端開口直徑的盲孔可以可靠形成在上部絕緣樹脂層中。


圖1是一個示意截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的布線基板制造方法的一個步驟；圖2是一個示意截面圖，示出了圖1制造方法的后續(xù)步驟；圖3是一個示意截面圖，示出了圖2制造方法的后續(xù)步驟；圖4是一個示意截面圖，示出了圖3制造方法的后續(xù)步驟；圖5是一個示意圖，示出了一個用于本發(fā)明的激光裝置；圖6是一個示意截面圖，示出了圖4制造方法的后續(xù)步驟；圖7是一個在圖6中用單點(diǎn)劃線示出的X部分的放大截面圖，示出了圖4制造方法的后續(xù)步驟；圖8是一個示意截面圖，示出了圖7制造方法的后續(xù)步驟；圖9是一個示意截面圖，示出了圖8制造方法的后續(xù)步驟；圖10是一個示意截面圖，示出了圖9制造方法的后續(xù)步驟；圖11是一個示意截面圖，示出了圖10制造方法的后續(xù)步驟；圖12是一個示意截面圖，示出了圖11制造方法的后續(xù)步驟；圖13是一個示意截面圖，示出了圖12制造方法的后續(xù)步驟；和圖14是一個示意截面圖，示出了圖13制造方法的后續(xù)步驟，和獲得的布線基板。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的最佳實(shí)施方式將描述如下。
圖1是一個截面圖，顯示一個由雙馬來酰亞胺(BT)樹脂制成的厚度約0.7mm的中心基板1(或下部絕緣樹脂層)。在該中心基板1的表面2和背面3覆蓋有厚度為70μm的銅箔4和5。在銅箔4和5上形成有未示出的感光/絕緣干膜，在干膜上按預(yù)先確定的圖形進(jìn)行曝光和沖洗操作。此后，所獲得的阻蝕層用剝離液去除(根據(jù)眾所周知的去除方法)。
這里，可使用具有多個中心基板1的多層板，因此每一中心基板1均要進(jìn)行類似的處理步驟(如下各步驟)。
結(jié)果，如圖2所示，銅箔4和5按前述圖形變成為布線圖層4和5。
下一步，如圖3所示，中心基板1的表面2和布線圖層4的表面，及背面3和布線圖層5的表面上被分別覆蓋一層含有環(huán)氧樹脂的絕緣膜，以形成上部絕緣樹脂層6和7，其中環(huán)氧樹脂含有無機(jī)填充物f。(在本實(shí)施例中，絕緣膜含有重量占64％的環(huán)氧樹脂。)那些上部的絕緣樹脂層6和7厚度約為40μm，并含有重量占30到50％(例如在本實(shí)施例中重量占36％)的通常由球型SiO2制成的無機(jī)填充物f。上部的絕緣樹脂層6和7都具有延伸率小于或等于6％(例如，在本實(shí)施例中為5.0％)，楊氏模量3.6到5Gpa(例如，在本實(shí)施例中為4.0Gpa)，在平面(X-Y)方向上熱脹系數(shù)小于或等于約50ppm/℃(例如，46ppm/℃)。其中無機(jī)填充物f平均粒徑在大于或等于1.0μm到小于或等于10μm范圍內(nèi)。
圖5示意顯示了一個在本發(fā)明中用到的激光加工裝置。一束輸出能量為0.4mJ，由未示出的光源發(fā)出的二氧化碳?xì)怏w激光束L發(fā)射(輻射)通過一個直徑s0.55到0.64μm的狹縫開口(或孔)，并在適當(dāng)位置通過聚光透鏡r聚焦。發(fā)射次數(shù)為3次或更多。
如圖4所示，如在下文中所述，通過激光加工操作，形成通常為錐形的盲孔10和12，這些孔在預(yù)先確定的位置貫通上部絕緣樹脂層6和7，使布線圖層4和5在盲孔10和12的底部暴露出來。
