專利名稱：電子鎮(zhèn)流器中燈管漏氣時(shí)的保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子鎮(zhèn)流器的保護(hù)電路，具體地說是一種電子鎮(zhèn)流器中燈管漏氣時(shí)的保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
當(dāng)今電子鎮(zhèn)流器的應(yīng)用越來越廣，對電子鎮(zhèn)流器的要求也越來越高，尤其是一些保護(hù)方面的功能，特別是T5等細(xì)管徑產(chǎn)品的出現(xiàn)，其對壽終和無燈管時(shí)的保護(hù)要求尤為突出，目前燈管壽終或無燈管接入時(shí)的保護(hù)及換燈管后能自動(dòng)重起技術(shù)，通常采用芯片電路，例如PHILPS的鎮(zhèn)流器保護(hù)電路采用2010T芯片技術(shù)，但該電路較復(fù)雜。另有一種燈管漏氣時(shí)的保護(hù)電路，在燈管漏氣后設(shè)置固定時(shí)間在不斷地重啟，而后又不斷保護(hù)，直到換燈管后才停止，這樣在沒換燈管的那段時(shí)間給鎮(zhèn)流器造成一定的傷害，同時(shí)重啟時(shí)間若設(shè)置不夠給換燈管時(shí)帶來有一定的危險(xiǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的是現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，旨在提供一種結(jié)構(gòu)相對簡單的電子鎮(zhèn)流器中燈管漏氣時(shí)的保護(hù)電路，且該保護(hù)電路在換燈管前一直處在保護(hù)狀態(tài)，直到換燈管后重啟。
解決上述問題采用的技術(shù)方案是電子鎮(zhèn)流器中燈管漏氣時(shí)的保護(hù)電路，包括可控硅和用于燈管自動(dòng)重啟的MOS管，所述的可控硅陰級接地，陽極通過電阻連接到振蕩驅(qū)動(dòng)電路的電源端和MOS管的源極，所述的可控硅的觸發(fā)極連接第一控制信號，所述的第一控制信號滿足燈管常態(tài)時(shí)為低電平，漏氣時(shí)為高電平；所述的MOS管的漏極接地，柵極連接第二控制信號，所述的第二控制信號滿足有燈管時(shí)為低電平，無燈管時(shí)為高電平。
本發(fā)明的燈管漏氣時(shí)的保護(hù)電路，采用可控硅控制，在燈管正常工作時(shí)，可控硅截止。當(dāng)燈管漏氣時(shí)，第一控制信號控制可控硅觸發(fā)導(dǎo)通，可控硅陽極將振蕩驅(qū)動(dòng)電路的電源端電壓拉為零，振蕩電路停振，由于可控硅具有續(xù)流特性，因而當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘栠^后，可控硅持續(xù)導(dǎo)通，使電路維持保護(hù)狀態(tài)。只有換燈時(shí)，第二控制信號使MOS管的柵極電壓由高電平變?yōu)榈碗娖?，MOS管源極輸出高電平，使振蕩驅(qū)動(dòng)電路重新起振工作。
所述的第一控制信號通過以下電路獲得二極管的陽極連接到第二燈絲的引出端，陰極連接到第一電阻的一端；電容和第二電阻并聯(lián)后一端連接到所述第一電阻的另一端和所述可控硅的觸發(fā)端，另一端接地。正常工作時(shí)，第二燈絲的引出端電位為低電平，當(dāng)漏氣時(shí)該點(diǎn)電位上升到可控硅的觸發(fā)電位，使可控硅導(dǎo)通，從而實(shí)現(xiàn)保護(hù)。
所述的第一控制信號通過一個(gè)無燈管保護(hù)電路來獲得。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
圖1是本發(fā)明的電子鎮(zhèn)流器中燈管漏氣時(shí)的保護(hù)電路的電路圖。
圖2是本發(fā)明MOS管Q3控制信號獲得的一種實(shí)施方式的電路圖。
圖3是本發(fā)明MOS管Q3控制信號獲得的另一種實(shí)施方式的電路圖。
具體實(shí)施例方式