用于在一部分，如圖6中的單點(diǎn)化線部分X所示，形成盲孔10的激光加工操作將結(jié)合圖7到9詳細(xì)說明。
上部絕緣樹脂層6在預(yù)先確定位置用具有前述輸出能量的二氧化碳?xì)怏w激光L1照射一次。結(jié)果，如圖7所示，在上部絕緣樹脂層6的表面形成一個弧形的淺凹坑10a。因上部絕緣樹脂層6中含有大量無機(jī)填充物f，故凹坑10a是淺的。
進(jìn)而，在上部絕緣樹脂層6靠近凹坑10a的中心用二氧化碳?xì)怏w激光L2第二次照射。結(jié)果，如圖8所示，在上部絕緣樹脂層6的表面形成一個大致為半圓形斷面的深凹坑10b。
接著，在上部絕緣樹脂層6靠近凹坑10b的中心用二氧化碳?xì)怏w激光L3第三次照射。結(jié)果，如圖9所示，形成一個貫通上部絕緣樹脂層6的大致為圓錐的盲孔10。所形成的盲孔10可形成相對小直徑，例如下端孔徑為40到60μm，上端孔徑為小于或等于65μm。這是由于考慮到上部絕緣樹脂層6含有大量的無機(jī)填充物f，因而加大了激光器開口孔直徑并增加了照射次數(shù)。盡管已照射三次，因盲孔10的形狀或內(nèi)徑仍很小時，可再次照射第四次。
下一步，對包含盲孔10內(nèi)壁的上部絕緣樹脂層6的表面在60到80℃進(jìn)行膨脹處理5到10分鐘。結(jié)果，上部絕緣樹脂層6(7)表面和盲孔10(11)的內(nèi)壁表面中形成表層部分，其中前述溶液滲入該表層部分以使其處于軟膨脹狀態(tài)。
下一步，對已經(jīng)如前述膨脹處理的中心基板1或板進(jìn)行水洗，再使其浸入30℃的NaMnO4·3H2O或KMnO4約20到30分鐘，對帶有盲孔10(11)的上部絕緣樹脂層6和7的表層部分進(jìn)行粗化處理。
結(jié)果，如圖10所示，在上部絕緣樹脂層6(7)表面和盲孔10(11)的內(nèi)壁表面形成具有粗化的表層部分和一定的粗糙度的粗糙表面6a(7a)。粗糙表面6a(7a)的粗糙度Ra大于等于0.2μm小于等于1.0μm，Rz大于等于0.2μm小于等于1.0μm。與此同時，前述貫通孔8的內(nèi)壁表面也同樣被粗化。
進(jìn)一步，在粗化了的盲孔10和11內(nèi)壁表面，上部絕緣樹脂層6和7的粗化面6a(7a)，及貫通孔8的內(nèi)壁表面施加含Pd的鍍覆催化劑。此后，對這些表面進(jìn)行無電鍍銅和電鍍銅。
結(jié)果，如圖11所示，在上部絕緣樹脂層6和7整個表面分別形成銅鍍膜c1，并在貫通孔8中形成大致為圓柱形的厚度為40μm的貫通孔導(dǎo)體14。同時，盲孔10和11也在其中額外鍍銅，形成填充盲孔導(dǎo)體12和13。
下一步，如圖12所示，在貫通孔導(dǎo)體14內(nèi)填充含有如前所述的無機(jī)填充物的填充樹脂9。這里，填充樹脂9可以是含有金屬粉末的導(dǎo)電樹脂或不導(dǎo)電樹脂。
如圖12所示，進(jìn)一步的，對銅鍍膜c1和c1的上表面及填充樹脂9的兩端面進(jìn)行電鍍鍍銅形成銅鍍膜c2和c2。與此同時，填充樹脂9的兩端面被覆蓋電鍍。這里，銅鍍膜c1和c2的總厚度為約15μm。
下一步，在銅鍍膜c1和c2上形成未示出的感光/絕緣干膜，并對其按預(yù)先確定的圖形進(jìn)行曝光和沖洗。這一步驟后，獲得了阻蝕層，而那些位于前述阻蝕層下的鍍銅膜用剝離液去除。結(jié)果，如圖13所示，在上部絕緣樹脂層6和7表面上，按前述圖形形成布線圖層16和17。
因?yàn)榻咏鼘?6和17及導(dǎo)體12和13的上部絕緣樹脂層6和7表面被粗化(在6b和7b處)，布線圖層16和17及盲孔導(dǎo)體12和13可以獲得很強(qiáng)的與上部絕緣樹脂層6和7的附著力，而不管布線圖層16和17可能是精細(xì)間距或盲孔導(dǎo)體12和13直徑減小。
如圖14所示，在上部絕緣樹脂層6和布線圖層16表面以及上部絕緣樹脂層7和布線圖層17表面分別覆蓋前述厚度的絕緣膜，從而形成新的上部絕緣樹脂層18和19。這里，相對于上部絕緣樹脂層18和19前面的絕緣樹脂層6和7變?yōu)橄虏拷^緣樹脂層。
下一步，如圖14所示，在上部絕緣樹脂層18和19表面的預(yù)先確定位置，沿其厚度方向用二氧化碳?xì)怏w激光按前述條件照射，從而形成大致為圓錐形的小直徑盲孔20和21，這些孔貫穿上部絕緣樹脂層18和19，使布線圖層16和17在盲孔20和21的底面暴露出來。
對包括盲孔20和21內(nèi)壁在內(nèi)的絕緣樹脂層18和19整個表面，如前述進(jìn)行包括膨脹處理和粗化處理在內(nèi)的粗化步驟，從而獲得前述的具有一定粗糙度的粗化表面。
下一步，在包括前述盲孔20和21在內(nèi)的粗化上部絕緣樹脂層18和19的整個表面上事先施加如前述的鍍覆催化劑。此后，對整個表面進(jìn)行無電鍍銅，形成厚度為0.5μm薄銅膜層(未示出)。
下一步，在薄銅膜的整個表面覆蓋由環(huán)氧樹脂制成的厚度約為25μm的感光/絕緣膜(未示出)。這層絕緣膜將進(jìn)行曝光和沖洗，和用剝離液去除曝光或未曝光部分。
結(jié)果，在薄銅膜層表面形成未示出的按前述圖形生成輪廓的阻鍍層。同時，在接近盲孔20和21上的薄銅膜層表面上形成寬間隙。
下一步，對位于間隙底面和盲孔20和21內(nèi)的薄銅膜層進(jìn)行電鍍銅。結(jié)果，在盲孔20和21內(nèi)分別形成填充盲孔導(dǎo)體22和23，按前述間隙形成與盲孔導(dǎo)體22和23連接的布線圖層24和25(或疊加布線層)。此后，去除前述的阻鍍層及其下的薄銅膜層。
因?yàn)榻咏鼘?4和25及導(dǎo)體22和23的上部絕緣樹脂層18和19表面被粗化，布線圖層24和25及被填充的盲孔導(dǎo)體22和23可以獲得很強(qiáng)的與上部絕緣樹脂層18和19的附著力，而不管布線圖層24和25可能是精細(xì)間距或盲孔導(dǎo)體22和23直徑減小。
如圖14所示，進(jìn)一步的，在其上具有布線圖層24的上部絕緣樹脂層18的表面上形成厚度約為25μm的由如前述的樹脂制成的阻焊層26(或絕緣層)。在具有前述的布線圖層25的上部絕緣樹脂層19的表面上形成如前述的阻焊層27(或絕緣層)。
如圖14所示，阻焊層26和27在預(yù)先指定位置通過激光打孔至到達(dá)布線圖層24和25的深度，從而形成在第一主表面28開口的焊盤30，和在第二主表面29上的開口31。
在焊盤30上形成一個焊料隆起32，該焊料隆起32突出高于第一主表面28，以便于電子元件，如未示出的IC芯片可通過焊料安裝于其上。這里，焊料隆起32由一些低熔點(diǎn)合金制成，如Sn-Cu，Sn-Ag，或Sn-Zn。
如圖14所示，進(jìn)一步的，盡管未示出，由布線層25延伸出的位于開口31底面的布線33表面鍍有Ni或Au，以提供連接端子，以便與一個如未示出的主板的印刷基板相連接。
如圖14所示，通過至此所述的各步驟，可以提供一種布線基板K，其包含在中心基板1的表面2和背面3上的疊加層BU1和疊加層BU2。疊加層BU1包括精細(xì)間距的布線圖層16和24和尺寸減小的盲孔導(dǎo)體12和22，疊加層BU2包括布線圖層17和25，和尺寸減小的盲孔導(dǎo)體13和23。