參照圖1，虛框I、II、III分別為電子鎮(zhèn)流器的振蕩驅(qū)動(dòng)電路、鎮(zhèn)流電路和本發(fā)明的保護(hù)電路，其中振蕩芯片采用L6569。在本實(shí)施例中，電路中接入單根燈管LAMP1，具有第一燈絲DS1和第二燈絲DS2。虛框II中為本發(fā)明的電子鎮(zhèn)流器中燈管漏氣時(shí)的保護(hù)電路，包括可控硅Q4和用于燈管自動(dòng)重啟的MOS管Q3，所述的可控硅Q4陰級接地，陽極通過電阻R24連接到振蕩驅(qū)動(dòng)電路的電源端Y和MOS管Q3的源極，所述的可控硅Q4的觸發(fā)極連接第一控制信號；所述的MOS管Q3的漏極接地，柵極連接第二控制信號。
所述的第一控制信號通過以下電路獲得二極管D9的陽極連接到第二燈絲的引出端H，陰極連接到第一電阻R22的一端；電容C8和第二電阻R23并聯(lián)后一端連接到所述第一電阻R22的另一端和所述可控硅Q4的觸發(fā)端，另一端接地。
燈管正常工作時(shí)，第二燈絲的引出端H點(diǎn)電位不足以使可控硅Q4導(dǎo)通。當(dāng)燈管漏氣時(shí)，流過電阻R9的電流增大，使H點(diǎn)電壓上升，觸發(fā)導(dǎo)通可控硅Q4，將振蕩驅(qū)動(dòng)電路的電源端電壓拉為零，振蕩芯片停振，使電路獲得保護(hù)。同時(shí)，只要燈管在，所述MOS管Q3關(guān)斷，此時(shí)電源通過電阻R24、R25向可控硅Q4提供維持電流，保持可控硅Q4的導(dǎo)通，使電路一直處在保護(hù)狀態(tài)。換燈管時(shí)，第二控制信號使MOS管Q3開通，此時(shí)MOS管Q3的源極電壓為0V，從而切斷電源向可控硅Q4提供維持電流的回路，可控硅關(guān)斷，振蕩驅(qū)動(dòng)電路重新起振，燈管又回到正常工作狀態(tài)。
參照圖2，所述的MOS管Q3的控制信號可以通過一個(gè)無燈管接入時(shí)的保護(hù)電路來獲得。所述的無燈管接入時(shí)的保護(hù)電路，包括A1，所述的A1的輸入正端A通過一個(gè)二極管D4連接到第二燈絲的電源引入端，同時(shí)所述的輸入正端A還連接到一對串聯(lián)于電源兩端的電阻R16、R18的中點(diǎn)。所述的A1的輸入負(fù)端B的連接到一對串聯(lián)于電源兩端的電阻R17、R19的中點(diǎn)，其電壓通過兩個(gè)電阻R17、R19分壓獲得。所述的A1的輸出端通過二極管D6和電阻R20連接到所述MOS管Q3的柵極，所述MOS管Q3的漏極接地，源極連接到所述振蕩驅(qū)動(dòng)電路的電源端Y。所述第二燈絲的引出端串聯(lián)電阻(R9)后接地。
為保證比較器A1的輸入端電壓滿足常態(tài)時(shí)負(fù)端B電壓高于正端A電壓；無燈管時(shí)負(fù)端B電壓低于正端A電壓，因而常態(tài)時(shí)將負(fù)端B電壓設(shè)定為10V，正端A電壓設(shè)定為5V，電阻R16和R18分壓取15V。正常工作時(shí)，由于燈絲電阻只有2-3歐姆，電阻R9取值為小于1歐姆，輸入正端A點(diǎn)電壓等于被二極管D4、燈絲DS2、電阻R9對地旁路掉，電位很低只有1V左右，故比較器A1正常工作的時(shí)候輸出低電平，電路正常工作。而燈管LAMP1不存在時(shí)等于是燈絲DS2電阻不存在，使輸入正端A點(diǎn)電壓只是R16和R18的分壓，即15V，高于負(fù)端B點(diǎn)10V的電壓，比較器A1輸出高電位，通過二極管D6、電阻R20驅(qū)動(dòng)MOS管Q3，使MOS管Q3開通將振蕩芯片L6569電源Y點(diǎn)拉為0電壓，振蕩芯片L6569停振，電路處于保護(hù)狀態(tài)，換燈管后電路參數(shù)恢復(fù)回原來設(shè)置值，電路自動(dòng)重啟。
參照圖3，所述的MOS管Q3的控制信號還可以通過以下的無燈管接入時(shí)的保護(hù)電路來獲得。該電路包括比較器A2，所述的比較器A2的正端B的電壓通過兩個(gè)電阻R17、R19分壓獲得；所述的比較器A2的負(fù)端C的電壓通過以下電路獲得所述第一燈絲的電源引入端U通過電阻R4連接到電源，引出端串聯(lián)電阻R6和二極管D3后連接到所述比較器A2的輸出負(fù)端C；電容C4并聯(lián)電阻R8后一端接地，另一端后連接到所述比較器A2的輸出負(fù)端C。