這里，布線基板K也可制作成僅在中心基板1的表面2上有疊加層BU1。這種模式下，僅在中心基板1的背面3上形成有布線層17和阻焊層27。
根據(jù)至此所述的本發(fā)明的布線基板K的制造方法，用二氧化碳?xì)怏w激光L在前述條件下照射含有大量無機(jī)填充盲孔導(dǎo)體物f的上部絕緣樹脂層6、18、7和19。結(jié)果，可以可靠形成下端開口和上端開口尺寸減小的盲孔10、11、20和21，以便形成具有相似形狀的填充盲孔導(dǎo)體12、13、22和23。因此，即使布線圖層16、17、24和25以窄的精細(xì)間距布線，也可以使它們可靠連接起來，彼此導(dǎo)通并保證其電氣性能。這有利于布線基板的尺寸減小和精細(xì)間距布線圖層。
本發(fā)明不限于至此所述的實(shí)施例模式。
前面所述的制造方法的各步也可用具有多個中心基板1或中心單元的大尺寸多重板實(shí)現(xiàn)。
進(jìn)而，用于中心基板從而形成下部絕緣樹脂層的材料應(yīng)不僅限于前面所述的BT樹脂，而還可以是如環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺樹脂?？蛇x擇的，還可以使用一種合成材料，該合成材料通過用一種氟樹脂包裹玻璃纖維制備，氟樹脂具有三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，如具有連續(xù)的孔的PTFE。
可選擇的，前面所述的中心基板的材料還可以是陶瓷。這種陶瓷可以是鋁、硅酸、玻璃陶瓷或氮化鋁，并也可以是例如低溫?zé)Y(jié)基板，其可在相對較低溫度例如約1000℃燒結(jié)。進(jìn)而，可以是一種含F(xiàn)e重量占42％的銅合金或Ni合金的金屬中心基板，其表面完全用絕緣材料覆蓋。
進(jìn)而，該模式也可修改為使用沒有中心基板的無中心基板。在這種修改中，例如，如前所述的上部絕緣樹脂層6和7起到絕緣基板的作用。
進(jìn)而，前面所述的布線層4和5等的材料不僅可以是前面所述的Cu(銅)，也可以是Ag、Ni、或Ni-Au?？蛇x擇的，布線層10不使用金屬鍍層，而是也可以使用一種導(dǎo)電樹脂的方法形成。
進(jìn)而，如其包含前述的無機(jī)填充物，前面所述的上部絕緣樹脂層6和7等不僅可以是前述的主要由環(huán)氧樹脂所組成的樹脂，也可以是聚酰亞胺樹脂、BT樹脂或一種具有相似耐熱和圖形成型性能的PPE樹脂，或一種樹脂-樹脂合成材料，該材料用例如環(huán)氧樹脂的樹脂浸漬氟樹脂制備，這種氟樹脂具有三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，例如具有連續(xù)孔的PTFE。
進(jìn)而，盲孔導(dǎo)體無需為如前述的填充盲孔導(dǎo)體12，而可以是與盲孔導(dǎo)體相似的倒轉(zhuǎn)圓錐體，其中沒有被導(dǎo)體完全填滿?？蛇x擇的，盲孔導(dǎo)體可為交錯形狀，在這種形狀中，它們在軸向移位時是堆疊的，或者是這樣的形狀，在平面方向延伸到半途的布線層是穿插的。
本申請是基于2003年11月18日提交的日本專利申請JP 2003-388493，其整體內(nèi)容這里作為參考結(jié)合，如同在此詳細(xì)敘述。
權(quán)利要求
1.一種布線基板包括下部絕緣樹脂層；形成在下部絕緣樹脂層表面上的布線圖層；形成在下部絕緣樹脂層和布線圖層表面上的上部絕緣樹脂層；延伸貫穿至少一層上部絕緣樹脂層的盲孔；和設(shè)置在盲孔內(nèi)并與至少一個布線圖層電連接的盲孔導(dǎo)體，其中至少一個上部絕緣樹脂層含有環(huán)氧樹脂，該環(huán)氧樹脂含有占重量30到50％的平均粒徑為1.0到10.0μm的無機(jī)填充物SiO2，和在布線圖層一側(cè)，至少一個盲孔下端開口直徑大于等于40μm并小于60μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線基板，其中各上部絕緣樹脂層含有環(huán)氧樹脂，該環(huán)氧樹脂含有占重量30到50％的平均粒徑為1.0到10.0μm的無機(jī)填充物SiO2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線基板，其中在布線圖層一側(cè)，各盲孔下端開口直徑大于等于40μm并小于60μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線基板，其中至少一個上部絕緣樹脂層含有重量50到70％的環(huán)氧樹脂。
5.一種用于布線基板制造的方法，包括在下部絕緣樹脂層表面上形成布線圖層的步驟；在下部絕緣樹脂層和布線圖層表面上形成上部絕緣樹脂層的步驟；通過激光加工在至少一個上部絕緣樹脂層內(nèi)形成盲孔的步驟；其中，至少一個上部絕緣樹脂層含有環(huán)氧樹脂，該環(huán)氧樹脂含有占重量30到50％的平均粒徑為1.0到10.0μm的無機(jī)填充物SiO2，在布線圖層一側(cè)，至少一個盲孔下端開口直徑大于等于40μm并小于60μm，和盲孔是通過激光加工多次照射形成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中各上部絕緣樹脂層含有環(huán)氧樹脂，該環(huán)氧樹脂含有占重量30到50％的平均粒徑為1.0到10.0μm的無機(jī)填充物SiO2。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中在布線圖層一側(cè)，各盲孔下端開口直徑大于等于40μm并小于60μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中至少一個上部絕緣樹脂層含有重量50到70％的環(huán)氧樹脂。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包含，在形成盲孔步驟后，粗化盲孔內(nèi)壁表面的步驟，以使粗化的內(nèi)壁表面的中心線平均粗糙度為0.2到1.0μm。
全文摘要
一種布線基板包括下部絕緣樹脂層；形成在下部絕緣樹脂層表面上的布線圖層；形成在下部絕緣樹脂層和布線圖層表面上的上部絕緣樹脂層；延伸貫穿至少一層上部絕緣樹脂層的盲孔；盲孔內(nèi)的與至少一個布線圖層電連接的盲孔導(dǎo)體，其中至少一個上部絕緣樹脂層含有環(huán)氧樹脂，該環(huán)氧樹脂含有占重量30到50％的平均粒徑為1.0到10.0μm的無機(jī)填充物SiO
文檔編號H05K3/46GK1620232SQ200410094799
公開日2005年5月25日 申請日期2004年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月18日
發(fā)明者齊木一, 櫻井干也 申請人:日本特殊陶業(yè)株式會社