為使所述的比較器A2的輸入端電壓滿足常態(tài)時(shí)負(fù)端C電壓高于正端B電壓；無燈管時(shí)負(fù)端C電壓低于正端B電壓，設(shè)定常態(tài)時(shí)負(fù)端C的電壓為15V，這樣正常工作時(shí)，比較器2輸出低電平，MOS管Q3關(guān)斷，振蕩電路正常工作。當(dāng)而燈管LAMP1不在時(shí)，即燈絲DS1不存在，使電源向負(fù)端C點(diǎn)提供電壓的電路中斷，負(fù)端C點(diǎn)電壓降為0V，低于正端B點(diǎn)10V電壓，故比較器A2輸出高電平，通過二極管D5、電阻R20和MOS管Q3將振蕩芯片L6569電源拉為0V，電路獲得保護(hù)。換燈管后電路參數(shù)恢復(fù)回原來設(shè)置值，電路自動(dòng)重啟。
本發(fā)明同樣適用于雙燈管電路。
應(yīng)該理解到的是上述實(shí)施例只是對本發(fā)明的說明，而不是對本發(fā)明的限制，任何不超出本發(fā)明實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)的發(fā)明創(chuàng)造，均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.電子鎮(zhèn)流器中燈管漏氣時(shí)的保護(hù)電路，包括可控硅(Q4)和用于燈管自動(dòng)重啟的MOS管(Q3)，其特征在于所述的可控硅(Q4)陰級接地，陽極通過電阻(R24)連接到振蕩驅(qū)動(dòng)電路的電源端(Y)和MOS管(Q3)的源極，所述的可控硅(Q4)的觸發(fā)極連接第一控制信號，所述的第一控制信號滿足燈管常態(tài)時(shí)為低電平，漏氣時(shí)為高電平；所述的MOS管(Q3)的發(fā)射極接地，控制柵極連接第二控制信號，所述的第二控制信號滿足有燈管時(shí)為低電平，無燈管時(shí)為高電平。
2.如權(quán)利要求1所述的電子鎮(zhèn)流器中燈管漏氣時(shí)的保護(hù)電路，其特征在于所述的第一控制信號通過以下電路獲得二極管(D9)的陽極連接到第二燈絲的引出端(H)，陰極連接到第一電阻(R22)的一端；電容(C8)和第二電阻(R23)并聯(lián)后一端連接到所述第一電阻(R22)的另一端和所述可控硅(Q4)的觸發(fā)端，另一端接地。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電子鎮(zhèn)流器中燈管漏氣時(shí)的保護(hù)電路，其特征在于所述的第一控制信號通過一個(gè)無燈管保護(hù)電路來獲得。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電子鎮(zhèn)流器中燈管漏氣時(shí)的保護(hù)電路。它包括可控硅和用于燈管自動(dòng)重啟的MOS管，所述的可控硅陰級接地，陽極通過電阻連接到振蕩驅(qū)動(dòng)電路的電源端和MOS管的源極，所述的可控硅的觸發(fā)極連接第一控制信號；所述的MOS管的漏極接地，柵極連接第二控制信號。燈管正常工作時(shí)，可控硅截止。當(dāng)燈管漏氣時(shí)，第一控制信號控制可控硅觸發(fā)導(dǎo)通，可控硅陽極將振蕩驅(qū)動(dòng)電路的電源端電壓拉為零，振蕩電路停振，由于可控硅具有續(xù)流特性，在當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘栠^后可持續(xù)導(dǎo)通，使電路維持保護(hù)狀態(tài)。只有換燈時(shí)，第二控制信號使MOS管的柵極電壓由高電平變?yōu)榈碗娖?，?qū)使振蕩驅(qū)動(dòng)電路重新起振工作。
文檔編號H05B41/292GK1617647SQ20041009725
公開日2005年5月18日 申請日期2004年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月19日
發(fā)明者馬錦洪 申請人:橫店得邦電子有限公司